Claims (8)
반도체 기판(100)위에 제1산화막(10)을 형성하고 포토레지스터를 도포한 후 소정의 마스크 패턴(20)을 형성하는 제1공정과, 상기 마스크 패턴(20)전면으로 질소이온(15)을 기판 하부로 주입하는 제2공정과, 상기 마스크 패턴(20)을 제거하고 고온 열처리를 하여 기판 하부에 실리콘 질화막(40)을 형성하는 제3공정과, 제3공정의 결과적 구조 위에 질소이온(17)주입을 행하여 질화산화막(12)을 형성하는 제4공정과, 질화막(50)을 형성하는 제5공정과, 상기 질화막(50)내에 주입되도록 채널저지 이온(18)을 주입하는 제6공정과, 활성영역을 정의하기 위해 상기 질화막(50)을 패터닝하여 개구부(2)를 형성하는 제7공정과, 상기 필드 질화막(52)을 마스크로 하여 개구부(2)아래의 질화막 산화막(12)을 식각하는 제8공정과, 활성영역에 남아 있는 미량의 채널저지 이온을 제거함과 동시에 상기 필드 질화막(52)내의 채널저지 이온을 확산시키기 위한 희생 산화하는 제9공정과, 사기 희생 산화 공정에 의해 활성영역 위에 형성된 희생 산화막(60)을 식각하는 제10공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.A first process of forming the first oxide film 10 on the semiconductor substrate 100, applying a photoresist and forming a predetermined mask pattern 20, and nitrogen ion 15 to the entire surface of the mask pattern 20 A second process of injecting the lower portion of the substrate, a third process of removing the mask pattern 20 and performing a high temperature heat treatment to form a silicon nitride film 40 on the lower portion of the substrate, and a nitrogen ion (17) on the resulting structure A fourth step of forming the nitride oxide film 12 by injection, a fifth step of forming the nitride film 50, a sixth step of injecting channel blocking ions 18 to be injected into the nitride film 50, and And a seventh step of forming the opening 2 by patterning the nitride film 50 to define an active region, and etching the nitride oxide film 12 under the opening 2 using the field nitride film 52 as a mask. And the eighth step of removing the trace amount of channel blocking ions remaining in the active region. And a ninth step of sacrificial oxidation for diffusing the channel blocking ions in the field nitride film 52 and a tenth step of etching the sacrificial oxide film 60 formed on the active region by a fraudulent sacrificial oxidation process. Device Separation Method of Semiconductor Device.
제1항에 있어서, 상기 실리콘 질화막(40)의 폭은 필드 질화막(52)의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.2. The method of claim 1, wherein the width of the silicon nitride film (40) is smaller than the width of the field nitride film (52).
제1항에 있어서, 제2공정의 질소 이온(15)주입량은 적어도 5×1015이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the injection amount of nitrogen ions (15) in the second step is at least 5 × 10 15 .
제1항에 있어서, 제4공정의 질소이온(17)주입량은 1×1012내지 1×1014인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the amount of nitrogen ions (17) injected in the fourth step is 1 × 10 12 to 1 × 10 14 .
제1항에 있어서, 상기 제1산화막(12)은 100Å∼500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.2. The method of claim 1, wherein the first oxide film (12) is formed to a thickness of 100 kV to 500 kV.
제1항에 있어서, 상기 고온 열처리 온도는 1000℃이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.The method of claim 1, wherein the high temperature heat treatment temperature is 1000 ° C. or higher.
제1항에 있어서, 상기 희생 산화막(50)은 200Å-1000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial oxide film (50) is formed to a thickness of 200 Å-1000 Å.
제1항에 있어서, 실리콘 질화막(40)은 반도체 기판(100)이래에 형성되는 채널저지층(70)형성 깊이보다 더 아래에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리 방법.The method of claim 1, wherein the silicon nitride film (40) is formed below the depth of the channel blocking layer (70) formed after the semiconductor substrate (100).
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.