KR930014617A - 센스증폭기의 출력검출 제어회로 - Google Patents

센스증폭기의 출력검출 제어회로 Download PDF

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KR930014617A
KR930014617A KR1019920003947A KR920003947A KR930014617A KR 930014617 A KR930014617 A KR 930014617A KR 1019920003947 A KR1019920003947 A KR 1019920003947A KR 920003947 A KR920003947 A KR 920003947A KR 930014617 A KR930014617 A KR 930014617A
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Abstract

내용 없음

Description

센스증폭기의 출력검출 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 마스크 롬(ROM)의 출력버퍼 회로도.
제2도는 제1도에 따른 각 신호의 타이밍도.
제3도는 본 발명 센스증폭기의 출력검출 제어회로도.
제4도는 제3도에 따른 각 부의 상세회로도.
제5도 및 제6도는 제3도에 따른 각 신호의 파형도.
* 도면의 주요부분에 내한 부호의 설명
1내지 16, 31내지 46 : 순차적층구조부 20 : 제2제어부
21 : 제1제어부 22 센스증폭기 출력검출부
23 : 타이밍 제어논리부

Claims (3)

  1. 어드레스 전이검출신호(ATDψ2)에 의한 센스증폭기 인에이블신호(SE)의 작용에 따라 동작하는 NMOS 센스증폭기(MN1 내지 MN16) 및 PMOS 트랜지스터(MP1-1,MP1-2 내지 MP16-1,MP16-2)와, 상기 NMOS 트랜지스터(MN1 내지 MN16)가 턴온되고 PMOS 트랜지스터(MP1-1,MP1-2 내지 MPl6-1,MP16-2)가 턴오프될때 정상적으로 동작하는 센스증폭기(SA1 내지 SA16)와, 상기 센스증폭기(SA1 내지 SA16)의 출력이 인버터(11,12) 내지 (131,132)를 거쳐 각각 입력되는 래치(LA1 내지 LA16)와, 상기 래치(LA1 내지 LA16)의 출력을 각각 입력받아 인에이블신호에 따라 데이타(D1내지 D16)를 각각 출력시키는 3상태 버퍼(B1 내지 B16)를 포함하는 순차적층구조부(31 내지 46)와 ; 상기 인버터(131,132)를 통산 센스증폭기(SA16)의 출력(SA0ψ,)을 검출하고 있다가 그 출력(SA0ψ,)이 서로 반대값을 갖는 시점을 검출하여 신호(SA0D)를 발생시키는 센스증폭기 출력검출부(22)와 ; 상기 출력검출부(22)의 출력신호(SA0D)에 따라 센스증폭기 인에이블 신호(SE)를 제어하는 제2제어부(20)와 ; 상기 출력검출부(22)의 출력신호(SA0D)에 따라 상기 3상태 버퍼(B1 내지 B16)를 제어하도록 신호(SA0E)를 발생시키는 제1제어부(21)와 ; 상기 제1제어부(21)의 출력(SA0E)을 받아 3상태 버퍼 인에이블 신호를 발생시키는 타이밍 제어논리부(23)를 구비하는 센스증폭기의 출력검출제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1제어부(21)는 상기 센스증폭기 출력 검출부(22)의 출력단자가 게이트에 접속된 NMOS 트랜지스터(N1)와, 각각의 게이트에는 각각 칩 및 인에이블신호및 어드레스 전이검출신호(ATDψ1)가 입력되고 공통으로 연결된 드레인은 인버터(141),(142)를 거쳐 상기 NMOS 트랜지스터(N1)의 드레인과 접속 되는 NMOS 트랜지스터(N2) 및 (N3)를 구비하며, 상기 출력 검출부(22)의 출력신호(SA0D), 상기 칩 인에이블 신호및 어드레스 전이검출신호(ATDψ1)에 따라 인버터(143), (144)를거쳐 신호(SA0E)를 상기 타이밍 제어논리부(23)로 출력시키는 센스증폭기의 출력검출 제어회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2제어부(20)는, 상기 센스중폭기 출력 검출부(22)의 출력단자가 게이트에 접속된 NMOS 트랜지스터(N4)와, 칩 인에이블 신호가 게이트로 입력되고 드레인은 상기 NMOS 트랜지스터(N4)의 드레인과 공통으로 접속된 NMOS 트랜지스터(N5)와, 어드레스 전이 검출신호(ATDψ2)가 게이트로 입력되고 드레인은 인버터(147), (148)를 거쳐 상기 NMOS 트랜지스터(N4,N5)의 드레인과 접속된 NMOS 트랜지스터(N6)를 구비하며, 상기 출력 검출부(22)의 출력신호(SA0D), 상기 칩 인에이블신호및 어드레스 전이 검출신호(ATDψ2)에 따라 인버터(149) 및 지연셀(C1)을 거쳐 센스증폭기 인에이블신호(SE)를 출력시키는 센스증폭기의 출력검출 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920003947A 1991-12-31 1992-03-11 센스증폭기의 출력검출 제어회로 KR940007238B1 (ko)

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KR940007238B1 KR940007238B1 (ko) 1994-08-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100474587B1 (ko) * 1997-04-26 2005-06-22 주식회사 하이닉스반도체 센스앰프출력회로

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