KR940016249A - 다이나믹 램(dram) 리프레쉬용 콘트롤 회로 - Google Patents
다이나믹 램(dram) 리프레쉬용 콘트롤 회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 DRAM을 사용하는 시스템 상에서 전용 리프레쉬(Refresh) 회로를 통해 필요한 시그널을 생성하여 DRAM을 제어 할 수 있도록 한 DRAM 리프레쉬용 콘트롤 회로에 관한 것으로, 외부에서 비디오 클럭을 인가받고, 어드레스 출력을 내는 메모리 콘트롤 수단(1), 상기 메모리 콘트롤 수단(1)에 연결되어 외부에서 상기 비디오 클럭을 인가받아 동기되어 카운트를 계속 수행하며 내부 카운트값이 풀(full)이 되면 내부 제어에 의해 상기 메모리 콘트롤 수단(1)으로 리프레쉬 요구(ref req)신호를 출력하고 상기 메모리 콘트롤러(1)로 부터의 출력을 리프레쉬 클럭(ref )신호로 이용하며, 어드레스 출력을 내는 리프레쉬 콘트롤수단(2), 및 상기 메모리 콘트롤 수단(1)과 상기 리스레쉬 콘트롤 수단(2)으로 부터의 어드레스 신호를 인가받으며, 상기 메모리 콘트롤러(1)에 의해 제어되는 메모리 수단(3)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 리프레쉬 시스템의 블럭 구성도, 제 2 도는 리프레쉬 콘트롤러의 내부 회로 구성도.
Claims (2)
- 외부에서 비디오 클럭을 인가받고, 어드레스 출력을 내는 메모리 콘트롤 수단(1), 상기 메모리 콘트롤 수단(1)에 연결되어 외부에서 상기 비디오 클럭을 인가받아 동기되어 카운트를 계속 수행하며 내부 카운트값이 풀(full)이 되면 내부 제어에 의해 상기 메모리 콘트로 수단(1)으로 리프레쉬 요구(ref req)신호를 출력하고 상기 메모리 콘트롤러(1)로 부터의 출력을 리프레쉬 클럭(ref )신호로 이용하며, 어드레스 출력을 내는 리프레쉬 콘트롤수단(2), 및 상기 메모리 콘트롤 수단(1)과 상기 리프레쉬 콘트롤 수단(2)으로 부터의 어드레스 신호를 인가받으며, 상기 메모리 콘트롤러(1)에 의해 제어되는 메모리 수단(3)을 구비하는 것을 특징으로 하는 다이나믹 램(DRAM) 리프레쉬용 콘트롤 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 리프레쉬 콘트롤 수단(2)는 , 외부로 부터 비디오 클럭을 인가받아 칩 인에이블 신호(CO)를 출력하는 리프레쉬 카운트 수단(4), 상기 메모리 콘트롤 수단(1)으로 부터 리프레쉬 클럭신호를 동기신호로 하여 리프레쉬 어드레스 신호를 출력하는 리프레쉬 어드레스 카운트 수단(5), 상기 리프레쉬 카운트 수단(4)으로 부터의 칩 인에이블 신호의 반전 신호를 D입력단으로 인가받고 상기 비디오 클럭에 동기되며, SDN(프리셋 단자) 단자로 리셋 신호를 인가받는 D플립-플롭(7), 상기 메모리 콘트롤 수단(1)으로 부터의 리프레쉬 인식신호를 SA(선택단자A)단자로 인가받고 DA(데이타 단자A)단자는 어스되어 있으며, 상기 비디오 클럭 신호에 동기되어 출력단자(Q)로 리프레쉬 요구 신호를 상기 메모리 콘트롤러(1)로 출력하며 그 출력신호는 다시 DB(데이타 단자B)단자로 피드백 되고, 출력단자(Qn)는 상기 리프레쉬 카운트 수단(4)의 칩 에이블 신호를 인가하는 MUX플립-플롭(8)을 부비하고 있는 것을 특지으로 하는 다이나믹 램(DRAM) 리프레쉬용 콘트롤 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920026860A KR960001110B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 다이나믹 램(dram) 리프레쉬 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920026860A KR960001110B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 다이나믹 램(dram) 리프레쉬 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940016249A true KR940016249A (ko) | 1994-07-22 |
KR960001110B1 KR960001110B1 (ko) | 1996-01-18 |
Family
ID=19348003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920026860A KR960001110B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 다이나믹 램(dram) 리프레쉬 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960001110B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026860A patent/KR960001110B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960001110B1 (ko) | 1996-01-18 |
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