KR930011314A - 수신용 광전집적 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 PIN형 광검출기와 전치 증폭단용 접합형 전계효과 트랜지스터를 단일칩으로 집적시킨 수신용 광전집적 소자 및 그 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3), 흡수층(4) 이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역매사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 InP계 수신용 광전집적 소자의 단면 구조도.
제3도는 본 발명에 따라 수신용 광전집적 소자를 제조하는 공정을 나타낸 순서도.
Claims (6)
- 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연기판(1) 상에 n형 채널층(2), 식각저지층(3), 흡수층(4)이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역메사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 수신용 광전집적 소자.
- 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연기판(1) 상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 식각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 반절연기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각 저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차제거하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 InP층(5)과 P형 InGaAs층(6)을 순차 형성하는 제5공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성부분에 위치한 상기 P형 InGaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제6공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 InP층 (5)상에 그리고 상기 트랜지스터 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaAs(6)상에 P형 전극(7a∼7b)을 형성하는 제7공정과, 리쓰그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7b)을 마스크로 하여 상기 P형 InGaAs층(6)파 P형 InP층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제8공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7b)상에 n형 금속(8a∼8d)을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제9공정과, 폴리이미드(polymide)(9)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극(7a,8a) 및 광흡수 부분(10)과 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분의 폴리이미드를 식각하는 제10공정 및, 상기 광검출기의 전극(7a, 8a) 및 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분에 배선금슥을 형성하는 제11공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제8공정에서 트랜지스터의 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaLAS층(6)을 역메사 형태로 식각되고 그리고 상기 P형 InP충(5)은 직각 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2공정에서 형성된 흡수층(4)은 InGaAsP층인 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
- 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 식각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각 저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제거하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 1.1㎛ 대 밴드갭의 P헝 nGaAsP층을 형성하는 제5공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 InGaAsP층상에 P형 전극(7a∼7c)을 형성하는 제6공정과, 리쓰그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7b)을 마스크로 하여 상기 InGaAsP층 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제7공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7d)상에 n형 금속을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제8공정과, 폴리이미드(polymide)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극 및 광흡수 부분과 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분의 폴리이미드를 식각하는 제9공정 및, 상기 광검출기의 전극 및 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성부분에 배선금속을 형성하는 제10공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
- 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전집적 회로의 제조방법에 있어서, GaAs반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성 부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 시각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 GaAs 반절연 기판(1) 상에 n형 GaAs 채널층(2)과, AlGaAs 식각 저지층(3) 및 GaAs 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제어하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 GaAlAs층(5)과 P형 G-As층(6)을 순차 형성하는 제5공정과, 리소그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성부분에 위치한 상기 P형 GaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제6공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 GaAlAs층상에 그리고 상기 트랜지스터 형성위치에 있는 상기 P형 GaAs층(6)상에 P형 전극(7a∼7c)을 형성하는 제7공정과, 리소그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7c)을 마스크로 하여 상기 P형 GaA층(6)과 P형 GaAlAs층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제8공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7c)상에 n형 금속을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제9공정과, 폴리이미드(ployimide)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극 및 광흡수 부분과 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분의 폴리이미드를 식각하는 제10공정 및, 상기 광출기의 전극 및 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분에 배선금속을 형성하는 제11공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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