KR940001467A - 디커플링 커패시터의 형성방법 - Google Patents
디커플링 커패시터의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 디커플링 커패시터의 형성방법에 관한 것으로, 디커플링 커패시터의 형성방법에 있어서 상기 디커플링 커패시터는 주변부의 활성영역을 제외한 나머지 부분에 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 별도의 영역을 디커플링 커패시터의 형성을 위하여 사용하지 않고도, 사용강도가 적은 주변부를 이용하여 큰 용량의 커패시터를 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 디커플링 커패시터를 나타낸 평면도,
제4도는 본 발명에 의한 디커플링 커패시터의 형성 방법을 나타낸 공정순서도.
Claims (1)
- 디커플링 커패시터의 형성방법에 있어서, 상기 디커플링 커패시터는. 주변부의 활성영역을 제외한 나머지 부분에 셀 어레이 부분에서 형성되는 커패시터와 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 디커플링 커패시터의 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-06-20 KR KR1019920010771A patent/KR100261210B1/ko not_active IP Right Cessation
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