Claims (5)
실리콘기판(100)위에 제1산화막(10) 및 후막의 질화막(20)을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 질화막내에만 주입되도록 채널지이온을 주입하는 단계, 활성영역을 정의하기 위해 상기 질화막을 패턴닝하여 개구부를 형성하는 단계, 상기 활성영역 이외의 식각되지 않은 피일드 질화막(25)을 마스크로 하여 제1산화막(10)을 식각하는 단계, 활성영역에 남아있는 미량의 채널저지이온을 제거함과 동시에 상기 피일드 질화막 내의 채널저지 이온올 확산시키기 위한 희생산화 공정 및 상기 희생산화 공정에 의해 활성영역 위에 형성된 희생산화막(70)을 식각하는 단계로 이루어지는 반도체 제조공정에 있어서, 상기 희생산화막의 습식시각 단계에 이어서 전면적으로 CVD법에 의해 제2산화막(7O)을 형성하는 단계 및 피일드 질화막 주변부에 스페이서(8O)를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.Sequentially forming the first oxide film 10 and the thick nitride film 20 on the silicon substrate 100, injecting channel ions to be injected only into the nitride film, and forming the nitride film to define an active region. Patterning to form an opening, etching the first oxide film 10 using the non-etched nitride nitride film 25 other than the active region as a mask, and removing a small amount of channel blocking ions remaining in the active region. And simultaneously etching the sacrificial oxide film 70 formed on the active region by the sacrificial oxidation process to diffuse the channel blocking ionol in the nitride nitride film. Forming the second oxide film 70 by the CVD method after the visual step and forming the spacer 80 on the periphery of the nitride film A method of manufacturing a semiconductor device, characterized by further comprising the step.
제1항에 있어서, 상기 제2산화막의 두께는 300 내지 3000Å범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the second oxide film is in a range of 300 to 3000 GPa.
제1항에 있어서, 상기 스페이서(80) 형성공정은 비등방성 식각공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein said spacer (80) forming step is composed of an anisotropic etching step.
제3항에 있어서, 상기 비등방성 식각공징후에 습식시각공정을 더 포하하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, further comprising a wet visual process after the anisotropic etching process sign.
제3 또는 제4항에 있어서, 상기 비등방성 식각공정에 의해 상기 제2산화막의 두께가 100 내지 200Å될 때까지 식각하고, 나머지 산화막을 습식식각 공정에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The semiconductor device according to claim 3 or 4, wherein the second oxide film is etched by the anisotropic etching process until the thickness of the second oxide film is 100 to 200 GPa, and the remaining oxide film is removed by a wet etching process. Way.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.