KR940003221B1 - 모스의 필드산화막 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

모스의 필드산화막 제조방법

제1도는 종래 질화막에 의한 필드산화막의 공정단면도.

제2도는 종래 NILO의 공정단면도.

제3도는 본발명 필드산화막의 공정단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 산화막

3 : 질화막 4 : 필드산화막

5 : 포토레지스트

본발명은 모스의 필드산화막 제조방법에 관한 것으로, 특히 사진 식각법에 의해 N₂ ⁺이온을 주입하여 버즈비크(Bird's Beak)를 감소시켜 활성영역을 넓게 할 수 있도록 한 것이다. 종래 질화막에 의한 필드산화막의 형성은 제1도에서 (a)와 같이 기판(1)상에 산화막(2)을 증착하고 (b)와 같이 상기 산화막(2)위에 질화막(3)을 증착한후 (c)와 같이 사진 식각법으로 상기 질화막(3) 및 산화막(2)의 불필요한 부분은 식각한후 (d)와 같이 필드산화막(4)을 형성한다.

또한 NILO(Nitride Implant For Local Oxidation)에 의한 종래 기술은 제2도에서 (a)와 같이 기판(1)상에 산화막(2)를 증착하고 (b)와 같이 질화막(3)을 주입한후 (C)와 같이 사진 식각법으로 상기 산화막(2) 및 질화막(3)의 불필요한 부분은 식각한후 (d)와 같이 필드산화막(4)를 형성한다. 이와같은 종래의 기술은 질화막 아래 부분에서 옥시다이징 스피쉬즈(Oxidizing Species)가 측면으로 확산됨으로써 버즈 비크 발생 및 필드산화막(4)에 결함이 생기는 결점이 있었다.

본발명은 이와같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로 포토레지스트를 이용하여 N₂ ⁺이온을 기판 상부에 주입해서 질화막을 형성하는데 그 목적이 있다.

이하에서 이와같은 목적을 달성하기 위한 본발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제3도는 본발명 필드산화막의 공정단면도로서 (a)와 같이 기판(1)상에 초기 산화막(2)을 25나노미터(㎚)의 두께로 증착하고 (b)와 같이 포토레지스트(5)를 이용하여 전압이 20kev이고 농도는 5×10¹⁶/㎠인 N₂ ⁺이온을 기판(1) 상부에 질화막(3)의 두께가 23나노미터되게 상기 주입후 상기 포토레지스트(5)를 제거하고 (c)와 같이 950℃에서 N₂가스안에서 30분 동안 어닐(Anneal)한다. 또한 (d)와 같이 상기 산화막(2)을 제거하고 필드산화막(4)을 형성한다.

이상에서 설명한 바와같이 본발명은 포토레지스터를 이용하여 N₂ ⁺이온을 기판 상부에 주입함으로써 필드산화막에 버즈 비크의 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

1. 기판(1)상에 초기 산화막(2)을 형성하고 포토레지스터(5)를 이용하여 N₂ ⁺이온을 기판(1) 상부에 주입하는 단계와, 상기 포토레지스터(5)를 제거하고 950℃의 N₂가스안에서 30분 동안 어닐하는 단계와, 상기 산화막(2)을 제거하고 필드산화막(4)을 성장시키는 단계를 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 모스의 필드산화막 제조방법.