KR890014790A - 저압하에서 iii-v족 물질을 합성 및 인장하는 장치와 그 사용 방법 - Google Patents

저압하에서 iii-v족 물질을 합성 및 인장하는 장치와 그 사용 방법 Download PDF

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KR890014790A
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라페 끌라우드
본느 미셸
질베르 로랭
비센띵 니꼴
꾸랑 에벨린
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알레뜨 다낭제
똥쏭 하이브리드 에 미끄룬데
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Abstract

내용 없음.

Description

저압하에서 III-V족 물질을 합성 및 인장하는 장치와 그 사용 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종류에 의한 종래 기술의 합성방법의 개략적 다이어그램.
제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 III-V족 물질의 합성용 벌브의 평면도 및 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 벌브의 비소 유지 스크린의 평면도.
제5도는 본 발명에 따른 방법의 합성단계중 벌브의 위치의 다이어그램.
제 6도는 본 발명에 따른 방법의 인장 단계중 벌브의 위치의 다이어그램.

Claims (10)

  1. 제어된 중립 분위기하의 실내에서 제 2구성 요소내에서 제 1구성 요소의 기화에 의해 III-V족 합성물의 합성을 위한 적어도 하나의 벌브와, 단결정체의 잉고트의 인장을 위한 적어도 하나의 로드 및, 합성 벌브와 인장 로드가 동축이며 벌브는 링형이고 그 축선을 따라 로드가 마찰없이 통과할 수 있게 해주는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 저압하에서 GaAs 같은 III-V족 물질을 합성 및 인장하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 합성 벌브는 링내의 저부에서 개방된 타원형 겔에 의해, 그리고 개구 혹은 링의 단부상의 셀에 납땜된 분사기에 의해 형성되며, 분사기 자체는 벌브와 동축이며 링형 단면을 갖는 두개의 튜브로 형성되어 있고, 중앙 튜브는 외피를 관통하며 분사기와 동축인 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 스크린은 셀내의 제 1구성 요소를 유지하며, 상기 스크린에는 셸을 제위치에 유지하도록 셀에 견고하게 결합된 핀과함께 운동하는 핀이 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 중앙 튜브에는 튜브에 대해 내측에 있는 적어도 두쌍의 핀이 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 2항에 있어서, 셀에는 겔의 주위에 대해 외측에 있는 적어도 두쌍의 핀이 제공되어 있으며, 상기 핀은 겔의 상면에 납땜되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 인장 로드에는 벌브 중앙 튜브의 핀과 함께 동작하는 적어도 하나의 핀이 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 실은 벌브에 대해 외측에 있는 핀과 함께 동작하는 여러개의 핀이 제공된 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 인장 로드는, 인장 로드에 의해 지지될 때 벌브를 계량할 수 있게 하는 중량 감지기에 현수되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 3항에 있어서, 벌브와 스크린 그리고 핀은 수정으로 만들어진 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 1구성 요소를 벌브 셀내로 주입하고 스크린에 의해 유지하며 벌브는 도가니내에 수용된 제 2구성 요소에 벌브의 분사기가 접촉하게 될 때까지 이미 합성할 합성물의 결정 시드가 제공된 인장 로드에 의해 그리고 벌브의 내부핀과 로드의 핀의 협동에 의해 하강되게 하는 단계와, 세트를 가열하여 제 1구성 요소가 기화되게 하고 제 2구성 요소와 접촉시켜 화학적 합성물을 형성하는 단계와, 형성된 합성물이 계속 액체 상태를 유지하도록 가열을 유지하면서 벌브와 인장 로드가 후크되는 중량 감지기에 의해 조정되는 증류 말기에, 벌브를 인장 로드에 의해 실내로 다시 상승시켜 실에 견고하여 결합된 외부핀에 의해 후크되게 하는 단계와, 하단부에서 형성된 합성물과 접촉하는 결정체 시드가 액체 상태를 유지하고 그후 단결정체 잉고트를 인장하도록 다시 서서히 상승될 때까지 인장 로드를 하강시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 제어된 분위기하의 실내에서 1 내지 10기압의 저압하에 GaAs같은 III-V족 물질의 잉고트를 합성 및 인장하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002877A 1988-03-11 1989-03-09 저압하에서 iii-v족 물질을 합성 및 인장하는 장치와 그 사용 방법 KR890014790A (ko)

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FR8803186 1988-03-11
FR8803186A FR2628445B1 (fr) 1988-03-11 1988-03-11 Dispositif de synthese et tirage de materiaux iii-v, sous basse pression et procede mettant en oeuvre ce dispositif

Publications (1)

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KR890014790A true KR890014790A (ko) 1989-10-25

Family

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KR1019890002877A KR890014790A (ko) 1988-03-11 1989-03-09 저압하에서 iii-v족 물질을 합성 및 인장하는 장치와 그 사용 방법

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JPS6168394A (ja) * 1984-09-11 1986-04-08 Hitachi Cable Ltd ３−５族化合物多結晶体の製造方法
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EP0332516A1 (fr) 1989-09-13
FR2628445B1 (fr) 1990-11-09
JPH01317192A (ja) 1989-12-21
FR2628445A1 (fr) 1989-09-15

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