KR930015309A - 베이스전류 상쇄회로 - Google Patents

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KR930015309A
KR930015309A KR1019910022926A KR910022926A KR930015309A KR 930015309 A KR930015309 A KR 930015309A KR 1019910022926 A KR1019910022926 A KR 1019910022926A KR 910022926 A KR910022926 A KR 910022926A KR 930015309 A KR930015309 A KR 930015309A
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transistor
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current
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collector
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송원철
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경상현
재단법인 한국전자통신연구소
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/46—Reflex amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

베이스전류 상쇄회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 베이스전류 상쇄회로의 예를 나타낸 도면.
제2도는 본 발명에 의한 베이스전류 상쇄회로의 실시예를 나타낸 도면.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 도면.

Claims (4)

  1. 베이스와 에미터 및 콜렉터가 입력단(Vin1)과 출력단(Vout1) 및 제1전원(Vdd)에 각각 연결되어 입력신호를 완충하는 제1트랜지스터(21)와, 상기 제1전원(Vdd)에 연결되어 전체회로에 바이어스전류를 공급하는 전류원(20)과, 상기 전류원(20)과 상기 출력단(Vout1) 및 제2전원(Vss) 사이에 연결되어 상기 제1트랜지스터(21)의 에미터에 바이어스전류를 공급하는 제1전류미러회로(29a)와, 상기 제1전류미러회로(29a)와 상기 제1트랜지스터(21)의 베이스 및 상기 제1전원(Vdd) 사이에 연결되어 상기 제1트랜지스터(21)의 베이스전류를 상쇄시키는 제2전류미러회로(29b)로 구성되는 것을 특징으로 하는 베이스전류 상쇄회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전류미러회로(29a)는 베이스들이 상호 연결되고 에미터들이 상기 제2전원(Vss)에 연결되며 콜렉터들은 상기 전류원(20) 및 상기 출력단(Vout1)에 각각 연결된 제2 및 제3트랜지스터(22, 23)와, 베이스와 에미터 및 콜렉터가 상기 전류원(20)과 상기 제2 및 제3트랜지스터(22, 23)의 베이스들 및 상기 제2전류미러회로(29b)에 각각 연결된 제4트랜지스터(24)로 구성되는 것을 특징으로 하는 베이스전류 상쇄회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2전류미러회로(29b)는 베이스들이 상호 연결되고 에미터들이 상기 제1전원(Vdd)에 연결되며 콜렉터들은 상기 제4트랜지스터(24)의 콜렉터 및 상기 제1트랜지스터(21)의 베이스에 각각 연결된 제5 및 제6트랜지스터(25, 26)와, 에미터가 상기 제5 혹은 제6트랜지스터(25, 26)의 베이스에 연결되고 베이스는 상기 제5트랜지스터(26)의 콜렉터에 연결된 제7트랜지스터(27)와, 베이스와 에미터 및 콜렉터가 상기 제7트랜지스터(27)의 콜렉터와 상기 제2전원(Vss) 및 제2 혹은 제8트랜지스터(28)로 구성되는 것을 특징으로 하는 베이스전류 상쇄회로.
  4. 베이스와 에미터 및 콜렉터가 입력단(Vin2)과 출력단(Vout2) 및 제1전원(Vdd)에 각각 연결되어 입력신호를 완충하는 제1트랜지스터(31)와, 상기 제2전원(Vdd)에 연결되어 회로전체에 바이어스전류를 공급하는 전류원(30)과, 상기 전류원(30) 및 상기 출력단(Vout2)에 각각 연결된 제2트랜지스터(32)와, 베이스 및 에미터가 바이어스단자(Vbias) 및 상기 제2트랜지스터(32)의 베이스에 각각 연결된 제3트랜지스터(33)와, 상기 제1트랜지스터(31)의 베이스와 상기 제3트랜지스터(33)의 콜렉터와 상기 제1트랜지스터(31)의 베이스에 각각 연결된 제4 및 제5트랜지스터(34, 35)와, 에미터가 상기 제4 혹은 제5트랜지스터(34, 35)의 베이스에 연결되고 베이스는 상기 제4트랜지스터(34)의 콜렉터에 연결된 제6트랜지스터(36)와, 베이스와 에미터 및 콜렉터가 상기 제6트랜지스터(26)의 콜렉터와 상기 제2전원(Vss) 및 상기 제4 혹은 제5트랜지스터(34, 35)의 베이스에 각각 연결된 제7트랜지스터(37)로 구성되는 것을 특징으로 하는 베이스전류 상쇄회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910022926A 1991-12-13 1991-12-13 베이스전류 상쇄회로 KR940002107B1 (ko)

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KR20180004378A (ko) * 2016-07-01 2018-01-11 에스케이하이닉스 주식회사 기판 바이폴라접합트랜지스터의 컬렉터 전류 제어를 위한 회로 디자인 및 이를 이용하여 ptat 전압 발생을 위한 베이스 전류 보상 회로

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