KR930000812B1

KR930000812B1 - 메모리구동장치 및 방법

Info

Publication number: KR930000812B1
Application number: KR1019900004345A
Authority: KR
Inventors: 도모유키 나카지마
Original assignee: 가부시키가이샤 도시바; 아오이 죠이치
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1990-03-30
Publication date: 1993-02-05
Also published as: JPH02257319A; KR900015162A; GB2231217A; GB9007097D0; US5027328A; GB2231217B; CA2013296A1; CA2013296C

Abstract

내용 없음.

Description

메모리구동장치 및 방법

제1도는 종래기술에 따른 메모리구동장치의 전체적인 회로구성을 나타낸 블럭도.

제2도는 본 발명의 1실시예에 따른 메모리구동장치의 전체적인 회로구성을 나타낸 도면.

제3도a~d는 본 발명의 1실시예에 따른 메모리구동장치의 정전복구시의 동작을 나타낸 신호파형도.

제4도는 리셋신호출력회로의 다른 실시예를 나타낸 회로도.

제5도는 리셋신호출력회로의 또 다른 실시예를 나타낸 회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

본 발명은 전화장치등의 기기에 내장된 RAM 또는 EPROM과 같은 반도체메모리구동장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 메모리억세스를 제어하기 위한 제어회로가 구비됨으로써 기기에 전원이 투입될 때나 정전 복구시등에는 제어회로의 상태를 리셋트하는 기능이 갖추어진 메모리구동장치 및 방법에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 그 문제점]

일반적으로 반도체메모리는 마이크로컴퓨터와 같은 메모리제어회로로 부터 어드레스신호 및 각종 제어신호를 받음으로써 작동된다. 이러한 반도체메모리를 내장하는, 예컨대 전화장치와 같은 기기에서는 전원투입시나 정전복구시에 정상적인 상태에서 작동을 개시하기 위해 메모리제어회로에 리셋명령을 가하여 그 내부 상태를 소정의 초기상태로 되돌릴 필요가 있다.

또한 반도체메모리가 RAM이나 EPROM과 같이 항상 전원공급을 필요로 하는 형일 경우에는 주전원의 정전시에 전원을 공급하기 위한 백업전원이 필요하다. 이 백업전원으로는 통상전지가 이용되기 때문에 장기간 사용하면 소모되는데, 백업전원이 소모된 후에 정전이 복구된 경우에는 메모리에 기억되어 있던 정보는 이미 변질 또는 소실되어 버리므로 기기의 정상적인 작동개시를 행하기 위해 메모리내의 기억정보를 소거할 필요가 있다. 이 소거동작은 실제로 메모리제어회로에 리셋명령을 가했을 메모리소거명령이 가해짐으로써 행해진다.

후에 상술하겠지만, 종래의 메모리구동장치는 메모리제어회로에 리셋명령을 가하기 위한 회로로서 주전원선에 접속된 RC시정수회로를 구비하고 있다. 이 RC시정수회로는 주전원의 투입시나 정전복구시에 주전원 전압이 계단형태로 상승하면 시정수로 따라 천천히 램프형태로 상승하는 전압신호를 발생시키는데, 이 전압신호가 리셋신호로서 메모리제어회로에 인가된다. 전원전압이 계단형태로 상승함에 의해 메모리제어회로가 작동상태로 되었을 때는 리셋신호가 전압레벨이 소정의 문턱치보다 낮은, 즉 논리레벨이 로우(“L”)이다. 따라서 메모리제어회로는 이 리셋신호의 “L”레벨을 리셋트명령으로 인식하여 내부상태의 초기화를 행한다.

그런데 어떠한 이유로 인해 주전원전압이 RC시정수회로의 시정수에 가깝거나 또는 그 이상의 시간으로 서서히 상승한 경우에는, 메모리제어회로가 작동상태로 되었을때 리셋신호는 전압레벨이 문턱치보다 높은, 즉 논리레벨이 하이 (“H”)로 되어 있기 때문에 메모리제어회로를 리셋시킬 수 없는 문제점이 있다.

또한 종래의 메모리구동회로는 메모리소거명령을 메모리제어회로에 인가하기 위해 수동의 스위치만을 갖추고 있는 것에 지나지 않았다. 즉, 메모리의 소거를 행하는가 행하지 않는가는 사용자의 판단에 달려 있었다. 그러나 사용자가 백업전원이 소모된 것을 미처 인식하지 못하여 메모리를 소거시키는 것을 잊어버릴 위험이 있다.

이와 같이 종래의 메모리구동장치에서는 주전원의 투입시나 정전복구시에 기기가 항상 정상상태에서 작동 개시되도록하는 것을 보증할 수 없는 문제점이 있었다.

[발명의 목적]

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 주전원의 투입시나 정전복구시에 있어서의 제어회로의 리셋을 확실히 행함으로써 기기를 정상상태에서 작동개시시킬 수 있는 메모리구동장치를 제공함에 그 목적이 있다.

[발명의 구성]

본 발명에 의하면, 반도체메모리와, 이 메모리의 동작을 제어하기 위한 회로, 즉 리셋단자를 갖추고 있으며 이 리셋단자에 미리 정해진 논리레벨의 리셋신호가 가해지면 내부상태를 초기화시키는 메모리제어회로, 메모리 및 메모리제어회로에 전원을 공급하는 주전원이 구비된 메모리구동장치에 있어서, 이 메모리구동장치는 주전원으로 부터의 전원공급전압과 미리 정해진 문턱치전압의 비교를 행하여 전원공급전압이 소정의 전압에 도달하면 이를 검출하여 검출신호로서 출력하는 전압비교수단, 이 전압비교수단으로 부터의 검출신호에 응답하여 적어도 미리 정해진 길이의 시간구간동안 메모리제어회로의 리셋단자에 리셋신호를 인가하는 리셋수단을 구비하여 구성되어 있다.

[작용]

본 발명에 따른 메모리구동장치에서는, 주전원의 투입시 또는 정전복구시에 주전원의 출력레벨이 미리 정해진 문턱치 전압까지 상승하면 미리 정해진 길이의 시간구간동안 리셋명령이 발생하게 되는데, 이 시간구간을 충분히 길게 설정해 두면 주전원의 상승속도에 관계없이 메모리제어회로의 리셋이 확실하게 행해진다.

본 발명의 실시예에서는 백업전원이 소모되어 있는가 아닌가에 따라 논리레벨이 다른 제3신호를 발생시키는 수단이 또한 갖추어져 있는 바, 이 제3신호는 메모리소거신호에서 메모리제어회로에 인가된다. 주전원이 투입되기 전 또는 정전복구전에 백업전원이 이미 소모되어 있을 경우에는 주전원이 투입된 후나 정전 복구후에 메모리제어회로가 메모리소거명령을 확실히게 받아서 메모리소거를 행한다.

[실시예]

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조해서 상세히 설명한다. 제1도는 종래 메모리구동장치의 구성을 나타낸 블럭도이다.

제1도에 있어서, 안정화전원회로(1)는 이 장치의 주전원으로 상용전원으로 부터 100VAC를 받아서 직류의 정전압을 발생시킨다. 이 직류전압은 주전원선(10a)을 통해 전원전압검출회로(7), RC시정수회로(15)및 메모리제어회로(예컨대 마이크로컴퓨터; 4)에 각각 공급됨과 동시에 주전원선(10a) 및 역류방지용 다이오드(13)를 통하여 메모리(3)에 공급된다. 메모리백업전원(9)은 정전시에 백업하기 위한, 예컨대 밧데리로서 릴레이스위치(relay switch; 8)의 턴온에 의해 전원선(10b)에 접속되어 전원선 (10b) 및 역전류방지용 다이오드(14)를 통해서 메모리(3)에 백업전류를 공급한다.

한편, 전원전압검출회로(7)는 안정화전원회로(1)의 출력전압이 상용전원의 정전등에 기인하여 소정의 값이하로 저하되면 이것을 검지하여 릴레이스위치(8)를 턴온함으로써 백업을 개시시킨다. 메모리(3)는, 예컨대 RAM 과 EPROM과 같은 상기 전원공급이 필요한 형의 반도체메모리로서 통상은 안정화전원회로(1)로 부터 전원공급을 받아서 메모리제어회로(4)로 부터의 어드레스신호나 제어신호에 따라 작동한다. 한편, 정전등과 같은 상용전원의 이상에 의해 안정화전원회로(1)의 출력전압치가 저하되었을때는 메모리백업전원(9)으로 부터 전원을 공급받아 기억데이타를 보존한다.

또한, RC시정수회로(15)는 주전원의 투입시나 정전복구시에 메모리제어회로 (4)의 리셋단자(

)에 대하여 저항(5)과 콘덴서(6)의 시정수에 따라 결정되는 시간만큼 논리레벨이 로우 (“L”)이 리셋신호를 인가하도록 되어 있다. 소거스위치(12)는 메모리(3)를 소거시키 경우에 조작하는 버튼식 스위치로서 버튼을 누르면 메모리제어회로(4)의 메모리소거단자(

)에 “L”레벨의 메모리소거신호를 인가한다. 한편 메모리제어회로(4)는 리셋신호의 “L”레벨을 리셋명령으로 인식하여 그 내부상태를 초기상태로 리셋시키는데, 리셋이 되면 메모리제어회로(4)는 소정의 초기화루틴을 실행한다. 이때 만약 소거스위치(12)가 눌러져 있으면, 즉 메모리소거신호가“L”레벨이면 이것을 메모리소거명령으로 인식하여 메모리(3)내에 기억되어 있는 데이타를 소거시킨다.

이와 같은 메모리구동회로에서는, 정전복구시등에 전원회로(1)의 출력전압이 시정수회로(15)의 시정수에 가깝거나 또는 그 이상의 시간에 걸쳐서 서서히 상승했을 경우 메모리제어회로(4)가 작동상태로 되었을때에 그 리셋단자 (

)의 논리레벨이 하이 (“H”)에 도달되어 있으므로 메모리제어회로(4)의 리셋이 행해지지 않는다. 또한 정전중에 백업전원(9)이 소모되었을 경우 사용자가 이를 인식하지 못하여 정전복구시에 소거스위치(12)를 누르는 것을 잊어버리게 되면 메모리(3)내의 변질된 데이타에 따른 기기의 오동작이 발생된다. 이와같이 종래의 메모리구동회로에서는 전원전압의 상승속도가 느린 경우나 정전중에 백업전원이 소모되었을 경우에는 기기의 올바른 동작을 보증할 수 없었다.

한편, 제2도는 본 발명의 1실시예에 따른 메모리구동장치의 전체적인 회로구성을 나타낸 도면으로 종래의 제1도와 동일한 부분은 동일한 참조부호를 사용하고 있다.

제2도에 있어서, 주전원인 안정화전원회로(1)는 상용전원으로 부터 100VAC를 공급받아 주전원선(10a)으로는 직류의 정전압(VC)을, 또한 전원전압검출수단(7)으로는 직류의 정류전압(VA)을 각각 출력한다.

안정화전원회로(1)의 내부구성에 대해 상술하면 다음과 같다. 변압기(1a)는 상용전류로 부터 인가되는 교류전압을 소정의 값으로 강압시키며, 정류회로(1b)는 이 변압기(1a)의 출력을 전파정류하여 직류전압으로 변환시킨다. 콘덴서(1C)는 정류회로( 1b)에서 출력된 직류전압의 리플을 제거하여 정류전압(VA)을 형성한다. 제어용 트랜지스터(1d)는 제너다이오드 (1f)에 의해 발생되는 일정한 제너전압 (VZ3)을 베이스로 받아서 에미터로 정전압[VC(=VZ3-VBE)]을 발생시켜 전원선(10a)에 공급된다.

백업전원(9)은, 릴레이스위치(8)의 턴온에 의해 전원선(10b)에 접속되면 전원선(10b) 및 역전류방지용 다이오드(14)를 통해 메모리(3)에 백업전류를 공급한다.

전원전압검출회로(7)는 안정화전원회로(1)의 출력전압(VA)이 소정의 값 이하로 저하되면 이것을 검지하여 릴레이스위치(8)을 턴온시킨다. 전원전압검출회로(7)의 내부구성에 대해 상술하면 다음과 같다. 즉 안정화전원회로(1)의 출력전압(VA)은 저항(6a,7b)에 의해 분압되고 이 분압전압(VA1)이 비교기(7e)의 비반전 입력단자에 가해진다. 한편, 제너다이오드(7d)에 저항(7c)를 통해 전류를 공급하여 발생시킨 제너전압(VZ1)이 비교기 (7e)의 반전입력단자에 입력된다. 비교기(7e)는 전원선(10a)을 통하여 안정화전원회로(1)로 부터 전원을 공급받아 구동되어 분압전압(VA1)과 제너전압(VZ1)을 비교하는 바, 분압전압(VA1)이 제너전압(VZ1)보다 낮을때는 논리레벨이 “L”인 신호를 출력한다. 이 신호에 의해 전원공급절환스위치(8)가 전원선(10b)측으로 투입된다.

메모리소거신호출력회로(16)는 상용전원의 정전복구시 또는 메모리백업시에 메모리백업전원(9)의 백업전압이 저하되어 있는가 아닌가를 점검하는데, 백업전압의 저하가 감지되면 메모리(3)의 기억내용을 소거시키기 위해 메모리제어회로(4)로 “L”레벨의 메모리소거신호를 출력한다. 그 내부구성에 대해 상술하면 다음과같다. 즉, 제너다이오드(16b)에 저항 (16a)을 통해 전류를 공급함으로써 발생되는 제너전원(VZ2 )이 비교기(16c)의 반전입력단자로 입력되고 또 메모리백업전원(9)의 출력전압(VB)을 저항(16d,16e)에 의해 분압시킨 전압(VB1)이 비교기(16c)의 비반전입력단자에 가해진다. 비교기(16c)는 전원선(10a)을 통하여 안정화 전원회로(1)로부터 전원을 공급받아 구동되는데, 분압전압(VB1)이 제너전압(VZ2)보다 낮을때는 초기화루틴에서 기억내용이 소거되어 논리레벨이 “L”인 메모리소거신호를 메모리제어회로(4)로 출력한다. 메모리소거신호는 발광다이오드(16g)의 드라이버 (16f)에도 공급된다. 드라이버 (16f)는 전원회로(1)로 부터의 전원공급에 의해 작동되는데 메모리소거신호가 “L”레벨일때 발광다이오드 (16g)를 점멸시킴에 의해 사용자에게 백업전원(9)이 소모되었음을 알린다.

리셋신호출력회로(17)는 상기 안정화전원회로(1)의 출력전압이 소정전압에 도달된 것을 검출하면 검출신호를 출력하는 전원전압검출회로(7)의 상기 검출신호를 이용하여 상술한 메모리제어회로(4)에 대한 리셋신호(

)를 발생시킨다.

정전복구, 전원투입시등에 있어서, 상기 안정화전원회로(1)의 정류전압이 상승하여 저항(7a)과 저항(7b)에 의해 분할된 정류전압이 전원검출회로(7)의 비교기(7e)에 의해 제너전압(VZ1)보다 높게 된 것이 검출되면 상기 비교기(7e)의 출력은 “H”레벨로 변화된다.

상기 안정화전원회로(1)의 출력전압의 상승에 따른 상기 비교기(7e)의 출력의 상승에 따라 리셋신호출력회로(17)의 미분회로(18)에서 미분펄스가 형성된다.

이 미분펄스에 트랜지스터(17c)를 도통시켜 시정수회로(15)의 콘덴서(6)의 전하를 방전시키며, 상기 메모리제어회로(4) 리셋시키기 위한 부(-)극성 펄스를 리셋신호출력신호(17)의 상기 트랜지스터(17c)의 콜렉터로 발생시킨다.

그리고 이 부(-)극성펄스는 상기 미분펄스에 의해 도통이 개시되는 상기 트랜지스터(17c)의 도통기간동안 계속 발생되며, 상기 트랜지스터(17c)의 도통이 차단된 후에 상기 시정수회로(15)의 콘덴서(6)의 충전이 개시된다. 이 콘덴서(6)에 대한 충전이 계속되어 충전전압이 상승하여 상기 메모리제어회로(4)에 대한 리셋을 유지시킬 수 있는 전압보다 상승하면 상기 메모리제어회로(4)에 대한 리셋이 해제된다.

즉, 전원전압이 소정전압까지 상승하는 과정에서 안정화전원회로(1)의 출력전압이 상승하면 전원전압검출회로(7)의 비교기(7e)의 출력에 의해 리셋신호출력회로 (17)의 트랜지스터(17c)가 도통되면 메모리제어회로(4)의 리셋단자(

)의 전위가 하강하여 상기 메모리제어회로(4)에 대한 리셋동작이 행해진다.

한편, 이 리셋동작기간은 상기 미분회로(18)를 형성하는 콘덴서(17a)와 저항 (17b)으로 결정되는 시정수에 의존하며 상기 리셋동작후에 소정기간이 경과하면 상기 트랜지스터(17c)가 차단되어 상기 리셋단자(

)의 전위상승에 의해 리셋동작이 해제된다.

메모리제어회로(4)는, 예컨대 마이크로컴퓨터에 의해 구성되며 상기 리셋동작후에 초기화루틴이 실행된다. 이 초기화루틴에서는 메모리제어회로(4)의 메모리소거신호단자(MCL)의 논리레벨을 감시하며, 상기 논리레벨이 초기화루틴에서 “L”레벨인 것이 검출되면 상기 메모리제어회로(4)는 상기 메모리(3)에 대해 그 기억내용을 소거하는 동작을 행한다.

제13도는 시각 to에서 전원이 복구되거나 투입되어 안정화전원회로(1)의 출력전압값이 소정의 값까지 상승하는 과정을 나타낸 각 부분의 전압파형도이다.

제3도를 이용하여 전원전압의 복구에 따른 상기 메모리제어회로(4)의 리셋동작과 초기화루틴에 있어서의 메모리소거동작에 관해 설명한다.

제3도에 있어서, 전원전압이 시각 to에서 복구되면 안정화전원회로(1)의 평활출력인 출력전압( VA)은 제3도a에 나타낸 바와 같이 서서히 상승한다. 이 전압상승에 따라 리셋단자(

)에 접속되어 있는 시정수회로(15)의 콘덴서(6)에 대한 충전이 진행되어 상기 리셋단자(

)의 전위가 상기 콘데서(6)와 저항(5)으로 결정되는 시정수에 따라 상승된다.(제3도 b)

상기 안정화전원회로(1)의 평활전압(VA)이 상승하여 이 평활전압(VA)이 저항(7a)과 저항(7b)에 의해 분압되어

이 되어 제너전압(VZ1)과 같아지면 전원전압검출회로(7)의 출력은 제3도C에 나타낸 것과 같이 고레벨로 변화한다.

전원전압검출회로(7)의 출력단에는 리셋신호출력회로(17)가 접속되어 있는 바, 이 리셋신호출력회로를 구성하는 미분회로(18)에 의해 트랜지스터(17c)의 베이스전위는 제3도d에 나타낸 것과 같이 시각t2에서 상승하고, 이후 상기 미분회로(18)를 구성하는 콘덴서(17a)와 저항(17b)으로 결정되는 시정수에 따라 하강한다.

여기에서 미분회로(8)의 트랜지스터(17c)는 그 베이스전위가 전위(VBE)보다 높은 기간에만 도통되므로 시각t2~t4에 걸쳐 상기 트랜지스터(17c)는 도통을 계속한다. 이 트랜지스터(17c)의 도통기간(시각t2~t4)동안 상기 리셋단자(

)의 레벨은 콘덴서(6)의 충전전하가 방전되기 때문에 저레벨로 유지된다.

이 결과, 메모리제어회로(4)는 t2~t4기간동안 리셋되게 되는데, 이 경우 안정화전원회로(1)의 출력(VA)은 시각t3에서 소정의 값에 도달되므로 시각 t3~t4사이에 메모리제어회로(4)가 리셋되게 된다.

한편, 상기 리셋동안은 메모리제어회로(4)가 전원전압이 규정전위에서 어느 정도 낮을 때에 정상동작을 개시하는가에 의존하므로 시각 t2~t3사이에 리셋되는 경우도 있다.

상기 리셋신호출력회로(17)의 트랜지스터(17c)는 시각 t4이후에 차단상태가 되어 상기 리셋단자(

)의 전위는 시정수회로(15)의 시정수에 따라 상승한다.

그리고 리셋단자(

)의 전위가 상승하여 시각 t5에서 리셋상태를 유지할 수 없게 되면 메모리제어회로(4)의 리셋이 해제된다.

즉, 제3도중 a점(시각 t2)이후에 상기 메모리제어회로(4)는 리셋되고 b점 (시각t5)에서 리셋해제동작이 행해진다.

상기 리셋 및 리셋해제동작이 종료되면 상기 메모리제어회로(4)는 초기화루틴으로 들어가는데 이 초기화루틴에서는 메모리기억내용을 필요에 따라 소거하는 동작을 행한다. 이 초기화루틴에서는 메모리제어회로(4)의 메모리소거단자(

)의 논리레벨을 감시함으로써 저레벨일때는 메모리(3)에 대해 기억내용을 소거하는 동작이 행해진다. 이 메모리소거신호는 소거스위치(12)에 의해 수동으로 발생시킬 수 있으나, 메모리소거신호출력회로(16)에 의해서도 상기 리셋동작후에 상기 메모리제어회로(4)의 초기화루틴중에 자동적으로 발생시킬 수도 있다.

메모리소거신호출력회로(16)에서는, 비교기(16c)에 의해 제너다이오드(16b)에 의한 제너전압(VZ2)과 의한 제너전압(VZ2)과 백업전원(9)의 전압(VB)을 저항 (16d)과 저항(16e)으로 분압시킨 분압전압(VB1)의 전압을 비교하여 상기 메모리소거신호(

)를 발생시킨다.

즉, 백업전원(9)을 구성하는 전지등이 소모되어 규정전압이하로 메모리(3)를 백업하고 있을때는 비교기(16c)의 출력레벨이 저레벨로 유지되어 메모리(3)의 기억내용이 소거된다. 이 경우, 발광다이오드(16g)가 점멸하여 사용자에게 백업전원(9)이 소모되었음을 알린다.

이와는 반대로 백업전원(9)의 백업중일 때의 전압이 규정 전압인 경우에는 상기 비교기(16c)의 출력레벨이 고레벨로 유지되어 상술한 초기화루턴에서 메모리소거동작은 행해지지 않는다.

한편, 초기화루턴중에 소거스위치(12)를 수동으로 누르는 것에 의해서도 상기 메모리(3)의 기억내용을 소거시킬 수 있다.

본 발명의 범위는 상기 실시예에서만 한정되지 않고 여러가지로 변형이 가능하다. 예컨대, 리셋신호출력회로(17)는 제4도에 나타낸 바와 같이 비교기(17e)의 출력을 트리거단자로 받아서 그 출력의 상승엣지(上昇 edge)에 의해 트리거되게 함으로써 일정시간쪽을 일정시간쪽을 갖는 부(-)펄스를 발생시키는 것과 같은 원숏멀티바이브레이터(one shot multi-vibrator; 20)를 이용하거나 제5도에 나타낸 것과 같이 비교기 (17e)의 출력의 상승엣지에 의해 그 출력을 트리거시켜 클럭(21)으로 부터의 펄스를 소정수까지 카운트하고 이 카운트하고 이 카운트동작중에 부(-)신호를 출력하는 리트리거러블카운터(22)를 이용하여 구성하는 것도 가능하다.

[발명의 효과]

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 메모리구동장치에 의하면, 주전원의 투입시나 정전복구시에 있어서의 제어회로의 레셋동작을 확실히 행함으로써 기기의 작용을 정상상태에서 개시시킬 수 있는 메모리구동장치를 구현할 수 있다.

Claims

반도체메모리(3)와, 이 메모리(3)의 동작을 제어하기 위한 회로로서 리셋단자 (
)를 갖추고 있으며 이 단자에 미리정해진 논리레벨의 리셋신호가 인가되면 내부상태를 초기화하는 메모리제어회로(4), 메모리(3) 및 메모리제어회로(4)에 전원을 공급하는 주전원(1)이 구비되어 있는 메모리구동장치에 있어서, 상기 주전원(1)으로 부터의 전원공급전압과 미리 정해진 문턱치전압의 비교를 행하여 상기 전원공급전압이 소정전압에 도달하면 이를 검출하여 검출신호를 출력하는 전압비교수단(7)과, 이 비교수단 (7)으로 부터의 검출 신호에 응답하여 적어도 미리 정해진 길이의 시간구간동안 상기 메모리제어회로(4)의 리셋단자(
)에 상기 리셋신호를 인가하는 리셋수단 (15,17)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
제1항에 있어서, 상기 리셋수단(15,17)이 상기 검출신호에 응답하여 상기 미리 정해진 시간구간만큼 온상태로 되는 스위칭소자(17c)와, 이 스위칭소자(17c)의 온상태중에 상기 리셋신호를 발생시켜 이 스위칭소자(17c)가 턴오프되면 소정의 시정수후에 상기 리셋신호를 해제하는 시정수회로(15)를 구비하여 구성된것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
제1항에 있어서, 상기 리셋수단(17)이 상기 검출신호에 의해 트리거되어 상기 미리 정해진 시간구간만큼 동작되는 원숏멀티바이브레이터(20)와, 이 멀티바이브레이터(20)의 동작중에 상기 리셋신호를 발생시켜, 이 멀티바이브레이터(20)의 동작이 정지되면 소정의 시정수후에 상기 리셋신호를 해제하는 시정수회로(15)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
반도체메모리(3)와, 이 메모리(3)의 동작을 제어하기 위한 회로로서 리셋단자 (
)를 갖추고 있으며 이 단자에 미리정해진 논리레벨의 리셋신호가 인가되면 내부상태를 초기화하는 메모리제어회로(4), 메모리(3) 및 메모리제어회로(4)에 전원을 공급하는 주전원(1)이 구비된 메모리구동장치에 있어서, 상기 주전원(1)으로 부터의 전원공급전압과 미리 정해진 문턱치전압의 비교를 행하여 상기 전원공급전압이 소정전압에 도달하면 이를 검출하여 검출신호를 출력하는 전압비교수단(7)과, 상기 비교수단(7)으로 부터의 검출신호에 응답하여 적어도 미리 정해진 길이의 시간구간동안 상기 메모리제어회로(4)의 리셋단자(
)에 상기 리셋신호를 인가하는 리셋수단(15,17), 상기 주전원(1)의 정전시에 상기 메모리(3)에 전원을 공급하기 위한 백업전원(9), 상기 주전원(1)으로 부터의 전원공급에 의해 동작되며 상기 백업전원(9)의 소모를 검출하여 소모검출신호를 발생하는 수단(16)이 구비되어 있으며, 상기 메모리제어회로(4)는 또한 메모리소거단자(
)를 갖추고 있는바, 상기 리셋신호를 받았을 때에 이 메모리소거단자(
)에 상기 소모검출신호가 인가되면 상기 메모리(3)의 소거를 행하는 것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
제4항에 있어서, 상기 소모검출신호를 받아 상기 백업전원(9)의 소모를 알리기 위한 가시표시를 행하는 수단(16f,16g)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
반도체메로리(3)와, 이 메모리(3)의 동작을 제어하기 위한 회로로서 리셋단자 (
)를 갖추고 있으며 이 단자에 제1논리레벨의 신호가 인가되면 내부상태를 초기화하는 메모리제어회로(4), 메모리(3) 및 메모리제어회로(4)에 전원을 공급하는 주전원 (1)이 구비된 메모리구동장치에 있어서, 상기 주전원(1)의 출력전압을 받아 상기 출력전압의 상승시에 미리 정해진 시정수에 따른 속도로 상기 제1논리레벨에서 제2논리레벨로 변화는 신호를 생성하여 상기 리셋단자(
)에 인가하는 제1리셋수단(15)과, 상기 주전원(1)의 출력 전압을 미리 정해진 문턱치전압과 비교하는 비교수단(7), 이 비교수단(7)의 출력신호에 응답하여 미리 정해진 길이의 시간구간동안 상기 제1리셋단자 (15)의 출력신호를 강제적으로 상기 제1논리레벨로 유지시키는 제2리셋수단(17)이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리구동장치.
반도체메모리(3)의 동작을 제어하기 위한 회로로서, 리셋단자(
)를 갖추고 있으며 이 단자에 미리 정해진 논리레벨의 리셋신호가 인가되면 내부상태를 초기화하는 메모리제어회로(4)를 이용한 메모리구동방법에 있어서, 상기 주메모리(3) 및 메모리제어회로(4)로 공급되는 전원전압과 미리 정해진 문턱치전압을 비교하여 상기 전원공급전압이 소정전압에 도달하면 이를 검출하여 검출신호를 출력하는 과정과, 상기 검출신호에 응답하여 적어도 미리 정해진 길이의 시간구간동안 상기 메모리제어회로(4)의 리셋단자(
)에 상기 리셋신호를 인가하는 과정이 갖추어져 있는 것을 특징으로 하는 메모리구동방법.