JPS5832466A - Mosfetの製造方法 - Google Patents
Mosfetの製造方法Info
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- JPS5832466A JPS5832466A JP13096381A JP13096381A JPS5832466A JP S5832466 A JPS5832466 A JP S5832466A JP 13096381 A JP13096381 A JP 13096381A JP 13096381 A JP13096381 A JP 13096381A JP S5832466 A JPS5832466 A JP S5832466A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はvosyg’rの製造方法に関し、更冒:詳し
くはモリブデンと酸化モリブデンとtイオン注入に対す
るマスクとしたセルファライン法を用いたMOSFI!
i’fiの製造方法′t−提供するものである。
くはモリブデンと酸化モリブデンとtイオン注入に対す
るマスクとしたセルファライン法を用いたMOSFI!
i’fiの製造方法′t−提供するものである。
セルファライン法はゲートs分の寸法等を正確に規定し
得る事からMO8F!!:Tの製法の主流となっている
。とζろがMO8FffiTのゲートトシて多用されて
いるモリブデンは注入イオンに依るチャンネリング効果
に基因してマ鷲り作用に乏しく注入イオンがモリブデン
膜を突き抜けてしまいモリブデンtゲートと下るMO8
FET+=セルファライン法を採用するC:は電点があ
った。
得る事からMO8F!!:Tの製法の主流となっている
。とζろがMO8FffiTのゲートトシて多用されて
いるモリブデンは注入イオンに依るチャンネリング効果
に基因してマ鷲り作用に乏しく注入イオンがモリブデン
膜を突き抜けてしまいモリブデンtゲートと下るMO8
FET+=セルファライン法を採用するC:は電点があ
った。
その為蓋二モリブデン!パターニングする時に用いたレ
ジスト膜を注入イオンに対するマスクとしても石いる試
みや、ゲート酸化膜に窒化レリコン膜を追加してMNO
8#I#成を採用する擾案が為されているが、前者の方
決ではレジストが硬化してしまい、また後者の場合は微
細構造l二適さない、等の不都合を未了。
ジスト膜を注入イオンに対するマスクとしても石いる試
みや、ゲート酸化膜に窒化レリコン膜を追加してMNO
8#I#成を採用する擾案が為されているが、前者の方
決ではレジストが硬化してしまい、また後者の場合は微
細構造l二適さない、等の不都合を未了。
本発明はこのような諸関題Y改善する事を目的としたも
のであって、以下に図面′1に参照しつつ詳述する。
のであって、以下に図面′1に参照しつつ詳述する。
本発明のIllの工程は第1図に示T如く、−導電型の
半導体基板、例えばP型シリコン基fE(11表th1
1ニゲート鹸化膜となる酸化シリコンIl[21とモリ
ブデン層(31とt順次積層する。酸化シリコン膜(2
)は&敬11)i’鹸化雰囲気中で鹸化する事に依って
得られる約5ooj厚の・熱酸化膜から成り、またモリ
ブデン層(31はOVD法に依って約200OAの厚み
に成長させられる。
半導体基板、例えばP型シリコン基fE(11表th1
1ニゲート鹸化膜となる酸化シリコンIl[21とモリ
ブデン層(31とt順次積層する。酸化シリコン膜(2
)は&敬11)i’鹸化雰囲気中で鹸化する事に依って
得られる約5ooj厚の・熱酸化膜から成り、またモリ
ブデン層(31はOVD法に依って約200OAの厚み
に成長させられる。
弗2の工程はこのモリブデン層(3)の表面からの−i
jAwfll化する事に依ってモリブデン層(31表面
に酸化モリブデン膜14) t”得るところにある(8
2図)。
jAwfll化する事に依ってモリブデン層(31表面
に酸化モリブデン膜14) t”得るところにある(8
2図)。
このモリブデン層(31の酸化工程は重要で、例えば基
板11)l’封!とOtとの混合ガスの400℃の酸化
雰囲中に置いた時の酸化モリブデン膜(4)の成長量並
び直:モリブデン層(31の減少量ts6図(:示すこ
の図から明らかな如く、この酸化雰囲気中で2時間鹸化
処理t’llT事に依って600Aのモリブデン層(3
1が鹸化され、その代1月:その約4倍の厚みの酸化モ
リブデン膜(劇が成長する。
板11)l’封!とOtとの混合ガスの400℃の酸化
雰囲中に置いた時の酸化モリブデン膜(4)の成長量並
び直:モリブデン層(31の減少量ts6図(:示すこ
の図から明らかな如く、この酸化雰囲気中で2時間鹸化
処理t’llT事に依って600Aのモリブデン層(3
1が鹸化され、その代1月:その約4倍の厚みの酸化モ
リブデン膜(劇が成長する。
第3の工程は最終的+二MO8FffiTのゲート領域
となる部分にのみモリブデン層(3)と酸化モツブデy
111(4)とを残存させてバターニングするとζろに
あるcW&3図)。このバターニングは一部のフォトリ
ゾグラフィ法に依って実施される。
となる部分にのみモリブデン層(3)と酸化モツブデy
111(4)とを残存させてバターニングするとζろに
あるcW&3図)。このバターニングは一部のフォトリ
ゾグラフィ法に依って実施される。
′@4の工程は、第4図に示す如く、@3の1程でパタ
ーニングして残存した鹸化モリブデン11141とモリ
ブデン層(31とをマスクと下るセルファライン法にて
基板11)とは逆の導電型、即ち燐や砒素で代表される
P型の不純物イオンY基#j!at+に注入してP型の
ソース(51、ドレイン(6)v得るところにある。こ
の時の注入条件は、P型のイオンとし°C31゛p+t
、、約50KeV(1)加速電圧テ、ドース量lX10
”/jであった。この注入条件に於てはその注入イオン
は酸化〜モリブデン膜(41の存在に依ってゲート領域
のチャンネル部分には達せず、露出した基板Il+にの
み注入されるが、モリブデン層(31のみYマスクとし
てこの注入条件で51 p+ 、注入すると、モリブデ
ン層(31のチャンネリング効果に依って注入イオンは
tのモリブデン層(31を突き抜けて基板(1)にまで
達してしまう。この現WIILv示したのが87図で、
この第7図はMOSダイオードのC−v特性図であうて
、Aはイオン注入を施さない場合、Bはモリブデン層(
3:のみでイオン注入を行った場合、Cはモリブデン層
(31表面に酸化モリブデン膜(4)!積層した状態で
イオン注入を行った場合、を夫々示して8す、この図か
ら明らかな如(、Bの場合区:フラットバンド電圧Vy
s がマイナス側にリフトして糞り、基板(1)中に
燐イオンの突き抜けが起きて寞り、また逆に酸化モリブ
デン膜(4)t−成長させたCの場合は注入を行ってい
たいAと殆ど変って寞らず、イオンが基板(1)に達し
ていない事を示している。
ーニングして残存した鹸化モリブデン11141とモリ
ブデン層(31とをマスクと下るセルファライン法にて
基板11)とは逆の導電型、即ち燐や砒素で代表される
P型の不純物イオンY基#j!at+に注入してP型の
ソース(51、ドレイン(6)v得るところにある。こ
の時の注入条件は、P型のイオンとし°C31゛p+t
、、約50KeV(1)加速電圧テ、ドース量lX10
”/jであった。この注入条件に於てはその注入イオン
は酸化〜モリブデン膜(41の存在に依ってゲート領域
のチャンネル部分には達せず、露出した基板Il+にの
み注入されるが、モリブデン層(31のみYマスクとし
てこの注入条件で51 p+ 、注入すると、モリブデ
ン層(31のチャンネリング効果に依って注入イオンは
tのモリブデン層(31を突き抜けて基板(1)にまで
達してしまう。この現WIILv示したのが87図で、
この第7図はMOSダイオードのC−v特性図であうて
、Aはイオン注入を施さない場合、Bはモリブデン層(
3:のみでイオン注入を行った場合、Cはモリブデン層
(31表面に酸化モリブデン膜(4)!積層した状態で
イオン注入を行った場合、を夫々示して8す、この図か
ら明らかな如(、Bの場合区:フラットバンド電圧Vy
s がマイナス側にリフトして糞り、基板(1)中に
燐イオンの突き抜けが起きて寞り、また逆に酸化モリブ
デン膜(4)t−成長させたCの場合は注入を行ってい
たいAと殆ど変って寞らず、イオンが基板(1)に達し
ていない事を示している。
最後に酸化モリブデン膜(4)vエツチング除去してモ
リブデン層(3:v露出してこの露出モリブデン層(3
:vゲート電極とすると共に、ゲート酸化膜(2)に適
宜穴な穿ってソース、ドレイン(53(6)t’露出し
その露出したソース、ドレインlfsJ(6)g二接し
たソース電811711びにドレイン電極(8)を形成
して本発明に係るMO8FICTV完成する(115図
)。
リブデン層(3:v露出してこの露出モリブデン層(3
:vゲート電極とすると共に、ゲート酸化膜(2)に適
宜穴な穿ってソース、ドレイン(53(6)t’露出し
その露出したソース、ドレインlfsJ(6)g二接し
たソース電811711びにドレイン電極(8)を形成
して本発明に係るMO8FICTV完成する(115図
)。
本発明は以上の説明から明らかな如く、ゲート電極とな
るそリプデン層の表面からの一部を酸化して酸化モリブ
デン膜を得てこれtマスクとするセルファライン決1;
依りてソース、ドレインを形成しているので、酸化モリ
ブデンがモリブデンの注入イオンに対する阻止能力の不
足を補い、確実なセルファラインを施丁事が出来、その
結果、モリブデンtゲート電極とする安定した。特性の
MO8Fi!iTv得る事が出来る。
るそリプデン層の表面からの一部を酸化して酸化モリブ
デン膜を得てこれtマスクとするセルファライン決1;
依りてソース、ドレインを形成しているので、酸化モリ
ブデンがモリブデンの注入イオンに対する阻止能力の不
足を補い、確実なセルファラインを施丁事が出来、その
結果、モリブデンtゲート電極とする安定した。特性の
MO8Fi!iTv得る事が出来る。
【図面の簡単な説明】
181図乃至@5図は本発明方法を工程順に示した断面
図、第6図はモリブデンの酸化状態を示した曲線図、第
7図はMOSダイオードのC−■特性図であって、(1
)は基板、(2)はゲート酸化膜、(3)はモリブデン
層、(4)は酸化そリブデy%を夫々示している。
図、第6図はモリブデンの酸化状態を示した曲線図、第
7図はMOSダイオードのC−■特性図であって、(1
)は基板、(2)はゲート酸化膜、(3)はモリブデン
層、(4)は酸化そリブデy%を夫々示している。
Claims (1)
- 1)−導電型半導体基板表面にゲート酸化膜tデン膜を
得、次(=デー4部分にのみ酸化モリブデン膜とモリブ
デン層とt残存させてパターニングし、続いて残存酸化
モリブデン膜とモリブデン層とtマスクとするセルファ
ライン法穣二て基板とは逆の導電型の不純物イオンを基
板に注入してソース、ドレイyv得、最後に酸化モリブ
デン@l除去してモリブデン層を露出し、その露出モリ
ブデン層tゲート電極とするMO8FI’l’の製造方
法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13096381A JPS5832466A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Mosfetの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13096381A JPS5832466A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Mosfetの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832466A true JPS5832466A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15046715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13096381A Pending JPS5832466A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | Mosfetの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5832466A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1981
- 1981-08-20 JP JP13096381A patent/JPS5832466A/ja active Pending
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