KR920020270A - 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 - Google Patents
포지티브-작용성 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920020270A KR920020270A KR1019920006523A KR920006523A KR920020270A KR 920020270 A KR920020270 A KR 920020270A KR 1019920006523 A KR1019920006523 A KR 1019920006523A KR 920006523 A KR920006523 A KR 920006523A KR 920020270 A KR920020270 A KR 920020270A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- positive
- weight
- radiation
- mixture
- radiation sensitive
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/04—Chromates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (11)
- (a)화학선의 작용하에 강산을 생성하는 화합물[여기에서, 화합물(a)는 1,3,5- 또는 1,2,4-트리하이드록시벤젠 또는 일반식 R-SO3H의 설폰산으로 에스테르화된 라디칼 R′에 의해 방향족 환 상에서 치환된 1,2,3-, 1,3,5- 또는 1,2,4-트리하이드록시벤젠이며, R 및 R′는 동일하거나 상이하며 R의 정의는 추가로 치환될 수 있는 (C1-C10)알킬, (C5-C10)사이클로알킬, (C6-C10)아릴, (C6-C10)아릴-(C1-C10)알킬 또는 (C3-C9)헤테로아릴 라디칼이며, R′의 정의는 R에 대해 주어진 라디칼중의 하나이거나(C1-C10)알카노일, (C1-C16)알콕시카보닐 또는 (C7-C11)아로일 라디칼이다] (b)산에 의해 절단될 수 있는 C-O-C 또는 C-O-Si 결합을 하나 이상 갖는 화합물 및 (c)물에는 불요성이며 알칼리성 수용액에는 용해하거나 적어도 팽윤될 수 있는 중합체 결합제를 포함한 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항에 있어서, 트리-하이드록시벤젠이 설폰산 R-SO3H로 완전히 에스테르화된 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 라디칼 R이 (C1-C8)알킬, (C1-C8)알콕시, (C1-C8)알카노일, (C1-C8)알카노일옥시, (C6-C10)아릴, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 하나의 치환체에 의해서 치환되는 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제3항에 있어서, (C1-C10)알킬 라디칼 R이 바람직하게는 불소에 의해 완전히 치환된 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제4항에 있어서, 방향족 라디칼 R′가 (C1-C8)알킬, (C1-C8)알콕시, (C1-C8)알카노일, (C1-C8)알카노일옥시, 할로겐 및 일반식 -O-SO2-R의 설포닐옥시(여기서, R은 제1항에서 정의된 바와 같다)로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나 이상의 치환체에 의해 치환되는 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 혼합물에서 고체의 전체 중량중 화합물(a)의 함량이 0.5 내지 25중량%, 바람직하게는 3 내지 15중량%인 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 감방사선성 층에서 고체의 전체 중량중 산에 의해 절단될 수 있는 C-O-C 또는 C-O-Si 결합을 하나 이상 갖는 화합물(b)의 함량이 1 내지 50중량%, 바람직하게는 10내지 40중량%인 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 결합제(c)가 30중량%이하, 특히 20중량% 이하의 노볼락 축합수지를 함유하는 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 결합제(c)가 248nm파장의 방사선에 대해 〈0.35㎛-1, 바람직하게는〈0.25㎛-1의 흡광도를 갖는 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 혼합물에서 전체 고체 중량중 결합제(c)의 함량이 40 내지 95중량%, 바람직하게는 50 내지 90중량%인 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물.
- 감방사선성 층이 제1항 내지 제10항에 따른 방사선-경화성 혼합물을 포함하는, 감방사선성층을 갖는 지지체로 구성된, 포지티브-작용성 감방사선성 기록물질.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4112973A DE4112973A1 (de) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DEP4112973.3 | 1991-04-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920020270A true KR920020270A (ko) | 1992-11-20 |
Family
ID=6430024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920006523A KR920020270A (ko) | 1991-04-20 | 1992-04-18 | 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0510441A1 (ko) |
JP (1) | JPH05197152A (ko) |
KR (1) | KR920020270A (ko) |
CA (1) | CA2066148A1 (ko) |
DE (1) | DE4112973A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970016742A (ko) * | 1995-09-11 | 1997-04-28 | 랑핑거, 스타인호프 | 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136213A1 (de) * | 1991-11-02 | 1993-05-06 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen, De | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
DE4222968A1 (de) * | 1992-07-13 | 1994-01-20 | Hoechst Ag | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
DE4306152A1 (de) * | 1993-02-27 | 1994-09-01 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
DE4408318C2 (de) * | 1993-03-12 | 1999-09-09 | Toshiba Kk | Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung |
DE4447786B4 (de) * | 1993-03-12 | 2005-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Verfahren zur Strukturerzeugung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6818531A (ko) * | 1968-02-09 | 1969-08-12 | ||
DE3730787A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JP2540199B2 (ja) * | 1988-02-25 | 1996-10-02 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | デバイスの製造方法 |
JP2661671B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 |
-
1991
- 1991-04-20 DE DE4112973A patent/DE4112973A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-04-09 EP EP92106137A patent/EP0510441A1/de not_active Withdrawn
- 1992-04-15 CA CA002066148A patent/CA2066148A1/en not_active Abandoned
- 1992-04-17 JP JP4124073A patent/JPH05197152A/ja active Pending
- 1992-04-18 KR KR1019920006523A patent/KR920020270A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970016742A (ko) * | 1995-09-11 | 1997-04-28 | 랑핑거, 스타인호프 | 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2066148A1 (en) | 1992-10-21 |
EP0510441A1 (de) | 1992-10-28 |
JPH05197152A (ja) | 1993-08-06 |
DE4112973A1 (de) | 1992-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910006777A (ko) | 포지티브-작용성 감조사성 혼합물 및 이로부터 제조된 감조사성 복사물질 | |
KR910006776A (ko) | 포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성 복사물질 | |
KR920004450A (ko) | 광중합성 조성물 및 이 조성물을 사용하여 제조한 광중합성 기록물질 | |
DK0594317T3 (da) | Cyanoacrylatklæbemidler med forbedrede termiske egenskaber i hærdet tilstand under anvendelse af substitueret aromatisk additiv | |
KR930021588A (ko) | 폴리스티렌 기제 광내식막 물질 | |
BR8206465A (pt) | Mistura fotossensivel e material copiador fotossensivel preparado a partir dela | |
US5759750A (en) | Radiation-sensitive mixture | |
KR890017303A (ko) | 감광성 세라믹 피복 조성물 및 이들의 제조방법 | |
KR920020269A (ko) | 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록재 | |
KR890005828A (ko) | 고에너지 방사선용 양성 방사선 민감성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선 민감성 기록물질 | |
ATE91496T1 (de) | Polyacetal-harzmasse und gleitwerkstoff. | |
KR930001009A (ko) | 포지티브 작용성 감조사선성 혼합물 및 당해 혼합물로 제조한 감조사선성 기록물질 | |
KR870009617A (ko) | 접착촉진을 위한 광감성내식막 형성 방법 | |
KR920019765A (ko) | 2,4,6-트리스-(2-하이드록시에톡시)-[1,3,5]트리아진의 설폰산 에스테르, 및 이로부터 제조된 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물 및 기록물질 | |
ATE78940T1 (de) | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial. | |
KR920020270A (ko) | 포지티브-작용성 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 | |
KR930001010A (ko) | 방사선-감수성 설폰산 에스테르 및 이의 용도 | |
KR920020268A (ko) | 양성-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 방사선 감수성 기록물질 | |
DE3473357D1 (de) | Photopolymerizable laminate | |
JPS56162744A (en) | Formation of fine pattern | |
EP0503076A4 (en) | Photopolymerizable composition and photopolymerizable element | |
KR920019729A (ko) | 산-분해성 화합물, 이를 함유하는 양성-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조한 방사선-감수성 기록물질 | |
KR920020271A (ko) | 네가티브하게 작용하는 감방사선성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조된 감방사선성 기록재 | |
KR900018734A (ko) | 감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물 | |
KR920016900A (ko) | 나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 그룹을 함유하는 방사선-감수성 중합체 및 포지티브-작용 기록 물질에서의 이의 용도 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |