KR920021518A - 피라진 유도체 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (49)
- 하기 일반식(1)의 피라진 유도체 및 이의 염:상기 식에서 R은 수소원자 또는 저급알킬기이며; R1은 저급 알콕시기, 저급알킬기 또는 히드록시기이고 ;R3는 저급알킬기, 페닐기, 페닐-저급알킬기, 저급 알케닐기 또는 인돌릴-저급알킬기이며; R2는 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 저급 알킬기 및 히드록시기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3치환기를 페닐환상에 가질수 있는 페닐-저급알킬기; 또는 하기식의 기를 나타낸다;[여기서, R4및 R5는 서로 같거나 다를수 있으며, 각각 수소원자, 시클로알킬기; 저급알킬기; 저급알콕시기, 저급알킬티오기, 저급알킬기, 히드록시기 및 페닐기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 페닐환상에 가질수 있는 페닐기; 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 페닐환상에 갖는 페닐기; 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급알킬기 및 할로겐 원자로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 페닐환상에 가질 수 있으면서, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급알킬기; 치환기로서 1∼3개의 알콕시기를 페닐환상에 가질수 있는 페녹시-저급알킬기; 질소원자, 산소원자 및 황원자로 구성된 군으로부터 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5- 내지 10원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥시기를 가질 수 있다);헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 및 황원자를 구성된 군으로부터 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 갖는 포화 또는 불포화 5- 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로사이클 잔기는 치환기로서, 저급 알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가지며, 또한 저급 알킬 잔기는 치환기로서, 카르복시기, 벤조티아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급알콕시 카르보닐기를 가질수 있다); 히드록시기 및 저급 알킬기로 구성된 군으로부티 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기; 또는 추가로 R4및 R5는 질소원자와 결합하여, 다른 질소원자, 산소원자 또는 황원자와 함께 또는 없이 5- 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으며, 여기서, 헤테로사이클 잔기는, 치환기로서 옥소기, 저급 알콕시 카르보닐기, 피리딜기 또는 옥소기 및 저급 알킬기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼4개의 치환기를 피라진환상에 가질수 있는 파라지닐카르보닐기를 가질수 있으며; 또는 저급 알콕시기, 저급 알킬기 및 저급 알카노일기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 페닐환상에 가질수 있는 페닐기; 저급 알콕시기 및 히드록시기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 페닐환상에 가질 수 있는 벤조일기; 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 페닐환상에 갖는 벤조일기; 저급 알콕시기 및 할로겐 원자로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기; 또는 히드록시기 및 저급 알콕시기로 구성된 군으로부터 선택된 1∼3개의 치환기를 페닐환상에 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기이다.]
- 제1항에 있어서, R이 수소원자이고 R1이 저급 알콕시기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제1항에 있어서, R이 수소원자이고 R1이 저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제1항에 있어서, R이 저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제2항에 있어서, R3이 저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제2항에 있어서, R3이 저급 알케닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제2항에 있어서, R3이 페닐기, 페닐-저급 알킬기 또는 인돌릴-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제3항에 있어서, R3이 저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제3항에 있어서, R3이 저급 알케닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제3항에 있어서, R3이 페닐기, 페닐-저급알킬기 또는 인돌릴-저급 알킬기인 유도체 및 이의 염.
- 제5항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질 수 있으며, 추가로 페닐-저급알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제5항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자, 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자를 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기: 피라진환상에, 옥소기 또는 저급 알킬기중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 피라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 벤조일기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질 수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제5항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다); 헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로 사이클잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조티아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르보닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제5항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급 알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급 알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제6항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질수 있으며, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제6항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자, 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자를 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기; 피라진환상에, 옥시기 또는 저급 알킬기중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 파라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 벤조일기, 페닐환상에 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제6항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1-2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다):헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로 사이클잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조터아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르브닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제6항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제7항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질수 있으며, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제7항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자, 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자률 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클 잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기: 피라진환상에, 옥시기 또는 저급 알킬기중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 파라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 벤조일기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질 수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제7항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다); 헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로 사이클잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조티아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르보닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제7항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급 알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급 알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제8항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질수 있으며, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로시 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제8항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자, 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자를 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클 잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기; 피라진환상에, 옥시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 파라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 파라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 벤조일기, 페닐환상에 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기;또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제8항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다); 헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로 사이클잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 윽소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조티아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르보닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제8항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급 알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급 알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제9항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질수 있으며, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제9항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자, 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자를 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클 잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기; 피라진환상에, 옥소기 또는 저급 알킬기중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 파라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.페닐환상에, 치환기로서 저급알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제9항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다); 헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자중에서 선택된 1-2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로 사이클잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조티아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르보닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제9항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급 알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급 알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제10항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기 또는 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 히드록시기, 저급 알킬기 및 할로겐원자로 구성된 군으로부터 선택된 치환기 1∼3개를 가질수 있으며, 추가로 페닐-저급 알킬기 중의 저급 알킬잔기가 치환기로서 히드록시기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제10항에 있어서, R4및 R5가, 다른 질소원자, 산소원자 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합된 질소원자를 결합하므로써 5-원 또는 6-원 포화 헤테로사이클기를 형성할 수 있으면서, 여기서 헤테로사이클 잔기가, 치환기로서 옥소기; 저급 알콕시카르보닐기; 피리딜기; 피라진환상에, 옥소기 또는 저급 알킬기중에서 선택된 1∼4개의 치환기를 가질 수 있는 피라지닐카르보닐기; 페닐환상에, 저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 저급 알카노일기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 가질수 있는 벤조일기; 또는, 페닐환상에, 히드록시기 또는 저급 알콕시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알케닐카르보닐기를 가질수 있는 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제10항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 저급 알킬기, 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기(여기서, 헤테로사이클기는 치환기로서 저급 알콕시기 또는 옥소기를 가질수 있다); 헤테로사이클 잔기가 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로 원자를 가지는 포화 또는 불포화5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클-치환 저급 알킬기(여기서, 헤테로사이클 잔기는 치환기로서 저급-알콕시카르보닐기 또는 옥소기를 가질수 있으며, 또는 저급 알킬잔기는 카르복시기 또는 벤조디아졸릴아미노카르보닐기 또는 저급 알콕시카르보닐기를 치환기로서 가질수 있다)인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제10항에 있어서, R4및 R5가 같거나 다르며, 각각, 수소원자, 시클로알킬기, 저급알킬기, 페닐환상에 저급 알콕시기, 저급 알킬티오기, 저급 알킬기, 히드록시기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 저급 알킬렌디옥시기를 갖는 페닐기; 페닐환상에, 치환기로서 1∼3개의 저급 알콕시기를 가질수 있는 페녹시-저급 알킬기; 또는 히드록시기 또는 저급 알킬기 중에서 선택된 1∼5개의 치환기를 가질수 있는 2,3-디히드로인데닐기인 파라진 유도체 및 이의 염.
- 제12항,16항,20항,24항,28항 또는 32항에 있어서, 다른 질소원자, 산소원자 또는 황원자와 함께 또는 없이, R4및 R5와 직접 결합되어진 질소원자를 결합하므로써 형성되어진 헤테로사이클기가 피페라지닐기, 피롤리디닐기, 모르폴리닐기, 퍼페리디닐기 또는 티오모르폴리닐기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제13항,17항,21항,25항 또는 29항에 있어서, 질소원자, 산소원자 또는 황원자 중에서 선택된 1∼2개의 헤테로원자를 갖는 포화 또는 불포화 5-원 내지 10-원 모노사이클릭 또는 비사이클릭 헤테로사이클 잔기가 벤조티아졸릴기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제1항에 있어서, R이 수소원자이고, R1이 히드록시기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제1항에 있어서, R2가 일반식기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 제l항에 있어서, R2가 페닐환상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질 수 있는 페닐-저급 알킬기인 피라진 유도체 및 이의 염.
- 3-이소부틸-5-메톡시-6-[N-(메톡시벤질)]-카르바모일-1,2-디히드로피라진-2-온 4-옥시드.
- 3-이소부틸-5-메톡시-6-[N-(벤조티아졸-2-일)]-카르바모일-1,2-디히드로피라진-2-온 4-옥시드.
- 3-이소부틸-5-메톡시-6-[4-(3-메톡시페닐)-1-피페라지닐]카르보닐-1,2-디히드로피라진-2-온 4-옥시드.
- 활성성분으로서, 제1항에서 청구한 일반식(Ⅰ)의 피라진 유도체 또는 이의 염을 함유하는, 초산화물 라디탈의 활성을 억제하기 위한 약제학적 조성물.
- 활성성분으로서 제1항에서 청구항 일반식(Ⅰ) 의 피라진 유도체 또는 이의 염을 함유하는, 초산화물 라디탈에 의하여 야기되는 자기면역질병, 동맥경화, 국소빈열심장병, 대뇌 국소빈열발작, 간부전중, 신장부전등을 예방하고 치료하기 위한 약제학적 조성물.
- 활성성분으로서 제1항에서 청구항 일반식(Ⅰ)의 피라진 유도체 또는 이의 염을 함유하는, 신장염을 예방하고 치료하기 위한 약제학적 조성물.
- 하기 일반식(2)의 피라진 화합물을 하기 일반식(3)의 아민 화합물과 반응시켜 하기 일반식(la)의 피라진 유도체를 제조하는 방법:상기식들에서, R, R1, R3, R4및 R5는 상기한 바와같고; R2a는 일반식(여기서, R4및 R5도 상기한 바와 같다)의 기이다.
- 하기 일반식(15)의 화합물에 고리 폐쇄 반응을 행하여 하기 일반식(16)의 화합물을 얻은 다음, 이러한 화합물(16)에 알킬화제로 알킬화를 행하여 하기 일반식(la')의 피라진 유도체를 제조하는 방법.상기식들에서, R 및 R3은 상기한 바와같고; R9는 저급 알킬기이며; R14는 페닐상에, 저급 알콕시기, 페닐-저급 알콕시기, 저급 알킬기 또는 히드록시기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 가질수 있는 페닐-저급 알킬기이다.
- 하기 일반식(17)의 화합물을 가수분해하여 하기 일반식(1b)의 피라진 유도체의 제조방법:상기 식에서, R3, R9및 R14는 상기한 바와같고; R15는 저급알킬기 또는 페닐기 중에서 선택된 1∼3개의 치환기를 갖는 실릴기이다.
- 하기 일반식(19)의 화합물에 폐환반응을 행하여 하기 일반식(1c)의 피라진 유도체의 제조방법:상기식에서, R, R3및 R14는 상기한 바와같고; R16은 저급 알킬기이다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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