KR940009648B1 - 전하결합소자의 제조방법 - Google Patents

전하결합소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

전하결합소자의 제조방법
제 1 도는 종래 전하 결합소자 공정 단면도.
제 2 도는 종래 수광부의 산화막 두께에 따른 스미어 효과를 설명하기 위한 단면도.
제 3 도는 본 발명 전하 결합소자 공정의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: P웰 2 : 수광부
3 : 수직전하전송부 4 : 게이트 산화막
4a, 6 : 산화막 5 : 폴리게이트
10, 13 : 메탈 9 : 질화막
11 : PECVD LTO 12 : 포토레지스트
본 발명은 전자결합소자(CCD)의 제조방법에 관한 것으로 특히 습식식각을 이용하면 표면 손상을 최대로 억제하면서 스미어(smear)를 효과적으로 방지할 수 있도록 한 것이다.
일반적으로 전하 결합소자는 빛 에너지를 전자로 변환시키는 영상소자로서, 빛을 받아들여 영상신호를 생성하는 수광부(PD)와 수광부에서 생성된 영상신호 전하를 수직방향으로 전송하는 수직전하전송부(VCCD)와, 상기 수직전하전송부(VCCD)로부터 전달된 영상신호 전하를 출력단으로 전송시키는 수평전하전송부(HCCD) 및 출력단에서 전송된 영상신호 전하를 센싱하는 센싱 앰프(sensing Amp)단으로 구성된다. 이때 빛은 수광부를 통해서만 입사되어야 하며 수직 및 수평전하전송부로는 빛이 입사되지 않아야만 한다. 여기서 수직 및 수평전하전송부로는 빛이 입사되어 화상이 흐려지는 현상을 스미어(SMEAR)현상 이라고 하고 이러한 스미어 방지를 위해 광차단층을 사용한다.
이하에서 광차단층을 형성하기 위한 종래의 제조공정을 제 1 도를 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 (A)와 같이 P웰(1)에 n형 불순물(예를들어 As나 P)를 주입하여 수광부(포토다이오드)(2)와 수직전하전송부(VCCD)(3)를 형성하고 전표면에 게이트 산화막(4)을 형성한 후 전면에 폴리실리콘을 증착하고 패터닝하여 수직전하전송부(3) 상측에 전하전송용 폴리게이트(5)를 형성한다.
다음에 (B)와 같이 전표면에 산화막(6)(LTO 혹은 BPSG)를 증착하고 그 위에 포토레지스트(7)를 도포한 후 노광 및 현상으로 수광부(2) 영역 상측의 포토레지스트(7)를 선택적으로 제거한 다음, 이를 마스크로 이용한 건식식각을 실시하여 수광부 상측에 산화막(6) 일부를 제거한 후 남아 있는 포토레지스트(7)를 제거한다.
그리고 (C)와 같이 광차단층을 형성하기 위하여 전면에 메탈(10)을 증착하고 포토레지스트(8)를 도포한 후 노광 및 현상으로 수광부(2) 영역 상측의 포토레지스트(8)를 제거한다.
계속해서 (D)와 같이 남아 있는 포토레지스트(8)를 마스크로 이용하여 메탈(13)을 식각함으로 수광부(2)이외의 영역에는 빛이 들어갈 수 없도록 광차단층을 형성한다.
여기서, 제 2a, b 도는 산화막(5)의 두께에 따른 스미어 효과를 설명하기 위한 도면으로, (a)와 같이 수광부(2) 상측의 산화막(6)을 일부 식각한 경우보다 (b)와 같이 수광부(2) 상측의 산화막(6)을 전혀 식각하지 않은 경우에 스미어가 많이 발생함을 알 수 있다.
따라서, 종래의 산화막(6)의 두께를 낮추어 스미어 방지의 효과는 얻었으나 산화막(6)을 너무 많이 식각하게 되면 기판 표면이 드러나게 되는 결점이 있다.
즉, 종래에는 수광부(2)위의 산화막(6)의 두께를 자유롭게 조절하기 어렵고 산화막(6) 식각시 건식식각에 의한 수광부(2)의 손상이 커 암전류(Dark current)가 많아지고 화이트 디펙트(white defect)가 많아져 결국 소자의 질을 떨어뜨리게 되는 결점이 있었다.
본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 수광부위의 산화막을 건식식각 대신 습식식각을 사용하여 제거함으로써 스미어를 방지할 수 있는 전하결합소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제 3 도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 (a)와 같이 P웰(1)에 N형 불순물(As나 P)를 주입하여 수광부(포토다이오드)(2)와 수직전하전송부(3)를 형성하고 전표면에 게이트 산화막(4)을 형성한 후 폴리실리콘을 증착하고 선택적으로 제거하여 수직전하전송부(3) 상측에 전하전송용 폴리게이트(5)를 형성한다.
그리고 폴리게이트(5)을 산화시키거나 증착하여 폴리게이트(5) 상측 및 측벽에 선택적으로 산화막(4a)을 형성하고 전면에 질화막(9)(혹은 도핑되지 않은 폴리실리콘)을 증착한 후 그 위에 산화막(6)을 증착한다.
다음에(b)와 같이 주변 영역의 산화막(6)을 식각하여 기판에 콘택홀을 형성하고 메탈(10)라인을 형성한다.
(c)와 같이 전면에 PECVD LTO(11)를 증착하고 포토레지스트(12)를 이용한 사진/식각공정에 의해 질화막(9)을 에치 스토퍼로 하여 화소 영역의 산화막(6)과 LTO (11)를 선택적으로 습식식각한다.
이어서 (d)와 같이 표면에 드러난 질화막(9)을 습식 혹은 화학 건식식각으로 선택적 제거하고 (e)와 같이 전면에 메탈(13)을 증착한 후 수광부(2) 윗부분만 선택적 식각하여 광차단층을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은 수광부(2)위의 산화막(6)을 습식식각함으로써 수광부의 손실이 적어 암전류 및 화이트 디펙트를 낮출 수 있으며 수광부(2) 영역의 산화막 두께를 임의로 조정 가능하다.
또한, 수광부(2)와 수직전하전송부(3)의 단차를 줄임으로써 후 공정에서의 칼라필터 공정시 평탄화를 쉽게 실시할 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims (3)

  1. P웰(1)에 선택적으로 n형 이온주입하여 수광부(2)와 수직전하전송부(3)를 형성하고 전면에 게이트 산화막(4)을 형성한 후 상기 수직전하전송부(3) 상측에 폴리게이트(5)를 형성하는 공정과, 상기 폴리게이트(5) 상측 및 측벽에 산화막(4a)을 형성하고 전면에 질화막(9)과 산화막(6)을 차례로 증착하는 공정과, 주변부의 상기 산화막(6)을 식각하여 기판에 콘택홀을 형성하고 콘택홀에 메탈(10)라인을 형성하는 공정과, 전면에 PECVD LTO(11)를 증착하고 사진/식각공정으로 화소 부분의 산화막(6)과 LTO(11)를 식각하는 공정과, 표면이 드러난 질화막(9)을 선택적으로 제거하고 전면에 메탈(13)을 증착한 후 수광부(2) 윗 부분만 선택적 식각하여 광차단층을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 전하결합소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 질화막(9) 대신에 도핑되지 않은 폴리실리콘을 사용함을 특징으로 하는 전하결합소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 산화막(6)과 LTO(11)를 식각시 습식식각함을 특징으로 하는 전하결합소자의 제조방법.
KR1019910018117A 1991-10-15 1991-10-15 전하결합소자의 제조방법 KR940009648B1 (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2910394B2 (ja) * 1992-03-19 1999-06-23 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
US5341008A (en) * 1993-09-21 1994-08-23 Texas Instruments Incorporated Bulk charge modulated device photocell with lateral charge drain
US5384267A (en) * 1993-10-19 1995-01-24 Texas Instruments Incorporated Method of forming infrared detector by hydrogen plasma etching to form refractory metal interconnects
KR0136933B1 (ko) * 1994-05-21 1998-04-24 문정환 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법
KR0148734B1 (ko) * 1995-06-22 1998-08-01 문정환 시시디 촬상소자 제조방법
US7072650B2 (en) * 2000-11-13 2006-07-04 Meshnetworks, Inc. Ad hoc peer-to-peer mobile radio access system interfaced to the PSTN and cellular networks
JP2002190586A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002314063A (ja) * 2001-02-06 2002-10-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法
KR100780246B1 (ko) * 2006-09-26 2007-11-27 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1595253A (en) * 1977-01-24 1981-08-12 Hitachi Ltd Solid-state imaging devices
FR2533371B1 (fr) * 1982-09-21 1985-12-13 Thomson Csf Structure de grille pour circuit integre comportant des elements du type grille-isolant-semi-conducteur et procede de realisation d'un circuit integre utilisant une telle structure
DE3586452T2 (de) * 1984-10-18 1993-03-18 Matsushita Electronics Corp Festkoerperbildsensor und verfahren zu seiner herstellung.
US4906584A (en) * 1985-02-25 1990-03-06 Tektronix, Inc. Fast channel single phase buried channel CCD
JPS61216472A (ja) * 1985-03-22 1986-09-26 Toshiba Corp 電荷転送装置の製造方法
JPS62124771A (ja) * 1985-11-25 1987-06-06 Sharp Corp 固体撮像装置
JPH0316232A (ja) * 1989-06-14 1991-01-24 Matsushita Electron Corp 電荷結合素子の製造方法
US5135882A (en) * 1989-07-31 1992-08-04 Micron Technology, Inc. Technique for forming high-value inter-nodal coupling resistance for rad-hard applications in a double-poly, salicide process using local interconnect

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