KR930022854A - 고체 촬상장치 - Google Patents

고체 촬상장치

Info

Publication number
KR930022854A
KR930022854A KR1019930007152A KR930007152A KR930022854A KR 930022854 A KR930022854 A KR 930022854A KR 1019930007152 A KR1019930007152 A KR 1019930007152A KR 930007152 A KR930007152 A KR 930007152A KR 930022854 A KR930022854 A KR 930022854A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
video signal
effective
light
signal
Prior art date
Application number
KR1019930007152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100272819B1 (ko
Inventor
마사하루 도무라
기꾸에 시모까와
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오오가 노리오, 소니 가부시기가이샤 filed Critical 오오가 노리오
Publication of KR930022854A publication Critical patent/KR930022854A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100272819B1 publication Critical patent/KR100272819B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

영상신호를 발생하는 고체 촬상장치에 있어서, 입사광을 영상 신호로 변환하는 복수의 유효 수광 화소로 형성되는 유효 화소 영역과, 유효 화소 영역의 주변에 설치되고, 표면에 차광 수단이 설치된 복수의 화소로 형성되는 광학적 혹 영역을 설치해, 광학적 혹영역내의 소정의 화소가 다른 화소의 출력 신호는 다른 레벨의 화소 위치 기준 신호를 발생하도록 하여, 이 신호가 영상 신호와 함께 출력되도록 한다.

Description

고체 촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 고체 촬상 장치의 한실시예를 도시한 개략도, 제2도는 제1도에 도시한 고체 촬상 장치의 화소의 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도.

Claims (3)

  1. 영상신호를 발생하는 고체 촬상장치에 있어서, 입사광을 영상 신호로 변환하는 복수의 유효 수광 화소로 형성되는 유효 화소 영역과, 상기 유효 화소 영역의 주변부에 설치되어, 표면에 차광수단이 설치된 복수의 화소로 형성되는 광학적 혹 영역을 구비하며 사이 차광 수단은 상기 광학적 혹 영역내의 소정의 화소에 대응한 위치에 개구를 가지며, 그에 따라, 상기 광학적 혹영역내의 소정의 화소에서 발생된 신호가 화소 위치 기준 신호로서 사이 영상 신호와 함께 출력되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 영상 신호를 발생하는 고체 촬상 장치에 있어서, 입사광을 영상 신호로 변환하는 복수의 유효 수광 화소로 형성되는 유효 화소영역과, 상기 유효 화소 영역의 주변부에 설치되어, 표면에 차광 수단이 설치된 복수의 화소로 형성되는 광학적 혹 영역과, 상기 차광 수단과 상기 화소의 사이에 위치하여, 상기 광학적 혹영역내의 소정의 화소에 대해서 광을 조사하는 발광수단을 구비하며, 그것에 의해, 상기 광학적 혹영역내의 소정의 화소에서 발생된 신호가 화소위치 기준 신호로서 상기 영상 신호와 함께 출력되는것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  3. 영상 신호를 발생하는 고체 촬상 장치에 있어서, 입사광을 영상 신호로 변환하는 복수의 유효 수광 화소로 형성되는 유효 화소 영역과, 상기 유효 화소 영역의 주변부에 설치되어, 표면에 차광 수단이 설치된 복수의 화소로 형성되는 광학적 혹영역을 구비하며, 상기 광학적 혹영역내의 소정의 화소로부터 발생하는 암전류의 크기는 다른 화소로부터 발생하는 암전류의 크기보다 크며, 그것에 의해, 상기 광학적 혹영역내의 소정의 화소에서 발생된 암전류가 화소 위치기준 신호로서 상기 영상 신호와 함께 출력되는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930007152A 1992-04-30 1993-04-28 고체 촬상 장치 KR100272819B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13570392A JP3223570B2 (ja) 1992-04-30 1992-04-30 固体撮像装置
JP92-135703 1992-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930022854A true KR930022854A (ko) 1993-11-24
KR100272819B1 KR100272819B1 (ko) 2000-11-15

Family

ID=15157919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930007152A KR100272819B1 (ko) 1992-04-30 1993-04-28 고체 촬상 장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0568216B1 (ko)
JP (1) JP3223570B2 (ko)
KR (1) KR100272819B1 (ko)
DE (1) DE69314691T2 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3592147B2 (ja) 1998-08-20 2004-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US8760543B2 (en) 2011-09-26 2014-06-24 Truesense Imaging, Inc. Dark reference in CCD image sensors
EP2719321B1 (en) 2012-04-25 2017-03-15 Olympus Corporation Image pickup unit for endoscope and endoscope
JP6324184B2 (ja) 2014-04-18 2018-05-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649430A (en) * 1985-08-27 1987-03-10 Texas Instruments, Incorporated CCD imager with many dummy pixels

Also Published As

Publication number Publication date
KR100272819B1 (ko) 2000-11-15
JP3223570B2 (ja) 2001-10-29
EP0568216B1 (en) 1997-10-22
DE69314691D1 (de) 1997-11-27
EP0568216A1 (en) 1993-11-03
DE69314691T2 (de) 1998-04-02
JPH05308579A (ja) 1993-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6465859B1 (en) CMOS-type solid state imaging device that prevents charge inflow into optical black
CA2959702C (en) Variable resolution pixel
JP4345693B2 (ja) 光検出素子および光検出素子の制御方法
KR870002668A (ko) 고체 촬상소자
KR970014157A (ko) 적외선 카메라(IR camera)
KR960039856A (ko) 고체촬상장치 및 이것을 탑재한 비디오카메라
KR930022854A (ko) 고체 촬상장치
KR950002053A (ko) 증폭형 고체촬상소자
KR100198650B1 (ko) 고체 촬상 장치
KR920008947A (ko) Npn형 vccd 구조의 고체 촬상소자
KR930006989A (ko) 고체 촬상 소자
GB2207999A (en) Safety systems
KR930024467A (ko) 증폭형 고체 촬상장치
KR940006393A (ko) 고체촬상소자
JPS54134992A (en) Semiconductor device
KR100266636B1 (ko) 고체촬상소자
KR920001739A (ko) Ccd 영상소자의 포토다이오드 구조
EP1096288A3 (en) Solid state image intensifier for viewing device
JP2546362Y2 (ja) レンズユニット
JPH05236352A (ja) 赤外線撮像装置の感度補正方法
KR19980027049A (ko) 비접촉형 반도체 촬영 소자
KR20050116047A (ko) 이미지 센서
DE29718939U1 (de) Röntgendiagnostikanlage mit einer Bildverstärker-Fernsehkette und einem Detektor für die mittlere Bildhelligkeit
JPS61135272A (ja) リニアイメ−ジセンサ
DK0981791T3 (da) Indretning til billedoptagelse

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030718

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee