KR930005123A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제조시의 반도체 소자의 일부분을 도시한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 방법의 제1실시예에 따라 고밀도 A1로 제조된 상호 접속부를 형성하는 공정의 개요를 설명하는 도면,
제2A도 및 제2B도는 제조시, 티타늄 질화물(TiN)의 장벽층으로 제공되는 반도체 소자의 일부분을 각각 도시한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 방법의 제2실시예에 따라 오옴 접촉을 형성하는 과정의 개요를 설명하는 도면,
제3A도 및 제3B도는 제조시의 반도체소자의 일부분을 각각 도시한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 방법의 제3실시예에 따라 Al 멀티레벨 상호 접속부를 형성하는 과정의 개요를 설명하는 도면.
Claims (20)
- 기판상에 형성된 절연막상에 반도체 소자의 상호 접속부 및/또는 전극을 형성하는 금속막을 침착시키는 단계와, 상기 금속막을 상기 절연막에 부착시키기 위해 상기 침착된 금속막의 표면에 대기압을 초과하는 수압을 인가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 침착된 금속막이 상호 접속부 또는 전극용 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수압이 100MPa보다 작지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막은 실리콘, 알루미늄, 크로뮴, 동플라티늄, 금, 티타늄, 지르코늄, 몰리브덴늄, 텅스텐, 탄틸늄 및 이들의 합금과 같은 금속막과, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 탈탈늄, 크로뮴, 몰리브덴늄, 텅스텐, 철, 코발트, 니켈, 플라티늄 및 팔라듐과, 이들중 적어도 2 가지의 임의의 조합과 같은 금속 규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 다수의 상호 접속층을 포함하고 상기 다수의 상호 접촉층이 우선적으로 형성되고 그 후에 상기 수압이 결과로서 발생한 조립체에 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 다수의 상호 접속층을 포함하고 상기 다수의 상호 접촉층중 하나 또는 몇개의 상호 접촉층에 상호 접속 또는 전극의 금속막 또는 패턴이 형성될 때 마다, 상기 수압이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 다수의 상호 접속층을 포함하고 상기 절연막이 상기 금속막을 패턴화하므로 형성되는 상기 금속막 또는 상호 접속부의 패턴 또는 전극의 패턴상에 형성될 때 마다, 상기 수압의 인가가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수압의 인가는 가스 및 유체로 구성된 그룹으로 부터 선택된 압력 매체로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 수압은 100MPa보다 적지않고 상기 압력 매체는 마르곤 가스, 질소 가스, 산소 가스 또는 이들 가스의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수압의 인가가 우선적으로 시작되고 그후에 압축코스동안 또는 상기 수압을 희망 레벨까지 증가시킨 후에 가열이 시작되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 절연막과 함께 기판상에 형성되는 상호 접속부 또는 전극을 형성하는 금속막상에 패시베이션막을 형성하는 단계와 그후에 상기 금속막이 상기 패시베이션막 및 상기 절연막을 부착시키기 위해 형성된 상기 패시베이션막의 표면에 대기압을 초과하는 수압을 인가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 금속막이 상호 접속부 또는 전극용 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 수압은 100MPa 보다 적지않은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 금속막은 실리콘, 알루미늄, 크로뮴, 동플라티늄, 금, 티타늄, 지르코늄, 몰리브덴늄, 텅스텐, 탄탈늄 및 이들의 합금과 같은 금속막과, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 탈탈늄, 크로뮴, 몰리브덴늄, 텅스텐, 철, 코발트, 니켈, 플라티늄 및 팔라듐과, 이들중 적어도 2가지의 임의의 조합과 같은 금속규화물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
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- 제11항에 있어서, 상기 반도체 소자는 다수의 상호 접속층을 포함하고 상기 다수의 상호 접속층중 하나 또는 몇개의 상호 접속층에 상호 접속 또는 전극의 금속막 또는 패턴이 형성될 때 마다, 상기 수압이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 반도체 소자는 다수의 상호 접속층을 포함하고 상기 절연막이 상기 금속막을 패턴화하므로 형성되는 상기 금속막 또는 상호 접속부의 패턴 또는 전극의 패턴상에 형성될 때마다. 상기 수압의 인가가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 수압의 인가는 가스 및 유체로 구성된 그룹으로 부터 선택된 압력 매체로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 수압은 100MPa보다 적지않고 상기 압력 매체는 마르곤 가스, 질소 가스, 산소 가스 또는 이들 가스의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 수압의 인가가 우선적으로 시작되고 그후에 압축코스동안 또는 상기 수압을 희망 레벨까지 증가시킨 후에 가열이 시작되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| Country | Link |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508036B1 (ko) * | 1997-02-26 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 몰리브덴또는몰리브덴합금을이용한반도체장치의제조방법 |
-
1992
- 1992-08-05 KR KR1019920014025A patent/KR100199910B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508036B1 (ko) * | 1997-02-26 | 2005-11-21 | 삼성전자주식회사 | 몰리브덴또는몰리브덴합금을이용한반도체장치의제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100199910B1 (ko) | 1999-06-15 |
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