KR930000513B1 - 반도체 시험장치 - Google Patents

반도체 시험장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930000513B1
KR930000513B1 KR1019900005123A KR900005123A KR930000513B1 KR 930000513 B1 KR930000513 B1 KR 930000513B1 KR 1019900005123 A KR1019900005123 A KR 1019900005123A KR 900005123 A KR900005123 A KR 900005123A KR 930000513 B1 KR930000513 B1 KR 930000513B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
semiconductor
flip
signal
flop
Prior art date
Application number
KR1019900005123A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910018809A (ko
Inventor
배정환
Original Assignee
금성일렉트론 주식회사
문정환
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 금성일렉트론 주식회사, 문정환 filed Critical 금성일렉트론 주식회사
Priority to KR1019900005123A priority Critical patent/KR930000513B1/ko
Publication of KR910018809A publication Critical patent/KR910018809A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930000513B1 publication Critical patent/KR930000513B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 시험장치
제1도는 종래 반도체 시험장치의 구성도.
제2도는 종래 장치에서의 제어신호 타이밍 챠트도.
제3도는 본 발명에 따른 반도체 시험장치의 구성도.
제4도는 본 발명에 따른 시험장치 제어회로도.
제5도는 본 발명에서의 제어신호 타이밍 챠트도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 테스터 1a : 시험장치 제어부
1b : 시험용 신호발생 및 측정부 2, 2' : 반도체IC
2a : 릴레이부 3 : 버터
4, 4' : 시험시작요청 스위칭 5, 5' : 시험진행중 표시등
6, 6' : 양품 표시등 7, 7' : 불량품 표시등
8~14 : D플림플롭 15 : J, K플립플롭
16 : 멀티바이브레이터 17~22 : 릴레이
23 : 앤드게이트 24, 25 : 낸드게이트
본 발명은 반도체 시험장치에 관한 것으로 특히 반도체 시험시 시험장치에 관련된 조작시간을 줄여 반도체 시험의 생산성을 향상시킬 수 있도록한 반도체 시험장치에 관한 것이다.
종래의 반도체 시험장치는 전기적 특성이 시험 측정되는 반도체IC(2)의 입출력 단자들이 각각 테스터(1)의 시험신호 발생 및 측정부(1b)로 연결되어 있고 테스터(1)의 시험장치 제어부(1a)에는 시험장치 제어신호 라인(Line)들이 연결되고 4비트의 시험장치 제어신호에는 각각 5V전원을 입력으로 받는 버퍼(3)의 출력과 저항을 통해 시험시작 요청 스위치(4)와 시험 진행중을 표시하는 표시등(5)과 양품 판정 표시등(6) 및 불량품 판정 표시등(7)이 연결되는 구성이다.
상기 구성장치의 동작 상태를 설명하면, 시험자가 시험시작 요청 스위치(4)를 누르면 액티브 로우(Active Low) 신호(제2도의 (a))가 테스터(1)에 전달되어 컴퓨터 작동에 의한 시험이 시작되고 시험장치 제어부(1a)는 시험중이라는 액티브 하이(Active high)신호(제2도(b))를 시험장치로 보내 시험 진행중 표시등(5)이 “온”된다.
테스터(1)에 의하여 반도체IC가 시험 완료되면 시험결과에 따라 양품이면 테스터(1)는 양품 표시등(6)에 “로우”신호(제2도(c))를 보내 “온”시키고 불량품이면 불량품 표시등(7)에 “로우”신호(제2도(d))를 보내 “온”시킨후 시험진행중 표시신호도 로우(Low)로 바뀌어 시험 진행중 표시등(5)이 “오프”된다. 많은 반도체 제품에 대하여 시험을 계속하기 위하여 시험 완료된 반도체IC를 제거하고 새로운 반도체IC를 장착후 시험시작 스위치(S1)를 누르면 시험결과 표시등(양품표시등/불량품표시등)은 모두 “오프”되고 테스터에 의한 시험이 상기에 설명된 진행순서를 반복하게 된다.
그런데 상기 종래의 반도체 시험장치에서는 대략의 반도체 제품을 시험시 한개의 제품에 대한 시험이 완료되고 나서 새로운 제품을 시험하기 위하여 선행 시험 완료된 제품을 시험장치로 부터 제거하고 새로운 제품을 장착시킨후 다시 시험해야 하기 때문에 많은 시간이 소요되는 단점이 있었다.
본 발명은 이러한 단점을 해결하기 위해 안출된 것으로 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명에 따른 반도체 시험장치로서 그 구성을 보면, 2개의 반도체IC (2, 2')의 각 입출력단자가 릴레이부(2a)의 각 릴레이를 각각 통하여 테스터(1)와 연결되고 테스터(1)는 시험시작 신호를 받아 양품, 불량품 및 시험 종료신호를 출력하고 반도체IC(2)의 입출력단에 연결된 각 릴레이(2a)에는 신호 A가 연결되고 반도체IC(2')의 입출력단에 연결된 릴레이(2a)에는 신호 B가 연결되는 구성이다.
제4도는 본 발명의 반도체 시험장치 제어회로로서 그 구성을 보면, 일측이 저항을 통해 각각 접지되는 시험 시작 스위치(4, 4')의 각 다른 일측은 각각 전원(5V)과 연결되어 듀얼 JㆍK플립플롭(듀얼 JㆍK플립플롭)(15)의 클리어단(CLR1, CLR2)에 각각 연결되고, JㆍK플립플롭(15)의 출력(Q1)은 낸드게이트(24)의 일측입력과 D플립플롭(11, 12)의 클럭단(CLK)에 공통 연결되고, JㆍK플립플롭(15)의 출력(Q2)은 낸드게이트(25)의 입력과 D플립플롭(13, 14)의 클럭단(CLK)에 동시 연결되고 D플립플롭(11)의 출력(Q)은 반도체IC(2)의 양품표시등(6)을 통해 출력되고 D플립플롭(11)의 클리어단자 (CLR)에는 릴레이(17)의 스위치를 통해 양품 제어신호가 인가되고 D입력단으로는 5V전원이 인가되고 D플립플롭(12)의 출력(Q)은 반도체IC(2)의 불량품 표시등(7)을 통해 접지되고 D플립플롭(12)의 클리어단자(CLR)에는 릴레이(18)의 스위치를 통해 불량품 제어신호가 인가되고 D입력단에는 5V전원이 인가되며 D플립플롭 (13)의 출력(Q)은 반도체IC(2')의 양품 표시등(6')을 통해 접지되고 D플립플롭(13)의 클리어단자(CLR)에는 릴레이(19)스위치를 통해 양품 제어신호가 인가되고 D입력에는 5V전원이 인가되며 D플립플롭(14)의 출력(Q)은 반도체IC(2')의 불량품 표시등 (7')를 통해 접지되고 D플립플롭 (14)의 클리어단자(CLR)에는 릴레이(20)를 통해 불량품 제어신호가 인가되고 D입력단에는 5V전원이 인가된다.
그리고 낸드게이트(24, 25)의 각 다른 일측 입력에는 D플립플롭(10)의 출력 (Q)이 인가되고 D플립플롭(10)의 D입력에는 5V전원이 인가되고 클럭단자(CLK)에는 시험 종료신호가 인가되고 클리어단자(CLR)에는 멀티바이브레이터(16)의 출력(Q)인 시험시작신호(10ms)가 인가되고 낸드게이트(24, 25)의 각 출력은 앤드게이트(23)의 양측 입력이 되는 동시에 D플립플롭(8, 9)의 각 클리어단자(CLR)에 각각 인가되고 D플립플롭(8, 9)의 각 D입력에는 5V전원이 인가되며 D플립플롭(8, 9)의 출력(Q)은 시험진행 표시등(5, 5')을 각각 통해 접지되고 D플립플롭(8)의 출력(Q)은 릴레이(17, 18, 21)코일의 접속점과 접속되어 신호 A를 발생하고 D플립플롭(9)의 출력(Q)은 릴레이(19, 20, 22)코일의 접속점과 접속되어 신호 B를 출력하며, 멀티바이브 레이터 (16)의 A단자에는 앤드게이트 (23)의 출력이 인가되고 B단자에는 5V전원이 인가되는 구성이다.
상기에서 설명된 제3도와 제4도에서 그 동작 상태를 설명하면, 시험자가 먼저 반도체IC(2)장착부분에 시험할 IC(2)를 장착하고 시험시작 요청스위치(4)를 누르면 D플립플롭(8)의 출력(Q)의 “로우”로 되어 반도체IC(2)에 연결되므로 반도체IC(2)에 연결된 릴레이(2a)이 모든 릴레이는 닫히게 되어 테스터(1)와 시험회로를 구성하게 되며, D플립플롭(8)의 출력(Q)은 “하이”로 되어 반도체IC(2)의 시험진행표시등(5)을 “온”시켜 반도체IC(2)가 시험되고 있음을 알려준다. 시험자는 반도체IC(2)의 시험기간동안 반도체IC(2')장착 부분에 새로운 IC(2')를 장착하고 반도체IC(2)의 시험이 완료되기를 기다린다.
반도체IC(2)의 시험이 완료된후 테스터(1)로 부터 시험결과 신호를 받아 양품/불량품 표시등(6, 7)을 선택하여 동작시키고 동시에 반도체IC(2)에 연결된 릴레이를 열어 반도체IC(2)의 시험회로를 개방시킨다. 시험자가 반도체IC(2')의 시험시작 요청스위치(4')를 누르면 D플립플롭(9)의 출력(Q)의 “로우”로 되어 반도체IC(2') 연결된 릴레이부(2a)의 모든 릴레이가 작동되어 테스터(1)와 반도체IC(2')의 시험회로를 구성하게 되며, D플립플롭(9)의 출력(Q)이 “하이”로 되어 반도체IC(2')의 시험진행표시등 (5')이 “온”되어 반도체IC(2')가 시험되고 있음을 알려준다. 동시에 D플립플롭(11, 12)의 클럭단자(CLK)가 신호를 받아 반도체IC(2)의 시험결과 표시등(6, 7)을 “오프”시킨다.
반도체IC(2')가 시험되고 있는 동안 반도체IC(2)장착 장치에서 시험완료된 IC를 제거하고 다시 새로운 IC를 장착시키고 반도체IC(2')의 시험이 완료되기를 기다린다. 반도체IC(2')의 시험이 완료된후 테스터(1)로 부터 시험결과신호를 받아 반도체IC (2')의 양품/불량품 표시등(6', 7')을 작동시키며 D플립플롭(9)의 클럭단자(CLK)가 신호를 받고 D플립플롭(9)의 출력(Q)이 “하이”로 되어 반도체IC(2')에 연결된 모든 릴레이가 개방되어 반도체IC(2')이 시험회로가 개방된다. 또한 D플립플롭(9)의 출력 (Q)도 “로우”로 되어 반도체IC(2')의 시험중 표시등(5')도 “오프”되어 반도체IC (2')가 시험완료되었음을 알려준다.
상기 동작을 반복하여 다량의 IC반도체를 시험할 수 있다.
따라서 본 발명은 한개의 IC를 시험한후 다음 IC를 시험회로에 장착시키기 위한 시간을 단축시켜 시험생산성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 컴퓨터 제어 시험장비인 테스터(1)와 병렬로 장착된 2개의 측정용 IC(2, 2')와, 상기 측정용 반도체IC(2, 2')와 테스터(1)사이의 신호선들을 시험장치 제어회로에서의 제어신호(A,B)에 따라 개방 또는 폐쇄시키기 위해 반도체IC(2,2')의 각 입출력단자에 연결된 릴레이부(2a)를 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치.
  2. 제1항에 있어서, 시험장치 제어회로는 각 반도체IC(2,2')의 시험시작 요청 스위치(4,4')와, 상기 시험시작 요청 스위치(4)가 눌러졌을때 측정용 반도체IC(2)릴레이 구동신호(A)를 출력하여 측정용 IC(2)에 연결된 릴레이를 동작시키고 반도체IC(2)의 시험 진행 표시등(5)을 동작시키는 D플립플롭(8)과, 상기 시험시작 요청스위치(4')가 눌러졌을때 릴레이 구동신호(B)를 출력하여 측정용 반도체IC(2')에 연결된 릴레이를 구동시키고 반도체IC(2')의 시험 진행표시등(5')을 동작시키는 D플립플롭(9)과, 상기 테스터(1)로 부터 반도체IC(2)의 시험결과 신호를 받아 측정용 반도체IC(2)의 양품/불량품 표시등(6, 7)을 선택 동작시키는 D플립플롭(11, 12)과, 상기 테스터(1)로 반도체 IC(2')의 시험결과 신호를 받아 측정용 반도체IC(2')의 양품/불량품 표시등(6, 7)을 선택 동작시키는 D플립플롭(13, 14)과, 상기 D플립플롭(11~14)의 각 클리어단자 (CLR)에 각 시험결과 신호를 인가하는 릴레이(17~20)와, 시험종료 신호를 받아 상기 릴레이(17~19)로 인가하는 릴레이(21, 22)와, 시험시작 신호를 클리어단자(CLR)를 인가받고 시험종료신호를 클럭단자(CLK)로 인가받고 그 출력을 JㆍK플립플롭(15)의 출력(Q1, Q2)을 각 일측 입력으로 인가받는 낸드게이트(24, 25)의 입력으로 인가하는 D플립플롭(10)과, 상기 낸드게이트(24, 25)의 각 출력을 양측입력으로 받는 앤드게이트(23)의 출력과 전원(5V)을 입력으로 받아 시험시작신호를 출력하는 멀티바이브 레이터(16)와, 전원(5V)을 클리어단과 클럭단으로 인가받고 그 출력을 낸드게이트(24, 25)의 각 입력으로 인가하는 JㆍK플립플롭(15)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치.
KR1019900005123A 1990-04-13 1990-04-13 반도체 시험장치 KR930000513B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005123A KR930000513B1 (ko) 1990-04-13 1990-04-13 반도체 시험장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900005123A KR930000513B1 (ko) 1990-04-13 1990-04-13 반도체 시험장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910018809A KR910018809A (ko) 1991-11-30
KR930000513B1 true KR930000513B1 (ko) 1993-01-21

Family

ID=19297967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900005123A KR930000513B1 (ko) 1990-04-13 1990-04-13 반도체 시험장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930000513B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100568852B1 (ko) * 1999-03-12 2006-04-10 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 병렬 테스트 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR910018809A (ko) 1991-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930000513B1 (ko) 반도체 시험장치
KR940006230A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 기능시험방법
CN101968502B (zh) 一种利用测试针床测试tcp驱动芯片的方法
JP2000065890A (ja) Lsiテストシステム
JPH11190760A (ja) 半導体試験装置
KR100230492B1 (ko) 입/출력 핀 전자 회로
JPH07159493A (ja) 半導体デバイスの検査方法
KR960005097B1 (ko) 반도체 집적회로(ic) 장치의 검사장치
US6690154B2 (en) High-frequency tester for semiconductor devices
KR880001112Y1 (ko) 종합성능 측정기의 제어회로
CN220709271U (zh) 一种继电保护装置的测试系统
JPH02105452A (ja) 半導体集積回路の出力回路
JPH0675015A (ja) パターン信号発生器に同期したac測定電圧印加回路
JPH05264650A (ja) バーンインボード試験装置
KR20100024678A (ko) 반도체칩 테스터용 프로브 카드와 이를 사용하는 테스터 및그 테스터를 이용한 반도체칩의 검사방법
JP2006038791A (ja) プローバ針切り換え装置、プローバ装置および半導体素子測定方法
KR960006203Y1 (ko) 집적소자테스터의 측정신호 발생회로
SU1287053A1 (ru) Устройство дл автоматического контрол правильности монтажа и сопротивлени изол ции жгутов
SU849154A1 (ru) Устройство дл измерени временныхпАРАМЕТРОВ элЕКТРОМАгНиТНОгО РЕлЕ
KR960042086A (ko) 전기 · 전자 부품소자의 품질검사 및 검사데이터 관리시스템
KR930006962B1 (ko) 반도체 시험방법
KR970007090Y1 (ko) 집적소자의 시험장치
KR950023194A (ko) 전전자 교환기 선로시험모듈 범용시험장치 및 그 방법
KR890004305B1 (ko) 액정표시 소자 검사장치
KR930010559A (ko) 아이씨 시험 접속 제어회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021223

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee