KR930011314A - 수신용 광전집적 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 PIN형 광검출기와 전치 증폭단용 접합형 전계효과 트랜지스터를 단일칩으로 집적시킨 수신용 광전집적 소자 및 그 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3), 흡수층(4) 이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역매사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

수신용 광전집적 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 InP계 수신용 광전집적 소자의 단면 구조도.
제3도는 본 발명에 따라 수신용 광전집적 소자를 제조하는 공정을 나타낸 순서도.

Claims (6)

  1. 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성한 광전집적 소자에 있어서, 소정 깊이까지 식각된 반절연기판(1) 상에 n형 채널층(2), 식각저지층(3), 흡수층(4)이 메사형으로 형성된 광검출기와, 식각되지 않은 상기 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2), 식각 저지층(3) 및 P형 InP층(5)을 순차 형성되고 아울러 이 P형 InP층(5)위에 흡수층(4)이 역메사형으로 형성된 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 수신용 광전집적 소자.
  2. 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연기판(1) 상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 식각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 반절연기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각 저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차제거하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 InP층(5)과 P형 InGaAs층(6)을 순차 형성하는 제5공정과, 리쏘그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성부분에 위치한 상기 P형 InGaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제6공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 InP층 (5)상에 그리고 상기 트랜지스터 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaAs(6)상에 P형 전극(7a∼7b)을 형성하는 제7공정과, 리쓰그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7b)을 마스크로 하여 상기 P형 InGaAs층(6)파 P형 InP층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제8공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7b)상에 n형 금속(8a∼8d)을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제9공정과, 폴리이미드(polymide)(9)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극(7a,8a) 및 광흡수 부분(10)과 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분의 폴리이미드를 식각하는 제10공정 및, 상기 광검출기의 전극(7a, 8a) 및 상기 트랜지스터의 소오스(8b) 및 드레인(8d)의 형성부분에 배선금슥을 형성하는 제11공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제8공정에서 트랜지스터의 형성 위치에 있는 상기 P형 InGaLAS층(6)을 역메사 형태로 식각되고 그리고 상기 P형 InP충(5)은 직각 형태로 식각되는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2공정에서 형성된 흡수층(4)은 InGaAsP층인 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
  5. 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광집적 회로의 제조방법에 있어서, 반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 식각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 반절연 기판(1)상에 n형 채널층(2)과, 식각 저지층(3) 및 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각 저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제거하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 1.1㎛ 대 밴드갭의 P헝 nGaAsP층을 형성하는 제5공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 InGaAsP층상에 P형 전극(7a∼7c)을 형성하는 제6공정과, 리쓰그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7b)을 마스크로 하여 상기 InGaAsP층 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제7공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7d)상에 n형 금속을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제8공정과, 폴리이미드(polymide)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극 및 광흡수 부분과 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분의 폴리이미드를 식각하는 제9공정 및, 상기 광검출기의 전극 및 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성부분에 배선금속을 형성하는 제10공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전집적 소자의 제조방법.
  6. 하나의 기판상에 광검출기와 트랜지스터를 형성하는 수신용 광전집적 회로의 제조방법에 있어서, GaAs반절연 기판(1)상에서 상기 광검출기의 형성 부분을 선택식각 용액으로 소정깊이 까지 시각해 내는 제1공정과, 상기 식각된 GaAs 반절연 기판(1) 상에 n형 GaAs 채널층(2)과, AlGaAs 식각 저지층(3) 및 GaAs 흡수층(4)을 순차 형성하는 제2공정과, 상기 광검출기의 형성부분을 제외한 상기 흡수층(4)을 선택식각 용액으로 제거하는 제3공정과, 상기 광검출기와 트랜지스터의 전기적 절연을 위하여 두 소자가 형성되는 부분의 사이에서 상기 식각저지층(3)과 n형 채널층(2)을 순차 제어하는 제4공정과, 노출된 기판(1)상 전체에 P형 GaAlAs층(5)과 P형 G-As층(6)을 순차 형성하는 제5공정과, 리소그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 하여 광검출기 형성부분에 위치한 상기 P형 GaAs층(6)을 선택적으로 식각하는 제6공정과, 상기 광검출기의 형성 위치에 있는 상기 P형 GaAlAs층상에 그리고 상기 트랜지스터 형성위치에 있는 상기 P형 GaAs층(6)상에 P형 전극(7a∼7c)을 형성하는 제7공정과, 리소그라피 방법에 의해 감광물질을 식각 마스크로 사용하여 광검출기 형성부분을 가리고 아울러 게이트용 상기 P형 전극(7c)을 마스크로 하여 상기 P형 GaA층(6)과 P형 GaAlAs층(5) 및 식각 저지층(3)을 제거하는 제8공정과, 상기 n형 채널층(2)과 상기 P형 전극(7c)상에 n형 금속을 증착하여 광검출기와 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 저항접촉을 형성하는 제9공정과, 폴리이미드(ployimide)를 코팅한 다음 상기 광검출기의 전극 및 광흡수 부분과 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분의 폴리이미드를 식각하는 제10공정 및, 상기 광출기의 전극 및 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 형성 부분에 배선금속을 형성하는 제11공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광집적소자의 제조방법.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443685A (en) * 1993-11-01 1995-08-22 At&T Corp. Composition and method for off-axis growth sites on nonpolar substrates
US5483085A (en) * 1994-05-09 1996-01-09 Motorola, Inc. Electro-optic integrated circuit with diode decoder
US5589404A (en) * 1994-08-01 1996-12-31 Lucent Technologies Inc. Monolithically integrated VLSI optoelectronic circuits and a method of fabricating the same
EP0710984B1 (en) 1994-11-02 2001-08-08 Trw Inc. Method of fabricating monolithic multifunction integrated circuit devices
US5535231A (en) * 1994-11-08 1996-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Optoelectronic circuit including heterojunction bipolar transistor laser and photodetector
US5472886A (en) * 1994-12-27 1995-12-05 At&T Corp. Structure of and method for manufacturing an LED
US5621227A (en) * 1995-07-18 1997-04-15 Discovery Semiconductors, Inc. Method and apparatus for monolithic optoelectronic integrated circuit using selective epitaxy
DE19530525A1 (de) * 1995-08-19 1997-02-20 Daimler Benz Ag Schaltkreis mit monolithisch integrierter PIN-/Schottky-Diodenanordnung
US5798283A (en) * 1995-09-06 1998-08-25 Sandia Corporation Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry
US5963788A (en) * 1995-09-06 1999-10-05 Sandia Corporation Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry
US6012336A (en) * 1995-09-06 2000-01-11 Sandia Corporation Capacitance pressure sensor
KR0172797B1 (ko) * 1995-10-16 1999-03-30 김주용 레이저 다이오드 및 그 제조방법
EP0965980A1 (en) * 1998-06-19 1999-12-22 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Device for amplifying and converting current signals into voltage signals
US6218719B1 (en) * 1998-09-18 2001-04-17 Capella Microsystems, Inc. Photodetector and device employing the photodetector for converting an optical signal into an electrical signal
US6580139B1 (en) * 2000-07-20 2003-06-17 Emcore Corporation Monolithically integrated sensing device and method of manufacture
KR100532281B1 (ko) * 2003-05-26 2005-11-29 삼성전자주식회사 면굴절 입사형 수광소자 및 그 제조방법
US8552435B2 (en) 2010-07-21 2013-10-08 Cree, Inc. Electronic device structure including a buffer layer on a base layer
EP3050128A4 (en) 2013-09-25 2017-04-05 Princeton Infrared Technologies, Inc. LOW NOISE InGaAs PHOTODIODE ARRAY
CN107112335B (zh) * 2014-11-24 2019-05-31 光澄科技股份有限公司 用于在相同衬底上制造光电检测器与晶体管的单片集成技术
EP3586365A1 (en) 2017-02-23 2020-01-01 IRIS Industries SA Short-wave infrared detector array and method for the manufacturing thereof
US11309412B1 (en) * 2017-05-17 2022-04-19 Northrop Grumman Systems Corporation Shifting the pinch-off voltage of an InP high electron mobility transistor with a metal ring
CN112071869B (zh) * 2020-08-28 2022-09-30 深圳市奥伦德元器件有限公司 用于固态继电器的光伏驱动器及其制备方法
CN112992677B (zh) * 2021-02-07 2023-12-01 中国人民武装警察部队工程大学 异质InP-GeSn-InP深槽保护PiN二极管阵列的制备方法及其器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5197369A (en) * 1975-02-21 1976-08-26 Handotaisoshino denkyokuno seizohoho
US4719498A (en) * 1984-05-18 1988-01-12 Fujitsu Limited Optoelectronic integrated circuit
JPS6178174A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Nec Corp 接合ゲ−ト型電界効果トランジスタ
DE3751243T2 (de) * 1986-02-18 1995-08-31 Toshiba Kawasaki Kk Opto-elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
US4774205A (en) * 1986-06-13 1988-09-27 Massachusetts Institute Of Technology Monolithic integration of silicon and gallium arsenide devices
EP0353719A3 (de) * 1988-08-05 1991-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Metallkontakt mit überhängenden Kanten und Herstellungsverfahren
US4879250A (en) * 1988-09-29 1989-11-07 The Boeing Company Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array
JPH06105781B2 (ja) * 1989-04-25 1994-12-21 住友電気工業株式会社 集積回路の製造方法
EP0392480B1 (en) * 1989-04-12 1997-03-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device
EP0405214A3 (en) * 1989-06-27 1991-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Pin-fet combination with buried p-type layer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2580451B2 (ja) 1997-02-12
JPH05226598A (ja) 1993-09-03
KR950000522B1 (ko) 1995-01-24
US5242839A (en) 1993-09-07

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