KR940011165B1 - 실라놀 함량이 낮은 가용성 축합 하이드리도실리콘수지의 제조 방법 - Google Patents

실라놀 함량이 낮은 가용성 축합 하이드리도실리콘수지의 제조 방법 Download PDF

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내용 없음.

Description

실라놀 함량이 낮은 가용성 축합 하이드리도실리콘수지의 제조 방법
본 발명은 가수분해 매질을 함유하는 아릴설폰산 수화물을 형성시키고, 가수분해 매질에 실란을 가한 다음 실란의 가수분해를 축진하여 중합체를 형성시키고, 가수분해 매질 및 중합체를 산층 및 중합체를 함유하는 유기층 내에 침강시킨 다음 유기층을 산층으로부터 분리하고, 유기층을 중화제와 접촉시킨 다음 유기층을 중화제로부터 분리함을 특징으로 하여 2개 이상의 가수분해가능한 그룹을 갖는 하이드리도실란을 가수분해하는 개선된 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법이 뜻밖에도 상업성이 있는 개선된 탄화수소 가용성 실록산 수지 합성 방법을 제공하는 것으로 밝혀졌다.
본 발명은 아릴설폰산 수화물을 함유하는 가수분해 매질을 형성시키고, 실란을 함유하는 액을 교반된 가수분해 매질에 가한 다음, 가수분해 매질중의 실란의 가수분해를 촉진하여 중합체를 형성시키고, 산층및 중합체를 함유하는 유기층을 포함하는 불혼화층에 가수분해 매질 및 중합체를 침강시킨 다음, 산층으로부터 유기층을 분리하고, 유기층을 잔류 산종을 중화시키기에 충분할 만큼 염기성이지만 중합체의 재배열 또는 수소화 규소의 가용매 분해에 촉매 작용을 할 정도는 아닌 중화제와 접축시킨 다음, 중합체로부터 유기층을 분리함을 특징으로 하여 일반식 HaSiX4-a(여기서, a는 1 또는 2이고 X는 가수분해가능한 그룹이다)의 실란을 가수분해하여 일반식 HaSiX(4-a)b의 단위를 함유하는 중합체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 방법은 개개 공정은 물론 연속 공정으로 수행할 수 있다.
상기 반응에서 가수분해될 화합물은 2개 이상의 가수분해가능한 치환체를 갖는 하이드리도실란일 수 있으며 일반식 HaSiX4-a(여기서, a는 1 또는 2일 수 있으며 X는 동일하거나 상이할 수 있고 가수분해가능한 그룹을 포함할 수 있다. 적합한 가수분해가능한 그룹에는, 예를 들면, F, CI, Br 또는 I와 같은 할로겐 및 오가노옥신
Figure kpo00001
또는 아실옥시
Figure kpo00002
그룹과 같은 산소 결합에 의해 실리콘 원자에 결합된 유기 그룹이 포함된다. Si-O-C 결합을 갖는 가수분해가능한 그룹의 예에는 메톡시, 에톡시, 부톡시 또는 헥스옥시와 같은 알콕시, 사이클로펜트옥시 또는 사이클로헥스옥시와 같은 사이클로알킬옥시, 펜옥시 또는 나프트옥시와 같은 아릴옥시, 사이클로펜테닐옥시와 같은 사이클로알케닐옥시 및 아세트옥시가 포함된다. 상기한 다양한 유기 라디칼은 예를 들면, 알킬, 아릴 또는 할로겐에 의해 치환될 수 있다. 상기 라디칼의 유기 그룹의 탄소수가 1 내지 6인 것이 통상 바람직하지만, 이 보다 많은 탄소를 갖는 그룹도 사용할 수 있다. 가수분해가능한 치환체의 추가예에는 설푸릭, 오가노설푸릭 또는 오가노설포닉과 같은 황 작용그룹 및 아미노 또는 히드라지노와 같은 질소 작용 그룹이 포함된다.
상기 일반식의 가수분해가능한 그룹은 할로겐이 바람직하다. 가수분해시, 이들 그룹은 가수분해 및/또는 축합을 촉진할 수 있는 할로겐화 수소를 생성하며 세척에 의해 생성물로부터 쉽게 분리할 수 있다. 한편 오가노옥시 그룹을 사용할 경우, 알콜이 형성되어 Si-H 결합을 가용매분해시키고 수소 가스가 발생되게 할 수 있다. 이들 후자 그불은 작용성이지만, 산 또는 염기를 가수분해 매질에 첨가하는 것과 같은 촉진 수단이 필요할 수 있다.
상기 발명에 사용되는 실란은 트리클로로실란인 것이 가장 바람직하다.
상기 정의한 다양한 하이드리도실란은 단독으로 가수분해, 공가수분해하거나 일반식 RaSiX4-a또는 R'RSiX2(여기서, a는 1 또는 2이며, X는 상기 정의한 바와 같고, R은 메틸, 에틸, 트로필, 옥틸, 도데실등과 같은 알킬, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실과 같은 사이클로알킬, 사이클로펜테닐 또는 사이클로헥세닐과 같은 사이클로알케닐, 페닐 또는 나프틸과 같은 아릴, 비닐 또는 알릴과 같은 불포화 탄화수소이거나 할로겐, 알킬 또는 예를 들면 메틸사이클로헥실, 페닐에틸 또는 클로로메틸을 포함하는 아릴과 같은 치환체로 치환된 상기 그룹들 중의 어떤것일 수 있고, R'는 R 또는 H이다)의 오가노실란 하나 이상으로 공가수분해될 수 있다.
이와 같이, 예를 들면 다양한 비율의 알칼트리할로실란과 하이드로겐트리할로실란을 혼합하거나 하이드로겐트리할로실란과 디알킬디할로실란을 혼합하면 공가수분해물이 형성될 수 있다.
상기 실란은 통상 액체 형태로 사용된다. 이 액체는 필수 성분으로서 액체 상태의 실란을 포함하거나 탄화수소 용매에 용해되어 용액을 형성한 실란을 포함할 수 있다. 용매를 사용해야 할 경우, 실란 반응물용매인 적합한 탄화수소를 포함할 수 있다. 이러한 용매의 예에는 도데칸, n-펜탄, 헥산, n-헵탄 및 이소- 옥탄과 같은 포화 지방족, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족, 사이클로헥신과 같은 지환족, 트리클로로에틸렌 및 피클로로에틸렌과 같은 할로겐화 지방족 및 브로모벤젠 및 클로로벤젠과 같은 할로겐화 방향족이 있다. 또한, 상기 용매들의 혼합물도 실란용 보조용매로서 함께 사용할 수 있다. 바람직한 탄화수소는 방향족 화합물인데, 이는 이들이 휘발성이 높기 때문으로, 그 중에서 안전 측면에서 보아 톨루엔이 가장 바람직하다.
상기 발명의 가수분해 매질은 아릴설폰산 수화물 용액을 포함한다. 이 화합물의 아릴 잔기는, 예를 들면, 벤젠, 톨루엔 또는 크실렌을 포함할 수 있다. 이 용액은 용매(예 : 알콜)에 아릴설폰산 수화물을 용해시키거나 방향족 탄화수소를 농황산과 반응시켜 제조할 수 있다. 후자의 설폰화 반응이 가수분해 매질 보다 바람직한 경로로서 다음과 같이 나타낼 수 있다.
H2SO4＋방향족 탄화수소 →아릴설폰산 수화물
이렇게 형성된 아릴설폰산은 하기하는 바와 같이 실란 가수분해에 필요한 물을 제공한다.
상기 설폰화 반응의 역학을 연구한 결과 황산 중에서의 방향족 탄화수소의 제한된 용해도로 인해 물질이 동이 조절된 것으로 밝혀졌다. 혼합 및 가열이 개선됨에 따라 반응 속도 및 정도가 증가한다. 예를 들면, 반응은 모르톤(morton) 플라스크와 같은 배플 장치가 있는 장치 또는 멀티블레이드 교반 장치 및 배플 장치가 있는 용기 내에서 수행할 수 있다. 반응을 이러한 장치 내에서 200 내지 700rpm의 고속으로 교반시켜 수행하고 온도를 20 내지 120℃로 유지할 경우, 설폰화 효율이 크게 향상될 수 있다. 반면, 가수분해 매질 중의 물이 존재할 경우(황산 중에 존재하는 양 및 반응에 의해 생성된 물 둘 모두) 설폰화 반응이 억제되는 것으로 나타났다. 예를 들면, 황산 및 톨루엔의 몰량을 1시간 동안 45 내지 70℃로 가열한 다음 45℃에서 30 내지 60분 동안 교반할 경우, 톨루엔설폰산 일수화물 약 50 내지 65중량%만이 산상(acid phase)중에 생성된다. 그러나, 가수분해 반응에 의해 물이 소모되면서, 산상중에서 톨루엔 설폰산이 평균 81.6중량%가 생성될 때까지 설폰화 반응이 계속된다. 상기 요인(즉, 혼합도, 온도 및 물의 양)이 100% 설폰화되는 것을 곤란하게 하기 때문에 100% 설폰화되도록 하기 위해서는 충분한 황산 및 방향족 탄화수소를 사용하여 가수분해에 필요한 물 200%가 생성되도록 하는 것이 바람직하다.
가수분해 매질을 생성하는데 사용되는 농황산은, 예를 들면, 공업등급으로 물 10% 이하를 함유할 수 있지만, 상기한 바와 같이, 과량의 물은 설폰화 반응의 속도 및 정도에 영향을 미칠 수 있다. 이러한 효과 때문에, 설폰화 반응전에 발연 황산을 사용하여 농황산 중의 과량의 물을 소모시키는 것이 본 발명의 바람직한 양태이다.
설폰화 반응에 사용되는 방향족 탄화수소는 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등과 같은 화합물을 포함할 수 있다. 벤젠 및 톨루엔이 비점이 낮아 생성물 회수시 쉽게 증발시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 톨루엔이 공지된 독성 취급에 따르는 위험성이 없기 때문에 가장 바람직한 탄화수소이다.
가수분해 매질에 실란을 가할 경우, 다음과 같은 반응이 일어난다 :
아릴설폰산 수화물＋실란 → 중합체＋아릴설폰산＋HX
(여기서, X는 상기 정의한 가수분해가능한 그룹이다) 실란 가수분해는 대부분 상기 유기상과 산상의 계면에서 일어나기 때문에, 가수분해 매질은 실란을 가하여 반응의 표면적을 넓히는 동안 교반한다. 실란은 액체 표면 아래에서 서서히 흐르도록 가하여 기체 생성물의 발생 결과 일어나는 반응 용기의 벽에 수지성 잔류물이 형성되는 것을 감소되도록 하는 거이 바람직하다. 실란 첨가시 계속적인 격렬한 혼합 및 온도 조절과 같은 다양한 촉진 수단을 사용하면 효과적인 가수분해가 보장된다. 예를 들면, 상기한 배플 장치가 있는 다양한 혼합 장치를 약 200 내지 700rpm의 속도로 사용하면서 0 내지 80℃ 범위에서 가수분해 온도를 유지할 수 있다.
아릴설폰산 수화물 용액의 형성을 실란을 도입하기 전에 수행하거나 가수분해와 동시에 수행할 수 있다. 그러나, 반응 온도의 조절은 동시 첨가동안 더욱 복잡해지는데, 이는 설폰화반응이 발열성이기 때문이다. 따라서, 실란을 가수분해하기 전에 아릴설폰산 수화물을 생성시킴으로써 외부 가열 또는 냉각에 의해 가수분해 반응의 속도 및 온도를 더욱 효과적으로 조절할 수 있다.
가수분해 반응이 완결되고 중합체가 형성된 후, 혼합물을 침강시켜 상분리한다. 이 공정은, 예를 들면, 가수분해 혼합물의 교반을 중지함으로써 가수분해 혼합물이 반응용기 내에서 자발적으로 불혼화층으로 분리 되도록 하여 간단히 수행할 수 있다. 이와 같이 형성된 층은 중합체, 유기 용매 및 산층을 함유하는 유기층을 포함한다.
그런 다음 산층으로부터 유기층을 분리한다. 분리는 한층 또는 다른 층을 배수시키는 것과 같은 편리한 수단에 의해 수행할 수 있다. 하부 층은 통상 산이기 때문에, 예를 들면, 이 층을 따라 내고 계속적인 중화를 위해 반응 용기내의 중합체를 보존하는 것이 가장 유익하다.
중화는 유기층을 중화제와 접촉시켜 수행하거나 유기층을 먼저 세척한 다음 중화제와 접촉시켜 수행할 수 있다. 후자의 메카니즘이 통상 바람직한데, 이는 많은 산성 반응 부산물이 세척에 의해 제거됨으로써 필요한 중화제의 양이 감소되기 때문이다.
유기층을 세척해야될 경우, 바람직한 용액은 황산 수용액으로써, 이는 황산이 중합체 및 아릴설폰산 부산물의 계면활성제 성질로 인해 일어날 수 있는 유제 형성 및 생성물 손실을 억제하기 때문이다. 통상 황산을 5% 이상 함유하는 세척 용액을 사용할 수 있다.
세척되거나 되지 않은 유기층을 바람직하게는 잔류 실란의 가수분해를 촉진하는 소량의 물의 존재하에 중화제와 접촉시킨다. 중화제는 황산, 아릴설폰산, SiOSO2H, SiOSO2R, 할로겐화수소, 유기산 등과 같은 잔류 산종을 중화시킬 만큼 충분히 염기성이지만 중합체 재배열 또는 수소화 실리콘의 가용매 분해에 촉매작용을 할 정도는 아니어야 한다.
상기한 유해한 효과를 일으키지 않는 적합한 염기는 간단한 시험으로 쉽게 결정할 수 있다. 이 시험에서, 상기 가수분해 공정에 의해 생성된 중합체의 용액과 유사한 중합체 용액을 염기와 혼합하고 중화중에 직면하는 시간 및 온도 조건과 유사한 조건이 되도록 한다. 수소 기체 발생에서 증명되듯이 겔을 형성시키거나 Si-H 결합을 가용매분해시키는 염기를 사용하지 말아야 한다.
적합한 염기의 예에는 탄산 칼슘, 탄산 나트륨, 탄산수소 나트륨, 탄산 암모늄, 산화 칼슘 또는 수산화 칼슘이 포함된다. 염기는 고체, 용액, 수성 분산액 또는 액체의 사용을 포함한 원하는 형태로 유기상에 가할 수 있다. 그러나, 유기상을 잠깐동안만 중화제와 접촉시킬 때 최선의 결과가 얻어질 수 있음이 밝혀졌다. 이는, 예를 들면, 분말 중화제 중에서 교반한 다음 여과하거나 유기상을 유동을 방해하지 않는 크기의 입상 중화제의 베드를 통과시켜 수행할 수 있다.
공정의 신규 중화단계는 다음과 같은 여러 가지 뚜렷한 이점을 제공한다 :
1) 물 세척과 관련된 겔 및 유제 형성의 감소,
2) 다양한 탄화수소 용매 또는 보조- 용매 사용시 나타나는 침전의 감소,
3) 특히 고체 함량 증가시 나타나는 생성물 및 용매의 손실을 방지함으로써 생성물의 수율 향상,
4) 황 및 산 함량이 낮은 생성물 형성,
5) 신속한 가공 가능 및
6) 높은 고체 함량에서 가공 가능.
유기산으로부터 중화제를 제거하면 목적하는 중합체 생성물이 수득된다. 그러나, 중합된 유기상을 건조 및/또는 여과시켜 중합중에 형성된 수용성 염 또는 다른 불용성 물질을 확실히 제거하는 것이 바람직하다. 이 단계는 생성물 중에 이러한 염 또는 불용성 물질이 중합체 특성에 영향을 미치기 때문에 바람직하다. 황산 마그네슘, 황산 나트륨과 같은 적합한 건조체 또는 3 또는 4Å 분자체를 사용할 수 있다.
중합체의 고체 형태는 간단히 용매를 제거하여 회수할 수 있다. 용매의 제거 방법은 중요하지 않으며 다수의 방법이 본 기술 분야에 공지되어 있다. 예를 들면, 주위 압력에서 용매를 증류제거하여 수지 40 내지 80%를 함유하는 농축물을 형성시키고 (2) 진공 및 온화한 가열(60 내지 120℃에서 0.1 내지 5시간)하에 잔류 용매를 제거하는 것을 포함하는 방법을 사용할 수 있다.
다른 방법으로 용액 중에 중합체가 존재할 필요가 있을 경우, 간단히 제 2 용매를 가하고 제 1 용매를 증류제거하여 간단한 용매 교반을 수행할 수 있다. 이 대안은 정해진 지침이 특정 용매의 사용을 금하는 경우에 특히 유리하다.
본 발명의 가수분해 반응을 사용하여 수득할 수 있는 중합체는, 당연히, 사용되는 실란에 따라 달라진다. 그러나, 가능한 가수분해물 및 공가수분해물을 기재한 하기 예는 특히 고려할만 하지만, 예가 이에 한정되지는 않는다.
[HSiO3/2]n
[H2SiO]m
[HSiO3/2]x[RSiO3/2]y
[HSiO3/2]x[RR'SiO]y
[HSiO3/2]x[RR'SiO]y[SiO2]z
[HSiO3/2]x[H2SiO]y
상기식에서, R 및 R'는 상기 정의한 바와같고, n은 2 이상이며, m은 8 이상이고, 몰 분율 x, y 및 z는 상기 공중합체 각각에 있어 총 1이 되어야 한다. 이들 화합물 중에서 [HSiO3 3/2]의 형성이 특히 관심을 끄는데 이는 이의 뛰어난 수지 특성 때문이다.
상기 수치는 하이드록실 그룹 약 100 내지 2000ppm만이 실리콘 원자(실라놀)에 결합된 고 축합 생성물이다. 이들은 상기한 탄화수소 용매를 포함하는 적합한 탄화수소 용매에 용해되며 이들 용액 중에서 6개월 이상 안정성을 유지한다.
공기 중에서 승온으로 가열시, 상기 수지는 핀호울 또는 균열이 없는 무정형 실리카의 평탄한 보호층으로 전환된다(참조 : Haluska et al., U.S. Patent 4,756,977호). 이들 보호층은 전자 회로 피복에 특히 유용한 것으로 밝혀졌는데, 여기서 이들은 평면화층 역할을 하여 환경 응력에 대해 회로의 안정성을 보존한다. 이들을 1차 표면 안정화된 퇴조 표면에 직접 피복하여 접착패드, 1차 표면 안정화의 핀호울 및 균열을 밀봉하고 계속하여 피복된 피복물에 접착 표면을 제공한다.
본 발명의 수지는 통상 스핀 피복, 침지 피복, 스프레이 피복 또는 유동피복과 같은 방법에 의해 희석용액 형태로 전자 장치의 표면에 피복한다. 그런 다음, 용매를 건조에 의해 증발시켜 균질한 수지를 형성한 다음 가열하여 세라믹화한다. 이렇게 형성된 얇은 세라믹 층을 추가의 표면안정화 층으로 피복한다.
하기 실시예는 본 기술 분야의 술련가가 본 발명을 더욱 완전하게 이해할 수 있도록 한 것으로서, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.
[실시예 1]
다음은 가수분해 공정의 전형적인 예이다.
농황산(95 내지 98%) 553.4g 및 발연 황산(SO320%) 277.8g(총산= 8.48몰/831.2g)을 5ℓ 들이 용기에 가한다. 40℃로의 발열 현상이 관찰되었다. 톨루엔(8.43몰, 775.9g)을 산에 부당 19.9ml의 속도로 펌핑하면서 질소대기를 유지시킨다. 가하는 동안, 혼합물을 약 500rpm으로 회전하는 패들 교반기로 교반시킨다. 24분 후에 혼합물의 온도는 62.5로 상승된 후 하강되기 시작한다. 나머지 톨루엔을 가하는 동안 및 그후 34분 동안 교반하는 동안 온도를 48℃로 유지시킨다. 교반을 멈추면, 미반응 톨루엔을 함유하는 유기상 및 미반응 황산 및 톨루엔 설폰산 64.8중량%를 함유하는 산 상의 2가지 상이 존재한다.
산 혼합물을 30℃에서 유지시키고 톨루엔(1928g/20.96몰)중의 트리클로로실론 18.2% 용액을 액체 표면 아래에서 분당 8.7ml의 속도로 가하면서 급속히 교반한다(550 내지 600rpm). 4시간 52분 동안의 교반 동안 및 그후 반응물을 30분 동안 교반하는 동안 매질의 온도를 30℃로 유지시킨다. 교반이 끝나면, 혼합물은 2가지 상으로 분리되며 산 상 1407.6g을 분리하여 분석한 결과 톨루엔 설폰산 77.5중량%가 수득된 것으로 밝혀졌다. 유기상의 산수는 KOH 60mg/샘플 g이다. 탄산 칼슘 51.4g 및 물 3ml를 가하여 중화시키고 유기상을 완만한 속도로 교반한다. 유기상을 황산 마그네슘 145.12g을 가하고 프릿 유기 상의 산 세척된 슈퍼셀의 층(두께 1인치)을 통해 여과하여 건조시킨다. 여액을 3ℓ 플라스크에 넣고 112℃에서 72분 동안 여과한다. 용액을 분할하여 제 1 부분은 건조시켜 분말이 되게 하고 제 2 부분은 용매 교환시킨다. 제 1 부분은 135.52을 함유하며 회전 증발기 상에서 60℃ 및 3.6mmHg에서 1시간 5분 동안 스트리팅하여 백색 분말 78.82g을 수득한다. 116.9g을 함유하는 제 2 부분을 도데칸(99%) 112.8g을 가한다. 용매를 톨루엔을 함유하지 않는 도데칸 중의 수지 156.2g이 남을 때까지 진공 증류시켜 제거한다.
2부분에서 수지의 총 수율의 87.3%이다(용액부분 중의 78.82g이 스트리핑되었다). 수지는 100% 용해되며 도데칸 중의 고체는 최대 56.75%이다. 2회 반복시험시 수평균 분자량 M(n)은 1464 및 1559이다. 2회 반복시험시 중량평균 분자량 M(w)은 10258 및 11012이다.
2회 반복시험시 Z-평균 분자량 M(z)은 31091 및 34804이다.
2회 반복시험시 분자량 분포도 (Mw/Mn)는 7.00 및 7.06이다.
생성물은 원소 분석한 결과 염화물 34ppm, 황 0.016%, 탄소 1.98%, 수소 0.89%, Si-H 0.9865%, 칼슘 5ppm 미만, 마그네슘 0.5ppm 미만 및 실라놀 540ppm인 것으로 밝혀졌다.
[실시예 2]
적합한 중화제의 선택 방법을 증명하기 위해, 실시예 1에서와 유사하게 제조한 중합체 샘플을 톨루엔에 용해시키고 다양한 온화한 중화제와 접촉시킨다. 개스를 발생시키거나 겔을 형성하지 않는 시약이 바람직하다. 개스를 서서히 발생시키거나 겔을 서서히 형성시키는 다른 시약도 본 발명의 공정 수행동안 중화제와 가수분해물의 접촉시간을 최소화시키도록 주의할 경우에는 사용하기 적합하다.
[표 1] 중화-상 분리 연구
하기 물질 각각을 톨루엔 중의 5.88중량%(*로 명시된 경우 7.59중량%) 수지 용액 2.0g을 가한다.
Figure kpo00003
**점성 불투명 계면층은 중합체의 계면활성제의 성질로 인한 종속의 혼합에 의해 형성된 유제인 것으로 생각된다.

Claims (5)

  1. 아릴설폰산 수화물을 함유하는 가수분해 매질을 형성시키고, 실란을 함유하는 액체를 교반된 가수분해 매질에 가한 다음, 가수분해 매질 중에서 실란의 가수분해를 촉진시켜 중합체를 형성시키고, 산 층 및 중합체를 함유하는 유기층을 포함하는 불혼화 층 내에 가수분해 매질 및 중합체를 침강시킨 다음, 산층으로부터 유기층을 분리하고, 유기층을 잔류 산 종을 중화시키기에 충분할 만큼 연기성이지만 중합체의 재배열 또는 수소화 규소의 가용매 분해에 촉매 작용을 할 정도는 아닌 중화제와 접촉시킴을 특징으로하여, 일반식 HaSiX4-a(여기서, a는 1 또는 2 이고 X는 가수분해가능한 그룹이다)의 실란을 가수분해하여 일반식 HaSiO(4-a)/2의 단위를 함유하는 중합체를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 실란을 함유하는 액체가 일반식 RaSiX4-a또는 R'RSiX2(여기서, a는 1 또는 2이고, X는 가수분해가능한 그룹이고, R은 알킬, 아릴, 불포화 탄화수소, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴이며, R'는 R 또는 H이다)의 오가노실란 하나 이상을 추가로 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 실란을 함유하는 액체가 실란 및 탄화수소 용매를 필수 성분으로 함유하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 가수분해 매질을 방향족 탄화수소 및 농황산을 합하여 형성시키는 방법.
  5. 톨루엔과 농황산을 합하여 톨루엔설폰산 수화물 가수분해 매지을 형성시키고, 톨루엔 중에 용해된 트리클로로실란을 교반된 가수분해 매질에 가한 다음, 가수분해 매질 중에서의 실란의 가수분해를 촉진시켜 중합체를 형성시키고, 가수분해 매질 및 중합체를 산층 및 중합체 및 톨루엔을 함유하는 유기층을 포함하는 불혼화층 내에 침강시킨 다음, 산층으로부터 유기층을 분리시키고 유기층을 수성황산으로 세척한 다음 유기층을 탄산 칼슘과 접촉시켜 잔류 산 종을 중화시키고, 탄산 칼륨으로부터 유기층을 분리한 다음, 중화된 유기층을 건조제와 접촉시키고, 건조제로부터 유기층을 분리하고, 용매를 증발시킴을 특징으로 하여, 일반식 HSiCI3의 실란을 가수분해시켜 일반식 HSiO3/2의 단위를 함유하는 중합체를 제조하는 방법.
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