KR940012688A - 개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법 - Google Patents

개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940012688A
KR940012688A KR1019930024031A KR930024031A KR940012688A KR 940012688 A KR940012688 A KR 940012688A KR 1019930024031 A KR1019930024031 A KR 1019930024031A KR 930024031 A KR930024031 A KR 930024031A KR 940012688 A KR940012688 A KR 940012688A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetoresistive
conductive region
permanent magnet
layer
isolation layer
Prior art date
Application number
KR1019930024031A
Other languages
English (en)
Inventor
제임스 라마 닉스
가이 프랭클린 루즈
안소니 칼 헬름즈
폴 딘 렝니홀츠
다니엘 제임스 오코너
Original Assignee
조셉 더블유. 네빈스
락키 마운틴 마그네틱스, 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 더블유. 네빈스, 락키 마운틴 마그네틱스, 인코오포레이티드 filed Critical 조셉 더블유. 네빈스
Publication of KR940012688A publication Critical patent/KR940012688A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/398—Specially shaped layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

개선된 바르크하우젠 잡음 억제를 초래하는 동일물을 제조하기 위한 개선된 자기 저항 장치 및 방법이다. 일반적으로 동일 평면상의 장치는 비자성 금속 또는 유전체 격리층(162)에 의해 그로부터 격리된 대향 영구 자석층(158)에 의해 종방향으로 바이어스된 MR 구조체 도전 영역(152)을 갖는 것으로 기술된다. MR대 영구 자석 접합부 부근에서 비자화 에너지가 크게 감소되고 특히 타원형 도전 영역(제11도의 172)을 사용함으로써 그러하며 결과로서 생기는 보통 동일 평면상의 장치는 자동 정렬 공정을 사용하여 쉽게 제조되고 재생 가능하다. 기술된 종방향 바이어스 기술은 모든 주지의 횡방향 바이어스 기술과 함께 사용될 수 있다.

Description

개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 바르크하우젠 잡음 억제(BNS)를 위해 종방향 바이어스를 도전 영역에 제공하도록 자기 저항 도전 영역 및 인접한 영구 자석 영역 사이의 과장된 간격을 도시하는 본 발명에 따른 자기 저항 장치의 부분적 등각도.
제7도는 격리층에 의해 영구 자석 영역 및 자기 저항 구조체 사이에 유지되는 바람직한 간격의 부분적 단면도.
제8도는 적당한 바르크하우젠 잡음 억제를 제공하기에 충분한 옹스트롬 단위의 바람직한 영구 자석(PM)대 자기 저항 구조체(MRS) 간격의 그래프.

Claims (25)

  1. 한 주측을 가지고 상기 주측과 교차하여 대향적으로 배치된 제1 및 제2단부(180)를 제공하는 자기 저항 구조체(126) 및; 상기 자기 저항 구조체의 상기 제1 및 제2단부에 보통 공면 관계로 인접해 있으나 상호 이격되게 배치된 제1 및 제2영구자석층(128)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치(120).
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체(126)는 자기 저항층 및 그 하부에 배치되며 같은 크기만큼 연장되어 있는 비교적 연질의 자성층(140)을 포함하고, 상기 자기 저항 장치는 상기 자기 저항(164) 및 상기 연질 자성층(166) 사이에 삽입된 자성 스페이싱층(168)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 자기 저항층은 NiFe를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 연질 자성층(166)은 NiFeMo를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 자성 스페이싱층(168)은 탄탈룸을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영구 자석층을 통해 상기 자기 저항장치에 전기적 접촉을 제공하기 위한 제1 및 제2전극을 추가로 포함하고, 여기서 상기 제1 및 제2전극은 Au를 포함하고 상기 자기 저항 구조체와 접촉하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영구 자석층 및 상기 자기 저항 구조체의 상기 제1 및 제2단부 사이의 격리부는 400옹스트롬보다 작고, 상기 격리부는 비자성 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체의 상기 제1 및 제2단부는 보통 상기 자기 저항 구조체의 상기 주축을 따라 그 초점을 갖는 타원에 의해 보통 한정되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체의 상기 제1 및 제2단부는 상기 주측에 직교하지 않는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2영구 자석층 및 상기 자기 저항 구조체의 상기 제1 및 제2단부 사이의 격리부는 유전 재료에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 영구 자석층은 CoPt를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치.
  12. 단부를 갖는 자기 저항 도전 영역(152), 상기 도전 영역의 상기 대향 단부에 인접한 격리층(162) 및; 상기 도전 영역의 상기 단부에서 상기 격리층과 보통 공면상에 접촉함으로써 상기 자기 저항 도전 영역에 종방향 바이어스를 제공하는 제1 및 제2영구 자석 영역(158)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치(150).
  13. 자기 저항 구조체상에 자기 저항 도전 영역을 한정하는 단계와; 상기 자기 저항 도전 영역의 대향 단부위에 인접 격리층을 두는 단계와; 상기 자기 저항 도전 영역에 종방향 바이어스를 제공하도록 상기 도전 영역의 상기 단부에서 상기 격리층과 접촉하는 제1 및 제2영구 자석 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 한정 단계는 상기 자기 저항 도전 영역을 한정하도록 하기 자기 저항 구조체상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 포토레지스트의 주위 부분을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 한정 단계는 보통 타원형인 자기 저항 도전 영역을 생성하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 자기 저항 도전 영역의 대향 단부위에 인접 격리층을 두는 단계를 비자성 금속을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 적층 단계는 크롬에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 자기 저항 도전 영역의 대향 단부위에 인접 격리층을 두는 단계는 유전 재료를 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 형성 단계는 경질 자성 재료를 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  20. 제20항에 있어서, 상기 적층 단계는 CoPt에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  21. 제13항에 있어서, 상기 자기 저항 장치를 한정하도록 포토레지스트를 패터닝하는 단계와; 상기 패터닝된 포토레지스트 둘레의 상기 영구 저석 영역 및 상기 격리층을 에칭하여 제거하는 단계와; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 에칭 단계는 이온 빔 밀링에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  23. 자기 저항 구조체로부터 자기 저항 메사를 한정하는 단계와; 상기 자기 저항 메사의 측벽부위에 격리층을 두는 단계와; 상기 자기 저항 메사에 종방향 바이어스를 제공하도록 상기 격리층에 인접한 영구 자석층을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 한정 단계는 패터닝된 포토레지스트에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
  25. 장치 기판상에 자기 저항 구조체를 생성하는 단계와; 상기 자기 저항 구조체 내에 자기 저항 도전 영역을 한정하는 단계와; 제1로 그 노출된 대향 단부를 남긴채 상기 자기 저항 도전 영역 둘레의 상기 자기 저항 구조체를 제거하는 단계와; 상기 기판 및 상기 자기 저항 도전 영역위에 격리층을 두는 단계와; 상기 격리층과 접촉하는 영구 자석 영역을 한정하는 단계와; 제2로 그 상기 노출된 대향 단부에서의 영역을 제외하고 상기 자기 저항 도전 영역으로부터 상기 격리층 및 상기 영구 자석 영역을 제거하는 단계를 포함함으로써 상기 자기 저항 도전 영역의 상기 노출된 대향 단부에 인접한 상기 영구 자석 영역 부분이 거기에 종방향 바이어스를 제공하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 장치 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930024031A 1992-11-12 1993-11-12 개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법 KR940012688A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97547992A 1992-11-12 1992-11-12
US07/975,479 1992-11-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940012688A true KR940012688A (ko) 1994-06-24

Family

ID=25523071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930024031A KR940012688A (ko) 1992-11-12 1993-11-12 개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5634260A (ko)
JP (1) JPH06223337A (ko)
KR (1) KR940012688A (ko)
CN (1) CN1091543A (ko)
GB (1) GB2272561B (ko)
MY (1) MY108956A (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0153311B1 (ko) * 1994-04-06 1998-12-15 가나이 쯔도무 자기 저항 효과형 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법
JPH0845027A (ja) * 1994-07-29 1996-02-16 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
JPH0845030A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Alps Electric Co Ltd 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH0863716A (ja) * 1994-08-24 1996-03-08 Nec Corp 磁気抵抗効果型ヘッド
JP3210192B2 (ja) * 1994-09-29 2001-09-17 アルプス電気株式会社 磁気検出素子
JP3045942B2 (ja) * 1994-12-07 2000-05-29 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5608593A (en) * 1995-03-09 1997-03-04 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Shaped spin valve type magnetoresistive transducer and method for fabricating the same incorporating domain stabilization technique
US5796560A (en) * 1995-03-13 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head
US5532892A (en) * 1995-06-05 1996-07-02 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization
EP0747886A3 (en) * 1995-06-05 1997-02-26 Quantum Peripherals Colorado Magnetoresistive arrangement preloaded with a soft magnetic adjacent layer, constructed in such a way that the flow naturally closes, which is stabilized with a coplanar permanent magnet thin layer, and method for its production
US5754376A (en) * 1995-09-12 1998-05-19 Hitachi Metals, Ltd. Magnetoresistive head with hard magnetic bias
EP0770991A3 (en) * 1995-10-26 1998-05-20 Read-Rite Corporation Thin film magnetoresistive head with contiguous junction
US5654854A (en) * 1995-11-30 1997-08-05 Quantum Corporation Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state
SG47214A1 (en) * 1996-03-14 1998-03-20 Sony Corp Thin-film magnetic head
US5708358A (en) * 1996-03-21 1998-01-13 Read-Rite Corporation Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets
JPH09260742A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Sony Corp 磁気抵抗効果素子
US6166539A (en) * 1996-10-30 2000-12-26 Regents Of The University Of Minnesota Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems
AT407803B (de) * 1996-11-06 2001-06-25 Diplomingenieur Hans Schiebel Magnetfeldsensor
US5946169A (en) * 1996-11-07 1999-08-31 Seagate Technology, Inc. Soft adjacent layer vertically biased magnetoresistive sensor having improved sensor stability
US5804085A (en) * 1997-01-30 1998-09-08 Quantum Corporation Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby
US6073338A (en) * 1997-08-19 2000-06-13 Read-Rite Corporation Thin film read head with coplanar pole tips
JP3188232B2 (ja) * 1997-12-09 2001-07-16 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6099699A (en) * 1998-04-22 2000-08-08 Matsushita-Kotobuki Electronics Industries, Ltd. Thin encapsulation process for making thin film read/write heads
US6356420B1 (en) 1998-05-07 2002-03-12 Seagate Technology Llc Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects
US6178066B1 (en) 1998-05-27 2001-01-23 Read-Rite Corporation Method of fabricating an improved thin film device having a small element with well defined corners
US6156487A (en) * 1998-10-23 2000-12-05 Matsushita-Kotobuki Electronics Industries, Ltd. Top surface imaging technique for top pole tip width control in magnetoresistive read/write head processing
US6445553B2 (en) 1999-04-02 2002-09-03 Read-Rite Corporation Method and system for fabricating a high density magnetoresistive device
US6287476B1 (en) * 1999-06-14 2001-09-11 Headway Technologies, Inc. Electrochemical method to improve MR reader edge definition and device reliability
US6495252B1 (en) 1999-07-22 2002-12-17 Seagate Technology Llc Magnetic recording medium with superparamagnetic underlayer
US6785101B2 (en) 2001-07-12 2004-08-31 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Overlaid lead giant magnetoresistive head with side reading reduction
US7227726B1 (en) 2002-11-12 2007-06-05 Storage Technology Corporation Method and system for providing a dual-stripe magnetoresistive element having periodic structure stabilization
US6944939B2 (en) * 2003-03-21 2005-09-20 Headway Technologies, Inc. Method for forming a GMR sensor having improved longitudinal biasing
JP4692805B2 (ja) * 2004-06-30 2011-06-01 Ｔｄｋ株式会社 磁気検出素子およびその形成方法
US7367112B2 (en) * 2006-02-14 2008-05-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabricating a head for perpendicular magnetic recording with a self-aligning side shield structure
CN105665340A (zh) * 2016-04-18 2016-06-15 长葛市汇达感光材料有限公司 胶印版材清洗装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE422806C (de) * 1925-12-12 Johann Thuerridl Kreuzgelenkkupplung
DE375646C (de) * 1923-05-16 Friedrich Sawade Versteifungseinlage fuer weiche Stehumlegekragen
US3840898A (en) * 1972-12-29 1974-10-08 Ibm Self-biased magnetoresistive sensor
US4639806A (en) * 1983-09-09 1987-01-27 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film magnetic head having a magnetized ferromagnetic film on the MR element
US4663685A (en) * 1985-08-15 1987-05-05 International Business Machines Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias
JPS62262210A (ja) * 1986-05-08 1987-11-14 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
US4713708A (en) * 1986-10-31 1987-12-15 International Business Machines Magnetoresistive read transducer
US4771349A (en) * 1986-10-31 1988-09-13 International Business Machine Corporation Magnetoresistive read transducer
US4841398A (en) * 1987-02-17 1989-06-20 Magnetic Peripherals Inc. Non linear magnetoresistive sensor
US4782414A (en) * 1987-07-28 1988-11-01 International Business Machine Magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth
US4825325A (en) * 1987-10-30 1989-04-25 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer assembly
US4809109A (en) * 1988-03-25 1989-02-28 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer and method for making the improved transducer
US4899240A (en) * 1988-07-28 1990-02-06 Eastman Kodak Company Biasing for a UMR head
US5005096A (en) * 1988-12-21 1991-04-02 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias
US5018037A (en) 1989-10-10 1991-05-21 Krounbi Mohamad T Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias
US5116719A (en) * 1990-02-15 1992-05-26 Seagate Technology, Inc. Top pole profile for pole tip trimming
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
EP0582342B1 (en) * 1992-08-06 1997-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic head having a multilayer structure and method of manufacturing the magnetic head
EP0896324B1 (en) * 1992-08-25 2002-11-27 Seagate Technology LLC A magnetoresistive sensor and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06223337A (ja) 1994-08-12
GB2272561B (en) 1996-09-11
US5485334A (en) 1996-01-16
US5634260A (en) 1997-06-03
MY108956A (en) 1996-11-30
GB2272561A (en) 1994-05-18
CN1091543A (zh) 1994-08-31
GB9323400D0 (en) 1994-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940012688A (ko) 개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법
US6721143B2 (en) Ferromagnetic/antiferromagnetic bilayer, including decoupler, for longitudinal bias
US5532892A (en) Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization
KR970012323A (ko) 자기저항효과 소자 및 메모리 소자
US20040057295A1 (en) Magnetic storage element, production method and driving method therefor, and memory array
JPH11354860A (ja) スピンバルブ磁気変換素子及び磁気ヘッド
KR102241971B1 (ko) 양자 비트 디페이징을 감소시키기 위한 선택적 캡핑
US20090008689A1 (en) Spin Transistor Using Ferromagnet
KR0125263B1 (ko) 최종 피착된 연속 자기 저항성층을 갖는 자기 저항성 판독 트랜스듀서 및 그 제조 방법
US5573809A (en) Process for forming a magnetoresistive device
US20030104636A1 (en) Method and article for concentrating fields at sense layers
US7336452B2 (en) Patterned exchange bias GMR using metallic buffer layer
US6776883B2 (en) Process of manufacturing a magnetic read head
US20050023519A1 (en) Square-law detector based on spin injection and nanowires
US10950783B2 (en) Magnetoresistive element and magnetic sensor
US7265947B2 (en) Stitching of AFM and channeling layers for in-stack biasing CPP
US7227726B1 (en) Method and system for providing a dual-stripe magnetoresistive element having periodic structure stabilization
JPH09128715A (ja) 薄膜磁気抵抗変換器とその製造方法
KR100203612B1 (ko) 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법
JP2007536746A (ja) 量子ドットに対する強磁性体の影響
JPS58192391A (ja) 磁気抵抗効果素子
EP0747886A2 (en) Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization, and process for manufacturing same
US4236226A (en) Magnetic domain device
KR100234190B1 (ko) 자기 저항 센서
JPS62206890A (ja) 磁気抵抗効果素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee