JPH06223337A - 磁気抵抗装置及びその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗装置及びその製造方法

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JPH06223337A
JPH06223337A JP5283491A JP28349193A JPH06223337A JP H06223337 A JPH06223337 A JP H06223337A JP 5283491 A JP5283491 A JP 5283491A JP 28349193 A JP28349193 A JP 28349193A JP H06223337 A JPH06223337 A JP H06223337A
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Guy F Ruse
フランクリン ルーズ ガイ
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Dean Reinholz Paul
ディーン レインホルツ ポール
Daniel J O'connor
ジェームス オコーナー ダニエル
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ROCKY MOUNTAINS MAGNETICS Inc
ROTSUKII MAUNTEN MAGNETICS Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気抵抗構造体と永久磁石層との間の接合部
付近の減磁エネルギーを著しく減少させ、自己整列処理
を用いて容易に製造しうるとともに再現性のあるほぼ共
平面の磁気抵抗装置を提供する。 【構成】 主軸線と、この主軸線に対し交差し、互いに
反対側の位置に位置する第１及び第２端部分１３２とを
有する磁気抵抗構造体１２６と、この磁気抵抗構造体に
対しほぼ共平面関係で配置され、この磁気抵抗構造体に
隣接するもこの磁気抵抗構造体から離間して配置された
第１及び第２永久磁石層１２８とを具える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に磁気抵抗（ＭＲ）
装置及びその製造方法の分野に関するものである。本発
明は特に、バルクハウゼン雑音抑圧特性を改善したＭＲ
センサとして用いるための磁気抵抗装置及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】磁気抵抗センサ又はヘッドは、誘導性ヘッ
ド又は薄膜ヘッドの感度を越える感度で磁気面からデー
タを読取るのに有効であるものとして知られている。動
作に当ってＭＲセンサは、このＭＲセンサの抵抗値が検
出される磁束の方向及び量の関数として変化するという
事実の為に磁気面から磁界信号変化を検出するのに用い
られる。又、一般に、ＭＲセンサを有効に機能させるた
めには、このＭＲセンサに横バイアス磁界を加えてその
応答を直線化する必要があるということも知られてい
る。このような横バイアスを達成するには、電流分路バ
イアス及び軟質隣接フィルムバイアス技術を含む種々の
技術が知られている。横バイアス磁界は、磁性媒体の平
面に対し垂直でＭＲセンサの表面に対し平行に与えられ
る。
【０００３】磁性媒体の表面に対し平行でＭＲセンサの
主軸線に対しても平行に延在する縦バイアス磁界と関連
させてＭＲセンサを用いることがでいるということも知
られている。ＭＲセンサをトラック密度の高いディスク
ファイルに適用してバルクハウゼン雑音を抑圧するため
には、縦バイアス磁界によるＭＲセンサの安定化が必要
となる。バルクハウゼン雑音はＭＲ素子内の多重ドメイ
ンの活動特性のような不安定な磁気特性により生じる。
【０００４】
【従来の技術】ＭＲセンサにおいてバルクハウゼン雑音
を抑圧するために縦バイアス磁界を印加することに関し
ては、ある方法でＭＲ装置に結合された反強磁性体を用
いることによる“交換バイアス（exchange bias)”を主
として扱う多数の特許がある。これらの特許の数例とし
ては、パターン化した縦バイアスを有する磁気抵抗読取
変換器に関する米国特許第4,663,685 号、磁気抵抗読取
変換器に関する米国特許第4,713,708 号、磁気抵抗読取
変換器及び改善した変換器の製造方法に関する米国特許
第4,809,109 号及び磁気抵抗読取変換器アセンブリに関
する米国特許第4,825,325 号がある。これらの交換バイ
アスＭＲセンサの場合、反強磁性体を形成するのに現在
用いられている材料、例えばマンガンやその合金は、反
応性が高く熱特性が悪いものとして知られている。
【０００５】縦バイアスを与えるのに反磁性体を用いて
いる場合に固有の問題を解決するのに、永久磁石フィル
ムを用いて安定化したＭＲセンサを用いることを開示し
ている種々の特許及び文献がある。これらの既知の技術
の例は、ＭＲ素子上に磁化された強い磁性フィルムを有
する薄膜磁気ヘッドに関する米国特許第4,639,806 号明
細書、１９６６年３月１日発行のジャーナル・オブ・ア
プライド・フィジックス，Vol. 37 , No.3の章“Compos
ite Films as a Domain-Wall Barrier”(Hunt,R. P.及
び Jaecklin , A, A. 氏著 )、欧州特許出願公開第0,37
5,646 号明細書及び欧州特許出願公開第0,422,806 号明
細書に開示されている。これらには、ＭＲセンサに縦バ
イアスを印加することによりバルクハウゼン雑音を抑圧
するための永久磁石を用いる種々の設計のものが開示さ
れているも、これらは一般に接近して結合した磁気遮蔽
層を有する場合に用いるのに適していない。それ以外の
従来の技術は容易に実現しえず再現性もないものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁気
抵抗構造体と永久磁石層との間の接合部付近の減磁エネ
ルギーを著しく減少させ、自己整列処理を用いて容易に
製造しうるとともに再現性のあるほぼ共平面の磁気抵抗
装置を提供せんとするにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗装
置は、主軸線に対し交差するとともに互いに反対側の位
置に位置する端部分を有する磁気抵抗構造体を具える。
この磁気抵抗構造体の端部分に隣接するもこれら端部分
から離間して、ほぼ共平面関係となるように、一対の永
久磁石層を配置する。本発明はその広い形態では特許請
求の範囲の請求項１に記載した磁気抵抗装置にある。本
発明は請求項１３に記載した方法にもある。
【０００８】この請求項１３に記載したように、本発明
の好適例による磁気抵抗装置は、磁気抵抗導電性領域
と、この磁気抵抗導電性領域の、互いに反対側の位置に
位置する端部分に隣接する分離層とを有する。この磁気
抵抗導電性領域の端部分における分離層に連続して第１
及び第２永久磁石領域を設け、これら第１及び第２永久
磁石領域により磁気抵抗導電性領域に縦バイアスを与え
る。この縦バイアス技術は、電流分路バイアス法、バー
バーポール（barber pole)バイアス法及び自己バイアス
法を含む既知のあらゆる横バイアス技術と関連させて用
いることができる。
【０００９】本発明による方法によれば、磁気抵抗構造
体上に磁気抵抗導電性領域を画成し、この磁気抵抗導電
性領域の、互いに反対側の位置に位置する端部分に、こ
れらに隣接する分離層を被覆することにより磁気抵抗装
置を製造しうる。磁気抵抗導電性領域の端部分で分離層
と連続する第１及び第２永久磁石領域を形成して、磁気
抵抗導電性領域に縦バイアスを与える。本発明の他に代
る処理によれば、磁気抵抗構造体を設け、この磁気抵抗
構造体上に磁気抵抗導電性領域を画成することにより磁
気抵抗装置を形成しうる。この場合、磁気抵抗導電性領
域を囲む部分の磁気抵抗構造体を除去し、磁気抵抗導電
性領域の露出面上に分離層を形成する。この分離層に隣
接する永久磁石層を形成し、磁気抵抗導電性領域を被覆
する分離層及び永久磁石層を除去して永久磁石層の残存
部分が磁気抵抗導電性領域に縦バイアスを与えるように
する。
【００１０】本発明によるより一層特定の処理では、磁
気抵抗構造体を装置基板上に形成し、磁気抵抗構造体内
に磁気抵抗導電性領域を画成することにより磁気抵抗装
置を形成しうる。磁気抵抗導電性領域を囲む磁気抵抗構
造体を除去して、この磁気抵抗導電性領域の、互いに反
対側の位置に位置する端部分を露出させる。次に、基板
と磁気抵抗導電性領域との上に分離層を配置する。この
分離層と連続する永久磁石領域を形成し、分離層と永久
磁石領域とを磁気抵抗導電性領域の前記の露出端部分の
個所を除いてこの磁気抵抗導電性領域から除去する。
【００１１】以下図面につき説明するに、米国特許第4,
713,708 号明細書に開示されているような従来の磁気抵
抗（ＭＲ）ヘッド２０を図１に示す。このＭＲヘッド２
０は受動端領域２４と関連する能動領域２２を有してい
る。非磁性スペーサ層２８は能動領域２２において磁気
抵抗（ＭＲ）層２６を被覆するも、受動端領域２４内で
はこのＭＲ層２６を被覆しない。反強磁性層３２が受動
端領域２４において軟磁性薄膜３０を被覆し、リード線
導体３４がこの反強磁性層３２を被覆している。この技
術を用いると、ＭＲ層２６と軟磁性薄膜３０との間に介
在させた非磁性スペーサ層２８を受動端領域２４内に設
けずに縦バイアスが達成される。この場合、交換バイア
ス効果が縦バイアス層からＭＲ層２６を経て軟磁性薄膜
３０に伝搬する。ＭＲ層２６に沿う静磁気交換結合によ
り、受動端領域２４の単一ドメイン状態を介して能動領
域２２内に単一ドメイン状態が誘起される。
【００１２】米国特許第4,809,109 号明細書に開示され
ているような他の従来のＭＲセンサを図２に示す。この
ＭＲセンサ４０はＮｉＦｅのような強磁性材料の層４２
を有する。非磁性スペーサ層４６がこの強磁性材料層４
２を軟磁性薄膜４４から分離している。反強磁性層４８
が図示のように強磁性材料層４２を被覆している。反強
磁性層４８はＦｅＭｎとして説明されている。一対のリ
ード線導体５０が図示のように反強磁性層４８に接触さ
れてＭＲセンサ４０に取付けられている。反強磁性層４
８が前述したようにＭＲセンサ４０に交換バイアスを与
える。
【００１３】米国特許第4,825,325 号明細書に開示され
ているような従来のＭＲヘッド６０を図３に示す。この
ＭＲヘッド６０はＮｉＦｅのＭＲ層６２を有する。基板
６４上には、軟磁性薄膜６６と、前記のＭＲ層６２の下
側の非磁性スペーサ層６８とが形成されている。ＭＲ層
６２には２５〜５０オングストロームよりも薄い反強磁
性層７０が被覆されている。この反強磁性層７０には、
マンガン鉄の反強磁性層７０の反応特性が高いことによ
る酸化損傷を防止するための被覆層７２が載せられてい
る。この被覆層７２は安定な誘電体として説明されてい
る。
【００１４】反強磁性層を用いる“交換バイアス”技術
を利用する上述した従来例の各々では、反強磁性材料の
熱特性が悪く、その反応特性が高いことによる重大な問
題が生じる。
【００１５】欧州特許出願第0,375,646 号明細書に開示
されているような従来の読取変換器８０を図４に示す。
このＭＲ読取変換器８０は、能動領域８２によって分離
された受動端領域８４を有するＭＲ層８６を具えてい
る。ＭＲ読取変換器８０に対する縦バイアスは受動端領
域８４内のみの硬質磁気材料９２により与えられる。硬
質磁気材料９２は図示のように非磁性スペーサ層９４に
よりＭＲ層８６から縦方向で分離されている。又、他の
非磁性スペーサ層９０によりＭＲ層８６を軟磁性薄膜８
８から分離させている。能動領域８２におけるＭＲ層８
６の縦バイアスは、受動端領域８４上に位置する硬質磁
気材料９２により与えられる。リード線導体９６は受動
端領域８４内で硬質磁気材料９２に接触されている。そ
の結果得られる装置の積重ね保存特性は一般に同一平面
を有するものよりも悪くなる。
【００１６】公開された欧州特許出願第0,422,806 号明
細書に開示された従来のＭＲ読取変換器100 を図５に示
す。このＭＲ読取変換器100 は能動領域102 及び受動端
領域104 を有する。能動領域102 におけるＭＲ層106 は
受動端領域104 における硬質磁気材料108 により縦バイ
アスされる。ＭＲ層106 は衝合部110 で硬質磁気材料10
8 と直接磁気的に且つ電気的に接触している。この欧州
特許出願明細書で説明されているように、衝合部の特性
曲線には互いに重なる２つのテーパ状部があり、この部
分が電気的信頼性と磁気的信頼性との間の妥協個所であ
る。
【００１７】
【実施例】本発明の好適実施例による磁気抵抗装置120
の簡単化した斜視図を図６に示す。この磁気抵抗装置12
0 は中央の導電性領域122 とその内側の永久磁石領域12
4とを有する。導電性領域122 は磁気抵抗構造体126 を
有することができ、この磁気抵抗構造体126 は、その軸
線を交差し互いに反対側に位置する端部分132 を有し、
好適例ではこの磁気抵抗構造体126 が図７に示す３層構
造体を有するようにしうる。この磁気抵抗構造体126 は
ＭＲ層138 ( 例えば、200 〜500 オングストロームの厚
さのＮｉＦｅ）と、200 〜500 オングストロームの厚さ
のＮｉＦｅＭｏを含みうる下側の軟磁性層140 とを有し
うる。軟磁性層140 は隣接軟磁性層と称することもでき
る。ある適用分野では、軟磁性層140 をＭＲ層138 の上
に位置させるのが望ましい場合もあることに注意すべき
である。磁性スぺーサ層142 を100 〜250 オングストロ
ームの厚さのタンタルを以って構成することができる。
【００１８】永久磁石領域124 は、好適例ではＣｏＰｔ
又はその他のコバルト合金、例えばＣｏＣｒを有しうる
永久磁石層128 を以って構成する。各永久磁石層128 の
１つの端部分134 を磁気抵抗構造体126 の端部分132 に
対して離間して対向させる。磁気抵抗装置120 にはその
導電性領域122 で、Ａｕを有しうる一対のリード線導体
130 を接触させる。しかし、分離層136 に対し誘電体材
料の代りに非磁性材料を用いる場合には、電気接点を永
久磁石領域124 に形成することができる。
【００１９】図８を参照するに、永久磁石領域124 （図
８にはこの領域をＰＭで表わす）と磁気抵抗構造体126
（図８にはこの構造体をＭＲＳで表わす）との間の分離
距離δは５０〜250 オングストローム（Å）の範囲が最
も望ましいものとして示してある。磁気抵抗装置120 の
導電性領域122 に単一ドメイン状態を誘起するためにこ
の導電性領域122 に縦バイアスを与えることにより適切
なバルクハウゼン雑音抑圧（バルクハウゼン雑音抑圧を
図８にＢＮＳと略記する）を行なうのに、遮蔽されたＭ
Ｒヘッドに対し 400オングストローム程度又はそれ以下
の分離距離を考慮する。導電性領域122 と永久磁石領域
124 との間の分離距離は分離層136 により維持しうる。
分離層136 は導電性領域122 と永久磁石領域124 との間
を所望通りに分離するのに充分なクロムのような非磁性
材料とするか、或いは酸化アルミニウムのような誘電体
材料とすることができる。
【００２０】本発明による磁気抵抗装置150 の他の例を
図９に示す。この磁気抵抗装置150は導電性領域152 を
有し、この導電性領域152 は隣接の永久磁石領域154 か
ら分離されている。導電性領域152 は図１０に断面図で
詳細に示すようにＭＲ構造体156 を有することができ
る。このＭＲ構造体156 は前述した実施例の場合のよう
に、ＭＲ層164 及びその下側の軟磁性層166 を含む３層
構造体を有しうる。ＭＲ層164 及び軟磁性層166 間には
磁性スペーサ層168 が介在されている。永久磁石領域15
4 は永久磁石層158 から成っており、分離層162 により
導電性領域152 から分離されている。図９の実施例で
は、リード線導体160 が永久磁石領域154 において磁気
抵抗装置150 に接触されている。このことは、分離層16
2 に対し誘電体の代りにクロムのような非磁性材料を用
いることにより可能となるものである。
【００２１】磁気抵抗装置150 の導電性領域152 は、こ
の装置の所望のトラック幅寸法と同じ長さにするのが好
ましい。非磁性金属の分離層162 を用いることによりリ
ード線導体160 を永久磁石領域154 に接触させることが
でき、これにより、電気接点を導電性領域152 に直接形
成した場合に通常生じる不所望な電流分路効果を排除す
ることができる。
【００２２】本発明による更に他の好適例の磁気抵抗装
置170 を図１１に示す。本例では、導電性領域172 を長
円形に形成する。永久磁石領域174 は前述し図１０に示
すように導電性領域172 から分離した状態に維持する。
導電性領域172 に対し長円形を用いることにより、導電
性領域172 と永久磁石領域174 との接合部付近の減磁エ
ネルギー密度を低くするという重要な利点が得られる。
図１１に示す導電性領域172 の形状技術を前述した直角
の境界から種々に変更することにより同様な利点が得ら
れ、導電性領域172 と永久磁石領域174 との間の境界を
円錐断面形状、曲線断面形状又は非直角断面形状とする
ことができる。
【００２３】導電性領域172 の長円形の端部分180 は例
えば仮想線で示すようにリード線導体182 に接触させる
ことができる。本発明による磁気抵抗装置の順次の製造
工程を図１２に示す。前述したように３層構造体とする
ことのできるＭＲ構造体200 （図１２ａ）を、ＭＲ導電
性領域204 を規定するホトレジスト202 （図１２ｂ）を
用いてパターン化する。ホトレジスト202 によって被覆
されていないＭＲ構造体200 の部分を図１２ｃに示すよ
うに腐食除去する。次に、図１２ｃに示す残存するアセ
ンブリ上に分離層206 を堆積し、この分離層を導電性領
域204 におけるＭＲ構造体200 の端部分に隣接させ、ほ
ぼ図７及び１０に示す構造のものを得る。分離層206 は
図示のようにホトレジスト202 をも被覆している。分離
層206 は非磁性金属208 を有するか或いは酸化アルミニ
ウムのような誘電体材料を有するようにしうる。ホトレ
ジスト202を被覆する部分を含む分離層206 上に図１２
ｅに示すように永久磁石領域210 を形成する。この永久
磁石領域210 は等方性的に堆積し、後に最終の処理工程
に続いて適切な磁界を印加することにより永久磁石領域
の配向を磁気抵抗装置の主軸に沿うように設定すること
ができる。或いはまた、永久磁石領域210 を異方性的に
堆積することもできる。図１２ｆに示すような追加ホト
レジスト処理工程を用いてアセンブリ上のホトレジスト
212 をパターン化し、その後イオンエッチングを行なっ
て永久磁石領域210 及び分離層206 を図１２ｇに示すよ
うに腐食除去して装置の端部214 を形成する。最終処理
工程として、装置からホトレジストを除去し、磁気抵抗
能動領域が、これに縦バイアスを与えるための共平面的
な永久磁石領域から分離されている図１２ｈに示すよう
な本発明による磁気抵抗装置を残す。
【００２４】本発明の実施例では、ＭＲ薄膜と永久磁石
薄膜との複合体として磁束を調和させることにより、Ｍ
Ｒ薄膜と永久磁石薄膜との接合部の付近における減磁エ
ネルギーを極めて低くした、ほぼ連続する磁性体を得る
ことができる。このことは、長円形の磁気抵抗性導電領
域を用いた場合に特に正しいことである。この場合、Ｍ
Ｒ装置（センサ）の保持力が平均で極めて低くなるも磁
性体の永久磁石部分の保持力は極めて高い。従って、複
合体は装置の常規動作中切換わらない。強い静磁界結合
の結果正味の磁化容易軸方向の磁界がＭＲセンサ内に得
られ、これにより装置を単一ドメイン状態に保ち、従っ
てバルクハウゼン雑音を抑圧する。
【００２５】本発明の磁気抵抗装置及びその製造方法
は、強磁性の遮蔽体をわずかに離間して、例えばギャッ
プ（磁気抵抗構造体と遮蔽体との間隔）を約1000〜4000
オングストロームとして設けた場合にも容易に適用しう
る。永久磁石領域とＭＲ導電性領域との所望の間隔は前
記のギャップ長よりも１桁程度短かくするのが最も有利
である。従って、ギャップ長を2000オングストロームに
するということは、永久磁石領域とＭＲ導電性領域との
間隔を200 オングストロームにするということを意味す
る。
【００２６】上述したところでは、特定の装置及び処理
工程と関連して本発明の原理を説明したが、本発明は上
述した例に限定されず、幾多の変更を加えうること勿論
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】反強磁性磁石を用いる交換バイアスにより、バ
ルクハウゼン雑音を抑圧する縦バイアスを与える従来の
磁気抵抗ヘッドを示す断面図である。
【図２】交換バイアス技術を用いる従来の磁気抵抗セン
サを示す断面図である。
【図３】反強磁性層とその上の被覆層とを有する従来の
磁気抵抗ヘッドを示す断面図である。
【図４】従来の磁気抵抗読取変換器であって、この交換
器に縦バイアスを与える硬質磁気材料を用いている当該
変換器を示す断面図である。
【図５】従来の他の磁気抵抗読取変換器であって、硬質
磁気材料を用いてこの変換器に縦バイアスを与える当該
変換器を示す断面図である。
【図６】磁気抵抗導電性領域と、バルクハウゼン雑音を
抑圧するためにこの磁気抵抗導電性領域に縦バイアスを
与えるための隣接の永久磁石領域との間の分離を誇張し
て示す本発明による磁気抵抗装置を示す斜視図である。
【図７】永久磁石領域と磁気抵抗構造体との間の所望の
分離を分離層によって維持した本発明の磁気抵抗装置の
一部を断面及び斜視図で示す図である。
【図８】バルクハウゼン雑音を適切に抑圧するのに充分
な、永久磁石領域（ＰＭ）と磁気抵抗構造体（ＭＲＳ）
との間の所望の分離度をオングストロームで示すグラフ
線図である。
【図９】磁気抵抗導電性領域と永久磁石領域との間の分
離層に非磁性金属を用いた場合に、リード線導体を永久
磁石領域に接触させて示す本発明の磁気抵抗装置の他の
例を示す斜視図である。
【図１０】磁気抵抗構造体と隣接の永久磁石領域との間
の分離層であって、図９及び１０に示す例に適用しうる
分離層を明瞭に示すようにした本発明の磁気抵抗装置の
一部を示す断面図である。
【図１１】磁気抵抗性の導電性領域と永久磁石領域との
接合部付近の減磁エネルギー密度を低減させるのに充分
な効果を有する長円形導電性領域を有する本発明磁気抵
抗装置の他の好適例を示す斜視図である。
【図１２】本発明による磁気抵抗装置を自己整合処理で
製造する種々の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
120, 150, 170 磁気抵抗装置 122, 152, 172, 204 導電性領域 124, 154, 174, 210 永久磁石領域 126, 156, 200 磁気抵抗構造体 128, 158 永久磁石層 130, 160, 182 リード線導体 132, 180 磁気抵抗構造体の端部分 134 永久磁石層の端部分 136, 162, 206 分離層 138, 164 磁気抵抗（ＭＲ）層 140, 166 軟磁性層 142, 168 磁性スペーサ層 202, 212 ホトレジスト 208 非磁性金属
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ガイ フランクリン ルーズ アメリカ合衆国 コロラド州 80303 ボ ウルダー ピンテイル サークル 1252 (72)発明者 アンソニー カール ヘルムス アメリカ合衆国 コロラド州 80026 ラ ファイエット ハリソン ドライブ 1000 (72)発明者 ポール ディーン レインホルツ アメリカ合衆国 コロラド州 80020 ウ エストミンスター チェス ウェイ 11586 (72)発明者 ダニエル ジェームス オコーナー アメリカ合衆国 ミネソタ州 55372 プ ライヤー レーク クリークウッド ドラ イブ 16106

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主軸線と、この主軸線に対し交差し、互
    いに反対側の位置に位置する第１及び第２端部分(132)
    とを有する磁気抵抗構造体(126) と、 この磁気抵抗構造体に対しほぼ共平面関係で配置され、
    この磁気抵抗構造体に隣接するもこの磁気抵抗構造体か
    ら離間して配置された第１及び第２永久磁石層(128) と
    を具えていることを特徴とする磁気抵抗装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の磁気抵抗構造体(126) は、磁気抵抗層(138)
    と、この磁気抵抗層に対しほぼ同一の広がりでその下側
    に位置する関係で配置された比較的軟磁性の層(140)
    と、この比較的軟磁性の層と前記の磁気抵抗層との間に
    介在させた磁性スペーサ層(142) とを有していることを
    特徴とする磁気抵抗装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の磁気抵抗層がＮｉＦｅを有することを特徴と
    する磁気抵抗装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の比較的軟磁性の層(140) がＮｉＦｅＭｏを有
    していることを特徴とする磁気抵抗装置。
  5. 【請求項５】 請求項２に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記磁性スペーサ層(142) がタンタルを有している
    ことを特徴とする磁気抵抗装置。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の第１及び第２永久磁石層を経て磁気抵抗装置
    に電気接触させる第１及び第２電極が設けられ、これら
    第１及び第２電極がＡｕを有し、前記の磁気抵抗構造体
    に接触していることを特徴とする磁気抵抗装置。
  7. 【請求項７】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の第１及び第２永久磁石層と、前記の磁気抵抗
    構造体の前記の第１及び第２端部分との間の分離距離を
    ４００オングストロームよりも短かくし、この分離部分
    に非磁性金属層が設けられていることを特徴とする磁気
    抵抗装置。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の磁気抵抗構造体の前記の第１及び第２端部分
    が前記の磁気抵抗構造体の前記の主軸線にほぼ沿う焦点
    を有する長円によりほぼ規定されていることを特徴とす
    る磁気抵抗装置。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の磁気抵抗構造体の第１及び第２端部分が前記
    の主軸線に対し直角となっていないことを特徴とする磁
    気抵抗装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の第１及び第２永久磁石層と前記の磁気抵抗構
    造体の第１及び第２端部分との間の分離が誘電体材料に
    より規定されていることを特徴とする磁気抵抗装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１に記載の磁気抵抗装置におい
    て、前記の永久磁石層がＣｏＰｔを有していることを特
    徴とする磁気抵抗装置。
  12. 【請求項１２】 端部分を有する磁気抵抗導電性領域(1
    52) と、 この磁気抵抗導電性領域の前記の端部分に対向して隣接
    する分離層(162) と、 前記の磁気抵抗導電性領域の前記の端部分で前記の分離
    層と連続し且つこの分離層とほぼ共平面となる第１及び
    第２永久磁石領域(158) とを具え、前記の第１及び第２
    永久磁石領域が前記の磁気抵抗導電性領域に縦バイアス
    を与えるようになっていることを特徴とする磁気抵抗装
    置。
  13. 【請求項１３】 磁気抵抗装置を製造するに当り、 磁気抵抗構造体上に磁気抵抗導電性領域を画成する工程
    と、 前記の磁気抵抗導電性領域の、互いに反対側の位置に位
    置する端部分に、これらに隣接する分離層を被覆する工
    程と、 前記の磁気抵抗導電性領域に縦バイアスを与えるため
    に、この磁気抵抗導電性領域の前記の端部分で前記の分
    離層と連続する第１及び第２永久磁石領域を形成する工
    程とを行なうことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の磁気抵抗導電性領域を画成する
    工程が、 前記の磁気抵抗構造体上でホトレジストをパターン化し
    て前記の磁気抵抗導電性領域を画成する工程と、 パターン化された前記のホトレジストを囲む前記の磁気
    抵抗構造体を腐食除去する工程とを含んでいることを特
    徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の磁気抵抗導電性領域を画成する
    工程によりほぼ長円形の磁気抵抗導電性領域を形成する
    ことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の分離層を被覆する工程が、非磁
    性金属を堆積する工程を含んでいることを特徴とする磁
    気抵抗装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の非磁性金属を堆積する工程がク
    ロムにより行なわれることを特徴とする磁気抵抗装置の
    製造方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の分離層を被覆する工程が、誘電
    体材料を堆積する工程を含んでいることを特徴とする磁
    気抵抗装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の第１及び第２永久磁石領域を形
    成す工程が、硬質磁性材料を堆積する工程を含んでいる
    ことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の硬質磁性材料を堆積する工程が
    ＣｏＰｔにより行なわれることを特徴とする磁気抵抗装
    置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、更に、ホトレジストをパターン化して
    前記の磁気抵抗装置を画成する工程と、 パターン化された前記のホトレジストを囲む前記の分離
    層及び前記の永久磁石領域を腐食除去する工程と、 パターン化された前記のホトレジストを除去する工程と
    を行なうことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の腐食除去する工程をイオンビー
    ムミリングにより行なうことを特徴とする磁気抵抗装置
    の製造方法。
  23. 【請求項２３】 磁気抵抗装置を製造するに当り、 磁気抵抗構造体から磁気抵抗メサ構造を画成する工程
    と、 この磁気抵抗メサ構造の側壁部分を分離層で被覆する工
    程と、 前記の分離層に隣接する永久磁石層を形成して前記の磁
    気抵抗メサ構造に縦バイアスを与えるようにする工程と
    を行なうことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３に記載の磁気抵抗装置の製
    造方法において、前記の磁気抵抗メサ構造を画成する工
    程を、パターン化したホトレジストにより行なうことを
    特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 磁気抵抗装置を製造するに当り、磁気
    抵抗構造体を装置の基板上に形成する工程と、 前記の磁気抵抗構造体内に磁気抵抗導電性領域を画成す
    る工程と、 前記の磁気抵抗導電性領域を囲む前記の磁気抵抗構造体
    を除去してこの磁気抵抗導電性領域の互いに反対側に位
    置する端部分を露出させる工程と、 前記の基板と前記の磁気抵抗導電性領域とを分離層で被
    覆する工程と、 この分離層と連続する永久磁石領域を形成する工程と、 前記の磁気抵抗導電性領域のうちの前述の露出させた、
    互いに反対側に位置する端部分における個所を除いて、
    前記の磁気抵抗導電性領域から前記の分離層及び前記の
    永久磁石領域を除去する工程とを行ない、前記の磁気抵
    抗導電性領域のうちの、前述の露出させた互いに反対側
    に位置する端部分に隣接する前記の永久磁石領域の部分
    が磁気抵抗導電性領域に縦バイアスを与えるようにする
    ことを特徴とする磁気抵抗装置の製造方法。
JP5283491A 1992-11-12 1993-11-12 磁気抵抗装置及びその製造方法 Pending JPH06223337A (ja)

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