KR920022635A - 비틀림 액튜에이터(twisting actuators) - Google Patents

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KR920022635A
KR920022635A KR1019920009303A KR920009303A KR920022635A KR 920022635 A KR920022635 A KR 920022635A KR 1019920009303 A KR1019920009303 A KR 1019920009303A KR 920009303 A KR920009303 A KR 920009303A KR 920022635 A KR920022635 A KR 920022635A
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월터 컬프 고오든
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헤리 비. 필드
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Abstract

내용 없음.

Description

비틀림 액튜에이터(twisting actuators)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 탄젠터(tangenter) 이형의 사시도,
제2도는 리프터 스택(lifter stack)의 사시도,
제3도는 실리어(cylier)의 사시도,
제4도는 실모프(cylmorph)의 사시도,
제5도는 스페어리어(spherier)의 사시도,
제6도는 스페어모프(sphermorph)의 사시도,
제7도는 트위스터(twister)의 사시도,
제8도는 트위스모프(twismorph)의 사시도,
제9도는 토시어(torsier)의 사시도,
제10도는 토모프(tormorph)의 사시도,
제11도는 티터(teeter)의 사시도,
제12도는 티모프(teemorph)의 사시도,
제13도는 스윙거(swinger)의 사시도,
제14도는 스윙모트(swingmorph)의 사시도,
제15도는 실리어 반응의 사시도,
제16도는 트위스터 반응의 사시도,
제17도는 토시어 반응의 사시도,
제18도는 티터 반응의 사시도,
제19도는 스윙거 반응의 사시도,
제19도는 스윙거 반응의 사시도,
제20도는 물체의 반응을 세트하기 위해 입사 에너지를 받는 제작동안에 형태적 회전 변환기 세그먼트(segment)을 설명하는 개략도,
제21도는 두개의 탄젠터와 한개의 트위스터를 가지는 변환기 세그먼트 스택의 사시도,
제22도는 하나의 리프터, 하나의 탄젠터 및 하나의 티터를 가지는 변환기 세그먼트 스택의 사시도,
제23도는 복합 가속도계를 구성하기 위해 포함된 하나의 리프터, 두개의 탄젠터, 두개의 티터, 하나의 트위스터 및 위치 센서(sensor)스택의 사시도,
제24도는 하나의 허브(hub)축과 12개의 비틀림 작동기와 함께 디스크로 구성되는 모터의 사시도,
제25도는 비틀림 작동기를 가지는 광학요소의 사시도.

Claims (43)

  1. 반응 벡터를 가지는 전극형성 물질의 한개의 얇은 층, 출력표면과 정상표면, 그리고 얇은 층에 부착된 전력의 수용 접속으로 구성되는 변환기에 있어서, 힘이 상기 출력표면 강력한 회전에 상기 벡터에 의해 변환되는 변환기.
  2. 제1항에 있어서, 반응 벡터들은 반응 표면이 뒤틀림 없이 회전하는 만큼 분배되는 변환기.
  3. 제1항에 있어서, 반응 벡터들이 점에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서, 반응크기는 상기 점으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변환하는 변환기.
  4. 제1항에 있어서, 반응 벡터들이 축에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서, 반응크기는 상기 축으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하는 변환기.
  5. 제1항에 있어서, 반응 벡터가 점에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서 반응 크기는 상기 점으로 부터 방사상 길이의 함수로서 상수이고, 전기영향은 상기 점으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하는 변환기.
  6. 제1항에 있어서, 반응 벡터는 축에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서 반응키기는 상기 축으로 부터 방사상 길이의 함수로서 상수이고 전기 영향은, 상기 축으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하는 변환기.
  7. 제1항에 있어서, 반응벡터는 점에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서 반응 크기는 상기 점으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하고, 전기영향은 상기 점으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하는 변환기.
  8. 제1항에 있어서, 반응 벡터는 축에 대해 고리형으로 분배되는 변환기로서 반응 크기는 상기 축으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하고, 전기영향은 상기 축으로 부터 방사상 길이의 함수로서 변화하는 변환기.
  9. 제1항에 있어서, 반응 벡터가 축에 대해 굽어서 분배된 변환기.
  10. 제1항에 있어서, 전력에 예민한 접속이 출력표면과 정상표면에 위치된 전극인 변환기.
  11. 제10항에 있어서, 얇은 층 두개는 그것 사이에 공통 전극을 가지는 스택된 변환기.
  12. 제1항에 있어서, 얇은 층은 원통의 섹션(section)인 변환기로서 반응벡터는 상기 원통의 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  13. 제11항에 있어서, 얇은 층이 원통의 축에 섹션인 변환기로서 반응 벡터가 상기 원통에 대한 반지름에 고리형으로 분배된 변환기.
  14. 제1항에 있어서, 얇은 층이 구의 섹션인 변환기로서, 반응벡터가 구의 중심에 대한 반지름에 고리형으로 분배된 변환기.
  15. 제11항에 있어서, 얇은 층이 구의 섹션인 변환기로서, 반응벡터가 구의 중심에 대한 반지름에 고리형으로 분배된 변환기.
  16. 제1항에 있어서, 얇은 층은 편평한 출력 표면과 정지 표면을 갖는 변환기로서 반응 벡터가 상기 표면에 수직이고 상기 얇은 층의 중심을 통하는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배된 변환기.
  17. 제11항에 있어서, 얇은 층은 편평한 출력표면과 정상표면을 갖는 변환기로서 반응벡터가 상기 표면에 수직이고 상기 얇은 층을 통하는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  18. 제1항에 있어서, 얇은 층이 편평한 출력표면과 정상 표면을 갖는 변환기로서 반응벡터가 상기 표면에 수직 상기 얇은 층 본체로 부터 거리를 두고 있는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  19. 제11항에 있어서, 얇은 층이 편평한 출력표면과 장상 표면을 갖는 변환기로서 반응 벡터가 상기 표면에 수직인 축은 상기 얇은 층의 본체로 부터 거리를 두고 있는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  20. 제1항에 있어서, 얇은 층이 편평한 출력표면과 정상 표면을 갖는 변환기로서 한 표면위 축에 대해 상기 얇은 층으로 하여금 흔들리게 하는 반응 벡터가 표면에 평행한 상기 얇은 층 본체로 부터 거리를 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  21. 제11항에 있어서, 얇은 층이 편평한 출력표면과 정상표면을 갖는 변환기로서 각각 얇은 층의한 표면위 축에 대해 상기 얇은 층으로 하여금 흔들리게 하는 반응벡터가 표면에 평행한 얇은 층 본체로 부터 거리를 두고 있는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  22. 제1항에 있어서, 얇은 층은 편평한 출력표면과 정상표면을 갖는 변환기로서 반응벡터가 표면에 평행한 얇은 층 본체로 부터 거리를 두고 있는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  23. 제11항에 있어서, 얇은 층이 편평한 출력표면과 정상표면을 갖는, 변환기로서 반응 벡터가 표면에 평행한 얇은 층 본체로 부터 거리를 두고 있는 축에 대한 반지름에 고리형으로 분배되는 변환기.
  24. 리프터와 트위스터를 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터.
  25. 리프터와 토시어를 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터.
  26. 리프터, 탄젠터 및 티터를 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터.
  27. 리프터하나, 다른 것에 수직으로 작용하는 적어도 2개의 탄젠터, 하나의 트위스터, 및 서로에 수직으로 작용하는 적어도 2개의 티터를 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터로서 자유도 6으로 물체를 움직이고 이동하고 위치할 수 있는 액튜에이터.
  28. 트위스터 1개와 서로에 수직으로 작용하는 적어도 2개 탄젠터를 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터.
  29. 선형 병진운동 얇은 층과 회전 병진운동 얇은 층을 가지는 스택으로 구성되는 액튜에이터.
  30. 허브(hbu)축과, 하나의 리프터와 하나의 토시어를 가지는 액튜에이터, 상기 액튜에이터가 상기 축으로 부터 반지름에 상기 디스크에 인접해 배치된 액튜에이터 지지하우징이 있는 디스크로 구성되며 토시어는 축으로 부터 위치되는 반지름에 갖추어진 반지름에서 작용하고 상기 액튜에이터는 디스크를 사용하고 상기 디스크에 각력(angular force)을 제공하며 액튜에이터 활성을 위한 제어기로 구성되는 모터.
  31. 제30항에 있어서, 액튜에이터가 디스크를 사용하기 위해 이동 운동을 쓰는 모터.
  32. 제31항에 있어서, 액튜에이터가 유연한 이동 운동을 쓰는 모터.
  33. 모두 3개가 서로 수직으로 작용하는 하나의 티터와 적어도 2개의 탄젠터, 그리고 모두 3개가 서로 수직으로 작용하는 하나의 트위스터와 적어도 2개의 티터로 스택을 갖는 적어도 3개의 액튜에이터로 상기 액튜에이터는 하우징에 의해 지지되고, 이동되고 위치되는 물체에 인접해 위치되며 각각의 액튜에이터가 자유도 6으로 물체를 이동하고 위치할 수 있으며 액튜에이터를 활성화하기 위해 제어기로 구성되는 물체 포지셔너(positioner).
  34. 제33항에 있어서, 액튜에이터가 디스크를 사용하기 위해 이동 운동을 쓰는 모터.
  35. 제34항에 있어서, 액튜에이터가 유연한 이동 운동을 쓰는 모터.
  36. 제33항에 있어서, 제어기에 위치 정보를 보내는 액튜에이터 각각 얇은 층에 위치센서가 있는 모터.
  37. 제30항에 있어서, 제어기에 위치 정보를 보내는 작동기의 얇은 층에 위치 센서가 있는 모터.
  38. 모두 3개의 서로 수직으로 작용하는 하나의 리프터와 적어도 2개의 탄젠터, 모두 3개가 서로 수직으로 작용하는 하나의 트위스터와 적어도 2개의 티터를 갖는 액튜에이터스택, 액튜에이터 스택이 부착된 곳에 지지, 스택의 선형이나 각 운동을 검출하고 컴퓨터에 상기 운동을 가리티는 신호를 보내기 위해 적어도 6개의 위치센서, 정지 위치의 뒤로 액튜에이터 스택을 위치하기 위해 액튜에이터 스택의 얇은 층들에 신호를 보내는 컴퓨터, 얇은 층위에 가속력의 측정인 정지 위치에서 그것에 스택의 각각 얇은 층을 되돌리기 위해 요구된 전류, 스택의 각각 얇은 층에 보내진 전류에 데이타를 모오고 가속력을 계산하는 컴퓨터로 구성되는 가속도계.
  39. 제38항에 있어서, 위치 센서가 스택에 인접한 층계에 위치된 양자 테넬링 전극인 가속도계.
  40. 운동의 결합이 3개의 선형 운동자유도를 설명할 수 있는 다른 것에 각각 수직으로 작용하는 적어도 3개의 선형 작용 변환기 얇은 층과 운동의 결합이 3개의 각 운동 자유도를 설명할 수 있는 다른 것에 각각 수직으로 작용하는 적어도 3개의 각 작용 변환기 얇은 층을 갖는 액튜에이터, 스택, 액튜에이터 스택이 부착된 것에 지지, 컴퓨터에 상기 운동을 가리키는 신호를 보내고 스택의 어떤 선형이나 각 운동을 가리키는 신호를 보내고 스택의 어떤 선형이나 각 운동을 검찰하기 위해 적어도 6개의 위치센서, 정지 위치의 뒤로 액튜에이트 스택을 위치하기 위해 작동기 스택의 얇은 층들에 신호를 보내는 컴퓨터, 얇은 층에 가속력의 측정인 정지 위치에 스택의 각각 얇은 층을 되돌리기 위해 요구된 전류, 스택의 각각 얇은 층에 보내진 전류에 데이타를 수집하고, 가속력을 계산하는 컴퓨터로 구성되는 가속도계.
  41. 전극 형성물질의 얇은 층을 가지는 변환기, 얇은 층이 상기 얇은 층에 의해 체험된 가속도에 비례하는 전력의 적용에 의해 정지를 유지하는 곳에서의 위치센서, 위치센서로 부터 데이타를 받고 얇은 층에 전류의 고유양을 보내기 위해 그리고 얇은 층의 가속도를 계산하기 위해 전류 데이타를 수집하고 분석하는 컴퓨터로 구성되는 가속도계.
  42. 제41항에 있어서, 측정되는 각각 가속력 자유도에 대해 얇은 층과 위치 센서가 있는 가속도계.
  43. 전력의 적용에 의해 정지로 지켜질 수 있는 전극형성 물질의 얇은 층을 가지는 변환기의 이용, 가속력에 인해 얇은 층 위치에 반응하는 위치 센서를 가지는 변환기 이용, 얇은 층 정지를 지키기 위해 요구된 전류를 측정하고, 및 가속도를 계산으로 구성되는 가속도 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920009303A 1991-05-31 1992-05-29 비틀림 액튜에이터(twisting actuators) KR920022635A (ko)

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