KR920021741A - 산성 팔라듐 스트라이크 욕 - Google Patents

산성 팔라듐 스트라이크 욕 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

산성 팔라듐 스트라이크 욕
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 팔라듐 스트라이크를 가진 경우와 가지지 않은 경우의 팔라듐 도금의 두께 대 평방 센티미터당 기공의 수를 도시하는 그래프,
제2도는 침전시간 대 100평방 센티미터당 손실 ㎎으로 표시된 암모니아/암모니옴 염화물용액(pH=8)과 스트라이크 욕을 위한 구리 기판상의 부식효과를 도시하는 그래프.

Claims (27)

  1. 전기 도체 표면상에 팔라듐의 스트라이크 전착물을 발생하기 위한 수성 스트라이크 욕에 있어서, 0.1 내지 30g/ℓ의 팔라듐과 1 내지 250g/ℓ의 복합체를 포함하고, 2.0 내지 6.0의 범위의 pH값을 보이며, 상기 복합제는 인접 프라이머리, 세컨더리 또는 터셔리 아미노 그룹을 가진 1,2-디아미노부탄, 1,2-디아미노프로판, 1,2-디아미노-2-메틴프로판, 1,2-디아미노펜탄, 1,2-디아미노헥산, 2,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노펜탄, 2,3-디아미노헥산, 3,4-디아미노헥산 및 더 높은 알리파틱 (aliphatic)디아민으로 부터 선택된 유기 디아민을 포함하는 것을 특징으로하는 수성 스트라이크 욕.
  2. 제1항에 있어서, 10내지 200g/ℓ의 지지 전해질과, 20내지 350g/ℓ의 완충제와, 비이온 및 양이온 계면활성제로부터 선택된 0 내지 50ppm의 계면활성 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복합제는 1,2-디아미노프로판인 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  4. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐의 소스는, 팔라듐 디클로라이드, 팔라듐 디브로마이드, 팔라듐설페이트, 팔라듐 나이트레이트, 팔라듐 모녹사이드 하이드레이트, 디아민팔라듐(Ⅱ), 하이드록사이드, 디클로로아민팔라듐(Ⅱ), 디나이트라이토디아민-팔라듐(Ⅱ) , 테트라아민팔라듐 (Ⅱ) 클로라이드, 테트라아민 팔라듐테트라클로로 팔라데이트로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지 전해질은 염화물, 취화물, 질소 칼륨 및 암모니아의 황산염 및 질산염으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  6. 제4항에 있어서, 상기 지지 전해질은 질소, 칼륨 및 암모니아의 염화물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  7. 제1항에 있어서, 상기 완충제는 초산, 시트로산, 타르타르산, 테트라보르산, 아세토아세트산, 클로로아세트산, 말산, 말레산, 이타콘산, 및 그들의 염으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로하는 수성 스트라이크 욕.
  8. 제1항에 있어서, 상기 완충제는 초산을 포함하는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  9. 제1항에 있어서, 저속 도금에 사용될때 0.1 내지 5g/ℓ의 팔라듐과, 10 내지 100g/ℓ의 지지 전해질과, 1 내지 50g/ℓ의 복합체와, 20 내지 200g/ℓ의 완충제와, 0 내지 50ppm의 계면활성 첨가제 및 나머지는 필요한 부피를 채우기 위한 물을 포함하고, 3.7 내지 4.3의 범위의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  10. 제9항에 있어서, 3±1g/ℓ의 팔라듐과, 60g/ℓ의 지지 전해질과, 40g/ℓ의 복합제와, 150g/ℓ의 완충제와 1ppm의 양이온 계면활성 첨가제를 포함하고, 3.7내지 4.1의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  11. 제1항에 있어서, 고속 도금에 사용될때 5 내지 30g/ℓ의 팔라듐과, 20 내지 200g/ℓ의 지지 전해질과, 50 내지 250g/ℓ의 복합제와, 200내지 350g/ℓ의 완충제와, 0 내지 50ppm의 계면활성 첨가제 및 나머지는 필요한 부피를 채우기 위한 물을 포함하고, 3.7 내지 4.3의 범위의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  12. 제11항에 있어서, 10±2g/ℓ의 팔라듐과, 60g/ℓ의 지지 전해질과, 65g/ℓ의 복잡제와, 250g/ℓ의 완충제와 1ppm로의 양이온 계면활성 첨가제를 포함하고, 3.7 내지 4.1의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  13. 제1항에 있어서, 상기 패시베이트된 표면은 니켈, 크롬, 청동 및 강으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 수성 스트라이크 욕.
  14. 전기 도체 표면을 도금하는 방법에 있어서, 상기 표면상의 팔라듐 스트라이크 층과, 팔라듐 니켈 합금, 팔라듐, 금, 로듐, 루테늄, 백금, 은 및 그들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 금속을 포함하는 덮개층을 포함하여 적어도 2개의 층을 연속으로 상기 표면상에 전기 도금하는 단계를 포함하며, 상기 팔라듐 스트라시크층은, 0.1 내지 30g/ℓ의 팔라듐과 1 내지 250g/ℓ의 복합제를 포함하고, 2.0내지 6.0의 범위의 pH값을 보이며, 상기 복합제는 인접 프라이머리, 세컨더리 또는 터셔리 아미노 그룹을 가진 1,2-디아미노부탄, 1,2-디아미노프로판, 1,2-디아미노-2-메틸프로판, 1,2-디아미노펜탄, 1,2-디아미노헥산, 2,3-디아미노부탄, 2,-디아미노펜탄, 2,3-디아미노헥산, 3,4-디아미노헥산 및 더 높은 알리파틱 (aliphatic) 디아민으로부터 선택된 유기디아민을 포함하는, 수성 욕으로부터 침착된 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 욕은 10 내지 200g/ℓ의 지지 전해질과, 50 내지 350g/ℓ의 완충제와, 비이온 및 양이온 계면활성제로부터 선택된 0 내지 50ppm의 계면활성 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도체 표면을 도금하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 복합제는 1,2-디아미노프로판인 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 팔라듐의 소스는, 팔라듐 디클로라이드, 팔라듐 디브로마이드, 파라듐설페이트,팔라듐나이트레이트, 팔라듐 모녹사이드, 하이드레이트, 디아민팔라듐(Ⅱ) 하이드록사이드, 디클로로아민팔라듐(Ⅱ), 디나이트라이토디아민-팔라듐 (Ⅱ). 테트라아민팔라듐 (Ⅱ) 클로라이드, 테트라아민 팔라듐테트라클로로팔라데이트로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 지지 전해질은 염화물, 취화물, 질소 칼륨 및 암모니아의 황산염 및 질산염으로 구성된 그룹으로부허 선택되는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 지지 전해질은 질소, 칼륨 및 암모니아의 염화물로 구성된 그륩으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 완충제는 초산, 시트르산, 타르타르산, 테트라보르산, 아세토아세트산, 클로로아세트산, 말산, 말레산, 이타콘산, 및 그들의 염으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전기 도체표면을 도금하는 방법.
  21. 제14항에 있어서, 상기 완충제는 초산을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  22. 제14항에 있어서, 상기 스트라이크 욕은 저속 도금에 사용될때 0. 1내지 5g/ℓ의 팔라듐과, 10내지 100g/ℓ의 지지 전해질과, 1 내지 50g/ℓ의 복합제와, 20 내지 200g/ℓ의 완충제와, 0 내지 50ppm의 계면활성 첨가제 및 나머지는 필요한 부피를 채우기 위한 물을 포함하고, 3.7 내 지 4.3의 범위의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 스트라이크 욕은 3±1g/ℓ의 팔라듐과, 60g/ℓ의 지지 전해질과, 40g/ℓ의 복합제와, 150g/ℓ완충제와 1ppm의 양이온 계면활성 첨가제를 포함하고, 3.7 내지 4.1의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  24. 제14항에 있어서, 상기 스트라이크 욕은 고속 도금에 사용될때 5내지 30g/ℓ의 팔라듐과, 20내지 200g/ℓ의 지지 전해질과, 50내지 250/ℓ의 복합제와, 200 내지 350g/ℓ의 완충제와, 0내지 50ppm의 계면활성 첨가제 및 나머지는 필요한 부피를 채우기 위한 물을 포함하고, 3.7 내지 4.3의 범위의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 스트라이크 욕은 10±2g/ℓ의 팔라듐과, 60g/ℓ의 지지 진해질과, 65g/ℓ의 복합제와, 250g/ℓ의 완충제와 1ppm의 양이온 계면활성 첨가제를 포함하고 3.7 내지 4.1의 pH값을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  26. 제14항에 있어서, 상기 패시베이트된 표면은 니켈, 크롬, 청동 및 강으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
  27. 물품의 전기 도체 표면상의 팔라듐 스트라이크를 도금하는 방법에 있어서, 음극으로서 작용하는 물품과, 수성 스트라이크 욕과 양극을 통해 전류를 통과시키는 단계를 포함하며, 상기 스트라이크 욕의 pH는 2 내지 6의 범위에 있고, 상기 스트라이크는 0.1 내지 30g/ℓ의 팔라듐과 1 내지 250g/ℓ의 복합제를 포함하며, 상기 복합제는 인접 프라이머리, 세컨더리 또는 터셔리 아미노그룹을 가진 1,2-디아민노부탄, 1,2-디아미노프로판, 1,2-디아미노-2-메틸프로판, 1,2-디아미노펜탄, 1,2-디아미노헥산, 2,3-디아미노부탄, 2,3-디아미노펜탄, 2,3-디아미노헥산, 3,7-디아미노헥산 및 더 높은 알리파틱 (aliphatic) 디아민으로부터 선택된 유기 디아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 도체 표면을 도금하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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