JPH03165215A - 機械電気的変位変換器 - Google Patents
機械電気的変位変換器Info
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- JPH03165215A JPH03165215A JP2265299A JP26529990A JPH03165215A JP H03165215 A JPH03165215 A JP H03165215A JP 2265299 A JP2265299 A JP 2265299A JP 26529990 A JP26529990 A JP 26529990A JP H03165215 A JPH03165215 A JP H03165215A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に物体の変位若しくは位置を検出する装置
に関するもので、更に詳細には物体の変位と位置の物理
的測定値をこうした測定値を表わす電気信号に変換する
可撓的な可動バンド又は他の可動素子を利用する装置に
関するものである。
に関するもので、更に詳細には物体の変位と位置の物理
的測定値をこうした測定値を表わす電気信号に変換する
可撓的な可動バンド又は他の可動素子を利用する装置に
関するものである。
各種の機械的及び電気−機械的システムの作動において
、システムの一部の素子若しくはシステムの一部分を構
成しない箇所の物体の位置及び変位を監視する必要があ
る。例えば、ロボット・システム（この使用技術が劇的
に増加している）、アーム、指部又は他の把持素子等と
いったシステムの各ｉ構成部品の運動と位置を監視し制
御することがほぼ常時必要である。こうした監視と制御
はロボット・システムの機能実施にあたり要求される巧
妙さと精度を生み出す。
、システムの一部の素子若しくはシステムの一部分を構
成しない箇所の物体の位置及び変位を監視する必要があ
る。例えば、ロボット・システム（この使用技術が劇的
に増加している）、アーム、指部又は他の把持素子等と
いったシステムの各ｉ構成部品の運動と位置を監視し制
御することがほぼ常時必要である。こうした監視と制御
はロボット・システムの機能実施にあたり要求される巧
妙さと精度を生み出す。
位置と変位を検出する先行技術の機構は最もしばしば位
置若しくは変位を監視すべき物品又は物体と一部の形式
のゲージ、針又は他の可視インジケーターの間の直接的
接続を利用している。
置若しくは変位を監視すべき物品又は物体と一部の形式
のゲージ、針又は他の可視インジケーターの間の直接的
接続を利用している。
従って、物品又は物体の運動はゲージ又は針の対応する
運動を生せしめよう。期待される如く、こうした機構は
典型的には大型でかさばり、監視機能実施にあたり精度
が劣る。更に、測定機構の一部の部品の一部の形式の摺
動作用が含まれているので、摩擦が生じ、これは勿論摩
耗につながる。
運動を生せしめよう。期待される如く、こうした機構は
典型的には大型でかさばり、監視機能実施にあたり精度
が劣る。更に、測定機構の一部の部品の一部の形式の摺
動作用が含まれているので、摩擦が生じ、これは勿論摩
耗につながる。
位置と変位を測定する電子装置が最近相当使用されるよ
うになっており、少なくとも部分的に先行技術の機構の
かさばることと不正確な問題は解決されたが、一部の装
置は設計上複雑でこうした複雑性の結果、全般的に信頼
性に欠ける。又、接触による摩擦と付随する摩耗が全般
的に残った。
うになっており、少なくとも部分的に先行技術の機構の
かさばることと不正確な問題は解決されたが、一部の装
置は設計上複雑でこうした複雑性の結果、全般的に信頼
性に欠ける。又、接触による摩擦と付随する摩耗が全般
的に残った。
本発明の目的は要素又は部品の位置と運動を測定する簡
単で効率的且つ信頼出来る装置を提供することにある。
単で効率的且つ信頼出来る装置を提供することにある。
本発明の他の目的はコンパクトで可動部品の少ない装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の他の目的は摺動する構成要素と摩擦を発生する
要素の必要性を無くす装置を提供することにある。
要素の必要性を無くす装置を提供することにある。
本発明の他の目的は半導体及び集積回路との併用に適し
ている装置を提供することにある。
ている装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は装置の少なくとも一部分に対し
慣用的な集積回路組立て技術を利用して作成可能な装置
を提供することにある。
慣用的な集積回路組立て技術を利用して作成可能な装置
を提供することにある。
本発明の前掲の目的と他の諸目的は物体の位置と運動を
測定するよう適合した変位測定装置の１つの特定の例示
的実施態様で実現される。変位測定装置には表面領域に
対するバンド素子の近接度の変動に応じて値の変化する
電気的出力信号を発生するよう少なくとも１つの表面領
域が形成された検出器（又は複数個の検出器）と、バン
ドの少なくとも一部分が選択的に物体移動時における表
面領域の少なくとも一部分上方で転動し、上方から被覆
し若しくは非転動し且つ非被覆するよう表面領域と近接
して配設された延在する可撓性バンドが含まれる。バン
ドを検出器の表面領域上に転動させ又は表面領域上方か
ら非転動させる物体の運動と位置はこうして検出器（又
は複数個の検出器）により発生される電気信号で決定さ
れる。
測定するよう適合した変位測定装置の１つの特定の例示
的実施態様で実現される。変位測定装置には表面領域に
対するバンド素子の近接度の変動に応じて値の変化する
電気的出力信号を発生するよう少なくとも１つの表面領
域が形成された検出器（又は複数個の検出器）と、バン
ドの少なくとも一部分が選択的に物体移動時における表
面領域の少なくとも一部分上方で転動し、上方から被覆
し若しくは非転動し且つ非被覆するよう表面領域と近接
して配設された延在する可撓性バンドが含まれる。バン
ドを検出器の表面領域上に転動させ又は表面領域上方か
ら非転動させる物体の運動と位置はこうして検出器（又
は複数個の検出器）により発生される電気信号で決定さ
れる。
本発明の一局面によれば、バンドの一部分が検出器に対
して相対的に固定され、他の一部分が物体に接続される
。検出器の表面領域に対する又は全体的に検出器の表面
領域に平行な接離自在の物体の運動でバンドは表面領域
に対するその相対的位置を変え、この変化が検出器によ
り検出される。
して相対的に固定され、他の一部分が物体に接続される
。検出器の表面領域に対する又は全体的に検出器の表面
領域に平行な接離自在の物体の運動でバンドは表面領域
に対するその相対的位置を変え、この変化が検出器によ
り検出される。
本発明の他の局面によれば、バンドで電界を発生させる
よう当該バンドに電圧が供給され、検出器はバンドによ
り発生される電界の大きさ従って電界効果トランジスタ
ーに対するバンドの近接度を検出する電界効果トランジ
スターで構成されている。代替的に、バンドは磁化可能
である、検出器はバンドで発生された磁界の強さ、従っ
て、磁界効果トランジスターに対するバンドの相対的位
置を検出するスプリット・ドレン磁界効果トランジスタ
ーを含むことが出来る。例えば、ホール効果、容量性検
出、光学的検出及びソナー検出を利用する他の検出器構
成もバンドの運動と位置の検出に採用可能であり、従っ
て、物体の運動と位置の検出に採用可能である。その上
、感度を有する検出器領域はバンドの運動に伴なって所
定の（直線的又は非直線的）方法で値の変化する信号を
発生出来るよう作成可能である。
よう当該バンドに電圧が供給され、検出器はバンドによ
り発生される電界の大きさ従って電界効果トランジスタ
ーに対するバンドの近接度を検出する電界効果トランジ
スターで構成されている。代替的に、バンドは磁化可能
である、検出器はバンドで発生された磁界の強さ、従っ
て、磁界効果トランジスターに対するバンドの相対的位
置を検出するスプリット・ドレン磁界効果トランジスタ
ーを含むことが出来る。例えば、ホール効果、容量性検
出、光学的検出及びソナー検出を利用する他の検出器構
成もバンドの運動と位置の検出に採用可能であり、従っ
て、物体の運動と位置の検出に採用可能である。その上
、感度を有する検出器領域はバンドの運動に伴なって所
定の（直線的又は非直線的）方法で値の変化する信号を
発生出来るよう作成可能である。
本発明の更に他の局面によれば、変位測定装置は位置を
δ？１定すべき物体に対し接続された磁化若しくは電気
的に充電される回転可能若しくは直線的に移動可能な素
子を、当該素子の位置、従って物体の位置を検出する磁
界若しくは電界の列を利用する。
δ？１定すべき物体に対し接続された磁化若しくは電気
的に充電される回転可能若しくは直線的に移動可能な素
子を、当該素子の位置、従って物体の位置を検出する磁
界若しくは電界の列を利用する。
本発明の前掲の目的と他の諸目的、諸特徴及び諸利点に
ついては添附図面に関連して行なわれる以下の詳細な説
明を考察することで明らかとなろう。
ついては添附図面に関連して行なわれる以下の詳細な説
明を考察することで明らかとなろう。
ここで図面を参照する。
第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図を参照するとこれらの
図には物体４の運動の自由度２＠を測定するバンド制御
型変換器又は検出器の１つの例示的実施態様が示してあ
る。物体４（これは単に第１Ａ図〜第１Ｃ図においては
プレートの形態になっている）は任意の形状又は型式を
とることが出来、ロボット・システム又は部品の位置と
運動を決定すべき他の機械的構造に出来よう。物体４は
延在する可撓的て電気的に導電性のバンド８の一端部に
取付けられる。バンド８の他端部は適当な接着剤、ピン
又は他の締付は手段により基材１２の一端部に位置付け
られ、この基材１２は例えばケイ素製であり、全体的に
平面状の上面を有し、この上面内にはバンド８の位置を
検出する検出器の作動部品が配設してある。バンド８は
電界を発生出来るよう電圧源１６に接続してある。
図には物体４の運動の自由度２＠を測定するバンド制御
型変換器又は検出器の１つの例示的実施態様が示してあ
る。物体４（これは単に第１Ａ図〜第１Ｃ図においては
プレートの形態になっている）は任意の形状又は型式を
とることが出来、ロボット・システム又は部品の位置と
運動を決定すべき他の機械的構造に出来よう。物体４は
延在する可撓的て電気的に導電性のバンド８の一端部に
取付けられる。バンド８の他端部は適当な接着剤、ピン
又は他の締付は手段により基材１２の一端部に位置付け
られ、この基材１２は例えばケイ素製であり、全体的に
平面状の上面を有し、この上面内にはバンド８の位置を
検出する検出器の作動部品が配設してある。バンド８は
電界を発生出来るよう電圧源１６に接続してある。
基材１２の上面上には例えば慣用的なマイクロ組立て技
術により電界効果トランジスター（ＦＥＴ）２０が配設
され、形成される。ＦＥＴ２０は公知の半導体装置であ
り、基材１２内に形成された導電性ソース領域２４、ソ
ース領域から隔置され全体的にソース領域と平行に形成
された導電性ドレン領域２８及びソース領域とドレン領
域の間に配設された導電性チャンネル領域３２を含む。
術により電界効果トランジスター（ＦＥＴ）２０が配設
され、形成される。ＦＥＴ２０は公知の半導体装置であ
り、基材１２内に形成された導電性ソース領域２４、ソ
ース領域から隔置され全体的にソース領域と平行に形成
された導電性ドレン領域２８及びソース領域とドレン領
域の間に配設された導電性チャンネル領域３２を含む。
絶縁層３６が基材１２の表面上に且つ導電性ソス領域２
４、導電性ドレン領域２８及び導電性チャンネル領域３
２上に配設される。
４、導電性ドレン領域２８及び導電性チャンネル領域３
２上に配設される。
導電性ソース領域２４と導電性ドレン領域２８は電流が
導電性チャンネル３２を通じて両方の領域の間を流れる
よう電圧源３４により異なる電位差に維持される。導電
性チャンネル領域３２の導電率はチャンネル領域に近接
して位置付けられた電気的負荷（又は電界）で影響され
る。従って、ＦＥＴ２０を選択的に被覆し、非被覆状態
にするよう絶縁層３６上でバンド８を転動させ且つ非転
動にすることにより導電性チャンネル領域３２を通じて
導通され、計器（電流計）３８で検出される電流の大き
さが変化する。バンド８は導電性ソース領域２４と導電
性ドレン領域２８の間の電流の流れを制御するＦＥＴ２
０のゲートとして効果的に作用する。従って、この電流
を測定すると、バンド８の転動及び非転動の測定従って
物体４の位置と運動の測定を提供出来る。ＦＥＴの動作
の別の説明については１９８８年８月２０日に発行され
参照として本明細書に導入されている米国特許節４，７
６７．９７３号に見出せる。
導電性チャンネル３２を通じて両方の領域の間を流れる
よう電圧源３４により異なる電位差に維持される。導電
性チャンネル領域３２の導電率はチャンネル領域に近接
して位置付けられた電気的負荷（又は電界）で影響され
る。従って、ＦＥＴ２０を選択的に被覆し、非被覆状態
にするよう絶縁層３６上でバンド８を転動させ且つ非転
動にすることにより導電性チャンネル領域３２を通じて
導通され、計器（電流計）３８で検出される電流の大き
さが変化する。バンド８は導電性ソース領域２４と導電
性ドレン領域２８の間の電流の流れを制御するＦＥＴ２
０のゲートとして効果的に作用する。従って、この電流
を測定すると、バンド８の転動及び非転動の測定従って
物体４の位置と運動の測定を提供出来る。ＦＥＴの動作
の別の説明については１９８８年８月２０日に発行され
参照として本明細書に導入されている米国特許節４，７
６７．９７３号に見出せる。
バンド８は銅箔、アルミニウム箔、金属化ポリマー膜、
金属化水晶、金属化薄膜ケイ素等といった任意の適当に
可撓性のある導電性材料で作成されよう。絶縁層との接
触を維持すべく一定の摺動しない形式にてバンドが絶縁
層３６上方で転動し且つ絶縁層３６から非転動になるよ
うバンド８はその横方向縁部で僅かに（基材に重なる際
）基材１２に向って僅かに下方に曲がる。バンド８を絶
縁層３６に対してゆるく保持する目的で静電吸引も使用
可能である。
金属化水晶、金属化薄膜ケイ素等といった任意の適当に
可撓性のある導電性材料で作成されよう。絶縁層との接
触を維持すべく一定の摺動しない形式にてバンドが絶縁
層３６上方で転動し且つ絶縁層３６から非転動になるよ
うバンド８はその横方向縁部で僅かに（基材に重なる際
）基材１２に向って僅かに下方に曲がる。バンド８を絶
縁層３６に対してゆるく保持する目的で静電吸引も使用
可能である。
構成要素を有するバンド８及び基材１２は全てマイクロ
組立て技術を使用して組立てることが出来る。例えば、
バンド８は基材１２上にスパッタリング付着出来、次に
フォトリソグラフ的に食刻処理して所望の寸法と形状を
定めることが出来よう。バンドの一部分も基材から解放
し、バンドを基材から離して硬化出来るよう食刻剤も使
用可能であろう。
組立て技術を使用して組立てることが出来る。例えば、
バンド８は基材１２上にスパッタリング付着出来、次に
フォトリソグラフ的に食刻処理して所望の寸法と形状を
定めることが出来よう。バンドの一部分も基材から解放
し、バンドを基材から離して硬化出来るよう食刻剤も使
用可能であろう。
電圧源１６に接続された導電性のバンド８を利用するこ
とについての代替策は正電荷又は負電荷を含む材料のバ
ンドを提供することである。例えば、バンド８は例示的
には電子を注入した可撓的なポリテトラフロオロエチレ
ンで形成出来よう。
とについての代替策は正電荷又は負電荷を含む材料のバ
ンドを提供することである。例えば、バンド８は例示的
には電子を注入した可撓的なポリテトラフロオロエチレ
ンで形成出来よう。
第１Ａ図ないし第１Ｃ図の実施態様に対する他の代替例
では絶縁層３６と基材１２の間の導電性材料の層を含み
、次に、ＦＥＴ２０をバンド８の接触領域から遠方に位
置付けることであろう。この導電層又はゲートは絶縁層
３６上でバンド８を転動させることにより絶縁層３６下
方に位置付けられた導電層の表面に電荷を誘引するよう
遠方のＦＥＴのゲートに電気的に接続され、この電荷は
ＦＥＴのチャンネル領域の導電率に影響するよう遠方の
ＦＥＴのゲート内で反映されよう。従って絶縁層３６上
方でのバンド８の近接度、従って物体４の位置と運動が
測定出来よう。
では絶縁層３６と基材１２の間の導電性材料の層を含み
、次に、ＦＥＴ２０をバンド８の接触領域から遠方に位
置付けることであろう。この導電層又はゲートは絶縁層
３６上でバンド８を転動させることにより絶縁層３６下
方に位置付けられた導電層の表面に電荷を誘引するよう
遠方のＦＥＴのゲートに電気的に接続され、この電荷は
ＦＥＴのチャンネル領域の導電率に影響するよう遠方の
ＦＥＴのゲート内で反映されよう。従って絶縁層３６上
方でのバンド８の近接度、従って物体４の位置と運動が
測定出来よう。
第２図はＦＥＴと共に容量性カップリングを利用するバ
ンド制御変位測定装置の代替的実施態様を示す。この実
施態様において、基材４０は上面において且つ（第１Ａ
図〜第１Ｃ図の実施態様に類似している）基材の片側附
近にＦＥＴ４４のソース領域、チャンネル領域、ドレン
領域並びに基材の他方の側附近でＦＥＴ４４のソース領
域、ドレン領域及びチャンネル領域と全体的に平行に配
列された導電性材料片体４８を支承している。導電性材
料片体４８にはＡＣ電圧源５２が接続してある。基材４
０の上面上及びＦＥＴ４４と導電性材料片体４８上方に
は誘電材料層５６が配設してある。次にバンドを接続す
べき物体若しくは要素が移動される際誘電材料層５６上
方で転動し、誘電材料層５６上方から非転動になるよう
可撓的で電気的に分離された導電性バンド６０が配設さ
れる。
ンド制御変位測定装置の代替的実施態様を示す。この実
施態様において、基材４０は上面において且つ（第１Ａ
図〜第１Ｃ図の実施態様に類似している）基材の片側附
近にＦＥＴ４４のソース領域、チャンネル領域、ドレン
領域並びに基材の他方の側附近でＦＥＴ４４のソース領
域、ドレン領域及びチャンネル領域と全体的に平行に配
列された導電性材料片体４８を支承している。導電性材
料片体４８にはＡＣ電圧源５２が接続してある。基材４
０の上面上及びＦＥＴ４４と導電性材料片体４８上方に
は誘電材料層５６が配設してある。次にバンドを接続す
べき物体若しくは要素が移動される際誘電材料層５６上
方で転動し、誘電材料層５６上方から非転動になるよう
可撓的で電気的に分離された導電性バンド６０が配設さ
れる。
導電性材料片体４８にＡＣ電圧源５２から供給された信
号は導電性片体とバンド６０の間にキャパシタンスを発
生し、このキャパシタンスは勿論バンドに対する電荷を
発生させ、この電荷がＦＥＴ４４のチャンネル領域の導
電率に影響する。バンド６０は誘電材料層５６上方で転
動され、誘電材料層５６が非転動される際キャパシタン
スは変化され、ＦＥＴ４４に対する影響を変え、そのチ
ャンネル領域の導電率を変える。第１Ａ図〜第１Ｃ図の
実施態様の場合と同様、チャンネル領域の導電率の変化
はバンド６０の運動と位置及びバンドに接続される物体
若しくは要素の運動と位置を決定するものとして監視可
能である。
号は導電性片体とバンド６０の間にキャパシタンスを発
生し、このキャパシタンスは勿論バンドに対する電荷を
発生させ、この電荷がＦＥＴ４４のチャンネル領域の導
電率に影響する。バンド６０は誘電材料層５６上方で転
動され、誘電材料層５６が非転動される際キャパシタン
スは変化され、ＦＥＴ４４に対する影響を変え、そのチ
ャンネル領域の導電率を変える。第１Ａ図〜第１Ｃ図の
実施態様の場合と同様、チャンネル領域の導電率の変化
はバンド６０の運動と位置及びバンドに接続される物体
若しくは要素の運動と位置を決定するものとして監視可
能である。
第３図はスプリット・ドレン磁界効果トランジスター（
ＭＡＧＦＥＴ）６４を利用する変位測定装置の斜視図を
示す。ＭＡＧＦＥＴ６４は基材６８の上面上に形成され
、ＤＣ［流源７６に接続されたソース領域７２．２個の
ドレン領域８０，８４、ソース領域と２個のドレン領域
の間に配設された導電性チャンネル領域８８を含む。導
電性チャンネル領域８８を選択的に被覆し、非被覆状態
にするよう基材６８上には可撓的な磁化可能バンド９２
が配設してある。必ずしも必要ではないが絶縁層９６は
ＭＡＧＦＥＴ６４上方とバンド９２の下側に配設出来よ
う。
ＭＡＧＦＥＴ）６４を利用する変位測定装置の斜視図を
示す。ＭＡＧＦＥＴ６４は基材６８の上面上に形成され
、ＤＣ［流源７６に接続されたソース領域７２．２個の
ドレン領域８０，８４、ソース領域と２個のドレン領域
の間に配設された導電性チャンネル領域８８を含む。導
電性チャンネル領域８８を選択的に被覆し、非被覆状態
にするよう基材６８上には可撓的な磁化可能バンド９２
が配設してある。必ずしも必要ではないが絶縁層９６は
ＭＡＧＦＥＴ６４上方とバンド９２の下側に配設出来よ
う。
導電性チャンネル領域８８に当たる磁界が無い場合、電
流はソース領域７２から導電性チャンネル領域８８を通
じて同等に２個のドレン領域８０゜８４へ流れる。磁化
されたバンド９２が少なくとも部分的に導電性チャンネ
ル領域８８に重なる場合といった磁界が存在する場合は
、チャンネル領域を通る流れが偏向されて他方のドレン
領域より一方のドレン領域へ多く流れ、偏向の大きさ、
従って、２個のドレン領域に流れる電流の不均衡は磁界
の強さに依存している。勿論、この強さは導電性チャン
ネル領域８８のどの部分がバンド９２て被覆されている
かに依存し、そのため２個のドレン領域８０．８４にお
ける電流の不均衡を測定することによりバンドの変位、
従ってバンドの接続されている物体の変位を測定出来る
。バンド９２は例示的にはアルニコ合金（アルミニウム
、ニッケル、コバルト及び時おり銅）の薄膜、ニッケル
とコバルト、コバルト−サマリウム、酸化鉄。
流はソース領域７２から導電性チャンネル領域８８を通
じて同等に２個のドレン領域８０゜８４へ流れる。磁化
されたバンド９２が少なくとも部分的に導電性チャンネ
ル領域８８に重なる場合といった磁界が存在する場合は
、チャンネル領域を通る流れが偏向されて他方のドレン
領域より一方のドレン領域へ多く流れ、偏向の大きさ、
従って、２個のドレン領域に流れる電流の不均衡は磁界
の強さに依存している。勿論、この強さは導電性チャン
ネル領域８８のどの部分がバンド９２て被覆されている
かに依存し、そのため２個のドレン領域８０．８４にお
ける電流の不均衡を測定することによりバンドの変位、
従ってバンドの接続されている物体の変位を測定出来る
。バンド９２は例示的にはアルニコ合金（アルミニウム
、ニッケル、コバルト及び時おり銅）の薄膜、ニッケル
とコバルト、コバルト−サマリウム、酸化鉄。
クロム鉄、二酸化クロム等適切に磁化される材料で作成
可能であろう。
可能であろう。
第４図は電子が注入される若しくは配設される材料のエ
レクトレット・シート１００を利用する変位測定装置の
斜視図である。エレクトレット・シート１００は基材１
０４上方に位置付けられ、基材１０４に取付けられ、基
材１０４内には第１Ａ図〜第１Ｃ図で説明した様式と類
似の様式にてＦＥＴ１１２が形成される。エレクトレッ
ト・シート１００上方で移動しエレクトレット・シート
１００を被覆しエレクトレット・シート１００上方から
移動し、エレクトレット・シート１００を被覆しないよ
う可撓性導電性バンド１０８が位置付けである。バンド
１０８は一端部においてエレクトレット・シート１００
に取付けられ、アース電位差１］−６に接続される。バ
ンド１０８の他端部は位置を測定すべき物体又は要素に
接続される。
レクトレット・シート１００を利用する変位測定装置の
斜視図である。エレクトレット・シート１００は基材１
０４上方に位置付けられ、基材１０４に取付けられ、基
材１０４内には第１Ａ図〜第１Ｃ図で説明した様式と類
似の様式にてＦＥＴ１１２が形成される。エレクトレッ
ト・シート１００上方で移動しエレクトレット・シート
１００を被覆しエレクトレット・シート１００上方から
移動し、エレクトレット・シート１００を被覆しないよ
う可撓性導電性バンド１０８が位置付けである。バンド
１０８は一端部においてエレクトレット・シート１００
に取付けられ、アース電位差１］−６に接続される。バ
ンド１０８の他端部は位置を測定すべき物体又は要素に
接続される。
第４図の装置はバンド１０８が近接していない時エレク
トレット・シート１００で発生される電界がシートから
均一に外方に向けられ、バンドが近接している際バンド
に向って向けられる「容量性分割器」効果を使用して動
作する。従って、エレクトレット・シート１００の電界
はバンド１０８がカールしてシートから離れる際そのチ
ャンネル領域の導電率に影響を与えるようＦＥＴ１１２
に向けられ、バンドがシート上方の位置にある際ＦＥＴ
１１２から離れ、バンド１０８に向って再び向けられる
。従って、ＦＥＴ１１２のチャンネル領域の導電率はバ
ンド１０８で被覆されるエレクトレット・シート１００
の割合で決定される。
トレット・シート１００で発生される電界がシートから
均一に外方に向けられ、バンドが近接している際バンド
に向って向けられる「容量性分割器」効果を使用して動
作する。従って、エレクトレット・シート１００の電界
はバンド１０８がカールしてシートから離れる際そのチ
ャンネル領域の導電率に影響を与えるようＦＥＴ１１２
に向けられ、バンドがシート上方の位置にある際ＦＥＴ
１１２から離れ、バンド１０８に向って再び向けられる
。従って、ＦＥＴ１１２のチャンネル領域の導電率はバ
ンド１０８で被覆されるエレクトレット・シート１００
の割合で決定される。
既に述べた様式にて第４図の装置はそのため物体の運動
と位置の測定目的に使用出来よう。
と位置の測定目的に使用出来よう。
エレクトレット・シート１００は例示的には電子の充電
されるポリテトラフルオロエチレン製であろう。
されるポリテトラフルオロエチレン製であろう。
第５図は公知のホール効果が利用される変位測定装置の
他の実施態様の斜視図である。この装置には銅合金、ア
ルミニウム合金等といった導電性材料の基材１２０が含
まれている。電流源１２４は他端部に流れるよう基材１
２０の一端部にて電流を供給する。基材１２０の長さに
沿って反対側で一連の電極１２８の対が位置付けられ、
検出器１３２に接続される。先に説明した如く、基材上
方で選択的に転動し、基材上方から非転動になるよう一
端部において基材１２０の一端部に磁化された可撓性バ
ンド１３６が取付けられる。
他の実施態様の斜視図である。この装置には銅合金、ア
ルミニウム合金等といった導電性材料の基材１２０が含
まれている。電流源１２４は他端部に流れるよう基材１
２０の一端部にて電流を供給する。基材１２０の長さに
沿って反対側で一連の電極１２８の対が位置付けられ、
検出器１３２に接続される。先に説明した如く、基材上
方で選択的に転動し、基材上方から非転動になるよう一
端部において基材１２０の一端部に磁化された可撓性バ
ンド１３６が取付けられる。
ホール効果によれば、導電体内に流れる電流は導電体が
磁界を受ける際導電体の片側から他方の側へ向って偏向
される。従って、第５図の装置においては、磁化された
バンド１３６が基材１２０の一部分に重なる際基材の一
端部から他端部に流れる電流が該当部分にて偏向される
が、バンドで重ならない該当部分にては偏向されない。
磁界を受ける際導電体の片側から他方の側へ向って偏向
される。従って、第５図の装置においては、磁化された
バンド１３６が基材１２０の一部分に重なる際基材の一
端部から他端部に流れる電流が該当部分にて偏向される
が、バンドで重ならない該当部分にては偏向されない。
電圧降下の形態になったこの電流の偏向はバンド１３６
で被覆される基材１２０の該当部分の測定とバンド１３
６の自由端部が結合される物体又は要素の運動の測定を
行なうよう検出器１３２て検出される。
で被覆される基材１２０の該当部分の測定とバンド１３
６の自由端部が結合される物体又は要素の運動の測定を
行なうよう検出器１３２て検出される。
第６図は本発明に従って作成された変位検出装置の他の
実施態様である。この装置には距離りだけ隔置され、電
圧源と検出器１４８に接続された一対の導電性プレート
１４０．１４４が含まれる。
実施態様である。この装置には距離りだけ隔置され、電
圧源と検出器１４８に接続された一対の導電性プレート
１４０．１４４が含まれる。
示される如く、各々導電性プレート１４０．１４４の対
面する表面上には２個の誘電層１５２，１５６が配設し
てある。第６図に示される如く、対の延在する可撓的で
導電性のバンド１６０．１６４は各々個々の誘電層１５
２．１５６の側に一端部にて接続され、個々の層に沿っ
て前方に延在し次に内方及び後方へそのバンドの他端部
が共に接続される箇所へ延在する。バンド１６０．１６
４の他端部は位置と運動が検出される物体１６８に接続
される。物体が導電性プレー）１４０． １４４の間の
位置に向って移動する際、バンド１６０．１６４の多く
が各々誘電層１５２．１５６上方に転動し重ねられる。
面する表面上には２個の誘電層１５２，１５６が配設し
てある。第６図に示される如く、対の延在する可撓的で
導電性のバンド１６０．１６４は各々個々の誘電層１５
２．１５６の側に一端部にて接続され、個々の層に沿っ
て前方に延在し次に内方及び後方へそのバンドの他端部
が共に接続される箇所へ延在する。バンド１６０．１６
４の他端部は位置と運動が検出される物体１６８に接続
される。物体が導電性プレー）１４０． １４４の間の
位置に向って移動する際、バンド１６０．１６４の多く
が各々誘電層１５２．１５６上方に転動し重ねられる。
勿論、物体１６８が導電性プレート１４０．１４４の間
から離れる方向に移動する際バンド１６０．１６４は個
々の被覆する誘電層から非転動にされる。物体１６８の
運動、従って、バンド１６０，１６４の運動により導電
性プレート１４０，１４４の間にキャパシタンスの変動
が生じ、この変動はＡＣ電圧源と例えば電圧計を含むこ
とが出来る検出器１４８の両者により測定される。コン
デンサー・プレートの有効な構成はバンド１６０．１６
４が導電性プレート１４０．１４４の間から非転動状態
にされた状況に対し１７２の箇所でグラフ的に示してあ
る。導電性プレート１４０，１４４の間でバンド１６０
゜１６４が転動される際の状況に対する有効なコンデン
サー構成が１７６に示してある。コンデンサ・プレート
１７２とコンデンサー構成１７６のグラフ的表示はバン
ド１６０，１６４が導電性プレート１４０ １４４の間
にある場合に対するバンドが両方のプレートの間に無い
場合とのキャパシタンスにおける有効な差を示している
。従って導電性プレート１４０，１４４の間のキャパシ
タンスにおける変動は所望の如く、物体１６８の運動と
位置の測定値を提供する。
から離れる方向に移動する際バンド１６０．１６４は個
々の被覆する誘電層から非転動にされる。物体１６８の
運動、従って、バンド１６０，１６４の運動により導電
性プレート１４０，１４４の間にキャパシタンスの変動
が生じ、この変動はＡＣ電圧源と例えば電圧計を含むこ
とが出来る検出器１４８の両者により測定される。コン
デンサー・プレートの有効な構成はバンド１６０．１６
４が導電性プレート１４０．１４４の間から非転動状態
にされた状況に対し１７２の箇所でグラフ的に示してあ
る。導電性プレート１４０，１４４の間でバンド１６０
゜１６４が転動される際の状況に対する有効なコンデン
サー構成が１７６に示してある。コンデンサ・プレート
１７２とコンデンサー構成１７６のグラフ的表示はバン
ド１６０，１６４が導電性プレート１４０ １４４の間
にある場合に対するバンドが両方のプレートの間に無い
場合とのキャパシタンスにおける有効な差を示している
。従って導電性プレート１４０，１４４の間のキャパシ
タンスにおける変動は所望の如く、物体１６８の運動と
位置の測定値を提供する。
第６図に対する代替的な容量性測定装置には１つのバン
ドのみ例えばバンド１６０の使用及び非導電性である他
方のプレート、例えば、導電性プレート１４０と組合っ
た例えば導電性プレート１４４の如き１つの導電性プレ
ートのみを提供することが含まれる。従って、電圧源と
検出器１４８は依然導電性プレート１４４及びバンド１
６０とも接続されて導電性プレート１４４とバンド１６
０の間にキャパシタンスを形成する。このキャパシタン
スは物体１６８の運動により生ずるバンド１６０が非導
電性プレート１４０上方で転動されるか又はその上方か
ら非転動にされる際変化し、かくして物体の位置と運動
の測定値を提供しよう。
ドのみ例えばバンド１６０の使用及び非導電性である他
方のプレート、例えば、導電性プレート１４０と組合っ
た例えば導電性プレート１４４の如き１つの導電性プレ
ートのみを提供することが含まれる。従って、電圧源と
検出器１４８は依然導電性プレート１４４及びバンド１
６０とも接続されて導電性プレート１４４とバンド１６
０の間にキャパシタンスを形成する。このキャパシタン
スは物体１６８の運動により生ずるバンド１６０が非導
電性プレート１４０上方で転動されるか又はその上方か
ら非転動にされる際変化し、かくして物体の位置と運動
の測定値を提供しよう。
第７図は物体１８０の運動の自由度２＠を測定する目的
で連続バンドを利用する変位装置の側面図である。この
装置には基材の上面で直線状に隔置された２個のＦＥＴ
検出器１８８．１９２を有する基材１８４が含まれてい
る。ＦＥＴ検出器１８８．１９２の上方で基材１８４上
には絶縁層１９６が位置付けである。ＦＥＴ検出器１８
８．１９２を上に配設してある軌跡上方で前後に転動す
るよう可撓的な導電性バンド２００がループ状に形成さ
れ、絶縁層１９６上に配設される。
で連続バンドを利用する変位装置の側面図である。この
装置には基材の上面で直線状に隔置された２個のＦＥＴ
検出器１８８．１９２を有する基材１８４が含まれてい
る。ＦＥＴ検出器１８８．１９２の上方で基材１８４上
には絶縁層１９６が位置付けである。ＦＥＴ検出器１８
８．１９２を上に配設してある軌跡上方で前後に転動す
るよう可撓的な導電性バンド２００がループ状に形成さ
れ、絶縁層１９６上に配設される。
物体１８０が第７図の右側に依存する際、バンド２００
は又、ＦＥＴ検出器１９２を被覆しＦＥＴ検出器１８８
を被覆しないよう右側へ転動される。勿論、この運動は
物体１８０の運動方向とその運動の大きさを示す目的で
検出器により検出可能である。物体１８０が上方に移動
されると、バンド２００はＦＥＴ検出器１８８，１９２
から非転動状態にされ、これも又、検出可能である。左
側へ又は下方向への物体１８０の運動は同様の様式で検
出出来るので、物体１８０の左側又は右側及び上下方向
の運動も容易に検出出来る。バンド２００は勿論、電圧
源又はバンド内に埋設された電荷のいずれかから電界を
発生するよう適切な電荷を支承している。
は又、ＦＥＴ検出器１９２を被覆しＦＥＴ検出器１８８
を被覆しないよう右側へ転動される。勿論、この運動は
物体１８０の運動方向とその運動の大きさを示す目的で
検出器により検出可能である。物体１８０が上方に移動
されると、バンド２００はＦＥＴ検出器１８８，１９２
から非転動状態にされ、これも又、検出可能である。左
側へ又は下方向への物体１８０の運動は同様の様式で検
出出来るので、物体１８０の左側又は右側及び上下方向
の運動も容易に検出出来る。バンド２００は勿論、電圧
源又はバンド内に埋設された電荷のいずれかから電界を
発生するよう適切な電荷を支承している。
第７図の装置はＦＥＴ検出器を利用するものとして説明
したが、ＭＡＧＦＥＴ、容量性カップリング、エレクト
レット・シート及びホール効果検出といった他の形式の
先に説明された検出器も利用可能であることを理解すべ
きである。
したが、ＭＡＧＦＥＴ、容量性カップリング、エレクト
レット・シート及びホール効果検出といった他の形式の
先に説明された検出器も利用可能であることを理解すべ
きである。
第８図はジョイスティック２０４の位置と運動を測定す
る変位測定装置の斜視図である。この装置には基材２０
８が含まれ、この基材の表面上には図示の如く交差する
想像線に沿って位置付けられた３個のＦＥＴ検出器２１
２，２１６，２２０及び２２４が位置付けである。４個
の検出器上方の基材２０８上は絶縁層２２８が配設して
ある。
る変位測定装置の斜視図である。この装置には基材２０
８が含まれ、この基材の表面上には図示の如く交差する
想像線に沿って位置付けられた３個のＦＥＴ検出器２１
２，２１６，２２０及び２２４が位置付けである。４個
の検出器上方の基材２０８上は絶縁層２２８が配設して
ある。
絶縁層２２８上には２個の可撓的で電気的に導電性のバ
ンド２３２，２３６が配設され、これらのバンドは両者
ともループ状に形成され、相互に交差する形で配設して
ある。バンド２３６内で形成された開口部２４０とバン
ド２３２内に形成された開口部２４４を含む、バンド２
３２，２３６の開口部を通じて上方に延在するようジョ
イスティック２０４は基材２０８に枢軸的に取付けであ
る。
ンド２３２，２３６が配設され、これらのバンドは両者
ともループ状に形成され、相互に交差する形で配設して
ある。バンド２３６内で形成された開口部２４０とバン
ド２３２内に形成された開口部２４４を含む、バンド２
３２，２３６の開口部を通じて上方に延在するようジョ
イスティック２０４は基材２０８に枢軸的に取付けであ
る。
バンド２３２，２３６のいずれか一方を側方に曲げずに
ジョイスティック２０４の運動を可能にすべく開口部２
４０，２４４は第８図に示される如く、このバンド内で
交差する方向に形成され、相互に対して交差して形成し
てある。従って、ジョイスティック２０４はＦＥＴ検出
器２１６又は２２４に向って移動出来、かくしてバンド
２３６を側方に曲げずにバンド２３２を移動させること
が出来る。同様に、ジョイスティックはバンド２３２を
側方に曲げずにバンド２３６を移動させるようＦＥＴ検
出器２１２又は２２０に向って移動可能である。ジョイ
スティック２０４のこうした運動、従って、バンド２３
２，２３６の運動は先の実施態様に対し説明した如く検
出器が被覆されるか又は非被覆される際影響される特定
の検出器で検出される。
ジョイスティック２０４の運動を可能にすべく開口部２
４０，２４４は第８図に示される如く、このバンド内で
交差する方向に形成され、相互に対して交差して形成し
てある。従って、ジョイスティック２０４はＦＥＴ検出
器２１６又は２２４に向って移動出来、かくしてバンド
２３６を側方に曲げずにバンド２３２を移動させること
が出来る。同様に、ジョイスティックはバンド２３２を
側方に曲げずにバンド２３６を移動させるようＦＥＴ検
出器２１２又は２２０に向って移動可能である。ジョイ
スティック２０４のこうした運動、従って、バンド２３
２，２３６の運動は先の実施態様に対し説明した如く検
出器が被覆されるか又は非被覆される際影響される特定
の検出器で検出される。
又、バンド２３２，２３６は先の実施例で示した如く、
電界を発生するよう充電されよう。又、バンド２３２．
２３６は有利には下方部分において基材２０８に固定出
来よう。最後に、先に説明した他の検出装置も第８図の
装置と併用出来よう。
電界を発生するよう充電されよう。又、バンド２３２．
２３６は有利には下方部分において基材２０８に固定出
来よう。最後に、先に説明した他の検出装置も第８図の
装置と併用出来よう。
第９Ａ図及び第９Ｂ図は各々軸２５０の回転変位を測定
する装置の等角図と側面図を示す。軸２５０は基材２５
４内に回転するよう設置され当該基村内には環状構成に
慣用的なソース領域、ドレン領域及びチャンネル領域を
備えたＦＥＴ検出器２５８が配設してある。ＦＥＴ検出
器２５８上で基材２５４の上に絶縁層２６２が位置付け
である。
する装置の等角図と側面図を示す。軸２５０は基材２５
４内に回転するよう設置され当該基村内には環状構成に
慣用的なソース領域、ドレン領域及びチャンネル領域を
備えたＦＥＴ検出器２５８が配設してある。ＦＥＴ検出
器２５８上で基材２５４の上に絶縁層２６２が位置付け
である。
軸の回転時に回転するよう基材２５４上方にはディスク
２６６が軸２５０上で設置してある。軸２５０が一方向
（例えば、装置上を見おろして時計方向）に回転する際
、バンドがＦＥＴ検出器２５８上に位置付けられ、反対
方向に回転する際バンドが検出器から上方へ引上げられ
るよう可撓的て電気的に導電性のバンド２７０が一端部
にては絶縁層２６２に取付けられ、他端部にてはディス
ク２６６の底部に取付けられる。従って、軸２５０の回
転運動と位置はＦＥＴ検出器２５８で検出出来る。
２６６が軸２５０上で設置してある。軸２５０が一方向
（例えば、装置上を見おろして時計方向）に回転する際
、バンドがＦＥＴ検出器２５８上に位置付けられ、反対
方向に回転する際バンドが検出器から上方へ引上げられ
るよう可撓的て電気的に導電性のバンド２７０が一端部
にては絶縁層２６２に取付けられ、他端部にてはディス
ク２６６の底部に取付けられる。従って、軸２５０の回
転運動と位置はＦＥＴ検出器２５８で検出出来る。
第１０Ａ図及び第１０Ｂ図に示された変位測定装置は基
材２８８上方に配設された絶縁層２８４の上面と軸２９
６と共に回転するよう設置されたディスク２９２の下側
面の両者に接触するようそれ自体の上に重ねられる連続
的に形成されたバンド２８０を利用する。軸２９６は基
材２８８に回転するよう設置される。ＦＥＴ検出器３０
０は、バンドの下方部分が連続的にＦＥＴ検出器３００
の異なる部分を被覆し且つ非被覆するようディスク２９
２と接触しているバンド２８０の該当部分が軸２９６．
従って、ディスク２９２の回転に伴なってディスクと共
に運ばれるよう全体的に第１０Ａ図に最も良く示された
円にて形成される。バンド２８０は例示的にはディスク
２９２の下面に固定されるが、適切に作成されたバンド
と共にディスク下側面に対するバンド２８０の保持は静
電的吸引、液体の薄膜による表面張力、磁化等で達成出
来よう。バンド２８０がディスク２９２又は絶縁層２８
４に取付けられていない場合、これは半径方向で自己整
合し、即ち、軸２９６の周わりでそれ自体均一に自動的
に間隔を保つ。勿論、第１０Ａ図、第１０Ｂ図の装置は
バンド２８０がＦＥＴ検出器３００の異なる部分を被覆
し且つ非被覆する際軸２９６の角度位置と運動を測定す
る。
材２８８上方に配設された絶縁層２８４の上面と軸２９
６と共に回転するよう設置されたディスク２９２の下側
面の両者に接触するようそれ自体の上に重ねられる連続
的に形成されたバンド２８０を利用する。軸２９６は基
材２８８に回転するよう設置される。ＦＥＴ検出器３０
０は、バンドの下方部分が連続的にＦＥＴ検出器３００
の異なる部分を被覆し且つ非被覆するようディスク２９
２と接触しているバンド２８０の該当部分が軸２９６．
従って、ディスク２９２の回転に伴なってディスクと共
に運ばれるよう全体的に第１０Ａ図に最も良く示された
円にて形成される。バンド２８０は例示的にはディスク
２９２の下面に固定されるが、適切に作成されたバンド
と共にディスク下側面に対するバンド２８０の保持は静
電的吸引、液体の薄膜による表面張力、磁化等で達成出
来よう。バンド２８０がディスク２９２又は絶縁層２８
４に取付けられていない場合、これは半径方向で自己整
合し、即ち、軸２９６の周わりでそれ自体均一に自動的
に間隔を保つ。勿論、第１０Ａ図、第１０Ｂ図の装置は
バンド２８０がＦＥＴ検出器３００の異なる部分を被覆
し且つ非被覆する際軸２９６の角度位置と運動を測定す
る。
ＦＥＴ検出器３００の代わり及び第９Ａ図のＦＥＴ検出
器２５８の代わりに先に説明した如き他の型式の検出器
も利用出来よう。
器２５８の代わりに先に説明した如き他の型式の検出器
も利用出来よう。
第１１図及び第１２図は各々シリンダー３０４及び３２
４の各運動と変位を測定する装置の実施態様を示す。第
１１図におけるシリンダー３０４にはシリンダーの外部
に形成されるか又は取付けられた導電性プレート３０６
及び３０８が含まれる。回転自在型シリンダー３０４の
外部の周わりに中空シリンダー３１０が配設されるが、
固定位置で当該シリンダーから隔置される。図示の如く
一対のプレート３１２，３１４が中空シリンダ３１０の
内側面に支承され、隔置される。導電性プレート３０６
，３０８． プレート３１２．３１４には全てその露
呈した対面する表面上に誘電材料層が含まれる。ループ
状に形成された２個の可撓的で導電性のバンド３１６，
３１８がシリンダー３０４と中空シリンダー３１０の間
に配設されシリンダー３０４が固定軸３２０の周わりに
回転される際中空シリンダー３１０の内面とシリンダー
３０４の外面上で転動する。第６図の装置に対して説明
したのと同じ様式にて導電性プレート３０６、プレート
３１４及び導電性プレート３０８プレート３１２の間で
発生されたキャパシタンスはバンド３１８と３１６の各
々キャパシタンスの測定でシリンダー３０４の回転変位
と運動の測定値を提供するよう個々のプレートの間で又
はその間から各々移動する際変化する。ＦＥＴ、ＭＡＧ
ＦＥＴ、エレクトレット・シート等を含む他の検出器構
成も第１１図の構成において使用出来よう。
４の各運動と変位を測定する装置の実施態様を示す。第
１１図におけるシリンダー３０４にはシリンダーの外部
に形成されるか又は取付けられた導電性プレート３０６
及び３０８が含まれる。回転自在型シリンダー３０４の
外部の周わりに中空シリンダー３１０が配設されるが、
固定位置で当該シリンダーから隔置される。図示の如く
一対のプレート３１２，３１４が中空シリンダ３１０の
内側面に支承され、隔置される。導電性プレート３０６
，３０８． プレート３１２．３１４には全てその露
呈した対面する表面上に誘電材料層が含まれる。ループ
状に形成された２個の可撓的で導電性のバンド３１６，
３１８がシリンダー３０４と中空シリンダー３１０の間
に配設されシリンダー３０４が固定軸３２０の周わりに
回転される際中空シリンダー３１０の内面とシリンダー
３０４の外面上で転動する。第６図の装置に対して説明
したのと同じ様式にて導電性プレート３０６、プレート
３１４及び導電性プレート３０８プレート３１２の間で
発生されたキャパシタンスはバンド３１８と３１６の各
々キャパシタンスの測定でシリンダー３０４の回転変位
と運動の測定値を提供するよう個々のプレートの間で又
はその間から各々移動する際変化する。ＦＥＴ、ＭＡＧ
ＦＥＴ、エレクトレット・シート等を含む他の検出器構
成も第１１図の構成において使用出来よう。
第１２図の実施態様において、シリンダー３２４が固定
軸３２５の周わりに回転される際、シリンダーはループ
状に形成されたバンド３２６も基材３２８の表面上で前
後に転動させ、当該基村内には直線的に隔置された関係
を以って２個のＦＥＴ検出器３３０，３３２が配設して
ある。従ってＦＥＴ検出器３３０，３３２で検出された
バンド３２６の位置はシリンダー３２４の回転位置を示
す。
軸３２５の周わりに回転される際、シリンダーはループ
状に形成されたバンド３２６も基材３２８の表面上で前
後に転動させ、当該基村内には直線的に隔置された関係
を以って２個のＦＥＴ検出器３３０，３３２が配設して
ある。従ってＦＥＴ検出器３３０，３３２で検出された
バンド３２６の位置はシリンダー３２４の回転位置を示
す。
第１３図はプレート３５０の運動自由度の直線方向２°
とプレートの回転運動の自由度１°も測定する変位測定
装置の側面図である。この装置には基材３５４が含まれ
、この基材にはその上面に２個の直線状に隔置された検
出器３５６，３５８が形成してある。プレート３５０も
又、その下面に２個の直線状に隔置された検出器３６０
，３６２を含む。ループ状に形成された可撓的で電気的
に導電性のバンド３６４はプレート３５０と基材３５４
の間に位置付けられ、横方向前後に運動し選択的に検出
器３５６，３５８，３６２及び３６０を被覆し、且つ非
被覆状態にし、これらの検出器はそこでバンドによる被
覆の量を表わす電気的出力を発生する。これは勿論、プ
レート３５０の位置と運動の読取り又は測定値を提供す
る。検出器３５６，３５８，３６０及び３６２は先に述
べた如く各種型式をとることが出来よう。
とプレートの回転運動の自由度１°も測定する変位測定
装置の側面図である。この装置には基材３５４が含まれ
、この基材にはその上面に２個の直線状に隔置された検
出器３５６，３５８が形成してある。プレート３５０も
又、その下面に２個の直線状に隔置された検出器３６０
，３６２を含む。ループ状に形成された可撓的で電気的
に導電性のバンド３６４はプレート３５０と基材３５４
の間に位置付けられ、横方向前後に運動し選択的に検出
器３５６，３５８，３６２及び３６０を被覆し、且つ非
被覆状態にし、これらの検出器はそこでバンドによる被
覆の量を表わす電気的出力を発生する。これは勿論、プ
レート３５０の位置と運動の読取り又は測定値を提供す
る。検出器３５６，３５８，３６０及び３６２は先に述
べた如く各種型式をとることが出来よう。
第１４図は可撓性バンド３７０の従ってバンドが取付け
られる物体３７４の位置を表わすディジタル出力信号を
発生する変位測定装置の斜視図である。基材３７８には
バンド３７０が基材上に転動される際、検出器の異なる
組合せが影響され、これらの組合せが２進数コ一ド化出
力信号を発生するよう基材の表面上の想像グリッドの選
択された交差部に位置付けられた複数個の検出器３８２
が含まれている。例えば、検出器３８２のみがバンド３
７０で被覆されれば、この検出器は数字８を表わす出力
信号を発生しよう。バンド３７０がこれも検出器３８２
ｂを被覆するよう移動されれば番号７を表わす出力信号
を発生しよう。この様にして、基材３７８上方のバンド
３７０の異なる位置及び物体３７４の異なる位置を表わ
すディジタル出力信号が発生される。
られる物体３７４の位置を表わすディジタル出力信号を
発生する変位測定装置の斜視図である。基材３７８には
バンド３７０が基材上に転動される際、検出器の異なる
組合せが影響され、これらの組合せが２進数コ一ド化出
力信号を発生するよう基材の表面上の想像グリッドの選
択された交差部に位置付けられた複数個の検出器３８２
が含まれている。例えば、検出器３８２のみがバンド３
７０で被覆されれば、この検出器は数字８を表わす出力
信号を発生しよう。バンド３７０がこれも検出器３８２
ｂを被覆するよう移動されれば番号７を表わす出力信号
を発生しよう。この様にして、基材３７８上方のバンド
３７０の異なる位置及び物体３７４の異なる位置を表わ
すディジタル出力信号が発生される。
第１５図は可撓性バンド３９０の運動又は位置及び物体
３９４の運動又は位置を表わす別々の出力増分を発生す
る装置の斜視図を示す。基材３９８上方には複数個のソ
ース領域４０６で残される複数個のドレン領域４０２が
位置付けられる。ドレン領域４０２は共通導電体４１０
に接続され、ソース領域４０６は又、共通導電体４１４
に接続される。各隣接するドレン領域とソース領域の間
にはチャンネル領域４１８が配設され、基材３９８上に
直線状列で配列された複数個のＦＥＴを効果的に定める
。連続するチャンネル領域４１８がバンド３９０で被覆
されるか又は非被覆状態にされると、導電体４１０，４
１４上の電流の流れが変化し、こうして、バンド３９０
の位置、従って物体３９４の位置を示す。
３９４の運動又は位置を表わす別々の出力増分を発生す
る装置の斜視図を示す。基材３９８上方には複数個のソ
ース領域４０６で残される複数個のドレン領域４０２が
位置付けられる。ドレン領域４０２は共通導電体４１０
に接続され、ソース領域４０６は又、共通導電体４１４
に接続される。各隣接するドレン領域とソース領域の間
にはチャンネル領域４１８が配設され、基材３９８上に
直線状列で配列された複数個のＦＥＴを効果的に定める
。連続するチャンネル領域４１８がバンド３９０で被覆
されるか又は非被覆状態にされると、導電体４１０，４
１４上の電流の流れが変化し、こうして、バンド３９０
の位置、従って物体３９４の位置を示す。
第１６図にはバンド４２０の運動に応答して非直線出力
を発生する装置の斜視図が示してある。
を発生する装置の斜視図が示してある。
基材４２４上にはドレン領域４２８．ソース領域４３２
、当該両領域の間に配設されたチャンネル領域４３６を
有する電界効果トランジスターが配設してある。チャン
ネル領域４３６は幅が変化し基材４２４の反対側端部が
最も広く、その箇所からバンド４２０が取付けられ、除
々にそれがそのバンドの取付けである基材の端部に向っ
て走行する際内方向に除々にテーパーが付けられる。ド
レン領域４２８とソース領域４３２は第１６図に示され
る如くチャンネル領域４３６の個々の側と全体的に平行
に延在する。バンド４２０が基材４２４を被覆するよう
移動されると、チャンネル領域４３６の増加的に広がる
部分がバンドで被覆され、そのためバンドの運動に合せ
た電流の変化が非直線的になる。勿論、チャンネル領域
４３６は反対方向にテーパーが付けられるよう形成可能
で、バンド内の運動により異なる非直線状出力を提供し
チャンネル領域に対する各種他の形状も非直線的出力の
発生のため選択出来よう。
、当該両領域の間に配設されたチャンネル領域４３６を
有する電界効果トランジスターが配設してある。チャン
ネル領域４３６は幅が変化し基材４２４の反対側端部が
最も広く、その箇所からバンド４２０が取付けられ、除
々にそれがそのバンドの取付けである基材の端部に向っ
て走行する際内方向に除々にテーパーが付けられる。ド
レン領域４２８とソース領域４３２は第１６図に示され
る如くチャンネル領域４３６の個々の側と全体的に平行
に延在する。バンド４２０が基材４２４を被覆するよう
移動されると、チャンネル領域４３６の増加的に広がる
部分がバンドで被覆され、そのためバンドの運動に合せ
た電流の変化が非直線的になる。勿論、チャンネル領域
４３６は反対方向にテーパーが付けられるよう形成可能
で、バンド内の運動により異なる非直線状出力を提供し
チャンネル領域に対する各種他の形状も非直線的出力の
発生のため選択出来よう。
第１７図は可撓性バンドを利用しない変位測定装置の実
施態様を示すがむしろ、くさび形で電気的に励起される
プレート４３０が採用される。プレート４３０はプレー
トを取付ける物体が移動される際基材の横方向にて前後
方向に移動するよう（例えば、位置を測定する物体に取
付けることにより）基材４３４上方で懸下される。プレ
ート４３０は励起される電圧源４３８に接続される。基
材４３４にはソース領域４４２．チャンネル領域４４６
及びドレン領域４５０を備えたＦＥＴが含まれている。
施態様を示すがむしろ、くさび形で電気的に励起される
プレート４３０が採用される。プレート４３０はプレー
トを取付ける物体が移動される際基材の横方向にて前後
方向に移動するよう（例えば、位置を測定する物体に取
付けることにより）基材４３４上方で懸下される。プレ
ート４３０は励起される電圧源４３８に接続される。基
材４３４にはソース領域４４２．チャンネル領域４４６
及びドレン領域４５０を備えたＦＥＴが含まれている。
プレート４３０が基材４３４と接触外に維持されている
限り、絶縁層は要求されないが、事前注意として基材の
重なりとしてそれを含むことがおそらく勧められよう。
限り、絶縁層は要求されないが、事前注意として基材の
重なりとしてそれを含むことがおそらく勧められよう。
第１７図から理解される如く、プレート４３０がプレー
トの軸方向（前方向）に移動される際、プレートの広い
領域がＦＥＴのチャンネル領域４４６を被覆し、これは
勿論、ソース領域とドレン領域の間の導電性の変化をも
たらす。プレート４３０が反対方向（後方向）に移動さ
れると、プレー）４３０がチャンネル領域４４６を被覆
しないので、再びソース領域とドレン領域の間の導通変
化が生ずる。この導電変化はプレート４３０の位置、従
って、その接続される物体の位置を決定するよう検出可
能である。
トの軸方向（前方向）に移動される際、プレートの広い
領域がＦＥＴのチャンネル領域４４６を被覆し、これは
勿論、ソース領域とドレン領域の間の導電性の変化をも
たらす。プレート４３０が反対方向（後方向）に移動さ
れると、プレー）４３０がチャンネル領域４４６を被覆
しないので、再びソース領域とドレン領域の間の導通変
化が生ずる。この導電変化はプレート４３０の位置、従
って、その接続される物体の位置を決定するよう検出可
能である。
第１８図及び第１９図は本発明に従って作成された回転
変位測定装置の他の実施態様の斜視図であるが、可撓性
バンドは利用していない。第１８図の装置は角度位置と
変位を測定すべき物体に取付けられる軸４６０を示す。
変位測定装置の他の実施態様の斜視図であるが、可撓性
バンドは利用していない。第１８図の装置は角度位置と
変位を測定すべき物体に取付けられる軸４６０を示す。
軸４６０は基材４６４内でその長手方向軸線の周わりで
設置されるよう設置される。くさび形溝断面を有し、く
さび部分の頂点が基材４６４に向って下方に向けられる
ライン・チャージ効果をもたらすアーム４６８が軸４６
０と共に回転するよう当該軸から横方向に延在して設置
してある。アーム４６８は電荷を受取るよう電圧源４７
２に接続してある。代替的にアーム４６８は例えば、ア
ームに埋設される電子の結果、静電荷を支承できよう。
設置されるよう設置される。くさび形溝断面を有し、く
さび部分の頂点が基材４６４に向って下方に向けられる
ライン・チャージ効果をもたらすアーム４６８が軸４６
０と共に回転するよう当該軸から横方向に延在して設置
してある。アーム４６８は電荷を受取るよう電圧源４７
２に接続してある。代替的にアーム４６８は例えば、ア
ームに埋設される電子の結果、静電荷を支承できよう。
全体的にアーム４６８の運動経路の下側で円形にて複数
個のＦＥＴ検出器４７６が配設してある。
個のＦＥＴ検出器４７６が配設してある。
軸４６０が（その接続してある物体が原因で）回転され
ると、アーム４６８はＦＥＴ検出器４７６の異なる検出
器上方を掃引するようにされ、その検出器はアームから
出る電界を検出してアームの位置を示す信号を発生する
。明らかに、この最大信号を発生するＦＥＴ検出器４７
６はアーム４６８の位置付けられるその上方の検出器で
あろう。
ると、アーム４６８はＦＥＴ検出器４７６の異なる検出
器上方を掃引するようにされ、その検出器はアームから
出る電界を検出してアームの位置を示す信号を発生する
。明らかに、この最大信号を発生するＦＥＴ検出器４７
６はアーム４６８の位置付けられるその上方の検出器で
あろう。
ＦＥＴ検出器４７６は基材４６４上で間にある程度の間
隔を以って示してあるが、検出器は各種寸法と間隔を有
することが出来、多くの検出器は軸４６０の角度位置を
決定する高い感度を提供する。
隔を以って示してあるが、検出器は各種寸法と間隔を有
することが出来、多くの検出器は軸４６０の角度位置を
決定する高い感度を提供する。
第１９図は又、基材４８４内で長手方向軸線の周わりに
回転するよう設置された軸４８０の角度変位を測定する
よう適合している。軸４８０と共に回転するよう半円形
プレート４８８が設置され、このプレートには電圧源４
９２により電荷が供給される。アーム４６８と同様、半
円形プレート４８８は基材４８４の上面上方で回転する
。基材４８４の上面には４個（７）ＦＥＴ検出器４９６
，５００．５０４，５０８が形成される。各ＦＥＴ検出
器は他方の検出器の２個の検出器の少なくとも一部分と
同心的になるよう（平行に延在するソース領域、ドレン
領域及びチャンネル領域と共に）半円形に形成してある
。従って、検出器４９６は検出器５００の一部分及び検
出器５０８の一部分を包囲し、一方、検出器５０４は検
出器５００と５０８の他の部分も包囲する。半円形プレ
ート４８８が回転される際、これは常時、ＦＥＴ検出器
の少なくとも３個の検出器の部分を被覆し、大部分の位
置においてこれは検出器の４個全ての部分を被覆する。
回転するよう設置された軸４８０の角度変位を測定する
よう適合している。軸４８０と共に回転するよう半円形
プレート４８８が設置され、このプレートには電圧源４
９２により電荷が供給される。アーム４６８と同様、半
円形プレート４８８は基材４８４の上面上方で回転する
。基材４８４の上面には４個（７）ＦＥＴ検出器４９６
，５００．５０４，５０８が形成される。各ＦＥＴ検出
器は他方の検出器の２個の検出器の少なくとも一部分と
同心的になるよう（平行に延在するソース領域、ドレン
領域及びチャンネル領域と共に）半円形に形成してある
。従って、検出器４９６は検出器５００の一部分及び検
出器５０８の一部分を包囲し、一方、検出器５０４は検
出器５００と５０８の他の部分も包囲する。半円形プレ
ート４８８が回転される際、これは常時、ＦＥＴ検出器
の少なくとも３個の検出器の部分を被覆し、大部分の位
置においてこれは検出器の４個全ての部分を被覆する。
作動にあたり、ＦＥＴ検出器４９６，５００゜５０４及
び５０８は半円形プレート４８８で、従ってプレートで
被覆される検出器の部分で発生される電界で影響される
検出器の比率を示す信号を発生する。信号は逆に、軸４
８０の角度位置を定め、従って、軸が接続される物体の
角度位置を定める。
び５０８は半円形プレート４８８で、従ってプレートで
被覆される検出器の部分で発生される電界で影響される
検出器の比率を示す信号を発生する。信号は逆に、軸４
８０の角度位置を定め、従って、軸が接続される物体の
角度位置を定める。
第２０図、第２１図、第２２図は全て光学的検出を利用
するバンド制御変換器を示す。第２０図において、光源
５２０は光を基材５２４に向って下方に向け、当該基材
の上面上で不透明バンド５２８が配設されてバンドの接
続されている物体が移動される際転動し、非転動するよ
う配設されている。基材５２４の上面には延在する光電
池５３２が形成され、この光電池は光電池に当たる光の
量に比例する大きさの出力信号を検出器５３６に供給す
る。不透明バンド５２８が転動して被覆し、非転動状態
で光電池５３２を被覆しない場合、バンドでブロックさ
れる光の量、従って、光電池５３２上に当たる光の量が
変化して光電池からの出力信号における変動を生ぜしめ
る。この出力信号はかくして光電池上方での不透明バン
ド５２８の位置の測定値を提供し、こうしてバンドの接
続される物体の位置の測定値を示す。
するバンド制御変換器を示す。第２０図において、光源
５２０は光を基材５２４に向って下方に向け、当該基材
の上面上で不透明バンド５２８が配設されてバンドの接
続されている物体が移動される際転動し、非転動するよ
う配設されている。基材５２４の上面には延在する光電
池５３２が形成され、この光電池は光電池に当たる光の
量に比例する大きさの出力信号を検出器５３６に供給す
る。不透明バンド５２８が転動して被覆し、非転動状態
で光電池５３２を被覆しない場合、バンドでブロックさ
れる光の量、従って、光電池５３２上に当たる光の量が
変化して光電池からの出力信号における変動を生ぜしめ
る。この出力信号はかくして光電池上方での不透明バン
ド５２８の位置の測定値を提供し、こうしてバンドの接
続される物体の位置の測定値を示す。
第２１図は光検出を利用する変位測定装置の別の実施態
様を示す。ここでは、基材５４０に基材の上面に形成さ
れて電流源５４８で励起される複数個の発光ダイオード
５４４が含まれる。可撓的バンドが接続される物体の移
動時に発光ダイオード５４４上で転動し、非転動状態に
なるよう可撓性の不透明バンド５５２が一端部において
基材５４０の上面の一端部に取付けられる。発光ダイオ
ード５４４からの光は光電池５５６による検出でバンド
５５２によるブロックが無い場合、上方に放射される。
様を示す。ここでは、基材５４０に基材の上面に形成さ
れて電流源５４８で励起される複数個の発光ダイオード
５４４が含まれる。可撓的バンドが接続される物体の移
動時に発光ダイオード５４４上で転動し、非転動状態に
なるよう可撓性の不透明バンド５５２が一端部において
基材５４０の上面の一端部に取付けられる。発光ダイオ
ード５４４からの光は光電池５５６による検出でバンド
５５２によるブロックが無い場合、上方に放射される。
第２０図の実施態様の場合と同様光電池５５６は値がそ
の当たる光の量に比例する出力信号を発生し、この出力
信号は検出器５６０で検出される。従って、バンド５５
２が基材５４０及び発光ダイオード５４４上で転動しそ
の上方から非転動状態にされる際、光の変化する量が光
電池５５６に到達可能にされ、かくして光電池の出力信
号の大きさを変える。従って、この出力信号は基材５５
４上方でのバンド５５２の位置を示し、従ってバンドが
接続される物体の位置の測定値を提供する。
の当たる光の量に比例する出力信号を発生し、この出力
信号は検出器５６０で検出される。従って、バンド５５
２が基材５４０及び発光ダイオード５４４上で転動しそ
の上方から非転動状態にされる際、光の変化する量が光
電池５５６に到達可能にされ、かくして光電池の出力信
号の大きさを変える。従って、この出力信号は基材５５
４上方でのバンド５５２の位置を示し、従ってバンドが
接続される物体の位置の測定値を提供する。
第２２図は光学検出を利用している変位測定装置の他の
実施態様の側面図を示す。ここでは、基材５７０にはそ
の上面に配設された複数個の光電池５７４が含まれてい
る。バンドが取付けである物体５８２が移動される際、
この上面上方で転動しその上方から転動するよう基材５
７０の上面の一端部において可撓的な光反射バンド５７
８が取付けである。光源５８６、例えばレーザー光源は
光線５８８を基材５７０の上面に向って下方にその光線
を反射させる位置にてバンド５７８に向って向ける。従
って、光線はバンド５７８の位置及び物体５８２の位置
に応じて光電池５７４の１つの光電池に当てられる。光
線の当たる光電池は勿論、光を受けたことを示す出力信
号を発生し、この信号はバンド５７８と物体５８２の位
置を示す。
実施態様の側面図を示す。ここでは、基材５７０にはそ
の上面に配設された複数個の光電池５７４が含まれてい
る。バンドが取付けである物体５８２が移動される際、
この上面上方で転動しその上方から転動するよう基材５
７０の上面の一端部において可撓的な光反射バンド５７
８が取付けである。光源５８６、例えばレーザー光源は
光線５８８を基材５７０の上面に向って下方にその光線
を反射させる位置にてバンド５７８に向って向ける。従
って、光線はバンド５７８の位置及び物体５８２の位置
に応じて光電池５７４の１つの光電池に当てられる。光
線の当たる光電池は勿論、光を受けたことを示す出力信
号を発生し、この信号はバンド５７８と物体５８２の位
置を示す。
第２０図及び第２１図の実施態様における光電池が単一
光電池として示される場合はいつでも個々の光電池と一
連の光電池を利用可能であることも理解すべきである。
光電池として示される場合はいつでも個々の光電池と一
連の光電池を利用可能であることも理解すべきである。
又、第２１図には一連の発光ダイオード５４４が示して
あるが、連続的な光枠体も利用可能であろう。
あるが、連続的な光枠体も利用可能であろう。
第２３図は音響検出を利用するバンド制御変換器の側面
図である。この図ではバンド５９０が一端部において基
材５９２に接続され、他端部においてその位置と運動の
測定される物体５９４に接続されている。バンド５９０
が基材上方で転動する方向での基材５９２の一端部に全
体的にソナー信号源５９６が配設され、そのソナー信号
源は音響信号をバンド５９０に向って送り、音響検出器
５９８はバンドから反射された信号を検出する。
図である。この図ではバンド５９０が一端部において基
材５９２に接続され、他端部においてその位置と運動の
測定される物体５９４に接続されている。バンド５９０
が基材上方で転動する方向での基材５９２の一端部に全
体的にソナー信号源５９６が配設され、そのソナー信号
源は音響信号をバンド５９０に向って送り、音響検出器
５９８はバンドから反射された信号を検出する。
音響検出器５９８は音響信号の移動時間を検出しこの移
動時間は勿論、バンド５９０の維持と物体５９４の位置
に応じて変化する。勿論、バンド５９０の位置の検出は
ソナー信号源５９６と音響検出器５９８で達成されるの
で、基材に基づく検出素子は不要である。
動時間は勿論、バンド５９０の維持と物体５９４の位置
に応じて変化する。勿論、バンド５９０の位置の検出は
ソナー信号源５９６と音響検出器５９８で達成されるの
で、基材に基づく検出素子は不要である。
第２４図、第２５図、第２６図、第２７図、第２８図、
第２９図は全て先に説明したバンド制御変換器の使用の
適用例を示す。第２４図は重み付けのため利用される本
発明の変位測定装置のグラフ的な図。この図において、
ばね６００は可動素子６０４を固定支持体６０８に相互
に接続する。
第２９図は全て先に説明したバンド制御変換器の使用の
適用例を示す。第２４図は重み付けのため利用される本
発明の変位測定装置のグラフ的な図。この図において、
ばね６００は可動素子６０４を固定支持体６０８に相互
に接続する。
重み付けすべき物体６１８を保持する保持プレート６１
２はライン６２０を可動素子６０４に接続することで接
続される。基材６２４には表面６２８内に形成された検
出器が含まれ、この検出器上には可撓性バンド６３２が
配設されて先に実施例で説明された如く転動及び非転動
を行なう。バンド６３２の一端部は基材６２４の下端部
に取付けられ、バンドの他端部は可動素子６０４に取付
けられてバンドの所望の転動と非転動を可能にする。
２はライン６２０を可動素子６０４に接続することで接
続される。基材６２４には表面６２８内に形成された検
出器が含まれ、この検出器上には可撓性バンド６３２が
配設されて先に実施例で説明された如く転動及び非転動
を行なう。バンド６３２の一端部は基材６２４の下端部
に取付けられ、バンドの他端部は可動素子６０４に取付
けられてバンドの所望の転動と非転動を可能にする。
検出装置を備えた基材６２４は表示装置６３６に接続さ
れ、検出器の出力信号の大きさを表わす読取り値と、従
って物体６１６の重量の読取り値を提供する。
れ、検出器の出力信号の大きさを表わす読取り値と、従
って物体６１６の重量の読取り値を提供する。
第２５図は温度測定装置の側面図である。基材６５０に
は上面に形成された検出器６５４が含まれる。第１熱膨
張係数を有する可撓性バンド６５８が一端部において基
材６５０の一端部に取付けられ、基材の一部分に重なる
。第２膨張係数を有する第２バンド６６２が最初に述べ
たバンド６５８に重なる。電圧源６６６がバンド６５８
に接続され、電荷を供給する。
は上面に形成された検出器６５４が含まれる。第１熱膨
張係数を有する可撓性バンド６５８が一端部において基
材６５０の一端部に取付けられ、基材の一部分に重なる
。第２膨張係数を有する第２バンド６６２が最初に述べ
たバンド６５８に重なる。電圧源６６６がバンド６５８
に接続され、電荷を供給する。
第２５図の装置が受ける大気温度の変化するのに伴ない
バンド６５８と、バンド６６２は異なる割合状態とされ
、このバンドのカールと又はカールを基材６５０の表面
から生ぜしめる。例えば、バンド６５８の膨張係数がバ
ンド６６２の膨張係数より大きい場合は、温度上昇に伴
ない２個のバンドは基材６５０からカールして離れる傾
向がある。勿論、バンド６５８が検出器６５４上で変動
するか又は検出器６５４上方から非転動状態になるのに
伴ないこの検出器からの出力信号が変化しバンド６５８
の位置、従って大気温度を示す。
バンド６５８と、バンド６６２は異なる割合状態とされ
、このバンドのカールと又はカールを基材６５０の表面
から生ぜしめる。例えば、バンド６５８の膨張係数がバ
ンド６６２の膨張係数より大きい場合は、温度上昇に伴
ない２個のバンドは基材６５０からカールして離れる傾
向がある。勿論、バンド６５８が検出器６５４上で変動
するか又は検出器６５４上方から非転動状態になるのに
伴ないこの検出器からの出力信号が変化しバンド６５８
の位置、従って大気温度を示す。
第２６図は２個の延在する素子６８０，６８４の間の角
度位置を測定する装置を示す。素子６８０．６８４は一
端部において接続され、枢軸点６８８の周わりで枢軸運
動する。直線状検出器６９０．６９４は各々延在してい
る素子６８０，６８４に取付けられ、可撓的で電気的又
は磁気的に励起されるバンド６９８がその２個の端部に
おいて素子６８０，６８４に取付けられるので、バンド
は内方に延在し、弓の形状にて検出器６９０，６９４の
一部分に重なる。素子６８０，６８４は共に近接して枢
軸運動するとバンド６９８の１個以上のバンドが検出器
６９０，６９４に重なり、素子が相互に離れるよう枢軸
運動されると、バンドが検出器に重ならなくなる。検出
器６９０，６９４はバンド６９８の近接度合を検出し、
先の実施例で説明した如く、素子６８０．６８４の相対
的位置を示す信号を発生する。
度位置を測定する装置を示す。素子６８０．６８４は一
端部において接続され、枢軸点６８８の周わりで枢軸運
動する。直線状検出器６９０．６９４は各々延在してい
る素子６８０，６８４に取付けられ、可撓的で電気的又
は磁気的に励起されるバンド６９８がその２個の端部に
おいて素子６８０，６８４に取付けられるので、バンド
は内方に延在し、弓の形状にて検出器６９０，６９４の
一部分に重なる。素子６８０，６８４は共に近接して枢
軸運動するとバンド６９８の１個以上のバンドが検出器
６９０，６９４に重なり、素子が相互に離れるよう枢軸
運動されると、バンドが検出器に重ならなくなる。検出
器６９０，６９４はバンド６９８の近接度合を検出し、
先の実施例で説明した如く、素子６８０．６８４の相対
的位置を示す信号を発生する。
第２７図は上面に形成された検出器７０８を備えた基材
７０４を含む別の重み付は装置を示す。
７０４を含む別の重み付は装置を示す。
全体的に基材７０４と平行でその上方の位置を維持すべ
くプラットホーム７１２がばね７１６，７２０上に設置
してある。可撓性バンド７２４が一端部において基材７
０４の一端部に接続され、他端部においてプラットホー
ム７１２の一端部に接続される。物体７２８が重み付け
すべきプラットホーム７１２上に設置されると、プラッ
トホームは下方に移動されて基材７０４に近付き、こう
してバンド７２４を検出器７０８上方で変位させ、その
多くを被覆する。物体７２８の重量はバンド７２４が検
出器７０８を被覆する程度を決定し、これは物体の重量
を読出し装置７３２での読出しを提供する検出器により
検出される。
くプラットホーム７１２がばね７１６，７２０上に設置
してある。可撓性バンド７２４が一端部において基材７
０４の一端部に接続され、他端部においてプラットホー
ム７１２の一端部に接続される。物体７２８が重み付け
すべきプラットホーム７１２上に設置されると、プラッ
トホームは下方に移動されて基材７０４に近付き、こう
してバンド７２４を検出器７０８上方で変位させ、その
多くを被覆する。物体７２８の重量はバンド７２４が検
出器７０８を被覆する程度を決定し、これは物体の重量
を読出し装置７３２での読出しを提供する検出器により
検出される。
第２８図は上面に形成された検出器７５４を有する基材
７５０を含む加速針の側面図である。バンド７５８が先
に説明した如く基材７５０に取付けられ、自由端部にお
いて質量体７６２に取付けられる。逆に、この質量体は
基材７５０上に設置された堅固な支持部材７７０にばね
７６６により接続される。第２８図の装置が左側又は右
側へ加速されると、質量体７６２は各々加速の大きさ（
及びばね７６６の堅固性）に応じて左又は右へ移動され
、この運動は逆にバンド７５８をこの運動を検出する検
出器７５４上方で転動又は検出器７５４上方から非転動
状態にする。この様式にて、第２８図の装置の加速を測
定出来る。ばね７６６は加速が生じていない場合に質量
体７６２を静止位置に回復させる。
７５０を含む加速針の側面図である。バンド７５８が先
に説明した如く基材７５０に取付けられ、自由端部にお
いて質量体７６２に取付けられる。逆に、この質量体は
基材７５０上に設置された堅固な支持部材７７０にばね
７６６により接続される。第２８図の装置が左側又は右
側へ加速されると、質量体７６２は各々加速の大きさ（
及びばね７６６の堅固性）に応じて左又は右へ移動され
、この運動は逆にバンド７５８をこの運動を検出する検
出器７５４上方で転動又は検出器７５４上方から非転動
状態にする。この様式にて、第２８図の装置の加速を測
定出来る。ばね７６６は加速が生じていない場合に質量
体７６２を静止位置に回復させる。
最後に、第２９図は物体７８０の速度を測定する装置の
側面図を示す。物体７８０が成る速度にて左又は右へ移
動されると、物体の取付けであるバンド７８４が物体の
運動速度の半分の速度にて基材７８６上方で転動又はそ
の上方から非転動状態にされる。バンドは導電性材料製
であり、抵抗７８８及び電流計７９０を通じてＤＣ電流
源７９２に接続される。ＤＣ電流源７９２の外側は基材
７８６の上部に配設された導電性プレート７９４に接続
される。誘電層７９６が導電性プレート８９４に重なり
、バンド７８４の下側に位置付けられる。ＤＣ１ｉ流源
７９２はプレート７９４と誘電層７９６に重なるバンド
７８４の間にキャパシタンスを発生する。物体７８０が
成る速度にて第２９図において左から右へ移動されると
、バンド７８４は当該速度の半分の速度で誘電層７９６
を被覆するか又は非被覆状態にし、バンドとプレート７
９４の間のキャパシタンスの変化を生ぜしめる。
側面図を示す。物体７８０が成る速度にて左又は右へ移
動されると、物体の取付けであるバンド７８４が物体の
運動速度の半分の速度にて基材７８６上方で転動又はそ
の上方から非転動状態にされる。バンドは導電性材料製
であり、抵抗７８８及び電流計７９０を通じてＤＣ電流
源７９２に接続される。ＤＣ電流源７９２の外側は基材
７８６の上部に配設された導電性プレート７９４に接続
される。誘電層７９６が導電性プレート８９４に重なり
、バンド７８４の下側に位置付けられる。ＤＣ１ｉ流源
７９２はプレート７９４と誘電層７９６に重なるバンド
７８４の間にキャパシタンスを発生する。物体７８０が
成る速度にて第２９図において左から右へ移動されると
、バンド７８４は当該速度の半分の速度で誘電層７９６
を被覆するか又は非被覆状態にし、バンドとプレート７
９４の間のキャパシタンスの変化を生ぜしめる。
物体７８０の速度に比例するこの変化で電流が抵抗７８
８を通じて流れ、この電流が電流計７９０により検出さ
れ、物体７８０の速度の測定値が提供される。キャパシ
タンスの変化の結果として発生される電流を測定する他
の装置についても先に説明した如く提供可能であろう。
８を通じて流れ、この電流が電流計７９０により検出さ
れ、物体７８０の速度の測定値が提供される。キャパシ
タンスの変化の結果として発生される電流を測定する他
の装置についても先に説明した如く提供可能であろう。
第３０図及び第３１図は可撓性バンドの端部に取付けら
れた物体の位置運動を検出するため電気的抵抗変化を利
用する変位測定装置の斜視図を示す。第３０図において
、バンド８００が一端部に取付けられ、基材８０４を転
動し、基材８０４上方から非転動状態にする。バンドの
自由端部は運動の検出された（図示せざる）物体に取付
けられよう。基材８０４の上面には２個の抵抗性材料の
片体８０８．８１２が形成され、これらの抵抗片体は全
体的に基材上で長さ方向に隔置された関係を以って相互
に平行に延在している。抵抗片体８０８は電流源８１６
に接続され、抵抗片体８１２は電流計８２０に接続され
、従って電流源８１６に接続される。バンド８００はバ
ンドと接触していない抵抗片体８０８の該当部分を通じ
、抵抗片体８１２に対するバンドを通じ、次に電流計８
２０を通じて電流源に戻されて電流が流れるよう導電性
材料で作成してある。電流が貫流する抵抗性片体８０８
，８１２の長さは長ければ長い程電流の流れる抵抗が大
きいことから電流は低くなり、その逆もなり立つ。従っ
て、バンド８００が抵抗片体８０８から８１２上で転動
し又は抵抗片体８０８．８１２上方から非転動状態にさ
れると、流路内の抵抗が変化し、結果的に電流計８２０
に流れる電流の変動を生じ、この変動が測定されてバン
ド８００の自由端部の位置の測定をもたらす。
れた物体の位置運動を検出するため電気的抵抗変化を利
用する変位測定装置の斜視図を示す。第３０図において
、バンド８００が一端部に取付けられ、基材８０４を転
動し、基材８０４上方から非転動状態にする。バンドの
自由端部は運動の検出された（図示せざる）物体に取付
けられよう。基材８０４の上面には２個の抵抗性材料の
片体８０８．８１２が形成され、これらの抵抗片体は全
体的に基材上で長さ方向に隔置された関係を以って相互
に平行に延在している。抵抗片体８０８は電流源８１６
に接続され、抵抗片体８１２は電流計８２０に接続され
、従って電流源８１６に接続される。バンド８００はバ
ンドと接触していない抵抗片体８０８の該当部分を通じ
、抵抗片体８１２に対するバンドを通じ、次に電流計８
２０を通じて電流源に戻されて電流が流れるよう導電性
材料で作成してある。電流が貫流する抵抗性片体８０８
，８１２の長さは長ければ長い程電流の流れる抵抗が大
きいことから電流は低くなり、その逆もなり立つ。従っ
て、バンド８００が抵抗片体８０８から８１２上で転動
し又は抵抗片体８０８．８１２上方から非転動状態にさ
れると、流路内の抵抗が変化し、結果的に電流計８２０
に流れる電流の変動を生じ、この変動が測定されてバン
ド８００の自由端部の位置の測定をもたらす。
抵抗片体は例示的には基材８０４の上面に取付けられた
ポリマー片体（例えば、マイラー）上に配設されたニッ
ケル、クロムで作成可能であろう。
ポリマー片体（例えば、マイラー）上に配設されたニッ
ケル、クロムで作成可能であろう。
第３１図は又、電気的抵抗の変動を利用するバンド８３
０の自由端部の位置を測定する。この図においては、バ
ンド８３０は上面上の基材８３４に一端部が取付けられ
、当該上面は図示の如く相互に全体的に平行になるよう
配列された２個の導電性片体８３８，８４２ （例えば
、金属）が配設してある。導電性片体８３８は電流源８
４６に接続され、導電性片体８４２は電流計８５０を通
じて電流源の他方の側に接続される。バンド８３０は電
流を導電性片体８３８，８４２の間に導通させるが、所
定の抵抗率を呈する可撓的な抵抗性材料で作成してある
。第３１図の装置においては、電流源８４６から導電性
片体８３８を通じ２個の導電性片体と接触しているバン
ド８３０の該当部分を横切って導電性片体８４２にいた
り、次に電流計８５０を通じて電流源に戻る電流の流れ
が確立される。バンド８３０の自由端部が移動される占
、バンドは導電性片体８３８，８４２上で転動し、その
上方から非転動状態にされて２個の片体の間の電流の流
路の全体的抵抗を変え、この抵抗が変化すると、電流計
８５０を通る電流も変えられてバンド８３０の自由端部
の位置の測定値を提供する。抵抗性バンド８３０は例示
的には黒鉛が充填されたゴム等といった材料の薄いポリ
マー・シート上に配設されたニッケルークロムで作成出
来よう。
０の自由端部の位置を測定する。この図においては、バ
ンド８３０は上面上の基材８３４に一端部が取付けられ
、当該上面は図示の如く相互に全体的に平行になるよう
配列された２個の導電性片体８３８，８４２ （例えば
、金属）が配設してある。導電性片体８３８は電流源８
４６に接続され、導電性片体８４２は電流計８５０を通
じて電流源の他方の側に接続される。バンド８３０は電
流を導電性片体８３８，８４２の間に導通させるが、所
定の抵抗率を呈する可撓的な抵抗性材料で作成してある
。第３１図の装置においては、電流源８４６から導電性
片体８３８を通じ２個の導電性片体と接触しているバン
ド８３０の該当部分を横切って導電性片体８４２にいた
り、次に電流計８５０を通じて電流源に戻る電流の流れ
が確立される。バンド８３０の自由端部が移動される占
、バンドは導電性片体８３８，８４２上で転動し、その
上方から非転動状態にされて２個の片体の間の電流の流
路の全体的抵抗を変え、この抵抗が変化すると、電流計
８５０を通る電流も変えられてバンド８３０の自由端部
の位置の測定値を提供する。抵抗性バンド８３０は例示
的には黒鉛が充填されたゴム等といった材料の薄いポリ
マー・シート上に配設されたニッケルークロムで作成出
来よう。
先に説明した如く、第３０図及び第３１図の装置は両者
共電流の流路における電気的抵抗の変動を利用すること
により可撓性バンドに接続された物体の位置と変位の両
者を測定している。
共電流の流路における電気的抵抗の変動を利用すること
により可撓性バンドに接続された物体の位置と変位の両
者を測定している。
第３２図は２個の導電性バンドのループ８６４゜８６８
の間で延在する質量体又は片体８６０が架橋し、これら
のループに取付けられる成る形式の非バンド検出装置の
側面図を示す。バンドのループ８６４は基材８７４上に
配設された２個の導電性プレート８７２，８７６の間に
架橋するよう位置付けられる。プレート８７２．８７６
は各々電圧源８７８，８８０に接続される。電圧源８７
８゜８８０により個々のプレート８７２，８７６に供給
される電圧信号の大きさは基材８９０の上面上で直線状
隔置位置にて形成された検出器８８６゜８８８からの入
力を受取るサーボ論理回路８８４で制御される。検出器
８８６，８８８は先に述べた型式に出来よう。
の間で延在する質量体又は片体８６０が架橋し、これら
のループに取付けられる成る形式の非バンド検出装置の
側面図を示す。バンドのループ８６４は基材８７４上に
配設された２個の導電性プレート８７２，８７６の間に
架橋するよう位置付けられる。プレート８７２．８７６
は各々電圧源８７８，８８０に接続される。電圧源８７
８゜８８０により個々のプレート８７２，８７６に供給
される電圧信号の大きさは基材８９０の上面上で直線状
隔置位置にて形成された検出器８８６゜８８８からの入
力を受取るサーボ論理回路８８４で制御される。検出器
８８６，８８８は先に述べた型式に出来よう。
作動にあたり、片体８６０がそこに加えられる力により
、第３２図の装置の加速により例えば第３２図の左側又
は右側に移動されると、バンドのループ８６４，８６８
がその上に配設してある個々の基材上で転動され、バン
ドのループ８６８の運動はそれに応じてサーボ論理回路
８８４に信号を送る検出器８８６，８８８で検出される
。サーボ論理回路８８４は検出器からの信号に応答して
電圧源８７８，８８０に信号を送り、プレート８７２．
８７６の対応する一方のプレートに静電的引付けを生ぜ
しめ、導電性バンドのループ８６４を引寄せて静止位置
又は非作動位置へ向って元に転動させる。従って、片体
８６０が左側へ移動すればプレート８７６はバンドのル
ープ８６４をづ寄せ、それをプレート８７２，８７６の
間の中間の非作動位置へ転動して戻し、その逆になすよ
う励起されよう。前述の様式にて非作動加速（又は他の
力の）検出器が提供される。前述した配列は本発明の原
理の適用例の例示的なものに過ぎないことを理解すべき
である。多数の改変と代替的配列は本発明の技術思想と
範囲から逸脱せずに当技術の熟知者により案出可能であ
り、前掲の特許請求の範囲にこうした改変と配列を対象
とする意図がある。
、第３２図の装置の加速により例えば第３２図の左側又
は右側に移動されると、バンドのループ８６４，８６８
がその上に配設してある個々の基材上で転動され、バン
ドのループ８６８の運動はそれに応じてサーボ論理回路
８８４に信号を送る検出器８８６，８８８で検出される
。サーボ論理回路８８４は検出器からの信号に応答して
電圧源８７８，８８０に信号を送り、プレート８７２．
８７６の対応する一方のプレートに静電的引付けを生ぜ
しめ、導電性バンドのループ８６４を引寄せて静止位置
又は非作動位置へ向って元に転動させる。従って、片体
８６０が左側へ移動すればプレート８７６はバンドのル
ープ８６４をづ寄せ、それをプレート８７２，８７６の
間の中間の非作動位置へ転動して戻し、その逆になすよ
う励起されよう。前述の様式にて非作動加速（又は他の
力の）検出器が提供される。前述した配列は本発明の原
理の適用例の例示的なものに過ぎないことを理解すべき
である。多数の改変と代替的配列は本発明の技術思想と
範囲から逸脱せずに当技術の熟知者により案出可能であ
り、前掲の特許請求の範囲にこうした改変と配列を対象
とする意図がある。
第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図は各々本発明の諸原理
に従って電界効果トランジスターを利用している変位測
定装置の各々斜視図、側面図及び分解斜視端面図。 第２図は本発明による容量性カップリングを利用してい
る変位測定装置の分解斜視端面図。 第３図は本発明によるスプリット・ドレン磁界効果トラ
ンジスターを利用している変位測定装置の斜視図。 第４図は本発明によるエレクトレット・シートと電界効
果トランジスターを利用している変位測定装置の斜視図
。 第５図は本発明によるホール効果を利用している変位測
定装置の斜視図。 第６図は本発明による物体の運動を検出するためキャパ
シタンス変動を利用する変位測定装置の側面図、 第７図は本発明による物体の運動の自由度２度を測定す
る連続バンドを利用している変位測定装置の側面図、 第８図は本発明によるジョイスティックの運動を測定す
る２個の連続バンドを利用している変位測定装置の斜視
図、 第９Ａ図及び第９Ｂ図は各々本発明に従って作成された
回転変位測定装置の等角図と側面図、第１０Ａ図及び第
１０Ｂ図は各々本発明に従って作成された連続回転変位
測定装置の別の実施態様の斜視図と側面図、 第１１図は本発明によるシリンダーの回転変位を１ｌＦ
Ｉ定する装置の側面図、 第１２図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定す
る装置の他の実施態様の側面図、第１３図は本発明に従
って物体の直線運動の自由度２度を測定し且つ物体の回
転運動の他の自由度を測定する変位測定装置の側面図、 第１４図は本発明に従って物体の位置と運動を表わすデ
ィジタル出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第１５図は本発明に従って物体の運動に応答し別々の出
力増分を発生する変位装置の斜視図、第１６図は本発明
に従って物体の運動に応答する非直線状出力を発生する
変位測定装置の斜視図、第１７図は直線的に移動自在の
くさび形素子を利用する変位測定装置の斜視図、 第１８図は本発明により作成された他の回転変位測定装
置の斜視図、 第１９図は本発明により作成された更に他の回転変位測
定装置の斜視図、 第２０図は本発明による光学的検出を利用している変位
測定装置の斜視図、 第２１図は光学的検出を利用している変位測定装置の他
の実施態様の斜視図、 第２２図は光学的検出を利用する更に他の変位測定装置
の側面図、 第２３図は音響検出を利用する変位測定装置の側面図、 第２４図は重み付けのため利用される本発明の変位測定
装置のグラフ的図、 第２５図は温度測定のため利用される本発明の変位測定
装置の側面図、 第２６図は端部において共に枢軸的に結合された２個の
素子の間の角度を測定する目的に使用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２７図はこれも重み付けのため利用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２８図は加速を測定する目的に利用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２９図は速度測定のため利用される本発明の変位測定
装置の側面図、 第３０図は本発明による物体の運動を検出するよう電気
的抵抗変化を利用する変位測定装置の斜親図、 第３１図は物体の運動を検出するよう電気的抵抗変化を
利用する変位測定装置の他の実施態様の斜視図、 第３２図はとりわけ加速と他の力発生現象を測定する目
的に利用される本発明の変位測定装置の側面図である。 〔符号の説明〕 ４．１８０，３７４，３９４，５８２，５９４゜６１．
６ ７２８＋物体 １３２，１４８＋検出器１８８．１
９２，２１２，２１６，２２０，２２４、．２５８，３
００，３３０．３Ｂ２：ＦＥＴ検出器 ３５６，３５８
，３６０，３６２，３８２゜３８２ｂ ：検出器 ４７
６ ： ＦＥＴ検出器 ５３６．５６０：検出器 ５９
８：音響検出器 ６５４．６９０，６９４，７０８，７
５４，８８６゜８８８＝検出器 ８，６０，９２，１０
８，１３６．１６０，１６４，２００，２３２．２３６
２７０．２８０，３１６，３１８，３２６，３６４．３
７０，３９０，４２０，５５２，５７８゜５９０、 ６
３２． ６５８． ６６２． ６９８． ７２４．７５
８，７８４，８００，８３０：バンド１２．４０． ６
８． １０４． １２０． １８４． ２０８、 ２５
４． ２８８． ３２８． ３５４． ３７８゜３９８
．４２４，４３４，４６４，４８４． ５２４、 ５４
０． ５５４． ５７０． ５９２． ６２４゜６５０
、 ７０４． ７５０． ７８６． ８０４． ８３４
．８７４，８９０：基材 ５９８：音響検出器８８４、
サーボ論理回路
に従って電界効果トランジスターを利用している変位測
定装置の各々斜視図、側面図及び分解斜視端面図。 第２図は本発明による容量性カップリングを利用してい
る変位測定装置の分解斜視端面図。 第３図は本発明によるスプリット・ドレン磁界効果トラ
ンジスターを利用している変位測定装置の斜視図。 第４図は本発明によるエレクトレット・シートと電界効
果トランジスターを利用している変位測定装置の斜視図
。 第５図は本発明によるホール効果を利用している変位測
定装置の斜視図。 第６図は本発明による物体の運動を検出するためキャパ
シタンス変動を利用する変位測定装置の側面図、 第７図は本発明による物体の運動の自由度２度を測定す
る連続バンドを利用している変位測定装置の側面図、 第８図は本発明によるジョイスティックの運動を測定す
る２個の連続バンドを利用している変位測定装置の斜視
図、 第９Ａ図及び第９Ｂ図は各々本発明に従って作成された
回転変位測定装置の等角図と側面図、第１０Ａ図及び第
１０Ｂ図は各々本発明に従って作成された連続回転変位
測定装置の別の実施態様の斜視図と側面図、 第１１図は本発明によるシリンダーの回転変位を１ｌＦ
Ｉ定する装置の側面図、 第１２図は本発明によるシリンダーの回転変位を測定す
る装置の他の実施態様の側面図、第１３図は本発明に従
って物体の直線運動の自由度２度を測定し且つ物体の回
転運動の他の自由度を測定する変位測定装置の側面図、 第１４図は本発明に従って物体の位置と運動を表わすデ
ィジタル出力を発生する変位測定装置の斜視図、 第１５図は本発明に従って物体の運動に応答し別々の出
力増分を発生する変位装置の斜視図、第１６図は本発明
に従って物体の運動に応答する非直線状出力を発生する
変位測定装置の斜視図、第１７図は直線的に移動自在の
くさび形素子を利用する変位測定装置の斜視図、 第１８図は本発明により作成された他の回転変位測定装
置の斜視図、 第１９図は本発明により作成された更に他の回転変位測
定装置の斜視図、 第２０図は本発明による光学的検出を利用している変位
測定装置の斜視図、 第２１図は光学的検出を利用している変位測定装置の他
の実施態様の斜視図、 第２２図は光学的検出を利用する更に他の変位測定装置
の側面図、 第２３図は音響検出を利用する変位測定装置の側面図、 第２４図は重み付けのため利用される本発明の変位測定
装置のグラフ的図、 第２５図は温度測定のため利用される本発明の変位測定
装置の側面図、 第２６図は端部において共に枢軸的に結合された２個の
素子の間の角度を測定する目的に使用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２７図はこれも重み付けのため利用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２８図は加速を測定する目的に利用される本発明の変
位測定装置の側面図、 第２９図は速度測定のため利用される本発明の変位測定
装置の側面図、 第３０図は本発明による物体の運動を検出するよう電気
的抵抗変化を利用する変位測定装置の斜親図、 第３１図は物体の運動を検出するよう電気的抵抗変化を
利用する変位測定装置の他の実施態様の斜視図、 第３２図はとりわけ加速と他の力発生現象を測定する目
的に利用される本発明の変位測定装置の側面図である。 〔符号の説明〕 ４．１８０，３７４，３９４，５８２，５９４゜６１．
６ ７２８＋物体 １３２，１４８＋検出器１８８．１
９２，２１２，２１６，２２０，２２４、．２５８，３
００，３３０．３Ｂ２：ＦＥＴ検出器 ３５６，３５８
，３６０，３６２，３８２゜３８２ｂ ：検出器 ４７
６ ： ＦＥＴ検出器 ５３６．５６０：検出器 ５９
８：音響検出器 ６５４．６９０，６９４，７０８，７
５４，８８６゜８８８＝検出器 ８，６０，９２，１０
８，１３６．１６０，１６４，２００，２３２．２３６
２７０．２８０，３１６，３１８，３２６，３６４．３
７０，３９０，４２０，５５２，５７８゜５９０、 ６
３２． ６５８． ６６２． ６９８． ７２４．７５
８，７８４，８００，８３０：バンド１２．４０． ６
８． １０４． １２０． １８４． ２０８、 ２５
４． ２８８． ３２８． ３５４． ３７８゜３９８
．４２４，４３４，４６４，４８４． ５２４、 ５４
０． ５５４． ５７０． ５９２． ６２４゜６５０
、 ７０４． ７５０． ７８６． ８０４． ８３４
．８７４，８９０：基材 ５９８：音響検出器８８４、
サーボ論理回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、変位測定装置であって、 変位を測定すべき素子と； 少なくとも１つの表面領域が形成され、前記表面領域に
対する導電性部材の接近の変動に応じて値が変化する電
気的出力信号を発生するよう適合した検出装置と、 当該素子が移動して前記検出装置の出力信号の値を変え
る際バンドの少なくとも一部分が前記表面領域に対し相
対的に非摺動的に移動されるよう前記表面領域に近接し
て配設された延在する可撓性のある導電性バンドから成
る変位測定装置。 ２、前記バンドの一端部が前記検出装置に対して相対的
に固定され、前記素子が移動されてバンドで前記表面領
域の少なくとも一部分を選択的に被覆、非被覆にするよ
うな際前記バンドの他端部が前記素子に接続されて移動
する請求項１記載の変位測定装置。 ３、前記検出装置が、 第１表面領域を有する基材、バンドの少なくとも一部分
が第１表面領域に重なるよう第１表面領域にバンドの前
記一端部が結合されること、当該部分の量が前記バンド
の他端部の移動に伴なって変化すること、及び 第１表面領域に重なるバンドの部分と前記素子の変位を
検出するよう少なくとも一部分が第１表面に配設してあ
る検知装置を含む請求項２記載の変位測定装置。 ４、前記検出装置が更にバンドから出る電界を発生する
よう前記バンドに電圧を供給する装置を含み、前記検出
装置がソース領域、ドレン領域、ソース領域とドレン領
域の間に位置付けられバンド下側の第１表面上で全体的
に平行に延在しているチャンネル領域を有する電界効果
トランジスター及びソース領域、ドレン領域及びチャン
ネル領域に重なる絶縁層を含み、前記電界効果トランジ
スターがかくしてバンドから出る電界及びバンドで直接
被覆されるチャンネル領域の面積に比例する値を備えた
出力信号を発生する請求項３記載の変位測定装置。 ５、前記基材がケイ素で構成され、前記絶縁層が窒化ケ
イ素と二酸化ケイ素から成るグループより選択された材
料で構成され、前記バンドがベリリウム、銅、クロム、
タングステン、金属化ポリマー、金属化水晶、金属化ケ
イ素及びチタンから成るグループより選択された材料で
構成される請求項４記載の変位測定装置。 ６、前記検出装置が更にバンドから出る電界を発生する
よう前記バンドに電圧を供給する装置を含み、前記検出
装置が、 ソース領域、ドレン領域、ソース領域とチャンネル領域
に隣接するゲート領域の間に位置付けられたチャンネル
領域を有する電界効果トランジスターと、 バンドの下側で第１表面上に配設され電気的にゲート領
域に接続される導電性プレートと、導電性層に重なる絶
縁層とを含み、 前記電界効果トランジスターがバンドから出る電界に比
例しバンドで直接被覆される導電性プレートの面積に比
例する出力信号を発生することから成る請求項３記載の
変位測定装置。 ７、前記バンドが磁化され、前記検知装置が更に基材の
一端部附近のソース領域、基材の反対側端部附近の２個
のドレン領域及びバンド下側の第１表面におけるソース
領域と２個のドレン領域の間に位置付けられたチャンネ
ル領域を有するスプリット・ドレン磁界効果トランジス
ターを含み、前記スプリット・ドレン磁界効果トランジ
スターがかくしてバンドから出る磁界及びバンドで直接
被覆されるチャンネル領域の面積に比例する値の出力信
号を発生する請求項３記載の変位測定装置。 ８、前記基材がケイ素で構成され、前記バンドが磁化材
料の薄膜で被覆された可撓性材料で構成される請求項７
記載の変位測定装置。 ９、前記検出装置が更に第１表面上に配設されバンド下
側に延在する材料の導電性片体と、電圧を前記導電性片
体に供給する装置を含み、前記検知装置がソース領域、
ドレン領域、ソース領域とドレン領域の間に位置付けら
れバンド下側にあって全体的にソース領域とドレン領域
並びに導電性片体と平行に延在するチャンネル領域を有
する電界効果トランジスター及びソース領域、ドレン領
域、チャンネル領域及び導電性片体の上に重なる誘電層
を含み、前記電界効果トランジスターがかくしてチャン
ネル領域の一部分にあたり前記片体と前記バンドの間に
発生されるキャパシタンスに比例する電界に比例する値
の出力信号を発生し、当該キャパシタンスが導電性片体
に重なる前記バンドの部分に比例する請求項３記載の変
位測定装置。 １０、前記検出装置が更に第１表面上に配設されバンド
下側に延在する材料製の導電性片体、導電性片体に重な
る誘電層、電圧を前記バンドに供給する装置を含み、前
記検知装置がバンドで発生される電界に比例する大きさ
の且つ導電性片体に当たり、従ってバンドと導電性片体
の間に発生されるキャパシタンスに比例する出力信号を
発生するよう前記導電性片体に接続されたゲート領域を
有する電界効果トランジスターを含み、当該キャパシタ
ンスが片体に重なるバンドの部分に比例する請求項３記
載の変位測定装置。 １１、前記基材が導電性材料で構成され、前記バンドが
磁化され、前記検出器が一端部から他端部に流れる電流
を基材に供給する装置を含み、前記検知装置がバンド下
側の基材に沿った各種位置において前記基材の一方の側
から他方の側への電圧降下を検出する装置を含み、前記
電圧降下が基材に重なるバンドの部分に応じて基材に沿
って変化する請求項３記載の変位測定装置。 １２、前記検出装置が更に電界を発生し第１表面上に配
設されバンド下側に延在するエレクトレット装置を含み
、前記バンドがアース接続され、前記検知装置がソース
領域、ドレン領域、ソース領域とエレクトレット装置の
下側のドレン領域の間に位置付けられたチャンネル領域
を含み、前記電界効果トランジスターがかくして逆にバ
ンドにより重ならないエレクトレット装置の面積に比例
するエレクトレット装置からのチャンネル領域に当たる
電界に比例する値の出力信号を発生する請求項３記載の
変位測定装置。 １３、前記エレクトレット装置が電子を含有し、少なく
とも電界効果トランジスターのチャンネル領域上方で且
つバンド下側に配設されたポリテトラフルオロエチレン
の片体を含む請求項１２記載の変位測定装置。 １４、前記検出装置が間にキャパシタンスを発生するよ
う２つの面する全体的に平行な導電性表面領域を定める
装置、各々個々の表面領域上に配設される２個の誘電性
層、前記キャパシタンスを示す出力信号を発生する装置
を含み、前記変位測定装置が更に層に部分的に重なるよ
う誘電層の一方の層の片側に対し一端部において結合さ
れた第２の長い可撓性で電気的に導電性のバンドを含み
、前記最初に述べたバンドが他方の層に部分的に重なる
よう前記一方の誘電層の片側に隣接する他方の誘電層の
一方の側に一端部において接続され、前記バンドが各々
個々の片側から前方へ個々の層の反対側に向って延在し
、次に、個々の層から外方へ且つ後方へ曲って結合し他
方のバンドに沿って延在すること、バンドの前記他方の
端部が素子の移動時に誘電層の間で接離自在に移動され
、かくしてバンドを誘電層の対応する部分を個々に被覆
し且つ非被覆させ、こうして表面領域の間のキャパシタ
ンスを変化させることから成る請求項１記載の変位測定
装置。 １５、前記検出装置が、 前記一方の表面領域と対面する関係にて配列された非導
電性表面領域を定める装置、前記バンドが非導電性表面
領域の一部分上方で前方に延在し次にそこから外方に且
つ後方へ曲がり、素子の移動時にバンドの他端一部が非
導電性表面領域と前記一方の表面領域の間で接離自在に
移動されるようにしたこと、 前記一方の表面領域と後方に延在するよう曲げてあるバ
ンドの該当部分の間にキャパシタンスを発生する装置、
前記キャパシタンスがバンドの後方に延在する部分の面
積の変化に伴ない且つバンドの他端部が非導電性表面領
域と前記一方の表面領域の間で接離自在に移動される際
変化すること、 バンドと前記一方の表面領域の間に発生したキャパシタ
ンスを測定する装置から成る請求項１記載の変位測定装
置。 １６、前記検出装置が、上部表面領域を有する基材、前
記バンドで被覆される第１及び第２装置の部分を表わす
各々第１出力信号と第２出力信号を発生するよう上部表
面に配設された直線方向に隔置された第１及び第２装置
を含み、前記バンドがループ状に形成され、当該ループ
の下方部分が第１装置と第２装置の間で基材に取付けら
れ、バンドを選択的に可撓的にして前記第１及び第２装
置の少なくとも該当部分を被覆し且つ非被覆可能とし、
前記素子がループの上方部分と接触して配設され基材に
向って移動自在でバンドで第１及び第２の１個以上の装
置を被覆し、基材から離してバンドを第１及び第２装置
の１個以上の装置を非被覆状態にし、第１方向で側方へ
移動し、バンドで第２装置の１個以上の装置を被覆し、
第２装置の１個以上の装置を被覆せず、第２反対方向に
側方へ移動してバンドで第２装置の１個以上の装置を被
覆し第１装置の１個以上の装置を被覆しないようにした
請求項１記載の変位測定装置。 １７、前記検出装置が更に、バンドから出る電界を発生
する電圧をバンドに供給する装置を含み、前記第１装置
及び第２装置がトランジスターに当たる電界の大きさを
検出する電界効果トランジスターを含む請求項１６記載
の変位測定装置。 １８、前記バンドが磁化され、前記第１及び第２装置が
トランジスターに当たる磁界の大きさを検出するスプリ
ット・ドレン磁界効果トランジスターを含む請求項１６
記載の変位測定装置。 １９、前記検出装置が更に基材の上面と第１及び第２装
置に重なるバンドの該当部分の間にキャパシタンスを発
生する装置を含み、前記第１及び第２装置が電界効果ト
ランジスターを含み、各トランジスターが前記各電界効
果トランジスターに重なるバンドの上面と該当部分の間
のキャパシタンスの大きさを検出する請求項１６記載の
変位測定装置。 ２０、前記検出装置が更に一端部から他端部に向って流
れる電流を前記基材に供給する装置を含み前記バンドが
磁化され、前記第１装置と第２装置がバンドで被覆され
る基材の該当領域に沿って電流の側方偏寄を検出する装
置を含む請求項１６記載の変位測定装置。 ２１、前記検出装置が更に電界を発生する且つバンドと
第１及び第２装置の間に配設されたエレクトレット片体
装置を含み、前記バンドがアースに接続され、前記第１
装置及び第２装置がトランジスターに当たる電界の大き
さを検出する電界効果トランジスターを含む請求項１４
記載の変位測定装置。 ２２、更に、最初に述べたバンドの横方向に配設された
ループに形成される第２の延在する可撓的で電気的導電
性のバンドを含み、第２バンドの下方部分が第２バンド
を選択的に最初に述べたバンドの横方向にたわませるこ
とが出来るよう最初に述べたバンドの下方部分に取付け
られ、前記検出装置が更に第３装置及び第４装置の部分
を被覆するようたわんだ際第２バンドで被覆される第３
装置と第４装置の該当部分を各々表わす第３出力信号と
第４出力信号を発生するよう最初に述べたバンドの各側
の上面内で第２バンドと整列して配設された直線方向に
隔置された第３装置及び第４装置を含み、前記素子がそ
の移動時に第２バンドを移動させるよう第２バンドの上
方部分と接触して配設される請求項１６記載の変位測定
装置。 ２３、バンドの上方部分に延在する開口部が形成され、
各開口部がその形成される個々のバンドの横方向に延在
し、前記開口部が一方が他方の上に位置付けられ、前記
素子がジョイスティックを含み、当該ジョイスティック
の下端部がバンドの下方部分にて枢軸的に取付けられ、
その上端部が前記開口部を通って延在しジョイスティッ
クの上端部が移動される際バンドと接触してバンドを移
動させるようにした請求項２２記載の変位測定装置。 ２４、前記検知装置が全体的に基材上に部分円にて形成
され、前記素子が基材上方で回転するよう配設され、素
子が一方向に回転される際バンドが交互に移動して除々
に検知装置を被覆し、素子が反対方向に回転される際移
動して除々に検知装置を非被覆状態にする請求項３、４
、７、９、１０又は１２記載の変位測定装置。 ２５、ループの半分が他方のバンド上に位置付けられる
よう前記バンドが折りたたまれる連続する環状ループに
形成され、前記検出装置が上にバンドが配設される第１
表面領域を有する基材、検知装置に重なるバンドの部分
を検出するよう部分円にて第１表面領域上に配設された
装置を含み、バンドの前記半分が前記素子に固定され、
前記素子が基材上方で回転してバンドの前記半分を移動
させ、かくしてバンドの他の半分を移動させ、検知装置
の一部分を被覆し他の部分を被覆しないようにした請求
項１記載の変位測定装置。 ２６、前記検出装置が更にバンドから出る電界若しくは
磁界をバンドで発生させる装置を含み、前記検知装置が
半導体装置上に当たる電界若しくは磁界の大きさを検出
する半導体装置を含む請求項２５記載の変位測定装置。 ２７、前記素子がシリンダーを含み、前記バンドがルー
プ状に形成され、当該ループの外側面がシリンダーと接
触して配設され、前記検出装置が、シリンダーの回転時
にバンドが第１表面領 域上を転動するようバンドの対向する外側表面領域と接
触して配設された第１表面領域を有する基材と、 第１表面領域上のバンドの位置を検出し、 かくしてシリンダーの回転度合を検出するよう第１表面
領域に配設された装置を含む請求項１記載の変位測定装
置。 ２８、前記検知装置が各々バンドで被覆される第１装置
と第２装置の部分を表わす第１出力信号と第２出力信号
を発生するようバンドの転動方向に沿って第１表面領域
上で直線方向に隔置された第１装置と第２装置を含む請
求項２７記載の変位測定装置。 ２９、前記第１表面領域がシリンダーを包囲する形式に
された請求項２７記載の変位測定装置。 ３０、前記第１表面領域が全体的に中空シリンダーの形
状にされた請求項２９記載の変位測定装置。 ３１、前記第１表面領域が全体的に平面状である請求項
２７記載の変位測定装置。 ３２、前記検知装置が、 間にキャパシタンスを発生すべく一方が基材の第１表面
領域上に位置付けられ他方が前記シリンダーの表面上に
位置付けられた２個の対面する導電性表面領域を定める
装置、 バンドが全体的に間に配設された状態で各々個々の導電
性表面領域上に配設された２個の誘電層、及び ２個の導電性表面領域の間に配設されたバンドの部分と
相互に対向して配設された前記表面領域の面積の大きさ
に応じて変化する前記キャパシタンスを示す出力信号を
発生する装置を含む請求項２７記載の変位測定装置。 ３３、前記検出装置が更にバンドから出る電界若しくは
磁界をバンドで発生させる装置を含み、前記検知装置が
半導体装置に当たる電界若しくは磁界の大きさを検出す
る半導体装置を含む請求項２７記載の変位測定装置。 ３４、前記検出装置が第１及び第２の対面する基材を含
み、各基材が他方の基材の表面領域に面する全体的に平
面状の表面を有し、前記第１基材が前記バンドで被覆さ
れた第１装置と第２装置の該当部分を表わす各第１出力
信号と第２出力信号を発生するよう第１基材の表面領域
上に配設された直線状に隔置された第１装置と第２装置
を含み、前記第２基材が前記素子に接続され、前記バン
ドで被覆された第３装置と第４装置の該当部分を表わす
各第３信号と第４信号を発生するよう第２基材の表面領
域上に配設された直線方向に隔置された第３装置と第４
装置を含み、前記バンドがループ状に形成され、当該ル
ープの下方部分が第１装置と第２装置の間で第１基材の
表面領域に取付けられ、第２基材の表面領域と接触して
、素子、従って第２基材が第１、第２、第３及び第４装
置で定められた面内で第１基材に対して相対的に移動さ
れる際バンドを選択的に前記第１及び第２装置と前記第
３及び第４装置の少なくとも該当部分を被覆し且つ非被
覆状態にするよう選択的にたわまし得る請求項１記載の
変位測定装置。 ３５、前記検知装置がバンドの運動方向にて第１面上の
直線に全体的に配設された複数個の検出素子を含み、前
記各検出素子が前記各検出素子に対するバンドの近接度
合を示す信号を発生する装置を含む請求項３記載の変位
測定装置。 ３６、前記検知装置が更に検出素子に対するバンドの近
接度合を示すディジタル値を表わす信号を発生するよう
想像グリッドの選択された交差部にて前記複数個の検出
素子と共に第１表面上に配設された付加的検出素子を含
む請求項２５記載の変位測定装置。 ３７、前記検出装置が、 バンドの少なくとも一部分を接触させる第１表面領域を
有する基材、及び 前記素子の運動と併せて非直線状に変化する値の出力信
号を発生するよう第１表面領域上に配設され非直線状軌
跡に設定される延在した検知装置を含む請求項１記載の
変位測定装置。 ３８、前記検出装置が更にバンドから出る電界若しくは
磁界をバンドに発生させる装置を含み、前記検知装置が
半導体装置の長手方向にて横方向寸法の変化する半導体
装置を含み、半導体装置で発生される出力信号の大きさ
がバンドで被覆される半導体装置の面積に比例する請求
項３７記載の変位測定装置。 ３９、前記検出装置が全体的にバンドの運動方向におけ
る軌跡に沿って表面領域上に配設された複数個の個々の
検出素子を含み、前記各検出素子が前記各検出素子に関
するバンドの近接度合を示す信号を発生する装置を含む
請求項１記載の変位測定装置。 ４０、前記検出素子が電界効果トランジスターを含み、
各トランジスターがソース領域とバンドの運動方向にお
ける側置関係的に位置付けられたドレン領域、当該両領
域の間に位置付けられたチャンネル領域を有し、トラン
ジスターの各ソース領域が隣接するトランジスターのド
レン領域に隣接し、前記検出装置が更に各ソース領域に
接続された第１導電体、各ドレン領域に接続された第２
導電体及び電流を前記両導電体の一方の導電体に供給し
、他方の導電体内に発生された電流を検出する装置を含
む請求項３９記載の変位測定装置。 ４１、更に、 重み付けする対象物を上に設置出来るプラットホーム、
対象物がプラットホーム上に設置される際素子を静止位
置から検出装置に対し相対的に移動させるよう素子に前
記プラットホームが取付けられること、 対象物がプラットホームから除去された際プラットホー
ムを静止位置に戻すようプラットホームに取付けられた
弾性装置、及び 検出装置の出力信号の値を示す表示を発生するよう検出
装置に接続された表示装置を含む、対象物の重み付けを
する請求項１記載の変位測定装置。 ４２、前記バンドの一端部が前記一方の表面領域に重な
るよう検出装置に対して相対的に固定され前記バンドが
第１熱膨張係数を有する材料で構成され、前記変位測定
装置が更に、最初に述べたバンドに重なり最初に述べた
バンドに接続される第２バンドを含み且つ２個のバンド
の温度が一方向に変化する際一方のバンドが他方のバン
ド以上に長さを変えて第１バンドの他端部を表面領域か
らカールして離れ、寸法が温度変化に比例している領域
の一部分を非被覆状態にし、２個のバンドの温度が他方
向で変化する際第１バンドの前記他方の端部が第１表面
領域に向ってカールしない状態にされるよう第１熱膨張
係数とは異なる第２熱膨張係数を有する材料で構成され
ている温度を測定する請求項１記載の変位測定装置。 ４３、前記最初に述べた素子と一端部において第１素子
の一端部に枢軸的に接続された第２素子の間の角度を測
定する請求項１記載の変位測定装置であって、前記検出
装置が第１素子上に配設され前記変位測定装置が更に、
表面領域が形成され且つ第２検出装置の表面領域に対す
るバンドの近接度の変化に応じて変化する値の電気的出
力信号を発生するよう適合した第２検出装置を含み、前
記第２検出装置が第２素子上に配設され、バンドが第１
検出装置と第２検出装置の表面領域の少なくとも一部分
に重なり、第１素子と第２素子の枢軸接続部に向って内
方に曲がるよう一端部にて最初に述べた検出装置及び他
端部にて第２検出装置に前記バンドが固定され、第１素
子と第２素子が各々相互に対し接離自在に枢着される際
第１検出装置と第２検出装置の表面領域の該当部分が被
覆されず且つ被覆されるようにした変位測定装置。 ４４、加速を測定する請求項１記載の変位測定装置であ
って、前記素子が材料の所定質量を含み、前記バンドの
一端部が前記検出装置に対し相対的に固定され、材料の
質量体が移動される際バンドが前記表面領域の少なくと
も一部分を選択的に被覆し且つ非被覆状態にされるよう
材料の質量体に接続され、前記変位測定装置が更に、加
速されていない状態にある際材料の質量体を静止位置に
強制し、変位測定装置が加速される際材料質量体の運動
、従ってバンドの運動を加速度合に比例して可能にする
材料質量体と検出装置の間に接続された偏寄装置を含む
請求項１記載の変位測定装置。 ４５、素子の速度を測定する請求項１記載の変位測定装
置であって、前記バンドの一端部が前記検出装置に対し
て相対的に固定され他端部が素子の移動時にバンドが前
記表面領域の少なくとも一部分を選択的に被覆し且つ非
被覆状態にするよう素子に接続され、前記検出装置がバ
ンド下側の前記第１表面領域に位置付けられた導電性プ
レート、前記導電性プレートに重なる材料の誘電層及び
バンドで被覆されたプレートの該当部分に比例する値の
キャパシタンスをプレートとバンドの間に発生すべくバ
ンドと導電性プレートの間に直列に接続された電流源、
電流測定装置及び抵抗を含み、前記値がバンドによる導
電性プレートの被覆又は非被覆の速度に比例し、従って
素子の速度に比例して変化し、キャパシタンスの前記変
動が電流をキャパシタンスの変動に比例した値にて流し
、かくして素子の速度の測定を提供するようにした変位
測定装置。 ４６、位置を決定すべき物品、 力の場を発生する可撓性バンド、前記バンドが物品の移
動時に点の表面軌跡上で選択的に転動し且つ表面軌跡か
ら非転動するよう配設され、前記表面領域に当たり物品
の位置を示すバンドで発生された力の場の面積に比例す
る値の信号を発生するよう点の前記軌跡と一致する表面
領域を定める検出装置から成る位置決定装置。 ４７、物体の位置を電気的信号表示に変換する変位変換
器であって、 或る電気的／磁気的特性を有する材料のバンドで被覆さ
れる表面領域の該当部分に依存する値の電気的信号を発
生するよう定められた表面領域を有する検出器及び 前記或る電気的／磁気的特性を有し物体が移動される際
前記表面領域の少なくとも該当部分上を転動し、その上
方から被覆又は非転動し且つ非被覆状態にするよう前記
表面領域と接触して配設された材料の延在する可撓性バ
ンドから成る変位変換器。 ４８、変位測定装置であって、 自己の変位を測定すべき素子と、 作動面を有し力の場発生部材で被覆される作動面の面積
に値が依存する電気的出力信号を発生するよう適合した
検出装置と、 所定のペリメーターを有し前記素子の移動時に前記作動
面の少なくとも一部分を選択的に被覆し且つ非被覆状態
にし、かくして出力信号の値を変え、かくして素子の位
置を示すよう移動自在である装置を含む変位測定装置。 ４９、力の場発生装置が移動して増加的に作動面を被覆
する際出力信号の値が連続的様式にて変化するよう前記
力の場発生装置の領域のペリメーターが全体的にくさび
を定める請求項４８記載の装置。 ５０、回転変位測定装置であって、 自己の回転変位を測定すべき、自己の長手方向軸線の周
わりに回転するよう設置された軸と、軸から横方向に延
在し軸の回転に伴ない回転し、軸から下方に出る力の場
を発生するよう軸上に設置された装置、及び 検出器に対する力の場の近接度における変化に応じて値
の変化する信号を発生するよう力の場発生装置の運動路
の下側で全体的に円形に配列された複数個の検出器から
成る回転変位測定装置。 ５１、前記力の場発生装置が、軸から横方向に延在し、
これも下方に向けられた力の場を発生すべく下方に向け
られた延在する縁部が形成された延在するアームを含み
、前記検出器が全体的に前記円内で直列に配設してある
請求項５０記載の装置。 ５２、前記力の場発生装置が、全体的に直線状の側部と
半円形側部を有し全体的に軸の回転時にプレートの半円
形側が軸線の周わりで円形に移動するよう軸線に対しそ
の直線状側部の中心に設置された半円形プレートを含み
、前記検出器が部分円に延在するよう配列され、一部の
検出器が他方の検出器の少なくとも一部分と同心的に配
列してある請求項５０記載の装置。 ５３、物体の変位を測定する装置であって、基材の片側
面にて軌跡点に沿って延在する よう形成された光検出装置を有する基材、前記光検出装
置が光検出装置に当たる光の量に依存する値の信号を発
生し、 軌跡点上方を選択的に転動し軌跡点上方から非転動し、
かくして物体移動時に光検出装置の少なくとも一部分を
選択的に被覆し且つ非被覆するよう一端部にてその一端
部における基材の片側面に取付けられた延在する可撓的
な不透明バンドと 光を基材の前記片側面に向けるよう基材上方に配設され
た光発生装置、光の量が光検出装置に到達し、かくして
バンドが光検出装置を被覆する度合に依存していること
から成る物体の変位測定装置。 ５４、物体の変位測定装置であって、 光を表面から上方に向けるよう基材の片側面上の軌跡点
に沿って配列された発光装置を有する基材、 選択的に軌跡点上方を転動し軌跡点上方から非転動し、
かくして物体移動時に発光装置の少なくとも一部分を被
覆し且つ非被覆するよう一端部にてその一端部の基材の
片側面に取付けられた延在する可撓的な不透明バンド、
及び バンドが選択的に発光装置を被覆し且つ非被覆状態にす
る際バンドでブロックされない発光装置から出される光
を遮断し、光検出装置上に当たる光の量に値が依存して
いる出量信号を発生するよう基材上方に配設された光検
出装置、光検出装置に到達する光の量がかくしてバンド
の位置、従って物体の位置に依存していることから成る
物体の変位測定装置。５５、物体の変位測定装置であっ
て、 基材の片側面における軌跡点に沿って配列された光検出
素子の列を有する基材、前記光素子が各々前記各素子に
当たる光の量に値の依存している信号を発生すること、 軌跡点上で選択的に転動し軌跡点上方から非転動し、か
くして選択的に物体移動時に光検出素子の少なくとも一
部の光検出素子を選択的に被覆し非被覆状態にするよう
一端部においてその一端部における基材の片側面に取付
けられた延在する可撓的な光反射バンド、及び 光線が基材の片側面に向って下方に反射され且つ光検出
素子に向って下方に反射されるよう基材とバンドの接触
箇所に近い箇所の附近で光線をバンドに向って向ける光
発生装置、光線が反射される特定の光検出素子がバンド
の位置、従って物体の位置に依存していることから成る
物体の変位測定装置。 ５６、物体の変位測定装置であって、 基材、 基材の他端部に向って前方に延在し、次に 物体移動時にバンドが基材の片側面上を転動し、片側面
上から非転動するよう基材の上方及び後方にカールする
よう一端部においてその一端部における基材の片側面に
取付けられた延在する可撓的で音響信号を反射するバン
ド、当該バンドが基材の片側面上を転動し片側面上から
非転動されること、 音響信号がバンドから音響信号指向装置に向って反射さ
れるようバンドが基材から上方に曲がる箇所においてバ
ンドに向かい音響信号を向ける装置、 反射した音響信号を検出し前記信号の移動時間を決定し
、かくして音響信号検出装置からのバンドの距離、従っ
て物体の位置を決定するよう前記信号の移動時間を決定
する装置から成る物体の変位測定装置。 ５７、物体の変位測定装置であって、 基材の片側面に形成された一対の延在する全体的に平行
に隔置された電気的に抵抗性の素子を有する基材、 物体の移動時に電気的に抵抗性の素子上を選択的に転動
し、この素子上方から非転動するよう一端部においてそ
の一端部の基材の片側面に取付けられた延在する可撓的
な導電性バンド、抵抗性素子の１つの素子の前記一端部
から 前記１つの素子を通じて当該素子とバンドの接触点へ、
バンドを通じて他方の抵抗性素子とバンドの接触点へ形
成され且つ当該点から前記他方の抵抗性素子の前記一端
部へ形成された通路に沿って抵抗の変動を決定し、かく
してバンド位置における変動、従って、物体の位置にお
ける変動を測定するよう電気的に抵抗性の素子と各素子
の一端部に接続された装置から成る物体の変位測定装置
。 ５８、物体の変位測定装置であって、 基材の片側面に形成された一対の延在する全体的に平行
に隔置された電気的導電性素子を有する基材、 物体移動時に導電性素子上を選択的に転動し素子上方か
ら非転動するよう一端部においてその一端部における基
材の片側面に取付けられた延在する可撓的で電気的に抵
抗性のバンド、 導電性素子の１つの素子の前記一端部から前記１つの素
子を通じバンドと素子の接触領域へ、バンドを通じてバ
ンドと他方の導電性素子との接触領域へ且つ当該領域か
ら前記他方の導電性素子の前記一端部へ形成された通路
に沿って抵抗の変動を検出し、かくしてバンドの位置に
おける変動、従って物体の位置における変動を測定する よう電気的に導電性の素子の各素子の一端部に接続され
る装置から成る物体の変位測定装置。 ５９、物体の受ける力を測定する装置であって、力を受
けるべき延在している物体、 ループ状に形成され相互に転動整合するよう隔置された
位置において物体に取付けられる一対の可撓的で電気的
に導電性のバンド、 プレートと接触し第１方向における物体の移動時に他方
のプレートより一方のプレート以上に転動し被覆するよ
う且つ別の反対方向への物体の移動時に一方のプレート
以上に他方のプレートを転動し被覆するよう前記バンド
の１つのバンドが位置付けられる基材の片側面に配設さ
れた一対の直線的に隔置された導電性プレートを有する
第１基材、 物体が第１方向に移動される際他方の検出器より一方の
検出器を転動させ被覆するよう且つ物体の第２方向への
移動時に一方の検出器より他方の検出器を転動させ被覆
するよう前記バンドの他方のバンドが位置付けられる基
材の片側面に配設された一対の直線的に隔置された検出
器を有する第２基材、前記両検出器が前記他方のバンド
で被覆される検出器の面積を示す信号を発生すること、 第１信号と第２信号の大きさが第１装置と第２装置で各
々受信される第１制御信号と第２制御信号に対応する際
第１電圧信号と第２電圧信号を各々一方の導電性プレー
トと他方の導電性プレートに供給する第１装置と第２装
置、 前記他方のバンドの運動、従って前記物体の運動の方向
を示す信号を検出器から受信し、第１制御信号と第２制
御信号を各々前記第１装置と第２装置に供給し前記第１
装置と第２装置で電圧信号を前記プレートに供給させて
物体移動時における前記一方のバンドの転動による離れ
が生じるプレートに高い静電吸引力を発生し、かくして
物体の全ゆる運動前に一方のバンドを第１基材上のその
位置に向って引き戻すようにしたサーボ論理装置から成
る測定装置。
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