KR940002962A - 웨이퍼 건조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 건조 방법에 관한 것이다.
상기 본 발명은 삼층 감광막 (tri-level-resist) 식각후에 형성되는 하층 감광막(3)을 갖는 웨이퍼 세척 과정에서 형성되는 수막을 제거하는 건조 방법에 있어서, 수용성 유기 용매 (isopropylal-cohol)의 증기를 웨이퍼에 분사시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법으로, 이러한 건조 방법의 웨이퍼 수막은 최종적으로 수 나노(10-9)미터의 두께로 감소되어 웨이퍼가 청결건조한 상태로 수조에서 나오게 되기 때문에 회전건조의 필요성을 극복할 수 있으며 따라서 삼층 감광막의 하층 감광막을 패턴한 원래의 모습으로 유지할 수 있어 고집적 소자의 건조방식에 유용하게 이용될 수 있는 효과가 있는 웨이퍼 건조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 삼층 감광막 식각 공정도.
Claims (1)
- 삼층 감광막(tri-level-resist)식각후에 형성되는 하층 감광막(3)을 갖는 웨이퍼 세척 과정에서 형성되는수지막을 제거하는 건조 방법에 있어서, 수용성 유기 용매(isopropyl alcohol)의 증기를 웨이퍼에 분사시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011699A KR940002962A (ko) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 웨이퍼 건조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920011699A KR940002962A (ko) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 웨이퍼 건조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940002962A true KR940002962A (ko) | 1994-02-19 |
Family
ID=67296747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920011699A KR940002962A (ko) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 웨이퍼 건조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940002962A (ko) |
-
1992
- 1992-07-01 KR KR1019920011699A patent/KR940002962A/ko not_active IP Right Cessation
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