JP3023158B2 - 機械電気的変位変換器 - Google Patents
機械電気的変位変換器Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般に物体の変位若しくは位置を検出する装
置に関するもので、更に詳細には物体の変位と位置の物
理的測定値をこうした測定値を表わす電気信号に変換す
る可撓的な可動バンド又は他の可動素子を利用する装置
に関するものである。
置に関するもので、更に詳細には物体の変位と位置の物
理的測定値をこうした測定値を表わす電気信号に変換す
る可撓的な可動バンド又は他の可動素子を利用する装置
に関するものである。
各種の機械的及び電気−機械的システムの作動におい
て、システムの一部の素子若しくはシステムの一部分を
構成しない箇所の物体の位置及び変位を監視する必要が
ある。例えば、ロボット・システム（この使用技術が劇
的に増加している）、アーム、指部又は他の把持素子等
といったシステムの各種構成部品の運動と位置を監視し
制御することがほぼ常時必要である。こうした監視と制
御はロボット・システムの機能実施にあたり要求される
巧妙さと精度を生み出す。
て、システムの一部の素子若しくはシステムの一部分を
構成しない箇所の物体の位置及び変位を監視する必要が
ある。例えば、ロボット・システム（この使用技術が劇
的に増加している）、アーム、指部又は他の把持素子等
といったシステムの各種構成部品の運動と位置を監視し
制御することがほぼ常時必要である。こうした監視と制
御はロボット・システムの機能実施にあたり要求される
巧妙さと精度を生み出す。
位置と変位を検出する先行技術の機構は最もしばしば
位置若しくは変位を監視すべき物品又は物体と一部の形
式のゲージ、針又は他の可視インジケーターの間の直接
的接続を利用している。
位置若しくは変位を監視すべき物品又は物体と一部の形
式のゲージ、針又は他の可視インジケーターの間の直接
的接続を利用している。
従って、物品又は物体の運動はゲージ又は針の対応す
る運動を生ぜしめよう。期待される如く、こうした機構
は典型的には大型でかさばり、監視機能実施にあたり精
度が劣る。更に、測定機構の一部の部品の一部の形式の
摺動作動が含まれているので、摩擦が生じ、これは勿論
摩耗につながる。
る運動を生ぜしめよう。期待される如く、こうした機構
は典型的には大型でかさばり、監視機能実施にあたり精
度が劣る。更に、測定機構の一部の部品の一部の形式の
摺動作動が含まれているので、摩擦が生じ、これは勿論
摩耗につながる。
位置と変位を測定する電子装置が最近相当使用される
ようになっており、少なくとも部分的に先行技術の機構
のかさばることと不正確な問題は解決されたが、一部の
装置は設計上複雑でこうした複雑性の結果、全般的に信
頼性に欠ける。又、接触による摩擦と付随する摩耗が全
般的に残った。
ようになっており、少なくとも部分的に先行技術の機構
のかさばることと不正確な問題は解決されたが、一部の
装置は設計上複雑でこうした複雑性の結果、全般的に信
頼性に欠ける。又、接触による摩擦と付随する摩耗が全
般的に残った。
本発明の目的は要素又は物品の位置と運動を測定する
簡単で効率的且つ信頼出来る装置を提供することにあ
る。
簡単で効率的且つ信頼出来る装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的はコンパクトで可動部品の少ない装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明の他の目的は摺動する構成要素と摩擦を発生す
る要素の必要性を無くす装置を提供することにある。
る要素の必要性を無くす装置を提供することにある。
本発明の他の目的は半導体及び集積回路との併用に適
している装置を提供することにある。
している装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は装置の少なくとも一部分に対
し慣用的な集積回路組立て技術を利用して作成可能な装
置を提供することにある。
し慣用的な集積回路組立て技術を利用して作成可能な装
置を提供することにある。
本発明の前掲の目的と他の諸目的は物体の位置と運動
を測定するよう適合した変位測定装置の１つの特定の例
示的実施態様で実現される。変位測定装置には表面領域
に対するバンド素子の近接度の変動に応じて値の変化す
る電気的出力信号を発生するよう少なくとも１つの表面
領域が形成された検出器（又は複数個の検出器）と、バ
ンドの少なくとも一部分が選択的に物体移動時における
表面領域の少なくとも一部分上方で転動し、上方から被
覆し若しくは非転動し且つ非被覆するよう表面領域と近
接して配設された延在する可撓性バンドが含まれる。バ
ンドを検出器の表面領域上に転動させ又は表面領域上方
から非転動させる物体の運動と位置はこうして検出器
（又は複数個の検出器）により発生される電気信号で決
定される。
を測定するよう適合した変位測定装置の１つの特定の例
示的実施態様で実現される。変位測定装置には表面領域
に対するバンド素子の近接度の変動に応じて値の変化す
る電気的出力信号を発生するよう少なくとも１つの表面
領域が形成された検出器（又は複数個の検出器）と、バ
ンドの少なくとも一部分が選択的に物体移動時における
表面領域の少なくとも一部分上方で転動し、上方から被
覆し若しくは非転動し且つ非被覆するよう表面領域と近
接して配設された延在する可撓性バンドが含まれる。バ
ンドを検出器の表面領域上に転動させ又は表面領域上方
から非転動させる物体の運動と位置はこうして検出器
（又は複数個の検出器）により発生される電気信号で決
定される。
本発明の一局面によれば、バンドの一部分が検出器に
対して相対的に固定され、他の一部分が物体に接続され
る。検出器の表面領域に対する又は全体的に検出器の表
面領域に平行な接離自在の物体の運動でバンドは表面領
域に対するその相対的位置を変え、この変化が検出器に
より検出される。
対して相対的に固定され、他の一部分が物体に接続され
る。検出器の表面領域に対する又は全体的に検出器の表
面領域に平行な接離自在の物体の運動でバンドは表面領
域に対するその相対的位置を変え、この変化が検出器に
より検出される。
本発明の他の局面によれば、バンドで電界を発生させ
るよう当該バンドに電圧が供給され、検出器はバンドに
より発生される電界の大きさ従って電界効果トランジス
ターに対するバンドの近接度を検出する電界効果トラン
ジスターで構成されている。代替的に、バンドは磁化可
能である、検出器はバンドで発生された磁界の強さ、従
って、磁界効果トランジスターに対するバンドの相対的
位置を検出するスプリット・ドレン磁界効果トランジス
ターを含むことが出来る。例えば、ホール効果、容量性
検出、光学的検出及びソナー検出を利用する他の検出器
構成もバンドの運動と位置の検出に採用可能であり、従
って、物体の運動と位置で検出に採用可能である。その
上、感度を有する検出器領域はバンドの運動に伴なって
所定の（直線的又は非直線的）方法で値の変化する信号
を発生出来るよう作成可能である。
るよう当該バンドに電圧が供給され、検出器はバンドに
より発生される電界の大きさ従って電界効果トランジス
ターに対するバンドの近接度を検出する電界効果トラン
ジスターで構成されている。代替的に、バンドは磁化可
能である、検出器はバンドで発生された磁界の強さ、従
って、磁界効果トランジスターに対するバンドの相対的
位置を検出するスプリット・ドレン磁界効果トランジス
ターを含むことが出来る。例えば、ホール効果、容量性
検出、光学的検出及びソナー検出を利用する他の検出器
構成もバンドの運動と位置の検出に採用可能であり、従
って、物体の運動と位置で検出に採用可能である。その
上、感度を有する検出器領域はバンドの運動に伴なって
所定の（直線的又は非直線的）方法で値の変化する信号
を発生出来るよう作成可能である。
本発明の更に他の局面によれば、変位測定装置は位置
を測定すべき物体に対し接続された磁化若しくは電気的
に充電される回転可能若しくは直線的に移動可能素子
を、当該素子の位置、従って物体の位置を検出する磁界
若しくは電界の列を利用する。
を測定すべき物体に対し接続された磁化若しくは電気的
に充電される回転可能若しくは直線的に移動可能素子
を、当該素子の位置、従って物体の位置を検出する磁界
若しくは電界の列を利用する。
本発明の前掲の目的と他の諸目的、諸特徴及び諸利点
については添附図面に関連して行なわれる以下の詳細な
説明を考察することで明らかとなろう。
については添附図面に関連して行なわれる以下の詳細な
説明を考察することで明らかとなろう。
ここで図面を参照する。
第1A図、第1B図及び第1C図を参照するとこれらの図に
は物体４の運動の自由度２°を測定するバンド制御型変
換器又は検出器の１つの例示的実施態様が示してある。
物体４（これは単に第1A図〜第1C図においてはプレート
の形態になっている）は任意の形状又は型式をとること
が出来、ロボット・システム又は部品の位置と運動を決
定すべき他の機械的構造に出来よう。物体４は延在する
可撓的で電気的に導電性のバンド８の一端部に取付けら
れる。バンド８の他端部は適当な接着剤、ピン又は他の
締付け手段により基材12の一端部に位置付けられ、この
基材12は例えばケイ素製であり、全体的に平面状の上面
を有し、この上面内にはバンド８の位置を検出する検出
器の作動部品が配設してある。バンド８は電界を発生出
来るよう電圧源16に接続してある。
は物体４の運動の自由度２°を測定するバンド制御型変
換器又は検出器の１つの例示的実施態様が示してある。
物体４（これは単に第1A図〜第1C図においてはプレート
の形態になっている）は任意の形状又は型式をとること
が出来、ロボット・システム又は部品の位置と運動を決
定すべき他の機械的構造に出来よう。物体４は延在する
可撓的で電気的に導電性のバンド８の一端部に取付けら
れる。バンド８の他端部は適当な接着剤、ピン又は他の
締付け手段により基材12の一端部に位置付けられ、この
基材12は例えばケイ素製であり、全体的に平面状の上面
を有し、この上面内にはバンド８の位置を検出する検出
器の作動部品が配設してある。バンド８は電界を発生出
来るよう電圧源16に接続してある。
基材12の上面上には例えば慣用的なマイクロ組立て技
術により電界効果トランジスター（FET）20が配設さ
れ、形成される。FET20は公知の半導体装置であり、基
材12内に形成された導電性ソース領域24、ソース領域か
ら隔置され全体的にソース領域と平行に形成された導電
性ドレン領域28及びソース領域とドレン領域の間に配設
された導電性チャンネル領域32を含む。
術により電界効果トランジスター（FET）20が配設さ
れ、形成される。FET20は公知の半導体装置であり、基
材12内に形成された導電性ソース領域24、ソース領域か
ら隔置され全体的にソース領域と平行に形成された導電
性ドレン領域28及びソース領域とドレン領域の間に配設
された導電性チャンネル領域32を含む。
絶縁層36が基材12の表面上に且つ導電性ソース領域2
4、導電性ドレン領域28及び導電性チャンネル領域32上
に配設される。
4、導電性ドレン領域28及び導電性チャンネル領域32上
に配設される。
導電性ソース領域24と導電性ドレン領域28は電流が導
電性チャンネル32を通じて両方の領域の間を流れるよう
電圧源34により異なる電位差に維持される。導電性チャ
ンネル領域32の導電率はチャンネル領域に近接して位置
付けられた電気的負荷（又は電界）で影響される。従っ
て、FET20を選択的に被覆し、非被覆状態にするよう絶
縁層36上でバンド８を転動させ且つ非転動にすることに
より導電性チャンネル領域32を通じて導通され、計器
（電流計）38で検出される電流の大きさが変化する。バ
ンド８は導電性ソース領域24と導電性ドレン領域28の間
の電流の流れを制御するFET20のゲートとして効果的に
作用する。従って、この電流を測定すると、バンド８の
転動及び非転動の測定従って物体４の位置と運動の測定
を提供出来る。FETの動作の別の説明については1988年
８月20日に発行され参照として本明細書に導入されてい
る米国特許第4,767,973号に見出せる。
電性チャンネル32を通じて両方の領域の間を流れるよう
電圧源34により異なる電位差に維持される。導電性チャ
ンネル領域32の導電率はチャンネル領域に近接して位置
付けられた電気的負荷（又は電界）で影響される。従っ
て、FET20を選択的に被覆し、非被覆状態にするよう絶
縁層36上でバンド８を転動させ且つ非転動にすることに
より導電性チャンネル領域32を通じて導通され、計器
（電流計）38で検出される電流の大きさが変化する。バ
ンド８は導電性ソース領域24と導電性ドレン領域28の間
の電流の流れを制御するFET20のゲートとして効果的に
作用する。従って、この電流を測定すると、バンド８の
転動及び非転動の測定従って物体４の位置と運動の測定
を提供出来る。FETの動作の別の説明については1988年
８月20日に発行され参照として本明細書に導入されてい
る米国特許第4,767,973号に見出せる。
バンド８は銅箔、アルミニウム箔、金属化ポリマー
膜、金属化水晶、金属化薄膜ケイ素といった任意の適当
に可撓性のある導電性材料で作成されよう。絶縁層との
接触を維持すべく一定の摺動しない形式にてバンドが絶
縁層36上方で転動し且つ絶縁層36から非転動になるよう
バンド８はその横方向縁部で僅かに（基材に重なる際）
基材12に向って僅かに下方に曲がる。バンド８を絶縁層
36に対してゆるく保持する目的で静電吸引も使用可能で
ある。
膜、金属化水晶、金属化薄膜ケイ素といった任意の適当
に可撓性のある導電性材料で作成されよう。絶縁層との
接触を維持すべく一定の摺動しない形式にてバンドが絶
縁層36上方で転動し且つ絶縁層36から非転動になるよう
バンド８はその横方向縁部で僅かに（基材に重なる際）
基材12に向って僅かに下方に曲がる。バンド８を絶縁層
36に対してゆるく保持する目的で静電吸引も使用可能で
ある。
構成要素を有するバンド８及び基材12は全てマイクロ
組立て技術を使用して組立てることが出来る。例えば、
バンド８は基材12上にスパッタリング付着出来、次にフ
オトリソグラフ的に食刻処理して所望の寸法と形状を定
めることが出来よう。バンドの一部分も基材から解放
し、バンドを基材から離して硬化出来るよう食刻剤も使
用可能であろう。
組立て技術を使用して組立てることが出来る。例えば、
バンド８は基材12上にスパッタリング付着出来、次にフ
オトリソグラフ的に食刻処理して所望の寸法と形状を定
めることが出来よう。バンドの一部分も基材から解放
し、バンドを基材から離して硬化出来るよう食刻剤も使
用可能であろう。
電圧源16に接続された導電性のバンド８を利用するこ
とについての代替策は正電荷又は負電荷を含む材料のバ
ンドを提供することである。例えば、バンド８は例示的
には電子を注入した可撓的なポリテトラフルオロエチレ
ンで形成出来よう。
とについての代替策は正電荷又は負電荷を含む材料のバ
ンドを提供することである。例えば、バンド８は例示的
には電子を注入した可撓的なポリテトラフルオロエチレ
ンで形成出来よう。
第1A図ないし第1C図の実施態様に対する他の代替例で
は絶縁層36と基材12の間の導電性材料の層を含み、次
に、FET20をバンド８の接触領域から遠方に位置付ける
ことであろう。この導電層又はゲートは絶縁層36上でバ
ンド８を転動させることにより絶縁層36下方に位置付け
られた導電層の表面に電荷を誘引するよう遠方のFETの
ゲートに電気的に接続され、この電荷はFETのチャンネ
ル領域の導電率に影響するよう遠方のFETのゲート内で
反映されよう。従って絶縁層36上方でのバンド８の近接
度、従って物体４の位置と運動が測定出来よう。
は絶縁層36と基材12の間の導電性材料の層を含み、次
に、FET20をバンド８の接触領域から遠方に位置付ける
ことであろう。この導電層又はゲートは絶縁層36上でバ
ンド８を転動させることにより絶縁層36下方に位置付け
られた導電層の表面に電荷を誘引するよう遠方のFETの
ゲートに電気的に接続され、この電荷はFETのチャンネ
ル領域の導電率に影響するよう遠方のFETのゲート内で
反映されよう。従って絶縁層36上方でのバンド８の近接
度、従って物体４の位置と運動が測定出来よう。
第２図はFETと共に容量性カップリングを利用するバ
ンド制御変位測定装置の代替的実施態様を示す。この実
施態様において、基材40は上面において且つ（第1A図〜
第1C図の実施態様に類似している）基材の片側附近にFE
T44のソース領域、チャンネル領域、ドレン領域並びに
基材の他方の側附近でFET44のソース領域、ドレン領域
及びチャンネル領域と全体的に平行に配列された導電性
材料片体48を支承している。導電性材料片体48にはAC電
圧源52が接続してある。基材40の上面上及びFET44と導
電性材料片体48上方には誘電材料層56が配設してある。
次にバンドを接続すべき物体若しくは要素が移動される
際誘電材料層56上方で転動し、誘電材料層56上方から非
転動になるよう可撓的で電気的に分離された導電性バン
ド60が配設される。
ンド制御変位測定装置の代替的実施態様を示す。この実
施態様において、基材40は上面において且つ（第1A図〜
第1C図の実施態様に類似している）基材の片側附近にFE
T44のソース領域、チャンネル領域、ドレン領域並びに
基材の他方の側附近でFET44のソース領域、ドレン領域
及びチャンネル領域と全体的に平行に配列された導電性
材料片体48を支承している。導電性材料片体48にはAC電
圧源52が接続してある。基材40の上面上及びFET44と導
電性材料片体48上方には誘電材料層56が配設してある。
次にバンドを接続すべき物体若しくは要素が移動される
際誘電材料層56上方で転動し、誘電材料層56上方から非
転動になるよう可撓的で電気的に分離された導電性バン
ド60が配設される。
導電性材料片体48にAC電圧源52から供給された信号は
導電性片体とバンド60の間にキャパシタンスを発生し、
このキャパシタンスは勿論バンドに対する電荷を発生さ
せ、この電荷がFET44のチャンネル領域の導電率に影響
する。バンド60は誘電材料層56上方で転動され、誘電材
料層56が非転動される際キャパシタンスは変化され、FE
T44に対する影響を変え、そのチャンネル領域の導電率
を変える。第1A図〜第1C図の実施態様の場合と同様、チ
ャンネル領域の導電率の変化はバンド60の運動と位置及
びバンドに接続される物体若しくは要素の運動と位置を
決定するものとして監視可能である。
導電性片体とバンド60の間にキャパシタンスを発生し、
このキャパシタンスは勿論バンドに対する電荷を発生さ
せ、この電荷がFET44のチャンネル領域の導電率に影響
する。バンド60は誘電材料層56上方で転動され、誘電材
料層56が非転動される際キャパシタンスは変化され、FE
T44に対する影響を変え、そのチャンネル領域の導電率
を変える。第1A図〜第1C図の実施態様の場合と同様、チ
ャンネル領域の導電率の変化はバンド60の運動と位置及
びバンドに接続される物体若しくは要素の運動と位置を
決定するものとして監視可能である。
第３図はスプリット・ドレン磁界効果トランジスター
（MAGFET）64を利用する変位測定装置の斜視図を示す。
MAGFET64は基材68の上面上に形成され、DC電流源76に接
続されたソース領域72,2個のドレン領域80,84,ソース領
域と２個のドレン領域の間に配設された導電性チャンネ
ル領域88を含む。導電性チャンネル領域88を選択的に被
覆し、非被覆状態にするよう基材68上には可撓的な磁化
可能バンド92が配設してある。必ずしも必要ではないが
絶縁層96はMAGFET64上方とバンド92の下側に配設出来よ
う。
（MAGFET）64を利用する変位測定装置の斜視図を示す。
MAGFET64は基材68の上面上に形成され、DC電流源76に接
続されたソース領域72,2個のドレン領域80,84,ソース領
域と２個のドレン領域の間に配設された導電性チャンネ
ル領域88を含む。導電性チャンネル領域88を選択的に被
覆し、非被覆状態にするよう基材68上には可撓的な磁化
可能バンド92が配設してある。必ずしも必要ではないが
絶縁層96はMAGFET64上方とバンド92の下側に配設出来よ
う。
導電性チャンネル領域88に当たる磁界が無い場合、電
流はソース領域72から導電性チャンネル領域88を通じて
同等に２個のドレン領域80,84へ流れる。磁化されたバ
ンド92が少なくとも部分的に導電性チャンネル領域88に
重なる場合といった磁界が存在する場合は、チャンネル
領域を通る流れが偏向されて他方のドレン領域より一方
のドレン領域へ多く流れ、偏向の大きさ、従って、２個
のドレン領域に流れる電流の不均衡は磁界の強さに依存
している。勿論、この強さは導電性チャンネル領域88の
どの部分がバンド92で被覆されているかに依存し、その
ため２個のドレン領域80,84における電流の不均衡を測
定することによりバンドの変位、従ってバンドの接続さ
れている物体の変位を測定出来る。バンド92は例示的に
はアルニコ合金（アルミニウム，ニッケル，コバルト及
び時おり銅）の薄膜，ニッケルとコバルト，コバルト・
サマリウム，酸化鉄，クロム鉄，二酸化クロム等適切に
磁化される材料で作成可能である。
流はソース領域72から導電性チャンネル領域88を通じて
同等に２個のドレン領域80,84へ流れる。磁化されたバ
ンド92が少なくとも部分的に導電性チャンネル領域88に
重なる場合といった磁界が存在する場合は、チャンネル
領域を通る流れが偏向されて他方のドレン領域より一方
のドレン領域へ多く流れ、偏向の大きさ、従って、２個
のドレン領域に流れる電流の不均衡は磁界の強さに依存
している。勿論、この強さは導電性チャンネル領域88の
どの部分がバンド92で被覆されているかに依存し、その
ため２個のドレン領域80,84における電流の不均衡を測
定することによりバンドの変位、従ってバンドの接続さ
れている物体の変位を測定出来る。バンド92は例示的に
はアルニコ合金（アルミニウム，ニッケル，コバルト及
び時おり銅）の薄膜，ニッケルとコバルト，コバルト・
サマリウム，酸化鉄，クロム鉄，二酸化クロム等適切に
磁化される材料で作成可能である。
第４図は電子が注入される若しくは配設される材料の
エレクトレット・シート100を利用する変位測定装置の
斜視図である。エレクトレット・シート100は基材104上
方に位置付けられ、基材104に取付けられ、基材104内に
は第1A図〜第1C図で説明した様式と類似の様式にてFET1
12が形成される。エレクトレット・シート100上方で移
動しエレクトレット・シート100を被覆しエレクトレッ
ト・シート100上方から移動し、エレクトレット・シー
ト100を被覆しないよう可撓性導電性バンド108が位置付
けてある。バンド108は一端部においてエレクトレット
・シート100に取付けられ、アース電位差116に接続され
る。バンド108の他端部は位置を測定すべき物体又は要
素に接続される。
エレクトレット・シート100を利用する変位測定装置の
斜視図である。エレクトレット・シート100は基材104上
方に位置付けられ、基材104に取付けられ、基材104内に
は第1A図〜第1C図で説明した様式と類似の様式にてFET1
12が形成される。エレクトレット・シート100上方で移
動しエレクトレット・シート100を被覆しエレクトレッ
ト・シート100上方から移動し、エレクトレット・シー
ト100を被覆しないよう可撓性導電性バンド108が位置付
けてある。バンド108は一端部においてエレクトレット
・シート100に取付けられ、アース電位差116に接続され
る。バンド108の他端部は位置を測定すべき物体又は要
素に接続される。
第４図の装置はバンド108が近接していない時エレク
トレット・シート100で発生される電界がシートから均
一に外方に向けられ、バンドが近接している際バンドに
向って向けられる『容量性分割器』効果を使用して動作
する。従って、エレクトレット・シート100の電界はバ
ンド108がカールしてシートから離れる際そのチャンネ
ル領域の導電率に影響を与えるようFET112に向けられ、
バンドがシート上方の位置にある際FET112から離れ、バ
ンド108に向って再び向けられる。従って、FET112のチ
ャンネル領域の導電率はバンド108で被覆されるエレク
トレット・シート100の割合で決定される。既に述べた
様式にて第４図の装置はそのため物体の運動と位置の測
定目的に使用出来よう。
トレット・シート100で発生される電界がシートから均
一に外方に向けられ、バンドが近接している際バンドに
向って向けられる『容量性分割器』効果を使用して動作
する。従って、エレクトレット・シート100の電界はバ
ンド108がカールしてシートから離れる際そのチャンネ
ル領域の導電率に影響を与えるようFET112に向けられ、
バンドがシート上方の位置にある際FET112から離れ、バ
ンド108に向って再び向けられる。従って、FET112のチ
ャンネル領域の導電率はバンド108で被覆されるエレク
トレット・シート100の割合で決定される。既に述べた
様式にて第４図の装置はそのため物体の運動と位置の測
定目的に使用出来よう。
エレクトレット・シート100は例示的には電子の充電
されるポリテトラフルオロエチレン製であろう。
されるポリテトラフルオロエチレン製であろう。
第５図は公知のホール効果が利用される変位測定装置
の他の実施態様の斜視図である。この装置には銅合金、
アルミニウム合金等といった導電性材料の基材120が含
まれている。電流源124は他端部に流れるよう基材120の
一端部にて電流を供給する。基材120の長さに沿って反
対側で一連の電極128の対が位置付けられ、検出器132に
接続される。先に説明した如く、基材上方で選択的に転
動し、基材上方から非転動になるよう一端部において基
材120の一端部に磁化された可撓性バンド136が取付けら
れる。
の他の実施態様の斜視図である。この装置には銅合金、
アルミニウム合金等といった導電性材料の基材120が含
まれている。電流源124は他端部に流れるよう基材120の
一端部にて電流を供給する。基材120の長さに沿って反
対側で一連の電極128の対が位置付けられ、検出器132に
接続される。先に説明した如く、基材上方で選択的に転
動し、基材上方から非転動になるよう一端部において基
材120の一端部に磁化された可撓性バンド136が取付けら
れる。
ホール効果によれば、導電体内に流れる電流は導電体
が磁界を受ける際導電体の片側から他方の側へ向って偏
向される。従って、第５図の装置においては、磁化され
たバンド136が基材120の一部分に重なる際基材の一端部
から他端部に流れる電流が該当部分にて偏向されるが、
バンドで重ならない該当部分にては偏向されない。電圧
降下の形態になったこの電流の偏向はバンド136で被覆
される基材120の該当部分の測定とバンド136の自由端部
が結合される物体又は要素の運動の測定を行なうよう検
出器132で検出される。
が磁界を受ける際導電体の片側から他方の側へ向って偏
向される。従って、第５図の装置においては、磁化され
たバンド136が基材120の一部分に重なる際基材の一端部
から他端部に流れる電流が該当部分にて偏向されるが、
バンドで重ならない該当部分にては偏向されない。電圧
降下の形態になったこの電流の偏向はバンド136で被覆
される基材120の該当部分の測定とバンド136の自由端部
が結合される物体又は要素の運動の測定を行なうよう検
出器132で検出される。
第６図は本発明に従って作成された変位検出装置の他
の実施態様である。この装置には距離Ｄだけ隔置され、
電圧源と検出器148に接続された一対の導電性プレート1
40,144が含まれる。示される如く、各々導電性プレート
140,144の対面する表面上には２個の誘電層152,156が配
設してある。第６図に示される如く、一対の延在する可
撓的で導電性のバンド160,164は各々個々の誘電層152,1
56の側に一端部にて接続され、個々の層に沿って前方に
延在し次に内方及び後方へそのバンドの他端部が共に接
続される箇所へ延在する。バンド160,164の他端部は位
置と運動が検出される物体168に接続される。物体が導
電性プレート140,144の間の位置に向って移動する際、
バンド160,164の多くが各々誘電層152,156上方に転動し
重ねられる。勿論、物体168が導電性プレート140,144の
間から離れる方向に移動する際バンド160,164は個々の
被覆する誘電層から非転動にされる。物体168の運動、
従って、バンド160,164の運動により導電性プレート14
0,144の間にキャパシタンスの変動が生じ、この変動はA
C電圧源と例えば電圧計を含むことが出来る検出器148の
両者により測定される。コンデンサー・プレートの有効
な構成はバンド160,164が誘電性プレート140,144の間か
ら非転動状態にされた状況に対し172の箇所でグラフ的
に示してある。導電性プレート140,144の間でバンド16
0,164が転動される際の状況に対する有効なコンデンサ
ー構成が176に示してある。コンデンサー・プレート172
とコンデンサー構成176のグラフ的表示はバンド160、16
4が導電性プレート140,144の間にある場合に対するバン
ドが両方のプレートの間に無い場合とのキャパシタンス
における有効な差を示している。従って導電性プレート
140,144の間のキャパシタンスにおける変動は所望の如
く、物体168の運動と位置の測定値を提供する。
の実施態様である。この装置には距離Ｄだけ隔置され、
電圧源と検出器148に接続された一対の導電性プレート1
40,144が含まれる。示される如く、各々導電性プレート
140,144の対面する表面上には２個の誘電層152,156が配
設してある。第６図に示される如く、一対の延在する可
撓的で導電性のバンド160,164は各々個々の誘電層152,1
56の側に一端部にて接続され、個々の層に沿って前方に
延在し次に内方及び後方へそのバンドの他端部が共に接
続される箇所へ延在する。バンド160,164の他端部は位
置と運動が検出される物体168に接続される。物体が導
電性プレート140,144の間の位置に向って移動する際、
バンド160,164の多くが各々誘電層152,156上方に転動し
重ねられる。勿論、物体168が導電性プレート140,144の
間から離れる方向に移動する際バンド160,164は個々の
被覆する誘電層から非転動にされる。物体168の運動、
従って、バンド160,164の運動により導電性プレート14
0,144の間にキャパシタンスの変動が生じ、この変動はA
C電圧源と例えば電圧計を含むことが出来る検出器148の
両者により測定される。コンデンサー・プレートの有効
な構成はバンド160,164が誘電性プレート140,144の間か
ら非転動状態にされた状況に対し172の箇所でグラフ的
に示してある。導電性プレート140,144の間でバンド16
0,164が転動される際の状況に対する有効なコンデンサ
ー構成が176に示してある。コンデンサー・プレート172
とコンデンサー構成176のグラフ的表示はバンド160、16
4が導電性プレート140,144の間にある場合に対するバン
ドが両方のプレートの間に無い場合とのキャパシタンス
における有効な差を示している。従って導電性プレート
140,144の間のキャパシタンスにおける変動は所望の如
く、物体168の運動と位置の測定値を提供する。
第６図に対する代替的な容量性測定装置には１つのバ
ンドのみ例えばバンド160の使用及び非導電性である他
方のプレート、例えば、導電性プレート140と組合った
例えば導電性プレート144の如き１つの導電性プレート
のみを提供することが含まれる。従って、電圧源と検出
器148は依然導電性プレート144及びバンド160とも接続
されて導電性プレート144とバンド160の間にキャパシタ
ンスを形成する。このキャパシタンスは物体168の運動
により生ずるバンド160が非導電性プレート140上方で転
動されるか又はその上方から非転動にされる際変化し、
かくして物体の位置と運動の測定値を提供しよう。
ンドのみ例えばバンド160の使用及び非導電性である他
方のプレート、例えば、導電性プレート140と組合った
例えば導電性プレート144の如き１つの導電性プレート
のみを提供することが含まれる。従って、電圧源と検出
器148は依然導電性プレート144及びバンド160とも接続
されて導電性プレート144とバンド160の間にキャパシタ
ンスを形成する。このキャパシタンスは物体168の運動
により生ずるバンド160が非導電性プレート140上方で転
動されるか又はその上方から非転動にされる際変化し、
かくして物体の位置と運動の測定値を提供しよう。
第７図は物体180の運動の自由度２°を測定する目的
で連続バンドを利用する変位装置の側面図である。この
装置には基材の上面で直線状に隔置された２個のFET検
出器188,192を有する基材184が含まれている。FET検出
器188,192の上方で基材184上には絶縁層196が位置付け
てある。FET検出器188,192を上に配設してある軌跡上方
で前後に転動するよう可撓的な導電性バンド200がルー
プ状に形成され、絶縁層196上に配設される。
で連続バンドを利用する変位装置の側面図である。この
装置には基材の上面で直線状に隔置された２個のFET検
出器188,192を有する基材184が含まれている。FET検出
器188,192の上方で基材184上には絶縁層196が位置付け
てある。FET検出器188,192を上に配設してある軌跡上方
で前後に転動するよう可撓的な導電性バンド200がルー
プ状に形成され、絶縁層196上に配設される。
物体180が第７図の右側に依存する際、バンド200は
又、FET検出器192を被覆しFET検出器188を被覆しないよ
う右側へ転動される。勿論、この運動は物体180の運動
方向とその運動の大きさを示す目的で検出器により検出
可能である。物体180が上方に移動されると、バンド200
はFET検出器188,192から非転動状態にされ、これも又、
検出可能である。左側へ又は下方向への物体180の運動
は同様の様式で検出出来るので、物体180の左側又は右
側及び上下方向の運動も容易に検出出来る。バンド200
は勿論、電圧源又はバンド内に埋設された電荷のいずれ
かから電界を発生するよう適切な電荷を支承している。
又、FET検出器192を被覆しFET検出器188を被覆しないよ
う右側へ転動される。勿論、この運動は物体180の運動
方向とその運動の大きさを示す目的で検出器により検出
可能である。物体180が上方に移動されると、バンド200
はFET検出器188,192から非転動状態にされ、これも又、
検出可能である。左側へ又は下方向への物体180の運動
は同様の様式で検出出来るので、物体180の左側又は右
側及び上下方向の運動も容易に検出出来る。バンド200
は勿論、電圧源又はバンド内に埋設された電荷のいずれ
かから電界を発生するよう適切な電荷を支承している。
第７図の装置はFET検出器を利用するものとして説明
したが、MAGFET,容量性カップリング，エレクトレット
・シート及びホール効果検出といった他の形式の先に説
明された検出器も利用可能であることを理解すべきであ
る。
したが、MAGFET,容量性カップリング，エレクトレット
・シート及びホール効果検出といった他の形式の先に説
明された検出器も利用可能であることを理解すべきであ
る。
第８図はジョイステイック204の位置と運動を測定す
る変位測定装置の斜視図である。この装置には基材208
が含まれ、この基材の表面上には図示の如く交差する想
像線に沿って位置付けられた３個のFET検出器212,216,2
20及び224が位置付けてある。４個の検出器上方の基材2
08上は絶縁層228が配設してある。絶縁層228上には２個
の可撓的で電気的に導電性のバンド232,236が配設さ
れ、これらのバンドは両者ともループ状に形成され、相
互に交差する形で配設してある。バンド236内で形成さ
れた開口部240とバンド232内に形成された開口部244を
含む、バンド232,236の開口部を通じて上方に延在する
ようジョイステイック204は基材208に枢軸的に取付けて
ある。バンド232,236のいずれか一方を側方に曲げずに
ジョイステイック204の運動を可能にすべく開口部240,2
44は第８図に示される如く、このバンド内で交差する方
向に形成され、相互に対して交差して形成してある。従
って、ジョイステイック204はFET検出器216又は224に向
って移動出来、かくしてバンド236を側方に曲げずにバ
ンド232を移動させることが出来る。同様に、ジョイス
テイックはバンド232を側方に曲げずにバンド236を移動
させるようFET検出器212又は220に向って移動可能であ
る。ジョイステイック204のこうした運動、従って、バ
ンド232,236の運動は先の実施態様に対し説明した如く
検出器が被覆されるか又は非被覆される際影響される特
定の検出器で検出される。
る変位測定装置の斜視図である。この装置には基材208
が含まれ、この基材の表面上には図示の如く交差する想
像線に沿って位置付けられた３個のFET検出器212,216,2
20及び224が位置付けてある。４個の検出器上方の基材2
08上は絶縁層228が配設してある。絶縁層228上には２個
の可撓的で電気的に導電性のバンド232,236が配設さ
れ、これらのバンドは両者ともループ状に形成され、相
互に交差する形で配設してある。バンド236内で形成さ
れた開口部240とバンド232内に形成された開口部244を
含む、バンド232,236の開口部を通じて上方に延在する
ようジョイステイック204は基材208に枢軸的に取付けて
ある。バンド232,236のいずれか一方を側方に曲げずに
ジョイステイック204の運動を可能にすべく開口部240,2
44は第８図に示される如く、このバンド内で交差する方
向に形成され、相互に対して交差して形成してある。従
って、ジョイステイック204はFET検出器216又は224に向
って移動出来、かくしてバンド236を側方に曲げずにバ
ンド232を移動させることが出来る。同様に、ジョイス
テイックはバンド232を側方に曲げずにバンド236を移動
させるようFET検出器212又は220に向って移動可能であ
る。ジョイステイック204のこうした運動、従って、バ
ンド232,236の運動は先の実施態様に対し説明した如く
検出器が被覆されるか又は非被覆される際影響される特
定の検出器で検出される。
又、バンド232、236は先の実施例で示した如く、電界
を発生するよう充電されよう。又、バンド232,236は有
利には下方部分において基材208に固定出来よう。最後
に、先に説明した他の検出装置も第８図の装置と併用出
来よう。
を発生するよう充電されよう。又、バンド232,236は有
利には下方部分において基材208に固定出来よう。最後
に、先に説明した他の検出装置も第８図の装置と併用出
来よう。
第9A図及び第9B図は各々軸250の回転変位を測定する
装置の等角図と側面図を示す。軸250は基材254内に回転
するよう設置され当該基材内には環状構成に慣用的なソ
ース領域、ドレン領域及びチャンネル領域を備えたFET
検出器258が配設してある。FET検出器258上で基材254の
上に絶縁層262が位置付けてある。軸の回転時に回転す
るよう基材254上方にはデイスク266が軸250上で設置し
てある。軸250が一方向（例えば、装置上を見おろして
時計方向）に回転する際、バンドがFET検出器258上に位
置付けられ、反対方向に回転する際バンドが検出器から
上方へ引上げられるよう可撓的で電気的に導電性のバン
ド270が一端部にては絶縁層262に取付けられ、他端部に
てはデイスク266の底部に取付けられる。従って、軸250
の回転運動と位置はFET検出器258で検出出来る。
装置の等角図と側面図を示す。軸250は基材254内に回転
するよう設置され当該基材内には環状構成に慣用的なソ
ース領域、ドレン領域及びチャンネル領域を備えたFET
検出器258が配設してある。FET検出器258上で基材254の
上に絶縁層262が位置付けてある。軸の回転時に回転す
るよう基材254上方にはデイスク266が軸250上で設置し
てある。軸250が一方向（例えば、装置上を見おろして
時計方向）に回転する際、バンドがFET検出器258上に位
置付けられ、反対方向に回転する際バンドが検出器から
上方へ引上げられるよう可撓的で電気的に導電性のバン
ド270が一端部にては絶縁層262に取付けられ、他端部に
てはデイスク266の底部に取付けられる。従って、軸250
の回転運動と位置はFET検出器258で検出出来る。
第10A図及び第10B図に示された変位測定装置は基材28
8上方に配設された絶縁層284の上面と軸296と共に回転
するよう設置されたデイスク292の下側面の両者に接触
するようそれ自体の上に重ねられる連続的に形成された
バンド280を利用する。軸296は基材288に回転するよう
設置される。FET検出器300は、バンドの下方部分が連続
的にFET検出器300の異なる部分を被覆し且つ非被覆する
ようデイスク292と接触しているバンド280の該当部分が
軸296,従って、デイスク292の回転に伴なってデイスク
と共に運ばれるよう全体的に第10A図に最も良く示され
た円にて形成される。バンド280は例示的にはデイスク2
92の下面に固定されるが、適切に作成されたバンドと共
にデイスク下側面に対するバンド280の保持は静電的吸
引、液体の薄膜による表面張力、磁化等で達成出来よ
う。バンド280がデイスク292又は絶縁層284に取付けら
れていない場合、これは半径方向で自己整合し、即ち、
軸296の周わりでそれ自体均一に自動的に間隔を保つ。
勿論、第10A図、第10B図の装置はバンド280がFET検出器
300の異なる部分を被覆し且つ非被覆する際軸296の角度
位置と運動を測定する。FET検出器300の代わり及び第9A
図のFET検出器258の代わりに先に説明した如き他の型式
の検出器も利用出来よう。
8上方に配設された絶縁層284の上面と軸296と共に回転
するよう設置されたデイスク292の下側面の両者に接触
するようそれ自体の上に重ねられる連続的に形成された
バンド280を利用する。軸296は基材288に回転するよう
設置される。FET検出器300は、バンドの下方部分が連続
的にFET検出器300の異なる部分を被覆し且つ非被覆する
ようデイスク292と接触しているバンド280の該当部分が
軸296,従って、デイスク292の回転に伴なってデイスク
と共に運ばれるよう全体的に第10A図に最も良く示され
た円にて形成される。バンド280は例示的にはデイスク2
92の下面に固定されるが、適切に作成されたバンドと共
にデイスク下側面に対するバンド280の保持は静電的吸
引、液体の薄膜による表面張力、磁化等で達成出来よ
う。バンド280がデイスク292又は絶縁層284に取付けら
れていない場合、これは半径方向で自己整合し、即ち、
軸296の周わりでそれ自体均一に自動的に間隔を保つ。
勿論、第10A図、第10B図の装置はバンド280がFET検出器
300の異なる部分を被覆し且つ非被覆する際軸296の角度
位置と運動を測定する。FET検出器300の代わり及び第9A
図のFET検出器258の代わりに先に説明した如き他の型式
の検出器も利用出来よう。
第11図及び第12図は各々シリンダー304及び324の各運
動と変位を測定する装置の実施態様を示す。第11図にお
けるシリンダー304にはシリンダーの外部に形成される
か又は取付けられた導電性プレート306及び308が含まれ
る。回転自在型シリンダー304の外部の周わりに中空シ
リンダー310が配設されるが、固定位置で当該シリンダ
ーから隔置される。図示の如く一対のプレート312,314
が中空シリンダー310の内側面に支承され、隔置され
る。導電性プレート306,308,プレート312,314には全て
その露呈した対面する表面上に誘電材料層が含まれる。
ループ状に形成された２個の可撓的で導電性のバンド31
6,318がシリンダー304と中空シリンダー310の間に配設
されシリンダー304が固定軸320の周わりに回転される際
中空シリンダー310の内面とシリンダー304の外面上で転
動する。第６図の装置に対して説明したのと同じ様式に
て導電性プレート306,プレート314及び導電性プレート3
08プレート312の間で発生されたキャパシタンスはバン
ド318と316の各々キャパシタンスの測定でシリンダー30
4の回転変位と運動の測定値を提供するよう個々のプレ
ートの間で又はその間から各々移動する際変化する。FE
T,MAGFET,エレクトレット・シート等を含む他の検出器
構成も第11図の構成において使用出来よう。
動と変位を測定する装置の実施態様を示す。第11図にお
けるシリンダー304にはシリンダーの外部に形成される
か又は取付けられた導電性プレート306及び308が含まれ
る。回転自在型シリンダー304の外部の周わりに中空シ
リンダー310が配設されるが、固定位置で当該シリンダ
ーから隔置される。図示の如く一対のプレート312,314
が中空シリンダー310の内側面に支承され、隔置され
る。導電性プレート306,308,プレート312,314には全て
その露呈した対面する表面上に誘電材料層が含まれる。
ループ状に形成された２個の可撓的で導電性のバンド31
6,318がシリンダー304と中空シリンダー310の間に配設
されシリンダー304が固定軸320の周わりに回転される際
中空シリンダー310の内面とシリンダー304の外面上で転
動する。第６図の装置に対して説明したのと同じ様式に
て導電性プレート306,プレート314及び導電性プレート3
08プレート312の間で発生されたキャパシタンスはバン
ド318と316の各々キャパシタンスの測定でシリンダー30
4の回転変位と運動の測定値を提供するよう個々のプレ
ートの間で又はその間から各々移動する際変化する。FE
T,MAGFET,エレクトレット・シート等を含む他の検出器
構成も第11図の構成において使用出来よう。
第12図の実施態様において、シリンダー324が固定軸3
25の周わりに回転される際、シリンダーはループ状に形
成されたバンド326も基材328の表面上で前後に転動さ
せ、当該基材内には直線的に隔置された関係を以って２
個のFET検出器330,332が配設してある。従ってFET検出
器330,332で検出されたバンド326の位置はシリンダー32
4の回転位置を示す。
25の周わりに回転される際、シリンダーはループ状に形
成されたバンド326も基材328の表面上で前後に転動さ
せ、当該基材内には直線的に隔置された関係を以って２
個のFET検出器330,332が配設してある。従ってFET検出
器330,332で検出されたバンド326の位置はシリンダー32
4の回転位置を示す。
第13図はプレート350の運動自由度の直線方向２°と
プレートの回転運動の自由度１°も測定する変位測定装
置の側面図である。この装置には基材354が含まれ、こ
の基材にはその上面に２個の直線状に隔置された検出器
356,358が形成してある。プレート350も又、その下面に
２個の直線状に隔置された検出器360,362を含む。ルー
プ状に形成された可撓的で電気的に導電性のバンド364
はプレート350と基材354の間に位置付けられ、横方向前
後に運動し選択的に検出器356,358,362及び360を被覆
し、且つ非被覆状態にし、これらの検出器はそこでバン
ドによる被覆の量を表わす電気的出力を発生する。これ
は勿論、プレート350の位置と運動の読取り又は測定値
を提供する。検出器356,358,360及び362は先に述べた如
く各種型式をとることが出来よう。
プレートの回転運動の自由度１°も測定する変位測定装
置の側面図である。この装置には基材354が含まれ、こ
の基材にはその上面に２個の直線状に隔置された検出器
356,358が形成してある。プレート350も又、その下面に
２個の直線状に隔置された検出器360,362を含む。ルー
プ状に形成された可撓的で電気的に導電性のバンド364
はプレート350と基材354の間に位置付けられ、横方向前
後に運動し選択的に検出器356,358,362及び360を被覆
し、且つ非被覆状態にし、これらの検出器はそこでバン
ドによる被覆の量を表わす電気的出力を発生する。これ
は勿論、プレート350の位置と運動の読取り又は測定値
を提供する。検出器356,358,360及び362は先に述べた如
く各種型式をとることが出来よう。
第14図は可撓性バンド370の従ってバンドが取付けら
れる物体374の位置を表わすデイジタル出力信号を発生
する変位測定装置の斜視図である。基材378にはバンド3
70が基材上に転動される際、検出器の異なる組合せが影
響され、これらの組合せが２進数コード化出力信号を発
生するよう基材の表面上の想像グリッドの選択された交
差部に位置付けられた複数個の検出器382が含まれてい
る。例えば、検出器382のみがバンド370で被覆されれ
ば、この検出器は数字８を表わす出力信号を発生しよ
う。バンド370がこれも検出器382bを被覆するよう移動
されれば番号７を表わす出力信号を発生しよう。この様
にして、基材378上方のバンド370の異なる位置及び物体
374の異なる位置を表わすデイジタル出力信号が発生さ
れる。
れる物体374の位置を表わすデイジタル出力信号を発生
する変位測定装置の斜視図である。基材378にはバンド3
70が基材上に転動される際、検出器の異なる組合せが影
響され、これらの組合せが２進数コード化出力信号を発
生するよう基材の表面上の想像グリッドの選択された交
差部に位置付けられた複数個の検出器382が含まれてい
る。例えば、検出器382のみがバンド370で被覆されれ
ば、この検出器は数字８を表わす出力信号を発生しよ
う。バンド370がこれも検出器382bを被覆するよう移動
されれば番号７を表わす出力信号を発生しよう。この様
にして、基材378上方のバンド370の異なる位置及び物体
374の異なる位置を表わすデイジタル出力信号が発生さ
れる。
第15図は可撓性バンド390の運動又は位置及び物体394
の運動又は位置を表わす別々の出力増分を発生する装置
の斜視図を示す。基材398上方には複数個のソース領域4
06で残される複数個のドレン領域402が位置付けられ
る。ドレン領域402は共通導電体410に接続され、ソース
領域406は又、共通導電体414に接続される。各隣接する
ドレン領域とソース領域の間にはチャンネル領域418が
配設され、基材398上に直線状列で配列された複数個のF
ETを効果的に定める。連続するチャンネル領域418がバ
ンド390で被覆されるか又は非被覆状態にされると、導
電体410,414上の電流の流れが変化し、こうして、バン
ド390の位置、従って物体394の位置を示す。
の運動又は位置を表わす別々の出力増分を発生する装置
の斜視図を示す。基材398上方には複数個のソース領域4
06で残される複数個のドレン領域402が位置付けられ
る。ドレン領域402は共通導電体410に接続され、ソース
領域406は又、共通導電体414に接続される。各隣接する
ドレン領域とソース領域の間にはチャンネル領域418が
配設され、基材398上に直線状列で配列された複数個のF
ETを効果的に定める。連続するチャンネル領域418がバ
ンド390で被覆されるか又は非被覆状態にされると、導
電体410,414上の電流の流れが変化し、こうして、バン
ド390の位置、従って物体394の位置を示す。
第16図にはバンド420の運動に応答して非直線出力を
発生する装置の斜視図が示してある。基材424上にはド
レン領域428,ソース領域432,当該両領域の間に配設され
たチャンネル領域436を有する電界効果トランジスター
が配設してある。チャンネル領域436は幅が変化し基材4
24の反対側端部が最も広く、その箇所からバンド420が
取付けられ、徐々にそれがそのバンドの取付けてある基
材の端部に向って走行する際内方向に徐々にテーパーが
付けられる。ドレン領域428とソース領域432は第16図に
示される如くチャンネル領域436の個々の側と全体的に
平行に延在する。バンド420が基材424を被覆するよう移
動されると、チャンネル領域436の増加的に広がる部分
がバンドで被覆され、そのためバンドの運動に合せた電
流の変化が非直線的になる。勿論、チャンネル領域436
は反対方向にテーパーが付けられるよう形成可能で、バ
ンド内の運動により異なる非直線状出力を提供しチャン
ネル領域に対する各種他の形状も非直線的出力の発生の
ため選択出来よう。
発生する装置の斜視図が示してある。基材424上にはド
レン領域428,ソース領域432,当該両領域の間に配設され
たチャンネル領域436を有する電界効果トランジスター
が配設してある。チャンネル領域436は幅が変化し基材4
24の反対側端部が最も広く、その箇所からバンド420が
取付けられ、徐々にそれがそのバンドの取付けてある基
材の端部に向って走行する際内方向に徐々にテーパーが
付けられる。ドレン領域428とソース領域432は第16図に
示される如くチャンネル領域436の個々の側と全体的に
平行に延在する。バンド420が基材424を被覆するよう移
動されると、チャンネル領域436の増加的に広がる部分
がバンドで被覆され、そのためバンドの運動に合せた電
流の変化が非直線的になる。勿論、チャンネル領域436
は反対方向にテーパーが付けられるよう形成可能で、バ
ンド内の運動により異なる非直線状出力を提供しチャン
ネル領域に対する各種他の形状も非直線的出力の発生の
ため選択出来よう。
第17図は可撓性バンドを利用しない変位測定装置の実
施態様を示すがむしろ、くさび形で電気的に励起される
プレート430が採用される。プレート430はプレートを取
付ける物体が移動される際基材の横方向にて前後方向に
移動するよう（例えば、位置を測定する物体に取付ける
ことにより）基材434上方で懸下される。プレート430は
励起される電圧源438に接続される。基材434にはソース
領域442,チャンネル領域446及びドレン領域450を備えた
FETが含まれている。プレート430が基材434と接触外に
維持されている限り、絶縁層は要求されないが、事前注
意として基材の重なりとしてそれを含むことがおそらく
勧められよう。
施態様を示すがむしろ、くさび形で電気的に励起される
プレート430が採用される。プレート430はプレートを取
付ける物体が移動される際基材の横方向にて前後方向に
移動するよう（例えば、位置を測定する物体に取付ける
ことにより）基材434上方で懸下される。プレート430は
励起される電圧源438に接続される。基材434にはソース
領域442,チャンネル領域446及びドレン領域450を備えた
FETが含まれている。プレート430が基材434と接触外に
維持されている限り、絶縁層は要求されないが、事前注
意として基材の重なりとしてそれを含むことがおそらく
勧められよう。
第17図から理解される如く、プレート430がプレート
の軸方向（前方向）に移動される際、プレートの広い領
域がFETのチャンネル領域446を被覆し、これは勿論、ソ
ース領域とドレン領域の間の導電性の変化をもたらす。
プレート430が反対方向（後方向）に移動されると、プ
レート430がチャンネル領域446を被覆しないので、再び
ソース領域とドレン領域の間の導電変化が生ずる。この
導電変化はプレート430の位置、従って、その接続され
る物体の位置を決定するよう検出可能である。
の軸方向（前方向）に移動される際、プレートの広い領
域がFETのチャンネル領域446を被覆し、これは勿論、ソ
ース領域とドレン領域の間の導電性の変化をもたらす。
プレート430が反対方向（後方向）に移動されると、プ
レート430がチャンネル領域446を被覆しないので、再び
ソース領域とドレン領域の間の導電変化が生ずる。この
導電変化はプレート430の位置、従って、その接続され
る物体の位置を決定するよう検出可能である。
第18図及び第19図は本発明に従って作成された回転変
位測定装置の他の実施態様の斜視図であるが、可撓性バ
ンドは利用していない。第18図の装置は角度位置と変位
を測定すべき物体に取付けられる軸460を示す。軸460は
基材464内でその長手方向軸線の周わりで設置されるよ
う設置される。くさび形横断面を有し、くさび部分の頂
点が基材464に向って下方に向けられるライン・チャー
ジ効果をもたらすアーム468が軸460と共に回転するよう
当該軸から横方向に延在して設置してある。アーム468
は電荷を受取るよう電圧源472に接続してある。代替的
にアーム468は例えば、アームに埋設される電子の結
果、静電荷を支承できよう。全体的にアーム468の運動
経路の下側で円形にて複数個のFET検出器476が配設して
ある。
位測定装置の他の実施態様の斜視図であるが、可撓性バ
ンドは利用していない。第18図の装置は角度位置と変位
を測定すべき物体に取付けられる軸460を示す。軸460は
基材464内でその長手方向軸線の周わりで設置されるよ
う設置される。くさび形横断面を有し、くさび部分の頂
点が基材464に向って下方に向けられるライン・チャー
ジ効果をもたらすアーム468が軸460と共に回転するよう
当該軸から横方向に延在して設置してある。アーム468
は電荷を受取るよう電圧源472に接続してある。代替的
にアーム468は例えば、アームに埋設される電子の結
果、静電荷を支承できよう。全体的にアーム468の運動
経路の下側で円形にて複数個のFET検出器476が配設して
ある。
軸460が（その接続してある物体が原因で）回転され
ると、アーム468はFET検出器476の異なる検出器上方を
掃引するようにされ、その検出器はアームから出る電界
を検出してアームの位置を示す信号を発生する。明らか
に、この最大信号を発生するFET検出器476はアーム468
の位置付けられるその上方の検出器であろう。
ると、アーム468はFET検出器476の異なる検出器上方を
掃引するようにされ、その検出器はアームから出る電界
を検出してアームの位置を示す信号を発生する。明らか
に、この最大信号を発生するFET検出器476はアーム468
の位置付けられるその上方の検出器であろう。
FET検出器476は基材464上で間にある程度の間隔を以
って示してあるが、検出器は各種寸法と間隔を有するこ
とが出来、多くの検出器は軸460の角度位置を決定する
高い感度を提供する。
って示してあるが、検出器は各種寸法と間隔を有するこ
とが出来、多くの検出器は軸460の角度位置を決定する
高い感度を提供する。
第19図は又、基材484内で長手方向軸線の周わりに回
転するよう設置された軸480の角度変位を測定するよう
適合している。軸480と共に回転するよう半円形プレー
ト488が設置され、このプレートには電圧源492により電
荷が供給される。アーム468と同様、半円形プレート488
は基材484の上面上方で回転する。基材484の上面には４
個のFET検出器496,500,504,508が形成される。各FET検
出器は他方の検出器の２個の検出器の少なくとも一部分
と同心的になるよう（平行に延在するソース領域，ドレ
ン領域及びチャンネル領域と共に）半円形に形成してあ
る。従って、検出器496は検出器500の一部分及び検出器
508の一部分を包囲し、一方、検出器504は検出器500と5
08の他の部分も包囲する。半円形プレート488が回転さ
れる際、これは常時、FET検出器の少なくとも３個の検
出器の部分を被覆し、大部分の位置においてこれは検出
器の４個全ての部分を被覆する。
転するよう設置された軸480の角度変位を測定するよう
適合している。軸480と共に回転するよう半円形プレー
ト488が設置され、このプレートには電圧源492により電
荷が供給される。アーム468と同様、半円形プレート488
は基材484の上面上方で回転する。基材484の上面には４
個のFET検出器496,500,504,508が形成される。各FET検
出器は他方の検出器の２個の検出器の少なくとも一部分
と同心的になるよう（平行に延在するソース領域，ドレ
ン領域及びチャンネル領域と共に）半円形に形成してあ
る。従って、検出器496は検出器500の一部分及び検出器
508の一部分を包囲し、一方、検出器504は検出器500と5
08の他の部分も包囲する。半円形プレート488が回転さ
れる際、これは常時、FET検出器の少なくとも３個の検
出器の部分を被覆し、大部分の位置においてこれは検出
器の４個全ての部分を被覆する。
作動にあたり、FET検出器496,500,504及び508は半円
形プレート488で、従ってプレートで被覆される検出器
の部分で発生される電界で影響される検出器の比率を示
す信号を発生する。信号は逆に、軸480の角度位置を定
め、従って、軸が接続される物体の角度位置を定める。
形プレート488で、従ってプレートで被覆される検出器
の部分で発生される電界で影響される検出器の比率を示
す信号を発生する。信号は逆に、軸480の角度位置を定
め、従って、軸が接続される物体の角度位置を定める。
第20図，第21図，第22図は全て光学的検出を利用する
バンド制御変換器を示す。第20図において、光源520は
光を基材524に向って下方に向け、当該基材の上面上で
不透明バンド528が配設されてバンドの接続されている
物体が移動される際転動し、非転動するよう配設されて
いる。基材524の上面には延在する光電池532が形成さ
れ、この光電池は光電池に当たる光の量に比例する。大
きさの出力信号を検出器536に供給する。不透明バンド5
28が転動して被覆し、非転動状態で光電池532を被覆し
ない場合、バンドでブロックされる光の量、従って、光
電池532上に当たる光の量が変化して光電池からの出力
信号における変動を生ぜしめる。この出力信号はかくし
て光電池上方での不透明バンド528の位置の測定値を提
供し、こうしてバンドの接続される物体の位置の測定値
を示す。
バンド制御変換器を示す。第20図において、光源520は
光を基材524に向って下方に向け、当該基材の上面上で
不透明バンド528が配設されてバンドの接続されている
物体が移動される際転動し、非転動するよう配設されて
いる。基材524の上面には延在する光電池532が形成さ
れ、この光電池は光電池に当たる光の量に比例する。大
きさの出力信号を検出器536に供給する。不透明バンド5
28が転動して被覆し、非転動状態で光電池532を被覆し
ない場合、バンドでブロックされる光の量、従って、光
電池532上に当たる光の量が変化して光電池からの出力
信号における変動を生ぜしめる。この出力信号はかくし
て光電池上方での不透明バンド528の位置の測定値を提
供し、こうしてバンドの接続される物体の位置の測定値
を示す。
第21図は光検出を利用する変位測定装置の別の実施態
様を示す。ここでは、基材540に基材の上面に形成され
て電流源548で励起される複数個の発光ダイオード544が
含まれる。可撓的バンドが接続される物体の移動時に発
光ダイオード544上で転動し、非転動状態になるよう可
撓性の不透明バンド552が一端部において基材540の上面
の一端部に取付けられる。発光ダイオード544からの光
は光電池556による検出でバンド552によるブロックが無
い場合、上方に放射される。第20図の実施態様の場合と
同様光電池556は値がその当たる光の量に比例する出力
信号を発生し、この出力信号は検出器560で検出され
る。従って、バンド552が基材540及び発光ダイオード54
4上で転動しその上方から非転動状態にされる際、光の
変化する量が光電池556に到達可能にされ、かくして光
電池の出力信号の大きさを変える。従って、この出力信
号は基材554上方でのバンド552の位置を示し、従ってバ
ンドが接続される物体の位置の測定値を提供する。
様を示す。ここでは、基材540に基材の上面に形成され
て電流源548で励起される複数個の発光ダイオード544が
含まれる。可撓的バンドが接続される物体の移動時に発
光ダイオード544上で転動し、非転動状態になるよう可
撓性の不透明バンド552が一端部において基材540の上面
の一端部に取付けられる。発光ダイオード544からの光
は光電池556による検出でバンド552によるブロックが無
い場合、上方に放射される。第20図の実施態様の場合と
同様光電池556は値がその当たる光の量に比例する出力
信号を発生し、この出力信号は検出器560で検出され
る。従って、バンド552が基材540及び発光ダイオード54
4上で転動しその上方から非転動状態にされる際、光の
変化する量が光電池556に到達可能にされ、かくして光
電池の出力信号の大きさを変える。従って、この出力信
号は基材554上方でのバンド552の位置を示し、従ってバ
ンドが接続される物体の位置の測定値を提供する。
第22図は光学検出を利用している変位測定装置の他の
実施態様の側面図を示す。ここでは、基材570にはその
上面に配設された複数個の光電池574が含まれている。
バンドが取付けてある物体582が移動される際、この上
面上方で転動しその上方から転動するよう基材570の上
面の一端部において可撓的な光反射バンド578が取付け
てある。光源586、例えばレーザー光源は光線588を基材
570の上面に向って下方にその光線を反射させる位置に
てバンド578に向って向ける。従って、光線はバンド578
の位置及び物体582の位置に応じて光電池574の１つの光
電池に当てられる。光線の当たる光電池は勿論、光を受
けたことを示す出力信号を発生し、この信号はバンド57
8と物体582の位置を示す。
実施態様の側面図を示す。ここでは、基材570にはその
上面に配設された複数個の光電池574が含まれている。
バンドが取付けてある物体582が移動される際、この上
面上方で転動しその上方から転動するよう基材570の上
面の一端部において可撓的な光反射バンド578が取付け
てある。光源586、例えばレーザー光源は光線588を基材
570の上面に向って下方にその光線を反射させる位置に
てバンド578に向って向ける。従って、光線はバンド578
の位置及び物体582の位置に応じて光電池574の１つの光
電池に当てられる。光線の当たる光電池は勿論、光を受
けたことを示す出力信号を発生し、この信号はバンド57
8と物体582の位置を示す。
第20図及び第21図の実施態様における光電池が単一光
電池として示される場合はいつでも個々の光電池と一連
の光電池を利用可能であることも理解すべきである。
又、第21図には一連の発光ダイオード544が示してある
が、連続的な光片体も利用可能であろう。
電池として示される場合はいつでも個々の光電池と一連
の光電池を利用可能であることも理解すべきである。
又、第21図には一連の発光ダイオード544が示してある
が、連続的な光片体も利用可能であろう。
第23図は音響検出を利用するバンド制御変換器の側面
図である。この図ではバンド590が一端部において基材5
92に接続され、他端部においてその位置と運動の測定さ
れる物体594に接続されている。バンド590が基材上方で
転動する方向での基材592の一端部に全体的にソナー信
号源596が配設され、そのソナー信号源は音響信号をバ
ンド590に向って送り、音響検出器598はバンドから反射
された信号を検出する。音響検出器598は音響信号の移
動時間を検出しこの移動時間は勿論、バンド590の維持
と物体594の位置に応じて変化する。勿論、バンド590の
位置の検出はソナー信号源596と音響検出器598で達成さ
れるので、基材に基づく検出素子は不要である。
図である。この図ではバンド590が一端部において基材5
92に接続され、他端部においてその位置と運動の測定さ
れる物体594に接続されている。バンド590が基材上方で
転動する方向での基材592の一端部に全体的にソナー信
号源596が配設され、そのソナー信号源は音響信号をバ
ンド590に向って送り、音響検出器598はバンドから反射
された信号を検出する。音響検出器598は音響信号の移
動時間を検出しこの移動時間は勿論、バンド590の維持
と物体594の位置に応じて変化する。勿論、バンド590の
位置の検出はソナー信号源596と音響検出器598で達成さ
れるので、基材に基づく検出素子は不要である。
第24図，第25図，第26図、第27図、第28図，第29図は
全て先に説明したバンド制御変換器の使用の適用例を示
す。第24図は重み付けのため利用される本発明の変位測
定装置のグラフ的な図。この図において、ばね600は可
動素子604を固定支持体608に相互に接続する。重み付け
すべき物体618を保持する保持プレート612はライン620
を可動素子604に接続することで接続される。基材624に
は表面628内に形成された検出器が含まれ、この検出器
上には可撓性バンド632が配設されて先に実施例で説明
された如く転動及び非転動を行なう。バンド632の一端
部は基材623の下端部に取付けられ、バンドの他端部は
可動素子604に取付けられてバンドの所望の転動と非転
動を可能にする。検出装置を備えた基材624は表示装置6
36に接続され、検出器の出力信号の大きさを表わす読取
り値と、従って物体616の重量の読取り値を提供する。
全て先に説明したバンド制御変換器の使用の適用例を示
す。第24図は重み付けのため利用される本発明の変位測
定装置のグラフ的な図。この図において、ばね600は可
動素子604を固定支持体608に相互に接続する。重み付け
すべき物体618を保持する保持プレート612はライン620
を可動素子604に接続することで接続される。基材624に
は表面628内に形成された検出器が含まれ、この検出器
上には可撓性バンド632が配設されて先に実施例で説明
された如く転動及び非転動を行なう。バンド632の一端
部は基材623の下端部に取付けられ、バンドの他端部は
可動素子604に取付けられてバンドの所望の転動と非転
動を可能にする。検出装置を備えた基材624は表示装置6
36に接続され、検出器の出力信号の大きさを表わす読取
り値と、従って物体616の重量の読取り値を提供する。
第25図は温度測定装置の側面図である。基材650には
上面に形成された検出器654が含まれる。第１熱膨張係
数を有する可撓性バンド658が一端部において基材650の
一端部に取付けられ、基材の一部分に重なる。第２膨張
係数を有する第２バンド662が最初に述べたバンド658に
重なる。電圧源666がバンド658に接続され、電荷を供給
する。
上面に形成された検出器654が含まれる。第１熱膨張係
数を有する可撓性バンド658が一端部において基材650の
一端部に取付けられ、基材の一部分に重なる。第２膨張
係数を有する第２バンド662が最初に述べたバンド658に
重なる。電圧源666がバンド658に接続され、電荷を供給
する。
第25図の装置が受ける大気温度の変化するのに伴ない
バンド658と、バンド662は異なる割合状態とされ、この
バンドのカールと又はカールを基材650の表面から生ぜ
しめる。例えば、バンド658の膨張係数がバンド662の膨
張係数より大きい場合は、温度上昇に伴ない２個のバン
ドは基材650からカールして離れる傾向がある。勿論、
バンド658が検出器654上で変動するか又は検出器654上
方から非転動状態になるのに伴ないこの検出器からの出
力信号が変化しバンド658の位置、従って大気温度を示
す。
バンド658と、バンド662は異なる割合状態とされ、この
バンドのカールと又はカールを基材650の表面から生ぜ
しめる。例えば、バンド658の膨張係数がバンド662の膨
張係数より大きい場合は、温度上昇に伴ない２個のバン
ドは基材650からカールして離れる傾向がある。勿論、
バンド658が検出器654上で変動するか又は検出器654上
方から非転動状態になるのに伴ないこの検出器からの出
力信号が変化しバンド658の位置、従って大気温度を示
す。
第26図は２個の延在する素子680,684の間の角度位置
を測定する装置を示す。素子680,684は一端部において
接続され、枢軸点688の周わりで枢軸運動する。直線状
検出器690,694は各々延在している素子680,684に取付け
られ、可撓的で電気的又は磁気的に励起されるバンド69
8がその２個の端部において素子680,684に取付けられる
ので、バンドは内方に延在し、弓の形状にて検出器690,
694の一部分に重なる。素子680,684は共に近接して枢軸
運動するとバンド698の１個以上のバンドが検出器690,6
94に重なり、素子が相互に離れるよう枢軸運動される
と、バンドが検出器に重ならなくなる。検出器690,694
はバンド698の近接度合を検出し、先の実施例で説明し
た如く、素子680,684の相対的位置を示す信号を発生す
る。
を測定する装置を示す。素子680,684は一端部において
接続され、枢軸点688の周わりで枢軸運動する。直線状
検出器690,694は各々延在している素子680,684に取付け
られ、可撓的で電気的又は磁気的に励起されるバンド69
8がその２個の端部において素子680,684に取付けられる
ので、バンドは内方に延在し、弓の形状にて検出器690,
694の一部分に重なる。素子680,684は共に近接して枢軸
運動するとバンド698の１個以上のバンドが検出器690,6
94に重なり、素子が相互に離れるよう枢軸運動される
と、バンドが検出器に重ならなくなる。検出器690,694
はバンド698の近接度合を検出し、先の実施例で説明し
た如く、素子680,684の相対的位置を示す信号を発生す
る。
第27図は上面に形成された検出器708を備えた基材704
を含む別の重み付け装置を示す。全体的に基材704と平
行でその上方の位置を維持すべくプラットホ−ム712が
ばね716,720上に設置してある。可撓性バンド724が一端
部において基材704の一端部に接続され、他端部におい
てプラットホーム712の一端部に接続される。物体728が
重み付けすべきプラットホーム712上に設置されると、
プラットホームは下方に移動されて基材704に近付き、
こうしてバンド724を検出器708上方で変位させ、その多
くを被覆する。物体728の重量はバンド724が検出器708
を被覆する程度を決定し、これは物体の重量を読出し装
置732での読出しを提供する検出器により検出される。
を含む別の重み付け装置を示す。全体的に基材704と平
行でその上方の位置を維持すべくプラットホ−ム712が
ばね716,720上に設置してある。可撓性バンド724が一端
部において基材704の一端部に接続され、他端部におい
てプラットホーム712の一端部に接続される。物体728が
重み付けすべきプラットホーム712上に設置されると、
プラットホームは下方に移動されて基材704に近付き、
こうしてバンド724を検出器708上方で変位させ、その多
くを被覆する。物体728の重量はバンド724が検出器708
を被覆する程度を決定し、これは物体の重量を読出し装
置732での読出しを提供する検出器により検出される。
第28図は上面に形成された検出器754を有する基材750
を含む加速計の側面図である。バンド758が先に説明し
た如く基材750に取付けられ、自由端部において質量体7
62に取付けられる。逆に、この質量体は基材750上に設
置された堅固な支持部材770にばね766により接続され
る。第28図の装置が左側又は右側へ加速されると、質量
体762は各々加速の大きさ（及びばね766の堅固性）に応
じて左又は右へ移動され、この運動は逆にバンド758を
この運動を検出する検出器754上方で転動又は検出器754
上方から非転動状態にする。この様式にて、第28図の装
置の加速を測定出来る。ばね766は加速が生じていない
場合に質量体762を静止位置に回復させる。
を含む加速計の側面図である。バンド758が先に説明し
た如く基材750に取付けられ、自由端部において質量体7
62に取付けられる。逆に、この質量体は基材750上に設
置された堅固な支持部材770にばね766により接続され
る。第28図の装置が左側又は右側へ加速されると、質量
体762は各々加速の大きさ（及びばね766の堅固性）に応
じて左又は右へ移動され、この運動は逆にバンド758を
この運動を検出する検出器754上方で転動又は検出器754
上方から非転動状態にする。この様式にて、第28図の装
置の加速を測定出来る。ばね766は加速が生じていない
場合に質量体762を静止位置に回復させる。
最後に、第29図は物体780の速度を測定する装置の側
面図を示す。物体780が或る速度にて左又は右へ移動さ
れると、物体の取付けてあるバンド784が物体の運動速
度の半分の速度にて基材786上方で転動又はその上方か
ら非転動状態にされる。バンドは導電性材料製であり、
抵抗788及び電流計790を通じてDC電流源792に接続され
る。DC電流源792の外側は基材786の上部に配設された導
電性プレート794に接続される。誘電層796が導電性プレ
ート894に重なり、バンド784の下側に位置付けられる。
DC電流源792はプレート794と誘電層796に重なるバンド7
84の間にキャパシタンスを発生する。物体780が或る速
度にて第29図において左から右へ移動されると、バンド
784は当該速度の半分の速度で誘電層796を被覆するか又
は非被覆状態にし、バンドとプレート794の間のキャパ
シタンスの変化を生ぜしめる。物体780の速度に比例す
るこの変化で電流が抵抗788を通じて流れ、この電流が
電流計790により検出され、物体780の速度の測定値が提
供される。キャパシタンスの変化の結果として発生され
る電流を測定する他の装置についても先に説明した如く
提供可能であろう。
面図を示す。物体780が或る速度にて左又は右へ移動さ
れると、物体の取付けてあるバンド784が物体の運動速
度の半分の速度にて基材786上方で転動又はその上方か
ら非転動状態にされる。バンドは導電性材料製であり、
抵抗788及び電流計790を通じてDC電流源792に接続され
る。DC電流源792の外側は基材786の上部に配設された導
電性プレート794に接続される。誘電層796が導電性プレ
ート894に重なり、バンド784の下側に位置付けられる。
DC電流源792はプレート794と誘電層796に重なるバンド7
84の間にキャパシタンスを発生する。物体780が或る速
度にて第29図において左から右へ移動されると、バンド
784は当該速度の半分の速度で誘電層796を被覆するか又
は非被覆状態にし、バンドとプレート794の間のキャパ
シタンスの変化を生ぜしめる。物体780の速度に比例す
るこの変化で電流が抵抗788を通じて流れ、この電流が
電流計790により検出され、物体780の速度の測定値が提
供される。キャパシタンスの変化の結果として発生され
る電流を測定する他の装置についても先に説明した如く
提供可能であろう。
第30図及び第31図は可撓性バンドの端部に取付けられ
た物体の位置運動を検出するため電気的抵抗変化を利用
する変位測定装置の斜視図を示す。第30図において、バ
ンド800が一端部に取付けられ、基材804を転動し、基材
804上方から非転動状態にする。バンドの自由端部は運
動の検出された（図示せざる）物体に取付けられよう。
基材804の上面には２個の抵抗性材料の片体808,812が形
成され、これらの抵抗片体は全体的に基材上で長さ方向
に隔置された関係を以って相互に平行に延在している。
抵抗片体808は電流源816に接続され、抵抗片体812は電
流計820に接続され、従って電流源816に接続される。バ
ンド800はバンドと接触していない抵抗片体808の該当部
分を通じ、抵抗片体812に対するバンドを通じ、次に電
流計820を通じて電流源に戻されて電流が流れるよう導
電性材料で作成してある。電流が貫流する抵抗性片体80
8,812の長さは長ければ長い程電流の流れる抵抗が大き
いことから電流は低くなり、その逆もなり立つ。従っ
て、バンド800が抵抗片体808から812上で転動し又は抵
抗片体808,812上方から非転動状態にされると、流路内
の抵抗が変化し、結果的に電流計820に流れる電流の変
動を生じ、この変動が測定されてバンド800の自由端部
の位置の測定をもたらす。抵抗片体は例示的には基材80
4の上面に取付けられたポリマー片体（例えば、マイラ
ー）上に配設されたニッケル，クロムで作成可能であろ
う。
た物体の位置運動を検出するため電気的抵抗変化を利用
する変位測定装置の斜視図を示す。第30図において、バ
ンド800が一端部に取付けられ、基材804を転動し、基材
804上方から非転動状態にする。バンドの自由端部は運
動の検出された（図示せざる）物体に取付けられよう。
基材804の上面には２個の抵抗性材料の片体808,812が形
成され、これらの抵抗片体は全体的に基材上で長さ方向
に隔置された関係を以って相互に平行に延在している。
抵抗片体808は電流源816に接続され、抵抗片体812は電
流計820に接続され、従って電流源816に接続される。バ
ンド800はバンドと接触していない抵抗片体808の該当部
分を通じ、抵抗片体812に対するバンドを通じ、次に電
流計820を通じて電流源に戻されて電流が流れるよう導
電性材料で作成してある。電流が貫流する抵抗性片体80
8,812の長さは長ければ長い程電流の流れる抵抗が大き
いことから電流は低くなり、その逆もなり立つ。従っ
て、バンド800が抵抗片体808から812上で転動し又は抵
抗片体808,812上方から非転動状態にされると、流路内
の抵抗が変化し、結果的に電流計820に流れる電流の変
動を生じ、この変動が測定されてバンド800の自由端部
の位置の測定をもたらす。抵抗片体は例示的には基材80
4の上面に取付けられたポリマー片体（例えば、マイラ
ー）上に配設されたニッケル，クロムで作成可能であろ
う。
第31図は又、電気的抵抗の変動を利用するバンド830
の自由端部の位置を測定する。この図においては、バン
ド830は上面上の基材834に一端部が取付けられ、当該上
面は図示の如く相互に全体的に平行になるよう配列され
た２個の導電性片体838,842（例えば、金属）が配設し
てある。導電性片体838は電流源846に接続され、導電性
片体842は電流計850を通じて電流源の他方の側に接続さ
れる。バンド830は電流を導電性片体838,842の間に導通
させるが、所定の低抗率を呈する可撓的な抵抗性材料で
作成してある。第31図の装置においては、電流源846か
ら導電性片体838を通じ２個の導電性片体と接触してい
るバンド830の該当部分を横切って導電性片体842にいた
り、次に電流計850を通じて電流源に戻る電流の流れが
確立される。バンド830の自由端部が移動されると、バ
ンドは導電性片体838,842上で転動し、その上方から非
転動状態にされて２個の片体の間の電流の流路の全体的
抵抗を変え、この抵抗が変化すると、電流計850を通る
電流も変えられてバンド830の自由端部の位置の測定値
を提供する。抵抗性バンド830は例示的には黒鉛が充填
されたゴム等といった材料の薄いポリマー・シート上に
配設されたニッケル−クロムで作成出来よう。
の自由端部の位置を測定する。この図においては、バン
ド830は上面上の基材834に一端部が取付けられ、当該上
面は図示の如く相互に全体的に平行になるよう配列され
た２個の導電性片体838,842（例えば、金属）が配設し
てある。導電性片体838は電流源846に接続され、導電性
片体842は電流計850を通じて電流源の他方の側に接続さ
れる。バンド830は電流を導電性片体838,842の間に導通
させるが、所定の低抗率を呈する可撓的な抵抗性材料で
作成してある。第31図の装置においては、電流源846か
ら導電性片体838を通じ２個の導電性片体と接触してい
るバンド830の該当部分を横切って導電性片体842にいた
り、次に電流計850を通じて電流源に戻る電流の流れが
確立される。バンド830の自由端部が移動されると、バ
ンドは導電性片体838,842上で転動し、その上方から非
転動状態にされて２個の片体の間の電流の流路の全体的
抵抗を変え、この抵抗が変化すると、電流計850を通る
電流も変えられてバンド830の自由端部の位置の測定値
を提供する。抵抗性バンド830は例示的には黒鉛が充填
されたゴム等といった材料の薄いポリマー・シート上に
配設されたニッケル−クロムで作成出来よう。
先に説明した如く、第30図及び第31図の装置は両者共
電流の流路における電気的抵抗の変動を利用することに
より可撓性バンドに接続された物体の位置と変位の両者
を測定している。
電流の流路における電気的抵抗の変動を利用することに
より可撓性バンドに接続された物体の位置と変位の両者
を測定している。
第32図は２個の導電性バンドのループ864,868の間で
延在する質量体又は片体860が架橋し、これらのループ
に取付けられる或る形式の非バンド検出装置の側面図を
示す。バンドのループ864は基材874上に配設された２個
の導電性プレート872,876の間に架橋するよう位置付け
られる。プレート872,876は各々電圧源878,880に接続さ
れる。電圧源878,880により個々のプレート872,876に供
給される電圧信号の大きさは基材890の上面上で直線状
隔置位置にて形成された検出器886,888からの入力を受
取るサーボ論理回路884で制御される。検出器886,888は
先に述べた型式に出来よう。
延在する質量体又は片体860が架橋し、これらのループ
に取付けられる或る形式の非バンド検出装置の側面図を
示す。バンドのループ864は基材874上に配設された２個
の導電性プレート872,876の間に架橋するよう位置付け
られる。プレート872,876は各々電圧源878,880に接続さ
れる。電圧源878,880により個々のプレート872,876に供
給される電圧信号の大きさは基材890の上面上で直線状
隔置位置にて形成された検出器886,888からの入力を受
取るサーボ論理回路884で制御される。検出器886,888は
先に述べた型式に出来よう。
作動にあたり、片体860がそこに加えられる力によ
り、第32図の装置の加速により例えば第32図の左側又は
右側に移動されると、バンドのループ864,868がその上
に配設してある個々の基材上で転動され、バンドのルー
プ868の運動はそれに応じてサーボ論理回路884に信号を
送る検出器886,888で検出される。サーボ論理回路884は
検出器からの信号に応答して電圧源878,880に信号を送
り、プレート872,876の対応する一方のプレートに静電
的引付けを生ぜしめ、導電性バンドのループ864を引寄
せて静止位置又は非作動位置へ向って元に転動させる。
従って、片体860が左側へ移動すればプレート876はバン
ドのループ864を引寄せ、それをプレート872,876の間の
中間の非作動位置へ転動して戻し、その逆になすよう励
起されよう。前述の様式にて非作動加速（又は他の力
の）検出器が提供される。前述した配列は本発明の原理
の適用例の例示的なものに過ぎないことを理解すべきで
ある。多数の改変と代替的配列は本発明の技術思想と範
囲から逸脱せずに当技術の熟知者により案出可能であ
り、前掲の特許請求の範囲にこうした改変と配列を対象
とする意図がある。
り、第32図の装置の加速により例えば第32図の左側又は
右側に移動されると、バンドのループ864,868がその上
に配設してある個々の基材上で転動され、バンドのルー
プ868の運動はそれに応じてサーボ論理回路884に信号を
送る検出器886,888で検出される。サーボ論理回路884は
検出器からの信号に応答して電圧源878,880に信号を送
り、プレート872,876の対応する一方のプレートに静電
的引付けを生ぜしめ、導電性バンドのループ864を引寄
せて静止位置又は非作動位置へ向って元に転動させる。
従って、片体860が左側へ移動すればプレート876はバン
ドのループ864を引寄せ、それをプレート872,876の間の
中間の非作動位置へ転動して戻し、その逆になすよう励
起されよう。前述の様式にて非作動加速（又は他の力
の）検出器が提供される。前述した配列は本発明の原理
の適用例の例示的なものに過ぎないことを理解すべきで
ある。多数の改変と代替的配列は本発明の技術思想と範
囲から逸脱せずに当技術の熟知者により案出可能であ
り、前掲の特許請求の範囲にこうした改変と配列を対象
とする意図がある。
第1A図，第1B図及び第1C図は各々本発明の諸原理に従っ
て電界効果トランジスターを利用している変位測定装置
の各々斜視図、側面図及び分解斜視端面図， 第２図は本発明による容量性カップリングを利用してい
る変位測定装置の分解斜視端面図， 第３図は本発明によるスプリット・ドレン磁界効果トラ
ンジスターを利用している変位測定装置の斜視図， 第４図は本発明によるエレクトレット・シートと電界効
果トランジスターを利用している変位測定装置の斜視
図， 第５図は本発明によるホール効果を利用している変位測
定装置の斜視図， 第６図は本発明による物体の運動を検出するためキャパ
シタンス変動を利用する変位測定装置の側面図、 第７図は本発明による物体の運動の自由度２度を測定す
る連続バンドを利用している変位測定装置の側面図、 第８図は本発明によるジョイステイックの運動を測定す
る２個の連続バンドを利用している変位測定装置の斜視
図、 第9A図及び第9B図は各々本発明に従って作成された回転
変位測定装置の等角図と側面図、 第10A図及び第10B図は各々本発明に従って作成された連
続回転変位測定装置の別の実施態様の斜視図と側面図、 第11図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定する
装置の側面図、 第12図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定する
装置の他の実施態様の側面図、 第13図は本発明に従って物体の直線運動の自由度２度を
測定し且つ物体の回転運動の他の自由度を測定する変位
測定装置の側面図、 第14図は本発明に従って物体の位置と運動を表わすデイ
ジタル出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第15図は本発明に従って物体の運動に応答し別々の出力
増分を発生する変位装置の斜視図、 第16図は本発明に従って物体の運動に応答する非直線状
出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第17図は直線的に移動自在のくさび形素子を利用する変
位測定装置の斜視図、 第18図は本発明により作成された他の回転変位測定装置
の斜視図、 第19図は本発明により作成された更に他の回転変位測定
装置の斜視図、 第20図は本発明による光学的検出を利用している変位測
定装置の斜視図、 第21図は光学的検出を利用している変位測定装置の他の
実施態様の斜視図、 第22図は光学的検出を利用する更に他の変位測定装置の
側面図、 第23図は音響検出を利用する変位測定装置の側面図、 第24図は重み付けのため利用される本発明の変位測定装
置のグラフ的図、 第25図は温度測定のため利用される本発明の変位測定装
置の側面図、 第26図は端部において共に枢軸的に結合された２個の素
子の間の角度を測定する目的に使用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第27図はこれも重み付けのため利用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第28図は加速を測定する目的に利用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第29図は速度測定のため利用される本発明の変位測定装
置の側面図、 第30図は本発明による物体の運動を検出するよう電気的
抵抗変化を利用する変位測定装置の斜視図、 第31図は物体の運動を検出するよう電気的抵抗変化を利
用する変位測定装置の他の実施態様の斜視図、 第32図はとりわけ加速と他の力発生現象を測定する目的
に利用される本発明の変位測定装置の側面図である。 〔符号の説明〕 4,180,374,394,582,594、616,728:物体、132,148:検出
器188,192,212,216,220,224,258,300,330,332:FET検出
器、356,358,360,362,382,382b:検出器、476:FET検出
器、536,560:検出器、598:音響検出器、654,690,694,70
8,754,886,888:検出器、8,60,92,108,136,160,164,200,
232,236,270,280,316,318,326,364,370,390,420,552,57
8,590,632,658,662,698,724,758,784,800,830:バンド、
12,40,68,104,120,184,208,254,288,328,354,378,398,4
24,434,464,484,524,540,554,570,592,624,650,704,75
0,786,804,834,874,890:基材、598:音響検出器、884:サ
ーボ論理回路
て電界効果トランジスターを利用している変位測定装置
の各々斜視図、側面図及び分解斜視端面図， 第２図は本発明による容量性カップリングを利用してい
る変位測定装置の分解斜視端面図， 第３図は本発明によるスプリット・ドレン磁界効果トラ
ンジスターを利用している変位測定装置の斜視図， 第４図は本発明によるエレクトレット・シートと電界効
果トランジスターを利用している変位測定装置の斜視
図， 第５図は本発明によるホール効果を利用している変位測
定装置の斜視図， 第６図は本発明による物体の運動を検出するためキャパ
シタンス変動を利用する変位測定装置の側面図、 第７図は本発明による物体の運動の自由度２度を測定す
る連続バンドを利用している変位測定装置の側面図、 第８図は本発明によるジョイステイックの運動を測定す
る２個の連続バンドを利用している変位測定装置の斜視
図、 第9A図及び第9B図は各々本発明に従って作成された回転
変位測定装置の等角図と側面図、 第10A図及び第10B図は各々本発明に従って作成された連
続回転変位測定装置の別の実施態様の斜視図と側面図、 第11図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定する
装置の側面図、 第12図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定する
装置の他の実施態様の側面図、 第13図は本発明に従って物体の直線運動の自由度２度を
測定し且つ物体の回転運動の他の自由度を測定する変位
測定装置の側面図、 第14図は本発明に従って物体の位置と運動を表わすデイ
ジタル出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第15図は本発明に従って物体の運動に応答し別々の出力
増分を発生する変位装置の斜視図、 第16図は本発明に従って物体の運動に応答する非直線状
出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第17図は直線的に移動自在のくさび形素子を利用する変
位測定装置の斜視図、 第18図は本発明により作成された他の回転変位測定装置
の斜視図、 第19図は本発明により作成された更に他の回転変位測定
装置の斜視図、 第20図は本発明による光学的検出を利用している変位測
定装置の斜視図、 第21図は光学的検出を利用している変位測定装置の他の
実施態様の斜視図、 第22図は光学的検出を利用する更に他の変位測定装置の
側面図、 第23図は音響検出を利用する変位測定装置の側面図、 第24図は重み付けのため利用される本発明の変位測定装
置のグラフ的図、 第25図は温度測定のため利用される本発明の変位測定装
置の側面図、 第26図は端部において共に枢軸的に結合された２個の素
子の間の角度を測定する目的に使用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第27図はこれも重み付けのため利用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第28図は加速を測定する目的に利用される本発明の変位
測定装置の側面図、 第29図は速度測定のため利用される本発明の変位測定装
置の側面図、 第30図は本発明による物体の運動を検出するよう電気的
抵抗変化を利用する変位測定装置の斜視図、 第31図は物体の運動を検出するよう電気的抵抗変化を利
用する変位測定装置の他の実施態様の斜視図、 第32図はとりわけ加速と他の力発生現象を測定する目的
に利用される本発明の変位測定装置の側面図である。 〔符号の説明〕 4,180,374,394,582,594、616,728:物体、132,148:検出
器188,192,212,216,220,224,258,300,330,332:FET検出
器、356,358,360,362,382,382b:検出器、476:FET検出
器、536,560:検出器、598:音響検出器、654,690,694,70
8,754,886,888:検出器、8,60,92,108,136,160,164,200,
232,236,270,280,316,318,326,364,370,390,420,552,57
8,590,632,658,662,698,724,758,784,800,830:バンド、
12,40,68,104,120,184,208,254,288,328,354,378,398,4
24,434,464,484,524,540,554,570,592,624,650,704,75
0,786,804,834,874,890:基材、598:音響検出器、884:サ
ーボ論理回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エヴェレット ウッド アメリカ合衆国 ユタ州 84158 ソル ト レイク シテイ，ピー．オウ．ボッ クス 58642 (56)参考文献 特表 平３−502132（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01D 5/00 - 5/62 G01B 7/00 - 7/34
Claims (59)
- 【請求項１】変位測定装置であって、 変位を測定すべき素子と； 少なくとも１つの表面領域が形成され、前記表面領域に
対する導電性部材の接近の変動に応じて値が変化する電
気的出力信号を発生するよう適合した検出装置と、 当該素子が移動して前記検出装置の出力信号の値を変え
る際バンドの少なくとも一部分が前記表面領域に対し相
対的に非摺動的に移動されるよう前記表面領域に近接し
て配設された延在する可撓性のある導電性バンドから成
る変位測定装置。 - 【請求項２】前記バンドの一端部が前記検出装置に対し
て相対的に固定され、前記素子が移動されてバンドで前
記表面領域の少なくとも一部分を選択的に被覆、非被覆
にするような際前記バンドの他端部が前記素子に接続さ
れて移動する請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項３】前記検出装置が、 第１表面領域を有する基材、バンドの少なくとも一部分
が第１表面領域に重なるよう第１表面領域にバンドの前
記一端部が結合されること、当該部分の量が前記バンド
の他端部の移動に伴なって変化すること、及び 第１表面領域に重なるバンドの部分と前記素子の変位を
検出するよう少なくとも一部分が第１表面に配設してあ
る検知装置を含む請求項２記載の変位測定装置。 - 【請求項４】前記検出装置が更にバンドから出る電界を
発生するよう前記バンドに電圧を供給する装置を含み、
前記検出装置がソース領域、ドレン領域、ソース領域と
ドレン領域の間に位置付けられバンド下側の第１表面上
で全体的に平行に延在しているチャンネル領域を有する
電界効果トランジスター及びソース領域、ドレン領域及
びチャンネル領域に重なる絶縁層を含み、前記電界効果
トランジスターがかくしてバンドから出る電界及びバン
ドで直接被覆されるチャンネル領域の面積に比例する値
を備えた出力信号を発生する請求項３記載の変位測定装
置。 - 【請求項５】前記基材がケイ素で構成され、前記絶縁層
が窒化ケイ素と二酸化ケイ素から成るグループより選択
された材料で構成され、前記バンドがベリリウム、銅、
クロム、タングステン、金属化ポリマー、金属化水晶、
金属化ケイ素及びチタンから成るグループより選択され
た材料で構成される請求項４記載の変位測定装置。 - 【請求項６】前記検出装置が更にバンドから出る電界を
発生するよう前記バンドに電圧を供給する装置を含み、
前記検出装置が、 ソース領域、ドレン領域、ソース領域とチャンネル領域
に隣接するゲート領域の間に位置付けられたチャンネル
領域を有する電界効果トランジスターと、 バンドの下側で第１表面上に配設され電気的にゲート領
域に接続される導電性プレートと、 導電性層に重なる絶縁層とを含み、 前記電界効果トランジスターがバンドから出る電界に比
例しバンドで直接被覆される導電性プレートの面積に比
例する出力信号を発生することから成る請求項３記載の
変位測定装置。 - 【請求項７】前記バンドが磁化され、前記検知装置が更
に基材の一端部附近のソース領域、基材の反対側端部附
近の２個のドレン領域及びバンド下側の第１表面におけ
るソース領域と２個のドレン領域の間に位置付けられた
チャンネル領域を有するスプリット・ドレン磁界効果ト
ランジスターを含み、前記スプリット・ドレン磁界効果
トランジスターがかくしてバンドから出る磁界及びバン
ドで直接被覆されるチャンネル領域の面積に比例する値
の出力信号を発生する請求項３記載の変位測定装置。 - 【請求項８】前記基材がケイ素で構成され、前記バンド
が磁化材料の薄膜で被覆された可撓性材料で構成される
請求項７記載の変位測定装置。 - 【請求項９】前記検出装置が更に第１表面上に配設され
バンド下側に延在する材料の導電性片体と、電圧を前記
導電性片体に供給する装置を含み、前記検知装置がソー
ス領域、ドレン領域、ソース領域とドレン領域の間に位
置付けられバンド下側にあって全体的にソース領域とド
レン領域並びに導電性片体と平行に延在するチャンネル
領域を有する電界効果トランジスター及びソース領域、
ドレン領域、チャンネル領域及び導電性片体の上に重な
る誘電層を含み、前記電界効果トランジスターがかくし
てチャンネル領域の一部分にあたり前記片体と前記バン
ドの間に発生されるキャパシタンスに比例する電界に比
例する値の出力信号を発生し、当該キャパシタンスが導
電性片体に重なる前記バンドの部分に比例する請求項３
記載の変位測定装置。 - 【請求項１０】前記検出装置が更に第１表面上に配設さ
れバンド下側に延在する材料製の導電性片体、導電性片
体に重なる誘電層、電圧を前記バンドに供給する装置を
含み、前記検知装置がバンドで発生される電界に比例す
る大きさの且つ導電性片体に当たり、従ってバンドと導
電性片体の間に発生されるキャパシタンスに比例する出
力信号を発生するよう前記導電性片体に接続されたゲー
ト領域を有する電界効果トランジスターを含み、当該キ
ャパシタンスが片体に重なるバンドの部分に比例する請
求項３記載の変位測定装置。 - 【請求項１１】前記基材が導電性材料で構成され、前記
バンドが磁化され、前記検出器が一端部から他端部に流
れる電流を基材に供給する装置を含み、前記検知装置が
バンド下側の基材に沿った各種位置において前記基材の
一方の側から他方の側への電圧降下を検出する装置を含
み、前記電圧降下が基材に重なるバンドの部分に応じて
基材に沿って変化する請求項３記載の変位測定装置。 - 【請求項１２】前記検出装置が更に電界を発生し第１表
面上に配設されバンド下側に延在するエレクトレット装
置を含み、前記バンドがアース接続され、前記検知装置
がソース領域、ドレン領域、ソース領域とエレクトレッ
ト装置の下側のドレン領域の間に位置付けられたチャン
ネル領域を含み、前記電界効果トランジスターがかくし
て逆にバンドにより重ならないエレクトレット装置の面
積に比例するエレクトレット装置からのチャンネル領域
に当たる電界に比例する値の出力信号を発生する請求項
３記載の変位測定装置。 - 【請求項１３】前記エレクトレット装置が電子を含有
し、少なくとも電界効果トランジスターのチャンネル領
域上方で且つバンド下側に配設されたポリテトラフルオ
ロエチレンの片体を含む請求項12記載の変位測定装置。 - 【請求項１４】前記検出装置が間にキャパシタンスを発
生するよう２つの面する全体的に平行な導電性表面領域
を定める装置、各々個々の表面領域上に配設される２個
の誘電性層、前記キャパシタンスを示す出力信号を発生
する装置を含み、前記変位測定装置が更に層に部分的に
重なるよう誘電層の一方の層の片側に対し一端部におい
て結合された第２の長い可撓性で電気的に導電性のバン
ドを含み、前記最初に述べたバンドが他方の層に部分的
に重なるよう前記一方の誘電層の片側に隣接する他方の
誘電層の一方の側に一端部において接続され、前記バン
ドが各々個々の片側から前方へ個々の層の反対側に向っ
て延在し、次に、個々の層から外方へ且つ後方へ曲って
結合し他方のバンドに沿って延在すること、バンドの前
記他方の端部が素子の移動時に誘電層の間で接離自在に
移動され、かくしてバンドを誘電層の対応する部分を個
々に被覆し且つ非被覆させ、こうして表面領域の間のキ
ャパシタンスを変化させることから成る請求項１記載の
変位測定装置。 - 【請求項１５】前記検出装置が、 前記一方の表面領域と対面する関係にて配列された非導
電性表面領域を定める装置、前記バンドが非導電性表面
領域の一部分上方で前方に延在し次にそこから外方に且
つ後方へ曲がり、素子の移動時にバンドの他端部が非導
電性表面領域と前記一方の表面領域の間で接離自在に移
動されるようにしたこと、 前記一方の表面領域と後方に延在するよう曲げてあるバ
ンドの該当部分の間にキャパシタンスを発生する装置、
前記キャパシタンスがバンドの後方に延在する部分の面
積の変化に伴ない且つバンドの他端部が非導電性表面領
域と前記一方の表面領域の間で接離自在に移動される際
変化すること、 バンドと前記一方の表面領域の間に発生したキャパシタ
ンスを測定する装置から成る請求項１記載の変位測定装
置。 - 【請求項１６】前記検出装置が、上部表面領域を有する
基材、前記バンドで被覆される第１及び第２装置の部分
を表わす各々第１出力信号と第２出力信号を発生するよ
う上部表面に配設された直線方向に隔置された第１及び
第２装置を含み、前記バンドがループ状に形成され、当
該ループの下方部分が第１装置と第２装置の間で基材に
取付けられ、バンドを選択的に可撓的にして前記第１及
び第２装置の少なくとも該当部分を被覆し且つ非被覆可
能とし、前記素子がループの上方部分と接触して配設さ
れ基材に向って移動自在でバンドで第１及び第２の１個
以上の装置を被覆し、基材から離してバンドを第１及び
第２装置の１個以上の装置を非被覆状態にし、第１方向
で側方へ移動し、バンドで第２装置の１個以上の装置を
被覆し、第２装置の１個以上の装置を被覆せず、第２反
対方向に側方へ移動してバンドで第２装置の１個以上の
装置を被覆し第１装置の１個以上の装置を被覆しないよ
うにした請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項１７】前記検出装置が更に、バンドから出る電
界を発生する電圧をバンドに供給する装置を含み、前記
第１装置及び第２装置がトランジスターに当たる電界の
大きさを検出する電界効果トランジスターを含む請求項
16記載の変位測定装置。 - 【請求項１８】前記バンドが磁化され、前記第１及び第
２装置がトランジスターに当たる磁界の大きさを検出す
るスプリット・ドレン磁界効果トランジスターを含む請
求項16記載の変位測定装置。 - 【請求項１９】前記検出装置が更に基材の上面と第１及
び第２装置に重なるバンドの該当部分の間にキャパシタ
ンスを発生する装置を含み、前記第１及び第２装置が電
界効果トランジスターを含み、各トランジスターが前記
各電界効果トランジスターに重なるバンドの上面と該当
部分の間のキャパシタンスの大きさを検出する請求項16
記載の変位測定装置。 - 【請求項２０】前記検出装置が更に一端部から他端部に
向って流れる電流を前記基材に供給する装置を含み前記
バンドが磁化され、前記第１装置と第２装置がバンドで
被覆される基材の該当領域に沿って電流の側方偏寄を検
出する装置を含む請求項16記載の変位測定装置。 - 【請求項２１】前記検出装置が更に電界を発生する且つ
バンドと第１及び第２装置の間に配設されたエレクトレ
ット片体装置を含み、前記バンドがアースに接続され、
前記第１装置及び第２装置がトランジスターに当たる電
界の大きさを検出する電界効果トランジスターを含む請
求項14記載の変位測定装置。 - 【請求項２２】更に、最初に述べたバンドの横方向に配
設されたループに形成される第２の延在する可撓的で電
気的導電性のバンドを含み、第２バンドの下方部分が第
２バンドを選択的に最初に述べたバンドの横方向にたわ
ませることが出来るよう最初に述べたバンドの下方部分
に取付けられ、前記検出装置が更に第３装置及び第４装
置の部分を被覆するようたわんだ際第２バンドで被覆さ
れる第３装置と第４装置の該当部分を各々表わす第３出
力信号と第４出力信号を発生するよう最初に述べたバン
ドの各側の上面内で第２バンドと整列して配設された直
線方向に隔置された第３装置及び第４装置を含み、前記
素子がその移動時に第２バンドを移動させるよう第２バ
ンドの上方部分と接触して配設される請求項16記載の変
位測定装置。 - 【請求項２３】バンドの上方部分に延在する開口部が形
成され、各開口部がその形成される個々のバンドの横方
向に延在し、前記開口部が一方が他方の上に位置付けら
れ、前記素子がジョイステイックを含み、当該ジョイス
テイックの下端部がバンドの下方部分にて枢軸的に取付
けられ、その上端部が前記開口部を通って延在しジョイ
ステイックの上端部が移動される際バンドと接触してバ
ンドを移動させるようにした請求項22記載の変位測定装
置。 - 【請求項２４】前記検知装置が全体的に基材上に部分円
にて形成され、前記素子が基材上方で回転するよう配設
され、素子が一方向に回転される際バンドが交互に移動
して徐々に検知装置を被覆し、素子が反対方向に回転さ
れる際移動して徐々に検知装置を非被覆状態にする請求
項3,4,7,9,10又は12記載の変位測定装置。 - 【請求項２５】ループの半分が他方のバンド上に位置付
けられるよう前記バンドが折りたたまれる連続する環状
ループに形成され、前記検出装置が上にバンドが配設さ
れる第１表面領域を有する基材、検知装置に重なるバン
ドの部分を検出するよう部分円にて第１表面領域上に配
設された装置を含み、バンドの前記半分が前記素子に固
定され、前記素子が基材上方で回転してバンドの前記半
分を移動させ、かくしてバンドの他の半分を移動させ、
検知装置の一部分を被覆し他の部分を被覆しないように
した請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項２６】前記検出装置が更にバンドから出る電界
若しくは磁界をバンドで発生させる装置を含み、前記検
知装置が半導体装置上に当たる電界若しくは磁界の大き
さを検出する半導体装置を含む請求項25記載の変位測定
装置。 - 【請求項２７】前記素子がシリンダーを含み、前記バン
ドがループ状に形成され、当該ループの外側面がシリン
ダーと接触して配設され、前記検出装置が、 シリンダーの回転時にバンドが第１表面領域上を転動す
るようバンドの対向する外側表面領域と接触して配設さ
れた第１表面領域を有する基材と、 第１表面領域上のバンドの位置を検出し、かくしてシリ
ンダーの回転度合を検出するよう第１表面領域に配設さ
れた装置を含む請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項２８】前記検知装置が各々バンドで被覆される
第１装置と第２装置の部分を表わす第１出力信号と第２
出力信号を発生するようバンドの転動方向に沿って第１
表面領域上で直線方向に隔置された第１装置と第２装置
を含む請求項27記載の変位測定装置。 - 【請求項２９】前記第１表面領域がシリンダーを包囲す
る形式にされた請求項27記載の変位測定装置。 - 【請求項３０】前記第１表面領域が全体的に中空シリン
ダーの形状にされた請求項29記載の変位測定装置。 - 【請求項３１】前記第１表面領域が全体的に平面状であ
る請求項27記載の変位測定装置。 - 【請求項３２】前記検知装置が、 間にキャパシタンスを発生すべく一方が基材の第１表面
領域上に位置付けられ他方が前記シリンダーの表面上に
位置付けられた２個の対面する導電性表面領域を定める
装置、 バンドが全体的に間に配設された状態で各々個々の導電
性表面領域上に配設された２個の誘電層、及び ２個の導電性表面領域の間に配設されたバンドの部分と
相互に対向して配設された前記表面領域の面積の大きさ
に応じて変化する前記キャパシタンスを示す出力信号を
発生する装置を含む請求項27記載の変位測定装置。 - 【請求項３３】前記検出装置が更にバンドから出る電界
若しくは磁界をバンドで発生させる装置を含み、前記検
知装置が半導体装置に当たる電界若しくは磁界の大きさ
を検出する半導体装置を含む請求項27記載の変位測定装
置。 - 【請求項３４】前記検出装置が第１及び第２の対面する
基材を含み、各基材が他方の基材の表面領域に面する全
体的に平面状の表面を有し、前記第１基材が前記バンド
で被覆された第１装置と第２装置の該当部分を表わす各
第１出力信号と第２出力信号を発生するよう第１基材の
表面領域上に配設された直線状に隔置された第１装置と
第２装置を含み、前記第２基材が前記素子に接続され、
前記バンドで被覆された第３装置と第４装置の該当部分
を表わす各第３信号と第４信号を発生するよう第２基材
の表面領域上に配設された直線方向に隔置された第３装
置と第４装置を含み、前記バンドがループ状に形成さ
れ、当該ループの下方部分が第１装置と第２装置の間で
第１基材の表面領域に取付けられ、第２基材の表面領域
と接触して、素子、従って第２基材が第１、第2,第３及
び第４装置で定められた面内で第１基材に対して相対的
に移動される際バンドを選択的に前記第１及び第２装置
と前記第３及び第４装置の少なくとも該当部分を被覆し
且つ非被覆状態にするよう選択的にたわまし得る請求項
１記載の変位測定装置。 - 【請求項３５】前記検知装置がバンドの運動方向にて第
１面上の直線に全体的に配設された複数個の検出素子を
含み、前記各検出素子が前記各検出素子に対するバンド
の近接度合を示す信号を発生する装置を含む請求項３記
載の変位測定装置。 - 【請求項３６】前記検知装置が更に検出素子に対するバ
ンドの近接度合を示すデイジタル値を表わす信号を発生
するよう想像グリッドの選択された交差部にて前記複数
個の検出素子と共に第１表面上に配設された付加的検出
素子を含む請求項25記載の変位測定装置。 - 【請求項３７】前記検出装置が、 バンドの少なくとも一部分を接触させる第１表面領域を
有する基材、及び 前記素子の運動と併せて非直線状に変化する値の出力信
号を発生するよう第１表面領域上に配設され非直線状軌
跡に設定される延在した検知装置を含む請求項１記載の
変位測定装置。 - 【請求項３８】前記検出装置が更にバンドから出る電界
若しくは磁界をバンドに発生させる装置を含み、前記検
知装置が半導体装置の長手方向にて横方向寸法の変化す
る半導体装置を含み、半導体装置で発生される出力信号
の大きさがバンドで被覆される半導体装置の面積に比例
する請求項37記載の変位測定装置。 - 【請求項３９】前記検出装置が全体的にバンドの運動方
向における軌跡に沿って表面領域上に配設された複数個
の個々の検出素子を含み、前記各検出素子が前記各検出
素子に関するバンドの近接度合を示す信号を発生する装
置を含む請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項４０】前記検出素子が電界効果トランジスター
を含み、各トランジスターがソース領域とバンドの運動
方向における側置関係的に位置付けられたドレン領域、
当該両領域の間に位置付けられたチャンネル領域を有
し、トランジスターの各ソース領域が隣接するトランジ
スターのドレン領域に隣接し、前記検出装置が更に各ソ
ース領域に接続された第１導電体、各ドレン領域に接続
された第２導電体及び電流を前記両導電体の一方の導電
体に供給し、他方の導電体内に発生された電流を検出す
る装置を含む請求項39記載の変位測定装置。 - 【請求項４１】更に、 重み付けする対象物を上に設置出来るプラットホーム、
対象物がプラットホーム上に設置される際素子を静止位
置から検出装置に対し相対的に移動させるよう素子に前
記プラットホームが取付けられること、 対象物がプラットホームから除去された際プラットホー
ムを静止位置に戻すようプラットホームに取付けられた
弾性装置、及び 検出装置の出力信号の値を示す表示を発生するよう検出
装置に接続された表示装置を含む、対象物の重み付けを
する請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項４２】前記バンドの一端部が前記一方の表示領
域に重なるよう検出装置に対して相対的に固定され前記
バンドが第１熱膨張係数を有する材料で構成され、前記
変位測定装置が更に、最初に述べたバンドに重なり最初
に述べたバンドに接続される第２バンドを含み且つ２個
のバンドの温度が一方向に変化する際一方のバンドが他
方のバンド以上に長さを変えて第１バンドの他端部を表
面領域からカールして離れ、寸法が温度変化に比例して
いる領域の一部分を非被覆状態にし、２個のバンドの温
度が他方向で変化する際第１バンドの前記他方の端部が
第１表面領域に向ってカールしない状態にされるよう第
１熱膨張係数とは異なる第２熱膨張係数を有する材料で
構成されている温度を測定する請求項１記載の変位測定
装置。 - 【請求項４３】前記最初に述べた素子と一端部において
第１素子の一端部に枢軸的に接続された第２素子の間の
角度を測定する請求項１記載の変位測定装置であって、
前記検出装置が第１素子上に配設され前記変位測定装置
が更に、表面領域が形成され且つ第２検出装置の表面領
域に対するバンドの近接度の変化に応じて変化する値の
電気的出力信号を発生するよう適合した第２検出装置を
含み、前記第２検出装置が第２素子上に配設され、バン
ドが第１検出装置と第２検出装置の表面領域の少なくと
も一部分に重なり、第１素子と第２素子の枢軸接続部に
向って内方に曲がるよう一端部にて最初に述べた検出装
置及び他端部にて第２検出装置に前記バンドが固定さ
れ、第１素子と第２素子が各々相互に対し接離自在に枢
着される際第１検出装置と第２検出装置の表面領域の該
当部分が被覆されず且つ被覆されるようにした変位測定
装置。 - 【請求項４４】加速を測定する請求項１記載の変位測定
装置であって、前記素子が材料の所定質量を含み、前記
バンドの一端部が前記検出装置に対し相対的に固定さ
れ、材料の質量体が移動される際バンドが前記表面領域
の少なくとも一部分を選択的に被覆し且つ非被覆状態に
されるよう材料の質量体に接続され、前記変位測定装置
が更に、加速されていない状態にある際材料の質量体を
静止位置に強制し、変位測定装置が加速される際材料質
量体の運動、従ってバンドの運動を加速度合に比例して
可能にする材料質量体と検出装置の間に接続された偏寄
装置を含む請求項１記載の変位測定装置。 - 【請求項４５】素子の速度を測定する請求項１記載の変
位測定装置であって、前記バンドの一端部が前記検出装
置に対して相対的に固定され他端部が素子の移動時にバ
ンドが前記表面領域の少なくとも一部分を選択的に被覆
し且つ非被覆状態にするよう素子に接続され、前記検出
装置がバンド下側の前記第１表面領域に位置付けられた
導電性プレート、前記導電性プレートに重なる材料の誘
電層及びバンドで被覆されたプレートの該当部分に比例
する値のキャパシタンスをプレートとバンドの間に発生
すべくバンドと導電性プレートの間に直列に接続された
電流源、電流測定装置及び抵抗を含み、前記値がバンド
による導電性プレートの被覆又は非被覆の速度に比例
し、従って素子の速度に比例して変化し、キャパシタン
スの前記変動が電流をキャパシタンスの変動に比例した
値にて流し、かくして素子の速度の測定を提供するよう
にした変位測定装置。 - 【請求項４６】位置を決定すべき物品、 力の場を発生する可撓性バンド、前記バンドが物品の移
動時に点の表面軌跡上で選択的に転動し且つ表面軌跡か
ら非転動するよう配設され、 前記表面領域に当たり物品の位置を示すバンドで発生さ
れた力の場の面積に比例する値の信号を発生するよう点
の前記軌跡と一致する表面領域を定める検出装置から成
る位置決定装置。 - 【請求項４７】物体の位置を電気的信号表示に変換する
変位変換器であって、 或る電気的／磁気的特性を有する材料のバンドで被覆さ
れる表面領域の該当部分に依存する値の電気的信号を発
生するよう定められた表面領域を有する検出器及び 前記或る電気的／磁気的特性を有し物体が移動される際
前記表面領域の少なくとも該当部分上を転動し、その上
方から被覆又は非転動し且つ非被覆状態にするよう前記
表面領域と接触して配設された材料の延在する可撓性バ
ンドから成る変位変換器。 - 【請求項４８】変位測定装置であって、 自己の変位を測定すべき素子と、 作動面を有し力の場発生部材で被覆される作動面の面積
に値が依存する電気的出力信号を発生するよう適合した
検出装置と、 所定のペリメーターを有し前記素子の移動時に前記作動
面の少なくとも一部分を選択的に被覆し且つ非被覆状態
にし、かくして出力信号の値を変え、かくして素子の位
置を示すよう移動自在である装置を含む変位測定装置。 - 【請求項４９】力の場発生装置が移動して増加的に作動
面を被覆する際出力信号の値が連続的様式にて変化する
よう前記力の場発生装置の領域のペリメーターが全体的
にくさびを定める請求項48記載の装置。 - 【請求項５０】回転変位測定装置であって、 自己の回転変位を測定すべき、自己の長手方向軸線の周
わりに回転するよう設置された軸と、 軸から横方向に延在し軸の回転に伴ない回転し、軸から
下方に出る力の場を発生するよう軸上に設置された装
置、及び 検出器に対する力の場の近接度における変化に応じて値
の変化する信号を発生するよう力の場発生装置の運動路
の下側で全体的に円形に配列された複数個の検出器から
成る回転変位測定装置。 - 【請求項５１】前記力の場発生装置が、軸から横方向に
延在し、これも下方に向けられた力の場を発生すべく下
方に向けられた延在する縁部が形成された延在するアー
ムを含み、前記検出器が全体的に前記円内で直列に配設
してある請求項50記載の装置。 - 【請求項５２】前記力の場発生装置が、全体的に直線状
の側部と半円形側部を有し全体的に軸の回転時にプレー
トの半円形側が軸線の周わりで円形に移動するよう軸線
に対しその直線状側部の中心に設置された半円形プレー
トを含み、前記検出器が部分円に延在するよう配列さ
れ、一部の検出器が他方の検出器の少なくとも一部分と
同心的に配列してある請求項50記載の装置。 - 【請求項５３】物体の変位を測定する装置であって、 基材の片側面にて軌跡点に沿って延在するよう形成され
た光検出装置を有する基材、前記光検出装置が光検出装
置に当たる光の量に依存する値の信号を発生し、 軌跡点上方を選択的に転動し軌跡点上方から非転動し、
かくして物体移動時に光検出装置の少なくとも一部分を
選択的に被覆し且つ非被覆するよう一端部にてその一端
部における基材の片側面に取付けられた延在する可撓的
な不透明バンドと 光を基材の前記片側面に向けるよう基材上方に配設され
た光発生装置、光の量が光検出装置に到達し、かくして
バンドが光検出装置を被覆する度合に依存していること
から成る物体の変位測定装置。 - 【請求項５４】物体の変位測定装置であって、 光を表面から上方に向けるよう基材の片側面上の軌跡点
に沿って配列された発光装置を有する基材、 選択的に軌跡点上方を転動し軌跡点上方から非転動し、
かくして物体移動時に発光装置の少なくとも一部分を被
覆し且つ非被覆するよう一端部にてその一端部の基材の
片側面に取付けられた延在する可撓的な不透明バンド、
及び バンドが選択的に発光装置を被覆し且つ非被覆状態にす
る際バンドでブロックされない発光装置から出される光
を遮断し、光検出装置上に当たる光の量に値が依存して
いる出量信号を発生するよう基材上方に配設された光検
出装置、光検出装置に到達する光の量がかくしてバンド
の位置、従って物体の位置に依存していることから成る
物体の変位測定装置。 - 【請求項５５】物体の変位測定装置であって、 基材の片側面における軌跡点に沿って配列された光検出
素子の列を有する基材、前記光素子が各々前記各素子に
当たる光の量に値の依存している信号を発生すること、 軌跡点上で選択的に転動し軌跡点上方から非転動し、か
くして選択的に物体移動時に光検出素子の少なくとも一
部の光検出素子を選択的に被覆し非被覆状態にするよう
一端部においてその一端部における基材の片側面に取付
けられた延在する可撓的な光反射バンド、及び 光線が基材の片側面に向って下方に反射され且つ光検出
素子に向って下方に反射されるよう基材とバンドの接触
箇所に近い箇所の附近で光線をバンドに向って向ける光
発生装置、光線が反射される特定の光検出素子がバンド
の位置、従って物体の位置に依存していることから成る
物体の変位測定装置。 - 【請求項５６】物体の変位測定装置であって、 基材、 基材の他端部に向って前方に延在し、次に物体移動時に
バンドが基材の片側面上を転動し、片側面上から非転動
するよう基材の上方及び後方にカールするよう一端部に
おいてその一端部における基材の片側面に取付けられた
延在する可撓的で音響信号を反射するバンド、当該バン
ドが基材の片側面上を転動し片側面上から非転動される
こと、 音響信号がバンドから音響信号指向装置に向って反射さ
れるようバンドが基材から上方に曲がる箇所においてバ
ンドに向かい音響信号を向ける装置、 反射した音響信号を検出し前記信号の移動時間を決定
し、かくして音響信号検出装置からのバンドの距離、従
って物体の位置を決定するよう前記信号の移動時間を決
定する装置から成る物体の変位測定装置。 - 【請求項５７】物体の変位測定装置であって、 基材の片側面に形成された一対の延在する全体的に平行
に隔置された電気的に抵抗性の素子を有する基材、 物体の移動時に電気的に抵抗性の素子上を選択的に転動
し、この素子上方から非転動するよう一端部においてそ
の一端部の基材の片側面に取付けられた延在する可撓的
な導電性バンド、 抵抗性素子の１つの素子の前記一端部から前記１つの素
子を通じて当該素子とバンドの接触点へ、バンドを通じ
て他方の抵抗性素子とバンドの接触点へ形成され且つ当
該点から前記他方の抵抗性素子の前記一端部へ形成され
た通路に沿って抵抗の変動を決定し、かくしてバンド位
置における変動、従って、物体の位置における変動を測
定するよう電気的に抵抗性の素子と各素子の一端部に接
続された装置から成る物体の変位測定装置。 - 【請求項５８】物体の変位測定装置であって、 基材の片側面に形成された一対の延在する全体的に平行
に隔置された電気的導電性素子を有する基材、 物体移動時に導電性素子上を選択的に転動し素子上方か
ら非転動するよう一端部においてその一端部における基
材の片側面に取付けられた延在する可撓的で電気的に抵
抗性のバンド、 導電性素子の１つの素子の前記一端部から前記１つの素
子を通じバンドと素子の接触領域へ、バンドを通じてバ
ンドと他方の導電性素子との接触領域へ且つ当該領域か
ら前記他方の導電性素子の前記一端部へ形成された通路
に沿って抵抗の変動を検出し、かくしてバンドの位置に
おける変動、 従って物体の位置における変動を測定するよう電気的に
導電性の素子の各素子の一端部に接続される装置から成
る物体の変位測定装置。 - 【請求項５９】物体の受ける力を測定する装置であっ
て、 力を受けるべき延在している物体、 ループ状に形成され相互に転動整合するよう隔置された
位置において物体に取付けられる一対の可撓的で電気的
に導電性のバンド、 プレートと接触し第１方向における物体の移動時に他方
のプレートより一方のプレート以上に転動し被覆するよ
う且つ別の反対方向への物体の移動時に一方のプレート
以上に他方のプレートを転動し被覆するよう前記バンド
の１つのバンドが位置付けられる基材の片側面に配設さ
れた一対の直線的に隔置された導電性プレートを有する
第１基材、 物体が第１方向に移動される際他方の検出器より一方の
検出器を転動させ被覆するよう且つ物体の第２方向への
移動時に一方の検出器より他方の検出器を転動させ被覆
するよう前記バンドの他方のバンドが位置付けられる基
材の片側面に配設された一対の直線的に隔置された検出
器を有する第２基材、前記両検出器が前記他方のバンド
で被覆される検出器の面積を示す信号を発生すること、 第１信号と第２信号の大きさが第１装置と第２装置で各
々受信される第１制御信号と第２制御信号に対応する際
第１電圧信号と第２電圧信号を各々一方の導電性プレー
トと他方の導電性プレートに供給する第１装置と第２装
置、 前記他方のバンドの運動、従って前記物体の運動の方向
を示す信号を検出器から受信し、第１制御信号と第２制
御信号を各々前記第１装置と第２装置に供給し前記第１
装置と第２装置で電圧信号を前記プレートに供給させて
物体移動時における前記一方のバンドの転動による離れ
が生じるプレートに高い静電吸引力を発生し、かくして
物体の全ゆる運動前に一方のバンドを第１基材上のその
位置に向って引き戻すようにしたサーボ論理装置から成
る測定装置。
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