KR930010246A - GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조 - Google Patents

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

본 발명은 수직온도 구배감소법을 사용한 GaAs 단결정 제조시, 보우트를 지지해 주는 지지구조에 관한 것으로서, 원통형상을 이루는 몸체부와 몸체부의 하단부에 이어지는 원추형상을 이루는 쇼울더와 쇼울더의 하단부에 이어지는 몸체부의 직경보다 작은 직경을 가지며, 하단부가 막혀있는 시이드가 장입되는 시이드부를 구비하고 있는 보우트(1)와, 보우트(1)를 둘러싸며 상단부가 막혀 있는 앰푸울(3)과, 앰푸울(3) 내부의 보우트(1)아래에 설치되며, 앰푸울(3)의 아랫부분과 접합되어 있는 플러그(5)와, 플러그(5)를 지지하는 라이너(2)를 구비하고 있으며, 지지대를 전혀 사용하지 않고, GaAs 용융물이 없는 보우트(1)의 윗부분을 앰푸울(3)의 윗부분과 접합시키며 보우트(1)를 지지하는 GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조이다.
본 발명에 따른 GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조를 사용한 결과, 시이드부, 쇼울더 및 몸체부 전극에 국부적인 열 흐름 변이가 전혀 발생하지 않아 거대 결함이 없는 GaAs 단결정을 얻었다.

Description

GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제11도는 본 발명에 따른 GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조에 대한 개략도이다.

Claims (1)

  1. 원통형상을 이루는 몸체부와, 몸체부의 하단부에 이어지는 원추형상을 이루는 쇼울더와, 쇼울더의 하단부에 이어지는 몸체부의 직경보다 작은 직경을 가지며, 하단부가 막혀있는 시이드가 장입되는 시이드부를 구비하고 있는 보우트(1)와, 보우트(1)를 둘러싸며 상단부가 막혀 있는 앰푸울(3)과 앰푸울(3) 내부의 보우트(1)아래에 설치되며, 앰푸울(3)의 아랫부분과 접합되어 있는 플러그(5)와, 플러그(5)를 지지하는 라이너(2)를 구비하고 있으며, 지지대를 전혀 사용하지 않고, GaAs 용융물이 없는 보우트(1)의 윗부분을 앰푸울(3)의 윗부분과 접합시켜 보우트(1)를 지지하는 GaAs 단결정 성장용 보우트 지지구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910020126A 1991-11-13 1991-11-13 GaAs단결정 성장용 보우트 지지구조 KR950000314B1 (ko)

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