KR930014824A - 웨이퍼 표면연마장치 - Google Patents

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KR930014824A
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract

웨이퍼 표면연마장치에 있어서 회전방지에 래핑공정을 할 수 있는 패드와 폴리싱공정을 할 수 있는 패드를 각각 형성하고 웨이퍼를 흡착하고 있는 지그를 공정에 따라 순차적으로 이동시켜 웨이퍼의 표면을 연마한다. 따라서 래핑장치와 폴리싱장치를 별도로 설치하지 않고 하나의 웨이퍼 표면연마장치로 래핑공정과 폴리싱공정을 연속적으로수행할 수 있어 공정이 단순해지고 연마시간을 단축할 수 있으며 또한 장치의 설치면적 및 투자비를 감소할 수 있다.

Description

웨이퍼 표면연마장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 일실예에 따른 웨이퍼 표면연마장치의 사시도.
제2도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 표면연마장치의 사시도이다.

Claims (4)

  1. 정반과 패드들을 가지는 회전정반과 연마가공할 반도체 웨이퍼를 흡착하며 상기 정반 및 패드로 이동할 수 있는 지그와 상기 회전정반을 회전시키는 회전축을 구비하는 웨이퍼 표면연마장치.
  2. 제1항에 있어서 상기 정반 및 패드들은 회전정반의 외곽에서부터 래핑공정, 내부로 갈수록 연마되는 면이 거울면이 되도록 형성된 웨이퍼 표면연마장치.
  3. 제2항에 있어서 상기 정반 패드들 사이의 칸막이가 형성된 웨이퍼 표면연마장치.
  4. 제2항에 있어서 상기 정반 및 패드들이 계단형태로 형성된 웨이퍼 표면연마장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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