JPS632349A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS632349A JPS632349A JP14579086A JP14579086A JPS632349A JP S632349 A JPS632349 A JP S632349A JP 14579086 A JP14579086 A JP 14579086A JP 14579086 A JP14579086 A JP 14579086A JP S632349 A JPS632349 A JP S632349A
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- polycrystalline silicon
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳ＩＩｌ／２−説明
［産果上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁物
による素子間分離技術の改良に関するものである。
による素子間分離技術の改良に関するものである。
し従来の技術］
第２図は、従来一般に用いられてきた選択酸化法と呼ば
れる絶縁物による素子間分離の方法の工程を示す。
れる絶縁物による素子間分離の方法の工程を示す。
図において、半導体基板１（たとえばＰ型シリコン基板
》上に酸化膜４を成長させた後、窒化膜９を堆積させる
（第２図（ａ）参照）。レジスト１０をバターニングし
て素子ｒ！４域となる部分のみ窒化ＷＡ９を残す《第２
図（ｂ ）参照》。次にレジスト１０をマスクとしてフ
ィールド部に不純物をドーピングして反転防止ｆＸｔｌ
１１を形成する（第２図（Ｃ ）Ｂ照》。続いて、レジ
スト１０を除去後、残存している窒化膜９をマスクとし
てフィールド酸化１！Ｊ１２を形成する（第２図（ｄ
）参照）。
》上に酸化膜４を成長させた後、窒化膜９を堆積させる
（第２図（ａ）参照）。レジスト１０をバターニングし
て素子ｒ！４域となる部分のみ窒化ＷＡ９を残す《第２
図（ｂ ）参照》。次にレジスト１０をマスクとしてフ
ィールド部に不純物をドーピングして反転防止ｆＸｔｌ
１１を形成する（第２図（Ｃ ）Ｂ照》。続いて、レジ
スト１０を除去後、残存している窒化膜９をマスクとし
てフィールド酸化１！Ｊ１２を形成する（第２図（ｄ
）参照）。
最後に、窒化膜９および酸化！Ｉ４を除去し半導体基板
１の素子領域を露出させる（第２図（ｅ）参照）ことに
より素子分離を完了する。
１の素子領域を露出させる（第２図（ｅ）参照）ことに
より素子分離を完了する。
さらに、他の従来の方法としてたとえば特公昭６０−２
８３８７号公報に示されたような下面絶縁分離実施を含
む半導体製造技術があるが、工程的に１！雑であり、よ
り簡単な製造方法が望まれている。
８３８７号公報に示されたような下面絶縁分離実施を含
む半導体製造技術があるが、工程的に１！雑であり、よ
り簡単な製造方法が望まれている。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の選択酸化法による分離では、素子領
域の下面が絶縁分離されていないので、素子が微細化さ
れるにつれて基板−素子領域間の各型およびリーク電流
が無視できなくなってくる。
域の下面が絶縁分離されていないので、素子が微細化さ
れるにつれて基板−素子領域間の各型およびリーク電流
が無視できなくなってくる。
また、フィールド酸化時にバーズビークが発生するため
フィールド幅が大きくなるのを避は得ず、半導体装置の
高密度化に障害となるなどの問題があった。さらに、特
公昭６０−２８３８７号公報に示されている製造方法で
は、下面が絶縁分離されているが、そのための工程が非
常に多く複雑で、より簡単で確実な製造方法の開発が望
まれている。
フィールド幅が大きくなるのを避は得ず、半導体装置の
高密度化に障害となるなどの問題があった。さらに、特
公昭６０−２８３８７号公報に示されている製造方法で
は、下面が絶縁分離されているが、そのための工程が非
常に多く複雑で、より簡単で確実な製造方法の開発が望
まれている。
したがって、この発明の目的はかかる問題点を解決する
ためになされたもので、素子ｗ４域をすべて電気的に絶
縁することにより電気的特性の向上を図り、併せて半導
体装置の高密度化を可能とする製造方法を提供すること
である。
ためになされたもので、素子ｗ４域をすべて電気的に絶
縁することにより電気的特性の向上を図り、併せて半導
体装置の高密度化を可能とする製造方法を提供すること
である。
［問題点を解決するための手段］
この発明による製造方法は、半導体基板に凹部を形成し
た後、イオン注入法を用いて基板内部に絶縁膜を形成し
、その上に堆積させた多結晶シリコン層をレーザアニー
リングによって単結晶化させる。さらに、上記絶縁膜が
露出するまで切削することによって素子領域を分離しよ
うとするものである。
た後、イオン注入法を用いて基板内部に絶縁膜を形成し
、その上に堆積させた多結晶シリコン層をレーザアニー
リングによって単結晶化させる。さらに、上記絶縁膜が
露出するまで切削することによって素子領域を分離しよ
うとするものである。
［発明の実施例］
第１図はこの発明の一実廊例による素子領域の分離工程
を示す。
を示す。
第１図（ａ ）において、シリコン基板１は、フォトレ
ジスト２をマスクとして選択的に開口されている。
ジスト２をマスクとして選択的に開口されている。
次に、フォトレジスト２を除去後、シリコン基板１の表
面上から酸素イオン３を全面イオン注入し、熱処理を施
すとシリコン基板１の内部に酸化１１４が形成される（
第１図（ｂ）参照）。
面上から酸素イオン３を全面イオン注入し、熱処理を施
すとシリコン基板１の内部に酸化１１４が形成される（
第１図（ｂ）参照）。
次に、シリコン基板１上部に多結晶シリコン層５を堆積
させた後、レーザビーム６を照射して多結晶シリコン層
５をアニーリングすることによって、単結晶化させ単結
晶シリコン層７を形成する（第１図（Ｃ）参照）。
、 Ｒ後に、単結晶シリコン層７の上面にレジスト８を塗布
することにより上面を平坦化（第１図（ｄ ）参照）し
、その表面を既に内部形成された酸化ＩＩ４が露出する
まで、平坦に切削することにより完了する（第１図（ｅ
）参照）。
させた後、レーザビーム６を照射して多結晶シリコン層
５をアニーリングすることによって、単結晶化させ単結
晶シリコン層７を形成する（第１図（Ｃ）参照）。
、 Ｒ後に、単結晶シリコン層７の上面にレジスト８を塗布
することにより上面を平坦化（第１図（ｄ ）参照）し
、その表面を既に内部形成された酸化ＩＩ４が露出する
まで、平坦に切削することにより完了する（第１図（ｅ
）参照）。
なお、上記実施例においては、酸素イオン３を注入して
酸化ＦＪ４を形成したが、他の絶縁効果のあるイオンを
注入して絶縁膜を形成してもよい（たとえば窒素イオン
を注入して窒化膜を形成する等）。
酸化ＦＪ４を形成したが、他の絶縁効果のあるイオンを
注入して絶縁膜を形成してもよい（たとえば窒素イオン
を注入して窒化膜を形成する等）。
また酸化ｍ４を形成するために酸素イオン３を注入後に
熱処理を行なっているが、レーザビーム６の照射時にビ
ーム６自身の熱によって形成することも可能である。
熱処理を行なっているが、レーザビーム６の照射時にビ
ーム６自身の熱によって形成することも可能である。
第１図（ｄ）では単結晶シリコン層７の切削加工を容易
にするためにレジスト８を塗布し、−旦上面を平坦にし
ているが、単結晶シリコン層を直接平坦に切削する場合
は、レジスト８の塗布は不要である。
にするためにレジスト８を塗布し、−旦上面を平坦にし
ているが、単結晶シリコン層を直接平坦に切削する場合
は、レジスト８の塗布は不要である。
［発明の効果］
この発明は以上の説明のとおり、素子領域を完全に絶縁
膜で分離でき、また、側面の分離パターンをも小さくで
きるため、高集積化された半導体装置を製造することが
できる。
膜で分離でき、また、側面の分離パターンをも小さくで
きるため、高集積化された半導体装置を製造することが
できる。
第１図は、本発明の一実施例による素子領域の分離工程
を示し、第２図は、従来技術の分離工程を示すものであ
る。 図において、１はシリコン基板、２はフォトレジスト、
３は酸素イオン、４は酸化膜、５は多結晶シリコン層、
６はレーザビーム、７は多結晶シリコン層、８はレジス
トである。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
を示し、第２図は、従来技術の分離工程を示すものであ
る。 図において、１はシリコン基板、２はフォトレジスト、
３は酸素イオン、４は酸化膜、５は多結晶シリコン層、
６はレーザビーム、７は多結晶シリコン層、８はレジス
トである。 なお図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）素子領域が完全に絶縁分離され、高集積化された
半導体装置の製造方法であつて、半導体基板上に選択的
に凹部を形成する工程と、前記半導体基板内部にイオン
注入による絶縁膜を形成する工程と、 前記半導体基板上に多結晶シリコンを堆積させる工程と
、 前記多結晶シリコン層をレーザアニーリングによつて単
結晶化する工程と、 前記単結晶層を前記絶縁膜の一部が露出するまで平坦に
切削する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - （２）前記イオン注入は、酸素イオン注入であることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
製造方法。 - （３）前記単結晶を平坦に切削する工程において、レジ
ストを前記単結晶上に塗布することを特徴とする、特許
請求の範囲１項または第２項記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14579086A JPS632349A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14579086A JPS632349A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632349A true JPS632349A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15393219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14579086A Pending JPS632349A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172567A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14579086A patent/JPS632349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172567A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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