KR930003376B1 - 전자부품의 수지밀봉 성형방법 및 그의 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

전자부품의 수지밀봉 성형방법 및 그의 장치
제1도는 종래의 트랜스퍼 수지밀봉 성형장치의 개략적인 구성을 나타낸 단면도.
제2a도는 종래의 수지타블렛 성형장치의 개략적인 구성을 나타낸 단면도.
제2b도는 제2a도에 나타낸 수지타블렛 성형장치에 의해 성형된 수지타블렛을 나타낸 사시도.
제3a도 내지 제3g도는, 본 발명의 제1실시예에 있어서의 전자부품의 수지밀봉 성형방법의 각 공정을 나타낸 개략 설명도.
제4도는 본 발명의 각 실시예에 사용된 전자부품의 수지밀봉 성형장치와, 이에 병설된 진공 기구의 요부를 개략적으로 나타낸 단면도.
제5도는 본 발명의 각 실시예에 사용될 수 있는 수지타블렛의 공급기구의 일예를 나타낸 일부단면 정면도.
제6a도 내지 제6d도는 본 발명의 제2실시예에 있어서의 수지밀봉 성형방법의 각 공정을 나타낸 개략 설명도.
제7a도 내지 제7c도는 본 발명의 제2실시예에서 사용되는 수지타블렛의 고압축 성형용의 탄성몰드를 확대하여 도시한 것으로서,
제7a도는 수지분말을 수용한 직후의 압축전 상태를 나타낸 단면도.
제7b도는 제7a도의 A-A선 단면도.
제7c도는 가압상태의 탄성몰드를 나타낸 단면도.
제8a도 내지 제8e도는 본 발명의 제3실시예에 있어서의 수지밀봉 성형방법의 각 공정을 나타낸 개략 설명도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 상측몰드 2 : 하측몰드
3 : 포트 4 : 플랜져
5a,5b : 공동부 9 : 이송용통로
10 : 전자부품 11 : 리드프레임
13a,b : 수지타블렛 18 : 수지분말
19 : 압축성형몰드 20 : 펀치
23 : 수지밀봉 성형장치 45 : 탄성몰드
본 발명은 예를들어 IC, 다이오드, 콘덴서 등의 전자부품을 수지재료로 밀봉성형하기 위한 수지밀봉 성형방법 및 그의 장치에 관한 것으로, 특히 그 방법에 사용되는 수지타블렛과 그의 성형방법 및 그의 장치에 관한 것이다.
열경화성 수지재료등으로 전자부품을 수지성형하는 방법으로서 종래부터 트랜스퍼(transfer)수지 성형방법이 채용되고 있다.
예를들어 제1도에 나타낸 바와 같은 것이 있다. 이 장치는 제1도와 같은 상측몰드(1)와, 이 상측몰드(1)에 대향설치된 하측몰드(2)와, 이 하측몰드(2)측에 배치된 수지재료 공급용 포트(pot)(3)를 포함하고 있다.
이 포트(3)내에는 수지재료 가압용의 플랜져(4)가 삽입되어 있다.
또한 상측몰드(1)과 하측몰드(2)가 맞닿아 있는 이탈선 면(이하 'PL면'(parting line face)이라 함)에는 전자부품의 수지밀봉 성형용의 상측몰드 공동부(5a)와 하측몰드 공동부(5b)가 대향하여 배설되어 있다.
상측몰드(1)의 PL면상에 서로 이웃해 있는 상측몰드 공동부(5a) 사이에는 컬(cull)부(6), 주행부(7), 게이트(8)등으로 이루어진 용융수지재료의 이송용통로(9)가 배설되어 있다.
상기 장치에 의한 전자부품의 수지밀봉 성형은 다음과 같이 행하여진다. 우선, 상측몰드(1)과 하측몰드(2)를 서로 분리시킨 상태에서, 전자부품(10)을 장착한 리드프레임(11)을 하측몰드(2)의 PL면상에 형성된 세팅을 위한 홈부(12)의 소정위치에 맞추어 끼워 넣는다. 이와 동시에, 포트(3)내에 수지타블렛(tablet)(13a)을 공급하고, 이 상태에서 하측몰드(2)를 상승시켜 상측몰드(1)과 하측몰드(2)의 결합을 행한다. 이때에, 포트(3)내의 수지타블렛(13a)은, 상측몰드(1) 및 하측몰드(2)에 설치된 히터(14)에 의해 가열용융된다. 따라서, 이것을 플랜져(4)로 가압하면, 용융된 수지재료는 포트(3)로부터 이송용통로(9)를 통하여 상하측몰드의 양의 공동부(5a),(5b)로 가압주입됨과 동시에 충전되게 된다.
다음에, 소정의 경화처리 시간후에, 하측몰드(2)를 하강시켜 상측몰드(1)와 하측몰드(2)를 다시 분리시킴과 동시에, 상하측몰드의 공동부(5a),(5b)내에 수지성형체(15) 및 이송용통로(9)내의 수지성형체(16)를 상하양측의 이젝터핀(17)으로 분리시킨다. 다음에 수지성형체(16) 및 리드프레임(11)의 불필요한 부분을 제거함으로써, 상하측몰드의 양 공동부(5a),(5b)의 형상에 대응하는 수지성형체(15)내에 전자부품(10)을 밀봉성형한 제품을 얻을 수 있게 된다.
그러나, 상기한 수지타블렛(13a)은 일정량의 수지분말을 소정길이의 원주형상으로 압축성형한 소위 타블렛이다. 종래에, 이 타블렛은 포트(3)에 이송공급하는 공정을 간단히 하고, 수지밀봉 성형전에 행하는 타블렛의 예열공정이 용이하게 이루어지도록 함을 주목적으로 하고 있으므로, 소정의 형상 보존성만을 갖고 있으면 족하였다.
그러므로 통상의 경우, 정도이상의 강도나 압축밀도는 요구되지 아니했다.
더욱이, 타블렛의 크기나 구조는 포트(3)의 크기 또는 필요로 하는 수지의 양 등으로부터 개별적으로 결정된다.
종래의 타블렛 성형장치는, 과립이나 분말을 압축고형화하여 정제를 성형하는 타블렛 제조장치와 동일한 구성을 갖고 있다. 이 타블렛 성형장치의 개략적 구성은 제2a도, 제2b도에 나타낸 바와 같이, 수지분말(18)을 수용하는 용기로서의 원통형상의 압축성형몰드(19)와, 이 압축성형몰드(19)내의 수지분말(18)을 가압하는 펀치(20)로 이루어진다. 종래의 타블렛은 이와 같은 타블렛 성형장치로서, 수지분말(18)을 단순히 압축하여 종래에 필요로 되는 소정의 형상보전성을 갖도록 고화형성한 것이다.
때문에, 이 타블렛을 사용하여 수지밀봉 성형하는 경우, 다음과 같은 문제점이 있다.
이러한 종류의 수지타블렛(13a) 내부에는 미세한 다수의 기공이 존재하고 있다. 때문에, 수지타블렛(13a)에는 체적비로 약 20% 정도의 공기가 포함되어 있고 또한 성형후의 흡습등에 의해 수분을 함유하는 경우도 있다. 따라서, 이와 같이 공기나 수분을 포함한 수지타블렛(13a)이 포트(3)내에 공급되어 가열용융되면, 용융수지재료중에 다량의 공기가 혼입되게 된다. 그리고, 이 혼입공기는 수지밀봉 성형체(15)의 표면 또는 내부에 공극부(void)를 형성하게 된다.
이 공극부는 제품에 내습성이나 기계적인 강도의 열화, 또는 그 외관을 손상시키는 등의 폐해를 발생하는 요인이 된다. 더우기, 수지밀봉 성형체(15)는 전자부품(10)의 미세화에 따라 그 두께가 보다 얇게 성형되는 추세에 있고, 또한 발생하는 공극부는 상기한 혼입 공기로부터 생긴 기포에 의한 결손부이므로, 상기한 내습성이나 기계적 강도를 열화시키는 것은, 이러한 류의 제품에 대한 품질 및 신뢰성을 현저히 저하시킨다고 하는 중대한 문제가 된다.
펀치(20)로 수지분말(18)에 대한 가압력을 보다 강하게 하므로써, 성형되는 수지타블렛(13a)의 압축밀도를 다소 높게 할 수 있으나, 상기와 같은 종래의 타블렛 성형장치로는 성형되는 타블렛의 비중이, 수지재료의 정미(net) 비중의 약 90%(이하 '압축밀도 90%'라 함) 정도가 한도이다. 단, 여기서 '정미비중'이란 용어는 타블렛의 수지재료가 공기나 수분등을 포함하지 않는 단체(simple substance)인 경우에 갖는 고유의 비중, 즉 그 이상의 압력을 가하더라도 밀도가 높아지지 않는 상태를 말하는 것이다.
압축밀도가 90% 이하에서는 문제점인 공극부가 발생하여, 여러가지 문제점을 해소할 수 없게 된다.
또한, 무리하게 성형압력을 높여 수지타블렛(13a)의 압력밀도를 더욱 높게 하려고 해도, 밀봉성형용의 수지에는 충전재로서 매우 딱딱한 경도의 실리카가 다량으로 포함되어 있기 때문에 타블렛 성형장치의 펀치등에 초경합금을 사용하더라도 마모가 심해 실용화는 곤란하다.
본 발명의 주요 목적은, 수지타블렛의 내부에 포함되어 있는 최대한의 공기를 제거함으로써, 다량의 공기가 용융수지재료중에 혼입되는 것을 방지하여, 전자부품의 수지밀봉 성형체의 내부와 표면에 기포부가 형성되는 것을 확실히 방지하고, 제품의 내습성이나, 기계적 강도의 열화 또는 그 외관을 손상시키는 등의 종래 문제점을 확실하게 해소할 수 있는 전자부품의 수지밀봉 성형방법 및 그 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 전자부품의 수지밀봉 성형방법에 사용되는 수지타블렛을 고압축 성형하여, 수지타블렛의 내부에 포함된 공기를 최대한 제거한 고압축성형 수지타블렛을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기한 고압축성형 수지타블렛을 확실하게 성형할 수 있는 성형방법 및 그의 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 전자부품의 수지밀봉 성형방법은, 고압축성형의 결과, 내부에 있는 공기가 최대한으로 제거된 고밀도의 상태에서 압축된 수지타블렛을 성형하는 타블렛 성형공정과, 이 성형공정을 거친 수지타블렛을 수지밀봉 성형장치내에 있는 포트 내부로 이송공급하는 수지타블렛의 공급과정과, 전자부품을 장착한 리드프레임을 수지밀봉 성형장치의 상측몰드와 하측몰드의 PL면상의 소정위치에 셋팅하는 리드프레임의 셋팅공정과, 상측몰드와 하측몰드를 결합하여, 리드프레임상의 전자부품을 수지재료로 밀봉성형하는 수지밀봉 성형공정을 포함함을 특징으로 한다.
더욱이, 본 발명의 전자부품의 수지밀봉 성형장치는, 금형의 포트내에 수지타블렛을 공급하여 가열용융함과 동시에, 이 용융수지재료를 이송용통로를 통해 공동부내로 가압주입함으로써 이 공동부내에 셋팅하여 전자부품을 수지밀봉 성형하는 전자부품의 수지밀봉 성형장치로서, 이 수지밀봉 성형장치의 근방 위치에, 고밀도 상태로 고압축성형된 수지타블렛을 성형하는 기구와, 이 성형기구로 성형된 수지타블렛을 금형 포트의 포트내로 이송공급하는 공급기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 수지타블렛은 수지분말을 압축성형한 수지타블렛으로서 내부의 공기를 최대한으로 제거한 고밀도 상태로 고압축성형 되어 있는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 수지타블렛의 성형방법을, 수지분말을 압축한 수지타블렛을 더욱 높은 압력으로 고압축성형 함으로써, 내부의 공기를 최대한 제거한 고밀도의 수지타블렛을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 수지타블렛의 성형장치는, 수지분말을 압축하는 수지타블렛 성형용 금형과, 이 금형에 의해 성형된 수지타블렛에 더욱 높은 압축을 가하여, 내부의 공기를 최대한 제거한, 고밀도의 수지타블렛을 성형하는 고압축성형 수단으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기한 본 발명의 전자부품의 수지밀봉 성형방법 및 그의 장치에 의하면, 수지타블렛 내부의 공기가 최대한으로 제거되어 있기 때문에 다량의 공기가 용융수지재료중에 혼입되는 것을 방지할 수 있다.
그러므로, 전자부품의 수지밀봉 성형체의 내부나 표면에 있어서의 공극부의 형성이 확실하게 방지된다.
또한 본 발명의 수지타블렛을 사용할 때에는, 그 내부의 공기가 최대한 제거되어 있으므로, 다량의 공기가 용융수지재료중에 혼입됨을 방지할 수 있다. 따라서, 전자부품의 수지밀봉 성형체의 내부나 표면에 공극부가 형성됨을 확실히 방지할 수 있다.
그리고, 본 발명의 수지타블렛의 성형방법 및 그의 장치에 의하면, 성형되는 수지타블렛의 내부의 공기가 최대한으로 확실하게 제거된 고밀도의 수지타블렛을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
제3a도 내지 제3g도를 본 발명의 제1실시예에 있어서의 전자부품의 수지밀봉 성형방법의 각 공정을 개략적으로 나타낸 것이다. 이 중에서, 제3a도 내지 제3c도는 본 실시예에 사용되고 있는 수지타블렛을 성형하기 위한 공정을 나타낸 것이다.
제3d도 및 제3e도는 수지밀봉 성형장치내의 포트내로 수지타블렛을 공급하는 공정을 나타낸 것이다. 또한 제3f도는 리드프레임을 수지밀봉 성형장치의 소정위치에 공급, 설치한 후 상측몰드(1)와 하측몰드(2)를 결합하고, 수지타블렛을 가열용융하여 이 용융된 수지재료에 의해 전자부품을 수지밀봉 성형하는 공정을 나타낸 것이다. 제3g도는 수지밀봉 후에 끄집어 내어진 전자부품의 수지밀봉 성형품을 나타낸 것이다.
상기한 수지타블렛의 성형공정은, 제3a도에 도시한 1차 압축성형과, 제3c도에 도시한 제2차 압축성형으로 이루어져 있다.
제1차 압축성형에 있어서는, 예를들면 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지분말(18)을 압축성형몰드(19)내에 공급, 수용함과 동시에, 이 수지분말(18)을 상하의 펀치(20)에 의해 이를테면 원기둥 현상으로 압축성형한다. 이때에, 수지분말(18)은 공기 또는 수분을 포함하지 않는 열경화성 수지단체의 비중, 즉 그 이상의 고밀도로 될 수 없는 상태의 열경화성 수지의 비중을 100%로 한 경우, 약 90%의 비중을 갖도록 압축되면 된다.
이 제1차 압축성형에 의해 압축성형된 수지타블렛(13a)(제3b도)의 내부에는 미세한 다수의 기공이 존재하고 있고, 따라서 이 수지타블렛(13a)에는, 통상의 경우, 그 체적비로 약 10-20% 정도의 공기가 포함되어 있다. 제3c도에 도시한 제2차 압축성형은 이와 같은 미세한 다수의 기공을 물리적으로 눌러 밀어낼 만한 높은 압축력을 가하여 수지타블렛(13a)내에 포함되어 있는 공기만은 적어도 거의 완전히 제거함을 목적으로 한다. 즉, 제1차 압축성형에 의해 성형된 수지타블렛(13a)을, 가압처리실(21)내에 수용함과 동시에 이 가압처리실(21)내에 소요되는 압력매체가스(22)을 도입하고 수지타블렛(13a)을 약 1000kgf/cm 이상의 압력을 가한다. 이때, 수지타블렛(13a)에는 높은 압력이 가해져서 그 척적이 수축되기 때문에 수지타블렛(13A)내에 기공을 눌러 밀어낼 만큼의 압축력이 가해진 결과가 된다. 그러므로 수지타블렛(13a)은 내부에 기공이 형성되지 않은, 즉 내부의 기공이 거의 완전히 소실된, 공기를 포함하지 않는 상태의, 매우 높은 밀도(예를들어 약 95% 이상)의 압축성형체로 성형되게 된다.
이러한 고압축 작용력을 가하기 위한 압력매체가스(22)로서는 예를들면 알곤 등의 불활성가스나 질소가스를 사용할 수 있다.
질소가스를 사용할때에는, 상기한 제2차 압축성형시에 있어 수지타블렛(13a)내에 함유되어 있는 수분의 제거, 즉, 수지타블렛(13a)의 건조처리도 동시에 수행할 수 있다. 이는 질소의 환원작용 즉 하기한 반응에 의한 것으로 생각된다.
4H2O+N2→4H2+NO2
상기한 성형공정을 거친 수지타블렛(13b)은 제3d도에 도시한 수지타블렛(13b)의 공급 공정에 의해, 수지 밀봉 성형장치내의 포트(3)로 이송공급된다. 이 이송공급에는 여러종류의 기구를 채용할 수 있으나, 예를들어 수지밀봉 성형장치가 제4도에 나타낸 바와 같이 소요되는 복수개의 포트 및 플렌져 구비한, 이른바 멀티플렌져 성형장치인 경우에는 제5도에 도시한 바와 같은 수지타블렛 공급기구를 사용할 수 있다.
제4도 및 제5도에 도시한 수지밀봉 성형장치(23)는 고정된 상측몰드(1)와 가동하는 하측몰드(2)가 대향하여 배설되어 있고, 이 하측몰드(2)에는 복수개의 포트(3)가 배설되어 있다. 각 포트(3)내에는 플렌져(4)가 항상 삽입부착되어 있고 상측몰드(1)와 하측몰드(2)가 서로 맞닿는 PL면상에는, 상측몰드(1)에는 상측몰드 공동부(5a)가, 하측몰드(2)에는 몰드 공동부(5b)가 대향하여 설치되어 있다.
상측몰드(1)와 PL면상의, 포트(3)와 상측몰드 공동부(5a) 사이에는 컬(cull)부(6), 주행부(7) 및 게이트(gate)부(8)로 이루어진 용융수지재료의 이송용통로(9)가 마련되어 있다.
이송용통로(9)와 상하측 공동부(5a),(5b)에는, 이송용통로(9)내 및 상하측 공동부(5a),(5b)내에서 고화 성형된, 수지성형체(15),(16)를 금형에서 떼어내기 위한 이젝터핀(17)이 삽입장착되어 있다.
또한 하측몰드(22)의 PL면에는 전자부품(10)을 장착한 리드프레임(11)을 끼워 넣어 셋팅하기 위한 부(24)가 형성되어 있다.
홈부(24)에 리드프레임(11)을 끼워 넣는 공정은 제3d도와 제3e도에 도시한 바와 같이 수지타블렛(13b)을 공급하는 공정전에 행하여도 좋다. 또한 제4도에 나타낸 실시예에서는 상측몰드와 하측몰드(1)와 하측몰드(2)의 결합시에, 구성되는 수지재료의 공급, 또는 용융수지재료의 충전이 행해지는 중간부분, 즉 포트(3), 이송용통로(9) 및 상하측 공동부(5a),(5b)와, 소요되는 진공원(25)와의 사이에는, 흡기구(26)나 흡기호스(27)등으로 이루어진 흡기통로(28)가 연통하여 배설된다. 따라서 상하측몰드(1),(2)의 결합시에는, 진공원(25)을 작동시킴으로써, 공간부분인 포트(3), 이송용통로(9) 및 상하측 공동부(5a),(5b)내에 잔류하는 공기를 외부로 강제적으로 흡인제거하는 진공공정을 행할 수 있게 되어 있다.
본 실시예에 있어서의 수지타블렛의 공급기구는, 제5도에 나타낸 바와 같이, 우선 수지밀봉 성형장치(23)에 있어서의 각 포트(3)의 수와 동일한 수 및 동일한 배열로 수지타블렛의 수용구멍(29)을 마련한 공급부 본체(30)를 구비하고 있다.
이 공급부 본체(1)의 바닥부에는 개폐셔터(31)가 배설되어 있다. 공급부 본체(30)는 왕복이동기구(33)에 의해 구동되어, 수지타블렛(13b)의 수용케이스(32)와 각각의 포트(3) 사이를 왕복이동하도록 되어 있다. 수용케이스(32)내의 수지타블렛(13b)을 공급부 본체(30)의 각각의 구멍(29)내에 수용되도록 하기 위하여는 우선, 수용케이스(32)의 바닥부에 마련되어 있는 각각의 수지타블렛 송출구멍(34) 바로 아래에 대응하는 각각의 수용구멍(29)이 위치하도록 공급부 본체(30)를 이동시킨다. 이어서, 이 상태에서 수지타블렛 송출구멍(34)의 출구에 마련되어 있는 개폐셔터(35)에 의해 수용케이스(32)내의 수지타블렛(13b)을 각각의 수용구멍(29)내에 각각 낙하, 수용시키면 된다.
또한, 이 각각의 수용구멍(29)내에 각각 수용된 각각의 수지타블렛(13b)은 공극부 본체(30)가 왕복이동기구(33)에 의해 하측몰드(2)의 포트(3)의 윗면으로 이동된 후에, 개폐셔터(31)에 의해 각각의 포트(3)내로 각각 낙하, 공급될 수 있다. 또한 상기한 본체의 각각의 수용구멍(29)이나 상기한 수용케이스(32)내의 공기나 수분을 제거하기에 적당한 진공수단이나 건조수단(도시하지 않음)을 병설함으로써, 각각의 수용구멍(29)이나 수용케이스(32)내에 수용되어 있는 각각의 수지타블렛(13b)이 수분을 흡수하지 않도록, 수분흡수 방지공정을 채택하여도 좋다.
또한 제3f도에는, 수지타블렛의 가열용융과, 이러한 용융수지재료에 의한 전자부품(10)의 수지밀봉 성형공정이 도시되어 있다. 이 공정은 다음과 같이 행해진다.
제3f도에 나타낸 바와 같이 수지타블렛(13b)의 공급공정 제3d도 및 제3도 및 리드프레임(11)의 셋팅공정후에, 상하측몰드(1),(2)를 결합하는 공정과 진공공정이 행해지게 된다. 이때에, 포트(3)내의 수지타블렛(13b)은 상측몰드(1)와 하측몰드(2)의 히터(14)에 의해 용융되기 때문에 이를 플렌져(4)에 의해 각각 가압하면 용융된 수지재료는 이송용통로(9)를 통하여 상하측 공동부(5a),(5b)로 가압주입된다. 이로인해 상하측 공동부(5a),(5b)에 셋팅된 리드프레임(11)상의 전자부품(10)을 수지밀봉 성형할 수 있다.
본 실시예의 방법에 의하면 수지타블렛 내부의 대부분의 공기를 거의 완전하게 제거할 수 있기 때문에, 다량의 공기가 용융수지내에 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 전자부품의 수지밀봉 성형체 내부나 표면에 공극부가 형성되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
더우기, 상술한 진공공정을 병용하는 경우, 상측몰드(1)와 하측몰드(2)를 결합할때 형성되는 수지공급부 또는 용융수지재료의 충전부로 되는 공간부분내를 진공상태로 유지할 수 있다. 그러므로 이 공간부분내의 공기를 제거할 수 있고, 따라서 공기가 용융수지재료내에 혼입되는 것이 확실히 방지된다.
또한, 이 방법에서 사용된 수지타블렛(13b)은 그 내부의 공기가 최대한 제거되어 있다. 따라서, 이 수지타블렛(13b)을 사용하여 수지밀봉 성형하면 용융수지재료중에 다량의 공기가 혼입됨을 방지할 수 있다.
이러한 이유로, 전자부품의 수지밀봉 성형체의 내부나 표면에 공극부가 형성되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 수지타블렛을 성형하는 공정은 상기한 바와 같이 제1차 성형과 제2차 성형으로 구분함과 동시에, 제1차 성형시에 예비적인 압축성형을 행하고 이후에 소망하는 압축밀도를 얻기 위한 제2차 성형을 행하도록 하고 있으므로, 제1차 성형시에 있어서 소정의 압축밀도를 얻기 위하여 높은 가압력을 가할 필요가 없다. 따라서, 제1차 성형용의 압축성형몰드의 내면등이 수지재료의 마찰작용에 의해 마모되는 것을 확실히 방지할 수 있다.
본 실시예의 수지밀봉 성형방법은, 그 각 공정을 시간적으로 연속하여 행하는 것이 바람직하다. 즉, 전자부품의 수지밀봉 성형공정의 관점에서 볼때, 제3a도 내지 제3c도에 도시한 수지타블렛의 성형공정과, 제3d도 및 제3e도에 도시한 수지타블렛의 공급공정과는 시간적으로 연속하여 행하는 것이 바람직하다. 그러나 수지타블렛의 성형공정에는 소정의 성형시간이 요구되기 때문에, 이 성형공정과 공급공정과의 사이에 시간적인 공백이 생기게 된다. 그러나, 상기한 성형공정에 의해 성형된 수지타블렛(13b)은, 그의 수용케이스(32)내에 보관하여 둘 수 있으므로, 수지타블렛(13b)의 성형공정을 시간적으로 선행시켜 행함으로써 수지밀봉 성형을 실질적으로 연속적으로 행할 수 있다.
이상 기술한 바와 같은 본 실시예에 의하면, 수지타블렛 내부의 대부분의 공기를 거의 완전히 제거할 수 있으므로 다량의 공기가 용융수지재료중에 혼입되는 것을 효율좋고도 확실히 방지할 수 있다.
그러므로, 전자부품(10)의 수지밀봉 성형체(15)의 내부 또는 표면상의 공극부 형성을 확실하게 방지할 수 있다. 그 결과, 제품에 내습성이나 기계적 강도의 열화 또는 그 외관을 손상시키는 등의 종래의 문제점을 확실하게 해소할 수 있다.
본 실시예에서 사용된 수지타블렛은, 수지분말을 압축성형한 수지타블렛으로서 내부의 공기를 최대한 제거한 고밀도의 상태로 고압축성형되어 있으면 된다. 따라서, 상술한 제1차 압축성형에 있어서 수지분말(18)을 상하의 펀치(20)로 압축할때, 펀치(20) 또는 압축성형몰드(19)에 진동을 가하므로써, 성형되는 수지 타블렛의 압축밀도를 높이도록 하여도 좋다. 즉, 과립상 또는 분말상의 수지재료에 진동을 가하면, 수지재료의 내부에 포함되어 있던 공기가 외부로 유도되어 배출되는 경향이 있다. 그러므로, 수지타블렛의 성형시에 진동을 가함으로써 압축밀도가 95%이상 즉 비중이 수지재료의 정미(net) 비중의 95% 이상인 수지타블렛(13b)이 형성될 수 있다.
다음에 본 발명의 제2의 실시예에 있어서의 수지밀봉 성형방법 및 그 장치에 대하여, 제6a도 내지 제6d도, 제7a도 및 제7b도를 참조하여 설명한다. 본 실시예의 수지밀봉 성형방법 및 수지밀봉 성형공정은 상기한 제1실시예의 경우와 실질적으로 동일하다. 다만, 본 실시예는 수지타블렛을 고압축성형하는 구체적인 성형공정이 제1실시예와 상위하다.
본 실시예의 수지타블렛 성형공정은, 제6a도 및 제6b도를 참조하여 설명하면 우선, 에폭시 수지등의 열경화성 수지분말(18)의 소정량을 고압축 성형용의 탄성몰드(36)내에 수용한다. 이어서, 탄성몰드(36)를 통하여 내부에 수용된 수지분말(18)에 고압축력을 가하므로써, 분지분말(18)내에 혼합된 공기가 제거된 수지타블렛을 형성하는 것이다. 즉, 제7a도 내지 제7b도에 도시한 바와 같이, 탄성몰드(36)내에 수용한 수지분말(18)을 비탄성의 커버(37)에 의해 상하측으로부터 가볍게 압축하여 임시성형한다. 이어서 고압실린더(38)에 유체압 공급구멍(39)을 통해 제7c도에 화살표 B로 나타낸 바와 같이 수압등의 유체압력을 압력실(40)에 가하므로써, 성형고무몰드(41)와 가압고무몰드(42)를 변형시킨다. 이 성형고무몰드(41) 및 가압고무몰드(42)의 변형에 의해, 압력실(40)의 유체압력이 수지분말(18)에 전달되어 그 직경이 작아지는 방향으로 압축되어, 고밀도로 압축된 수지타블렛(13b)이 성형된다. 본 실시예의 방법에 의하면, 압력실(30)의 압력이 약 1000kgf/cm 이상이 되도록 유체압력을 가하므로써, 내부에 공극부가 형성되지 않는 상태, 즉, 압축 밀도가 95% 이상인 수지타블렛(13b)이 형성된다.
제6c도 및 제6d도에 도시한 수지타블렛(13)의 이송공급 공정은 탄성몰드(36)내에 수용된 수지타블렛(13b)을 흡착하여 끄집어 냄과 동시에, 이것을 수지밀봉 성형장치의 하측몰드(2)의 위쪽으로 이송하여 포트(3)내에 공급하는 것이다. 즉, 탄성몰드(36)내에서 고압축성형 되고 수용되어 있는 수지타블렛(13b)을, 이송공급기구(43)에 있어서의 흡착수단(44)으로 흡착하고 이 상태에서 수지타블렛(13b)을 수지밀봉 성형장치의 하측몰드(2)의 위쪽으로 이송하여 포트(3)내에 투입하는 것이다.
본 실시예에 있어서, 수지타블렛(13b)을 포트(3)에 공급한 후의 공정, 즉 상측몰드(1)와 하측몰드(2)의 결합공정 및 전자부품의 수지밀봉 성형공정은 제3f도에 도시한 상기한 제1실시예의 경우와 동일하다. 또한, 전자부품(10)의 셋팅공정은, 제6c도 및 제6d도에 도시한 수지타블렛(13b)의 이송공급 공정에 앞서 수행하여도 좋은것도 제1실시예의 경우와 같다.
또한, 제7a도 내지 제7c도에 도시한 고압축성형용의 탄성몰드(36)는, 고압축성형한 수지타블렛을 하나씩 성형하는 단수성형용의 몰드, 또는 소망하는 고압축성형한 수지타블렛, 동시에 여러개씩 성형하는 복수성형용 몰드중의 어느 것을 채용하여도 좋다.
즉, 탄성몰드(36)는, 단일 포트·플렌져 성형장치를 사용하는 경우에 대응하여, 하나의 수지타블렛을 성형하기 위한 단수성형용 몰드이어도 좋고, 또는 멀티포트·플렌져 성형장치에 설치되어 있는 복수개의 포트의 배치위치 및 배치수와 대응시켜 구성한 복수성형용 몰드이어도 좋다. 또한, 이와 같은 수지밀봉 성형장치측의 구성과는 무관하게 단수성형용 몰드 또는 복수성형용 몰드를 임의로 채택하여도 좋다.
본 실시예의 수지타블렛의 성형공정은, 제6a도에 나타낸 임시 성형단계에서, 탄성몰드(36)내에 수지분말(18)을 수용하는 대신에, 상기한 제1실시예의 경우와 마찬가지로, 소정량의 수지분말을 사전에 적당한 압축성형몰드내에서 성형된 소정의 형태보전성을 갖는 수지타블렛(13a)을 수용하고, 이것을 제6b도에 나타낸 공정에 의해 더욱 고밀도로 제2차 성형하여도 된다.
에폭시 수지분말을 제2a도에 나타낸 종래의 수지타블렛 성형장치를 사용하여 성형한 각각의 1차 성형품을, 제7a도 내지 제7c도에 나타낸 방법으로 제2차 성형하는 실험을 행하였다. 그 실험조건 및 결과는 하기의 표에 나타내었다.
[표]
Figure kpo00001
표에 나타난 결과로부터, 제2차 성형압력이 1000kgf/cm 이상인 경우 95% 이상의 압축밀도의 제2차 성형품이 얻어짐을 알 수 있다.
제2차 성형품을 얻기 위한 압축성형에 요하는 시간은 약 1분간 정도이며, 일반적인 경향으로서는 제2차 성형압력을 높일수록 압축에 소요되는 시간이 짧아진다. 그러나, 성형장치의 내압성에 한계가 있거나, 표에 나타낸 2차성형에 의한 압축밀도의 증가치를 고려하면, 5000kgf/cm 정도의 2차 압축력이 최적이다.
또한 본 실시예에 있어서의 수지타블렛(13b)의 성형공정을, 상기한 제1차 압축성형 및 2차 압축성형으로 행하는 경우에는 제1차 압축성형에서 성형된 수지타블렛(13a)을 수용하는 고압축성형용의 탄성몰드(36)내의 공기 및 수지타블렛(13a)내에서 압축된 공기를 강제적으로 외부로 뽑아내어 제거한다고 하는 상승적인 공기의 흡인제거 작용이 얻어진다. 이를 위해, 더욱 높은 밀도의 수지타블렛을 효과적으로 성형할 수 있다.
더욱이, 고압축성형한 수지타블렛(13b)의 이송공급 공정은, 탄성몰드(36)내에 수용된 수지타블렛(13b)을, 탄성몰드(36)내에 수용한 채로의 상태, 탄성몰드(36)가 수지타블렛(13b)의 수용메카니즘을 겸한 상태에서, 포트(3)측에 이송됨과 동시에 탄성몰드(36)의 커버(37)를 개방하여 포트(3)내에 투입하여 공급하도록 하여도 좋다. 따라서, 이 경우에는 성형후의 수지타블렛(13b)이 포트(3)내에 이송공급되기 전에 흡습하는 등의 폐해를 방지할 수 있는 효과와, 탄성몰드(36) 자체가 수지타블렛(13b)의 이송공급기구를 겸할 수 있다는 잇점이 있다. 또한, 상기한 각 공정을 행하기 위한 각각의 기구, 즉 수지타블렛(13b)의 성형기구, 수지타블렛(13b)의 이송공급기구, 탄성몰드(36)내의 공기를 흡인제거하기 위한 기구 또는 수지타블렛(13b)의 이송공급기구 등은 수지밀봉 성형장치(23)의 근방위치에 각각 입체적으로, 또는 자유로이 착탈가능하게 배설한 구성으로도 할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 기타의 공정은 상기한 제1실시예와 동일한 방법 및 구성을 채용할 수가 있다. 따라서, 제1실시예의 설명에서 기술한 것과 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 제3의 실시예에 의한 수지밀봉 성형방법 및 장치를 제8a도 내지 8e도를 참조하여 설명한다.
본 실시예의 수지밀봉 성형방법은 고밀도로 압축성형한 수지타블렛을 사용하는 점에서는 상술한 제1, 제2의 실시예와 실질적으로 동일하나, 수지타블렛을 고압축성형하는 구체적인 성형공정이 서로 다르다. 본 실시예에 있어서는, 수지타블렛의 제1차 성형은 제1의 실시예의 경우와 마찬가지로 제2a도에 나타낸 종래의 성형장치를 사용하여 수지분말(18)을 압축성형몰드(19)내에 수용하고, 이것을 상하의 펀치(20)로 원주형상등의 타블렛 형상으로 압축성형한다.
이 제1차 압축성형에 의해 예비성형된 수지타블렛(13a)의 내부에는 상술한 바와 같이, 그 체적비로 통상 약 10-20% 정도의 공기가 포함되어 있다.
그리고, 본 실시예에 있어서는 제2차 압축성형을 제8a도 내지 제8c도에 도시한 바와 같이 행한다. 즉, 수지타블렛(13a)을 고무등의 탄성체로부터 형성된 탄성몰드(45)의 몰드본체(46)내에 수용하고, 탄성덮개(47)로 밀폐시킨다.
이 탄성몰드(5)를 개재하여 내부의 수지타블렛(13a)에 고압력을 가하므로써, 수지타블렛(13a)내에 포함되어 있는 공기를 제거함을 목적으로 하고 있다.
탄성몰드(45)를 개재하여 수지타블렛(13a)을 고압축성형하는 수단으로서는, 예를들면 제8c도에 나타낸 바와 같은 방법이 있다. 이 방법은 우선 탄성몰드(45)를 압력실린더(48) 및 그 덮개(49)로 이루어진 압력용기(50)내에 수용한다. 다음에 압력용기(50)내에 압력매체로서 액체 또는 그외의 기체등의 압력매체(51)를 도입하고, 약 1000kgf/cm 이상의 균등한 높은 액압을 가한다.
이 제2차 압축성형에 의해 성형된 고압축성형 수지타블렛(13b)은 상술한 각 실시예의 것과 마찬가지로, 내부에 공기를 포함하고 있지 않는 상태의, 지극히 높은 고밀도의 수지타블렛이 성형된다.
제2차 압축성형을 행하는 경우에 있어서는, 우선 제1차 압축성형에 의해 성형된 수지타블렛(13a)을 제8a도에 나타낸 바와 같이, 탄성몰드(45)의 몰드본체(46)내에 수용하고, 탄성덮개(47)로 밀폐시킨 후에, 탄성몰드(45)내의 공기를 흡인제거하도록 하여도 좋다. 이것은 탄성몰드(45)내의 잔류공기 및 탄성몰드(45)내에 수용된 수지타블렛(13a) 자체에 포함되어 있는 공기를, 고압축성형에 앞서서 가능한한 많이 탄성몰드(45)의 외부로 배출시켜둠으로써 수지타블렛(13a)의 고압축성형시에 있어서, 고압축작용을 확실하게 하고, 또한 이에 따른 내부공기의 압축작용을 더욱 향상시키는 것을 목적으로 한다.
그러므로, 탄성몰드(45b)내의 공기흡인 제거수단은, 탄성몰드(45) 내부를 진공상태로 만들 수 있는 것이라면 좋다.
또한, 수지타블렛(13b)의 이송공급 공정은, 제8d도 및 제8e도에 나타낸 바와 같이, 탄성몰드(45)내에 수용된 고압축성형 후의 수지타블렛(13b)을, 탄성몰드(45)내에 수용한 상태에서, 전자부품의 수지밀봉 성형장치의 하측몰드(1)의 포트(3)의 위쪽으로 이송하고, 이것을 포트(3)내에 공급하는 공정으로 이루어진 것이다. 즉, 고압축성형 수지타블렛의 성형공정을 거친 탄성몰드(45)를 포트(3)의 위쪽으로 이동시킴과 동시에, 탄성덮개(47)를 취출하고 더욱이 이 몰드의 본체(46)의 위아래를 거꾸로 반전시키므로써 탄성몰드(45)내의 수지타블렛(13b)을 포트(3)내에 투입공급한다. 이와 같은 본 실시예의 수지타블렛(13b)이 이송공정은, 수지타블렛(13b)이 포트(3)내로 이송공급되기 전에 흡습하는 것을 방지하는 효과와, 탄성몰드(45) 자체가 수지타블렛(13b)의 이송공급기구의 일부를 겸하게 된다는 잇점을 갖는다.
또한, 수지타블렛(13b)이 흡습 또는 오염, 손상되는 것을 방지하는 관점에서는, 예를들어 탄성몰드(45)에 부착된 수분등의 압력매체의 제거수단을 개재시키는 것이 바람직하다. 또한 이러한 제거수단을 생략하기 위해서는 탄성몰드(45)에 부착된 수분등이 증발하여 소실하는 시간을 확보하도록, 수지타블렛(13b)의 성형공정을 소정시간만큼 선행시켜 행하는 것이 바람직하다.
그러나, 수지타블렛(13b)의 이송공급 공정을, 탄성몰드(45)내에 수용된 수지타블렛(13b)을 흡착하여 취출함과 동시에, 이것을 포트(3)쪽으로 이송시키고, 이 포트(3)내에 공급하는, 이른바 흡착반송수단을 채용할 수도 있다. 이 경우에는 수지타블렛(13b)의 탄성몰드(45)에 부착된 수분등에 의한 흡습 또는 오염, 손상을 방지할 수 있도록, 상기한 수분제거 수단의 배치가 필요없게 된다. 또한 수지타블렛(13b)의 성형공정을, 이송공정보다 소정의 시간만큼 앞서서 미리 행할 필요도 없다.
본 실시예의 금형몰드 결합공정 및 전자부품(10)의 수지밀봉 성형공정은, 상기한 제1실시예에 있어서, 설명한 것과 동일하다. 또한 전자부품(10)의 셋팅공정은, 수지타블렛(13b)의 이송공급 공정보다 선행시켜 행하여도 좋다.
본 실시예에 있어서의 그외의 공정은 상기한 각 실시예에서와 동일한 방법 및 구성을 채용할 수 있다. 따라서, 상술한 각 실시예와 실질적으로 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 기술하였으나, 본 발명은 이들의 실시예로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 정신에 반하지 않는 즉, 그 범위를 벗어나지 않는 한도내에서, 여러가지 다양한 형태의 변경이 가능하다.

Claims (20)

  1. 고밀도 압축성형으로 내부의 공기가 최대한 제거된 수지타블렛(13b)을 성형하는 수지타블렛의 성형공정과, 이 성형공정을 거친 상기한 수지타블렛(13b)을 수지밀봉 성형장치(23)의 포트(3)내로 이송공급하는 수지타블렛 공급공정과, 전자부품(10)을 장착한 리드프레임(11)을 상기한 수지밀봉 성형장치(23)의 상측몰드(1)와 하측몰드(2)의 PL면상의 소정위치에 셋팅하는 리드프레임의 셋팅 공정과, 상기한 수지밀봉 성형장치(23)의 상기한 상측몰드(1)와 상기한 하측몰드(2)를 결합하여, 상기한 리드프레임(11)상의 전자부품(10)을 수지재료로 밀봉성형하는 상기한 전자부품(10)의 수지밀봉 성형공정으로 이루어지는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 성형공정이, 수지분말(18)을 압축성형몰드(19)내에 공급하여 압축성형하는 제1차 압축성형공정과, 이 제1차 압축성형에 의해 성형된 수지타블렛(13b)을, 압력매체가스를 개재하여 고압축 작용력을 가하므로써, 이 수지타블렛(13a)내에 포함된 공기를 최대한 제거하는 제2차 압축성형공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기한 압력매체가스로서 불활성가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기한 압력매체가스로서 질소가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 성형공정이, 소정량의 수지분말(18)을 고압축성형용의 탄성몰드(45)내에 수용함과 동시에, 이 탄성몰드(45)를 개재하여 내부의 수지분말(18)에 고압축력을 가하므로써, 내부의 공기를 최대한 제거한 상태의 상기한 수지타블렛(13b)을 성형하는 것임을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 성형공정이, 소정량의 수지분말을 압축성형몰드(19)내에 수용하여 압축성형하는 예비적인 제1차 압축성형공정과, 이렇게 예비성형된 수지타블렛(13a)을 고압축성형용의 탄성몰드(45)내에 수용함과 동시에, 이 탄성몰드(45)를 개재하여 유체압에 의해 내부의 수지타블렛(13a)에 더욱 높은 고압축력을 가하므로써, 이 수지타블렛(13a)내에 포함된 공기를 최대한 제거하는 제2차 압축성형공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  7. 제1항에 있어서 상기한 수지타블렛(13b)의 성형공정이, 소정량의 수지분말을 압축하여 수지타블렛(13a)을 성형하는 제1차 압축성형공정과, 이 수지타블렛(13a)을 탄성몰드(45)내에 수용하여 밀폐함과 동시에 탄성몰드(45)에 균등한 액체압을 가하므로써, 상기한 수지타블렛(13a)을 고압축하여 상기한 수지타블렛(13a)내에 포함되어 있는 공기를 최대한 제거하는 제2차 압축성형공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기한 제2차 압축성형공정에서, 상기한 탄성몰드(45)내의 공기를 흡인제거하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 성형공정이, 압축성형몰드(19)내에 열경화성이 수지분말(18)을 공급하는 공정과, 이 수지분말(18)에 압축력을 가하는 펀치(20) 및/또는 상기 압축성형몰드(19)에 진동을 부여하면서 상기한 수지분말(18)을 압축성형하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 공급공정이, 상기한 탄성몰드(45)내에 수용된 상기한 수지타블렛(13b)을 흡착하여 취출함과 동시에, 이것을 상기한 포트(3)쪽으로 이송하여, 이 포트(3)내에 공급하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기한 수지타블렛(13b)의 공급공정이, 탄성몰드(45)내에 수용된 상기한 수지타블렛(13b)을 상기한 탄성몰드(45)내에 수용한 상태에서 상기 포트(3)쪽으로 이송하여 상기 포트(3)내에 공급함을 특징으로 하는 전자부품의 수지밀봉 성형방법.
  12. 금형포트(3)내에 수지타블렛(13b)을 공급하여 가열용융함과 동시에, 이 용융수지재료를 그의 이송용통로(9)를 거쳐 공동부(5a),(5b)내에 가압주입하므로써, 상기한 공동부(5a)(5b)내에 셋팅한 전자부품(10)을 수지밀봉 성형하는 전자부품의 수지밀봉 성형장치로서, 상기한 수지밀봉 성형장치의 근방위치에서, 내부의 공기를 최대한 제거하여 고밀도의 상태로 고압축성형된 상기한 수지타블렛(13b)을 성형하는 기구와, 이 성형기구에 의해 성형된 수지타블렛(13b)을 상기한 포트(3)내에 이송공급하는 공급기구로 구성된 전자부품의 수지밀봉 성형장치.
  13. 열경화성의 수지분말(18)을 압축성형한 수지타블렛으로서, 내부의 공기를 최대한 제거한 고밀도 상태로 고압축성형된 것을 특징으로 하는 수지타블렛.
  14. 제3항에 있어서 상기한 수지타블렛의 재질인 열경화성 수지재료가, 단체로서 갖는 고유의 비중의 95 내지 100%의 비중으로 되도록 압축성형되어 있는 것을 특징으로 하는 수지타블렛.
  15. 열경화성 수지분말(18)을 형태보전 가능한 정도로 압축성형하는 제1차 성형공정과, 이 제1차 성형공정에서 예비성형된 수지타블렛(13a)을, 또다시 고압축성형하므로써, 내부의 공기를 최대한 제거한 고밀도의 수지타블렛(13b)을 성형하는 제2차 성형공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형방법.
  16. 압축성형몰드(19)내에 열경화성의 수지분말(18)을 공급하는 공정과, 이 수지분말(18)에 압축력을 가하는 펀치(20) 및/또는 상기한 압축성형몰드(19)에 진동을 부여하면서 상기한 수지분말(18)을 압축성형하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형방법.
  17. 열경화성의 수지분말(18)을 형태보전 가능한 상태에서 압축성형하는 제1차 성형수단과, 이 제1차 성형수단에 의해 예비성형된 수지타블렛(13a)에 또다시 고압축력을 가하여 내부의 공기를 최대한 제거한 고밀도의 수지타블렛(13b)을 성형하는 제2차 성형수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기한 제2차 성형수단이, 압력매체가스를 개재하여 상기한 수지타블렛(13a)에 고압축력을 가하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기한 제2차 성형수단이 상기한 제1차 성형수단에 의해 예비성형된 상기한 수지타블렛(13a)에 액체압을 개재하여 고압축력을 가하는 탄성몰드(45)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형장치.
  20. 열경화성의 수지분말(18)을 수용하는 압축성형몰드(19)와, 이 압축성형몰드(19) 내부를 자유롭게 미끄럽게 미끄럼운동을 할 수 있게 배치되어 상기한 수지분말(18)에 가압력을 가하는 펀치(20)와, 상기 펀치(20) 및/또는 상기한 압축성형몰드(19)를 진동시키면서 상기한 수지분말(18)에 가압력을 가하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 수지타블렛의 성형장치.
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