KR930022543A - 반도체 장치의 정전기 보호회로 - Google Patents
반도체 장치의 정전기 보호회로Info
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Abstract
기판(sub)pnp 트랜지스터의 에미터, 베이스 접촉영역의 하부에 매몰층을 형성하여 2000V 이상의 정전기 특성을 가지고, 기생 커패시턴스를 형성하지 않고, 이력전압의 범위를 제한하지 않고 칩사이즈를 증가시키지 않는 오피앰프 및 타이머를 제공할 수 있는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 이 발명에 따른 정전기 보호회로를 갖는 기판 pnp 트랜지스터의 단면도이다.
Claims (7)
- 제1도전형 반도체 기판상에 성장되어 베이스 영역이 도는 제2도전형 에피층고, 상기 제2도전형 에피층의 소정영역에 형성되는 제1도전형 격리층과, 상기 제2도전형 에피층의 소정영역에 형성되는 제1도전형의 에미터 영역과, 상기 제2도전형 에피층의 소정영역에 형성되는 제2도전형 베이스 접촉영역과, 상기 제2도전형 에미터, 베이스 접촉영역의 하부에 형성되는 제2도전형의 매몰층을 포함하여 정전기 특성을 개선하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 제1도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판임을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 제2도전형을 n형 임을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 베이스 접촉영여과 콜렉터 영역사이의 간격은 상기 베이스 접촉영역과 매몰층사이의 간격보다 크게 됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 에피층의 두께는 13~16㎛ 임을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 정전기의 특성은 2000V 이상 개선됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.
- 제1항에 있어서, 정전기 특성은 오피앰프 및 타이머의 입력단 정전기 특성임을 특징으로 하는 반도체 장치의 정전기 보호회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR2019960001980U KR960009795Y1 (ko) | 1992-04-08 | 1996-02-08 | 반도체 장치의 정전기 보호회로 |
Country Status (1)
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KR (2) | KR930022543A (ko) |
-
1992
- 1992-04-08 KR KR1019920005827A patent/KR930022543A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-02-08 KR KR2019960001980U patent/KR960009795Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960009795Y1 (ko) | 1996-11-11 |
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