KR20050116047A - 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서가 개시된다. 상기 이미지 센서는 포토 다이오드와 상기 포토 다이오드 주변에 트렌지스터를 갖는 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 오버 코팅막과, 상기 포토 다이오드 상부의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드에 제공하기 위한 광을 집속하기 위한 렌즈 및 상기 렌즈 주변의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 렌즈 주변으로 제공되는 광을 차단하기 위한 광 차단부를 포함한다. 따라서, 상기 포토 다이오드 이외의 부분으로 제공된 광에 의한 신호 잡음을 충분하게 제어할 수 있다.
Description
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광을 집속하는 렌즈와 렌즈에 의해 집속된 광을 전달받아 전기적 신호로 변환시키는 포토 다이오들를 갖는 이미지 센서에 관한 것이다.
일반적으로, 모오스(MOS) 트랜지스터나 씨씨디(CCD) 메모리의 배열 위에 화상을 결상시키고, 각 셀의 출력을 전자적으로 주사하여, 화상을 전기 신호로 변환시키는 장치를 이미지 센서라 한다.도 1을 참조하여 상기 이미지 센서의 구동을 살펴보면, 렌즈(16)를 사용하여 광을 집속한다. 그리고, 상기 렌즈(16)를 통하여 집속된 광이 기판(10)에 형성된 포토 다이오드(12)로 전달된다. 이어서, 상기 포토 다이오드(12)에 의해 광은 전기적 신호로 변환되고, 트랜지스터(18)로 전달한다. 그리고, 상기 전기적 신호를 트랜지스터(18)를 통하여 외부 신호로 전달한다. 아울러, 상기 렌즈(16)와 포토 다이오드(12) 사이에 오버 코팅막(14)이 개재된다.
여기서, 상기 렌즈(16)를 통하여 광을 집속할 때 상기 렌즈(16) 이외의 부분에도 광이 제공된다. 그리고, 상기 렌즈(16) 이외의 부분에 제공된 광은 상기 기판(10) 특히, 트랜지스터(18)가 형성된 부분으로 전달된다. 이와 같이, 상기 트랜지스터(18)가 형성된 부분으로 전달된 광은 불필요한 전기 신호를 형성하고, 최종적으로 신호 잡음으로 작용한다.
따라서, 종래의 이미지 센서는 포토 다이오드 이외의 부분에도 광이 제공됨으로서 신호 잡음이 빈번하게 발생한다. 때문에, 이미지 센서의 구동에 따른 신뢰도가 저하되는 문제점을 갖는다.
본 발명의 목적은 포토 다이오드가 형성된 영역에만 광을 제공하기 위한 이미지 센서를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는,
포토 다이오드와 상기 포토 다이오드 주변에 트렌지스터를 갖는 기판;
상기 기판 상에 형성되는 오버 코팅막;
상기 포토 다이오드 상부의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드에 제공하기 위한 광을 집속하기 위한 렌즈; 및
상기 렌즈 주변의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 렌즈 주변으로 제공되는 광을 차단하기 위한 광 차단부를 포함한다.
여기서, 상기 광 차단부는 비투명성 물질을 포함하는 박막인 것이 바람직하고, 상기 비투명성 물질은 금속 물질인 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명은 렌즈 주변에 광 차단부를 형성함으로서 포토 다이오드에만 광이 제공된다. 따라서, 포토 다이오드 이외의 부분으로 제공된 광에 의한 신호 잡음을 충분하게 제어할 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2를 참조하면, 이미지 센서로서 기판(20)에 형성된 포토 다이오드(22)를 포함한다. 그리고, 상기 포토 다이오드(22) 주변의 기판(10) 상에 형성된 트랜지스터(28)를 포함한다. 아울러, 상기 포토 다이오드(22) 상부에 형성된 렌즈(28)와 상기 포토 다이오드(22)와 렌즈(24) 사이에 개재된 오버 코팅막(26)을 포함한다. 따라서, 상기 렌즈(26)는 오버 코팅막(24) 상에 형성된다. 그리고, 상기 이미지 센서는 상기 렌즈(28) 주변의 오버 코팅막(24) 상에 형성된 광 차단부(30)를 포함한다.
이와 같이, 상기 광 차단부(30)를 마련함으로서 상기 렌즈(26) 주변으로 제공되는 광을 차단한다. 이때, 상기 광 차단부(30)는 비투명성 물질을 포함하는 박막으로서 금속 박막을 예로 들 수 있다. 따라서, 상기 렌즈(26) 주변의 오버 코팅막(24) 상에 광 차단부(30)인 금속 박막을 형성함으로서 상기 렌즈(26) 주변으로 제공되는 광을 차단할 수 있다.
이에 따라, 상기 렌즈(26)를 사용하여 광을 집속한 광이 기판(20)에 형성된 포토 다이오드(22)로 전달된다. 그리고, 상기 포토 다이오드(22)에 의해 광은 전기적 신호로 변환되고, 트랜지스터(28)를 통하여 외부 신호로 전달한다. 그러나, 상기 렌즈(26)를 통하여 광을 집속할 때 상기 렌즈(26) 이외의 부분의 광은 상기 광 차단부(30)에 의해 차단된다. 때문에, 상기 포토 다이오드(22) 이외의 부분에는 광이 전달되지 않는다. 따라서, 상기 포토 다이오드(22) 이외의 부분에서는 전기적 신호가 생성되지 않는다. 때문에, 불필요한 전기적 신호에 의한 신호 잡음을 충분하게 줄일 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 포토 다이오드 이외의 부분에서 생성된 전기적 신호에 기이한 신호 잡음을 충분하게 줄임으로서 이미지 센서의 구동에 따른 신뢰도를 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타내는 모식도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
20 : 기판 22 : 포토 다이오드
24 : 오버 코팅막 26 : 렌즈
28 : 트랜지스터 30 : 광 차단부
Claims (3)
- 포토 다이오드와 상기 포토 다이오드 주변에 트렌지스터를 갖는 기판;상기 기판 상에 형성되는 오버 코팅막;상기 포토 다이오드 상부의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드에 제공하기 위한 광을 집속하기 위한 렌즈; 및상기 렌즈 주변의 오버 코팅막 상에 형성되고, 상기 렌즈 주변으로 제공되는 광을 차단하기 위한 광 차단부를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 광 차단부는 비투명성 물질을 포함하는 박막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 비투명성 물질은 금속 물질인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020040040940A KR20050116047A (ko) | 2004-06-04 | 2004-06-04 | 이미지 센서 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20050116047A true KR20050116047A (ko) | 2005-12-09 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020040040940A KR20050116047A (ko) | 2004-06-04 | 2004-06-04 | 이미지 센서 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050116047A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100782779B1 (ko) * | 2006-10-23 | 2007-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR101045084B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2011-06-29 | 주식회사 디알텍 | 엑스선 검출기 및 검출방법 |
-
2004
- 2004-06-04 KR KR1020040040940A patent/KR20050116047A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101045084B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2011-06-29 | 주식회사 디알텍 | 엑스선 검출기 및 검출방법 |
| WO2012008635A1 (ko) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | (주)디알텍 | 엑스선 검출기 및 검출방법 |
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