KR920020269A - 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록재 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (16)
- (a) 화학 방사선의 작용하에서 강산을 생성하며, 2 또는 3개의 (헤테로)아릴설폰산에 의해 에스테르화된 2,4,6-트리스-(2-하이드록시에톡시)-[1,3,5]트리아진의 화합물, (b)산에 의해 가교결합될 수 있는 2개 이상의 그룹을 갖는 화합물, 및 (c) 물증에서는 불용성이고, 알칼리성 수용액중에서는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 중합체성 결합제를 갖는, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항에 있어서, 아릴설폰산이 6 내지 10개의 방향족 탄소원자를 갖는, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항에 있어서, 헤테로설폰산이 4 내지 9개의 탄소원자, 및 1개의 방향족 산소 또는 황원자 또는 1 또는 2개의 방향족 질소원자를 갖는, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, (헤테로) 아릴설폰산이 (C1-C8)알킬, (C1-C8)알콕시, (C1-C8)알카노일, (C1-C8)알카노일옥시, (C6-C10)아로일아미노, 시아노 및 /또는 할로겐에 의해 치환된, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 화합물 (a)가 파장이 190 내지 450nm인 방사선의 작용하에서 산을 생성하는, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 결합제 (c)가 페놀계 하이드록시 그룹을 함유하는, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제6항에 있어서, 결합제가, 치환되거나 비치환된 폴리(하이드록시스티렌)인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제6항에 있어서, 결합제가, 에스테르 형성에 필요한 하이드록시 그룹 이외에, 페놀계 유리 하이드록시 그룹을 함유하는 화합물에 의해 에스테르화된 (메트)아크릴산을 함유하는 중합체인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 가교결합성 화합물(b)가 레졸인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 가교결합성 화합물(b)가 알콕시메틸 또는 옥시라닐메틸 그룹에 의해 치환된 방향족 화합물인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 가교결합성 화합물(b)가 멜라민/포름알데히드 또는 우레아/포름알데히드 축합물인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물.
- 필수적으로 제1항 내지 제11항중 어느 한 항에서 청구된 방사선-경화성 혼합물을 함유하는 감방사선성층, 및 지지체로 이루어진, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 기록재.
- 제12항에 있어서, 화학선의 작용하에 강산을 생성하는 화합물(a)의 함량이 감방사선성 충중의 총 고체중량에 대해 0.5 내지 25중량% 바람직하게는 1 내지 10중량%, 특히 바람직하게는 2 내지 7중량%인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 기록재.
- 제12항에 있어서, 산에 의해 가교결합될 수 있는 2개 이상의 그룹을 갖는 화합물(b)의 함량이 감방사선성 충중의 총 고체중량에 대해 1 내지 50중량% 바람직하게는 5 내지 25중량%인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 기록재.
- 제12항에 있어서, 물중에서는 불용성이고, 수용액중에서는 가용성이거나 적어도 팽윤성인 결합제(c)의 함량이 감방사선성 충중의 총 고체중량에 대해 40 내지 95중량% 바람직하게는 50 내지 90중량%인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 기록재.
- 제12항에 있어서, 248nm파장의 방사선에 대한, 1.0㎛두께의 감방사선성 층의 흡광도가 0.5미만, 바람직하게는 0.3미만인, 네가티브하게 작용하는 감방사선성 기록재.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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WO1996020432A1 (fr) * | 1994-12-28 | 1996-07-04 | Hoechst Japan Limited | Composition sensible aux rayonnements et support d'enregistrement produit a partir de ladite composition |
JP3449664B2 (ja) * | 1995-04-19 | 2003-09-22 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
US5955241A (en) * | 1996-10-25 | 1999-09-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition and method for forming negative resist pattern |
US6042988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-03-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-amplification-type negative resist composition |
JPH10207049A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Toppan Printing Co Ltd | 感光性着色組成物及びそれを用いたカラーフィルタ |
US6323287B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-11-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography |
JP2002072462A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版及びその製版方法 |
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TW594390B (en) * | 2001-05-21 | 2004-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
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---|---|---|---|---|
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NO173574C (no) * | 1984-06-01 | 1993-12-29 | Rohm & Haas | Fremgangsmaate til fremstilling av et termisk stabilt, positivt eller negativt bilde paa en underlagsflate |
CA1307695C (en) * | 1986-01-13 | 1992-09-22 | Wayne Edmund Feely | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images |
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JP2505033B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1996-06-05 | 東京応化工業株式会社 | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法 |
JP2661671B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 |
DE3930087A1 (de) * | 1989-09-09 | 1991-03-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
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