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자기정렬을 이용한 소자격리 방법Device isolation method using self-alignment
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.
제2도는 본 발명의 공정 단면도.2 is a cross-sectional view of the process of the present invention.
Claims (2)
기판위에 필드산화막/폴리실리콘막을 차례로 형성한후 이 폴리 실리콘막을 이용하여 패턴처리하여 채널영역과 채널-스톱영역을 한정하는 단계, 채널-스톱영역에 불순물을 주입하는 단계, P,R을 이용한 표면평탄화단계, 채널-스톱영역의 P,R은 남기고 폴리 실리콘막위의 P,R은 에칭하여 모두 제거하는 단계, 채널-스톱영역을 패턴하기위해 사용된 액티브영역의 폴리실리콘막을 제거하는 단계, 채널-스톱영역의 P,R을 마스크로하여 액티브영역의 필트산화막을 제거한 후 마스크로 사용된 P,R을 제거하는 단계가 차례로 진행됨을 특징으로 하는 자기정렬을 이용한 소자격리방법.Forming a field oxide film / polysilicon film on a substrate in turn, patterning the film using the polysilicon film to define a channel region and a channel-stop region, implanting impurities into the channel-stop region, and surface using P and R. Planarization step, etching P and R on the polysilicon film while leaving P and R of the channel-stop region, removing all polysilicon film of the active region used to pattern the channel-stop region, channel- A method of isolating a device using self-alignment according to claim 1, wherein the step of removing the P and R used as a mask is performed in order after removing the filter oxide film of the active area using P and R of the stop region as a mask.제1항에 있어서, 채널영역과 채널-스톱영역을 패턴하기 위해 사용된 폴리실리콘막을 질화막으로 함을 특징으로 하는 자기정렬을 이용한 소자격리방법.The method of claim 1, wherein the polysilicon film used for patterning the channel region and the channel-stop region is a nitride film.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.
KR1019900008522A1990-06-111990-06-11
Device isolation method using self-alignment
KR920001618A
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