KR920019417A - 배기가스를 후연소시키는 촉매시스템 및 그러한 시스템을 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (25)
- 비표면적이 낮은 다공성 지지체 및 비표면적이 큰 금속 카바이드의 촉매적 호라성피복으로 구성된 촉매시스템을 제조하는 방법에 있어서, 하기 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법, -용매중에 희석된 유기수지 또는 중합성 생성물 또는 피지 또는 타르를 포함한 유기액체중의 적당한 점도를 지닌 환원성 화합물 또는 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 탄탈륨, 니오븀, 크롬 및 철중의 하나 이상의 금속 산화물용액 또는 현탁액을 제조하는 단계, -유기액중의 금속화합물을 용액 또는 현탁액 중에 함침시킴으로써 다공성 지지체를 피복처리하거나 침착시키는 단계, -건조 또는 가온시키고 유기액중에 함유된 용매를 제거해내고, 수지를 중합시키고 용액 또는 현탁액의 고형 잔류물만을 지지체상에 남겨 놓는 단계, -용액 또는 현탁액의 고형 잔류물중 유기부를 탄화시키는 단계, 및 -용액 또는 현탁액의 금속화합물을 환원시키고 적당히 탄화시키는 단계.
- 비표면적이 낮은 다공성 지지체 및 비표면적이 큰 금속 카바이드의 촉매적 활성피복으로 구성된 촉매시스템을 제조하는 방법에 있어서, 하기 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법, -다공성 지지체를 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 탄탈륨, 니오븀, 크롬 및 철중의 하나이상의 금속이 환원성염이 수용액 또는 유기 용액으로 침착시키는 단계, -건조 또는 가온시킴으로써 물 또는 용매를 제거해 내고 지지체상에는 금속염만을 남겨놓는 단계, -유기 수지 또는 중합성 생성물류이 유기 환원성 및 탄화성 화합물 또는 적정점도를 지닌 용액내에 함침시킴으로써 다공성 지지체를 침착시키는 두번째 침착단계, -건조 또는 가온시킴으로써 유기용액중에 포함된 용매를 제거해 내고, 수지를 중합시켜 지지체상에는 금속염 및 환원성 및 탄화성 유기화합물만을 남겨놓고 단계, -상기 용액 또는 현탁액의 고형 잔류물중 유기부를 탄화시키는 단계, -상기 용액 또는 현탁액의 금속염을 환원시키고 적당히 탄화시키는 단계.
- 비표면적이 낮은 다공성 지지체 및 비표면적이 큰 금속 카바이드의 촉매적 활성피복으로 구성된 촉매시스템을 제조하는 방법에 있어서, 하기 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법, -적정도를 지닌 유기 수지 또는 중합성 생성물중의 유기 환원성 및 탄화성 화합물 용액내에 함침시킴으로써 다공성 지지체를 침착시키는 단계, -건조 또는 가온시킴으로써 용매를 제거해고, 수지를 중합시켜 지지체상에는 유기화합물만을 남게하는 단계, -남아있는 유기 화합물을 탄화시키는 단계, -비표면적이 넓은 탄화시킨 피복으로 덮힌 다공성 지지체를 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 탄탈륨, 니오븀, 크롬 및 철 중의 최소한 하나의 환원성 염의 수용액 또는 유기용액을 침착시키는 두 번째 침착단계, -건조 및 가온시킴으로써 물 또는 용매를 제거하는 단계, -상기 용액 또는 현탁액의 금속염을 환원시키고 적당히 탄화시키는 단계.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체가 실리콘 또는 산화알루미늄 또는 마그네슘 및 알루미늄 실리케이트로 이루어진 것을 특징으로 하는 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체가 실리콘 니트라이드 또는 실리콘 니트라이드계 화합물 및 알루미나로 이루어진 것을 특징으로 하는 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체가 구체적으로 분말형 실리콘과 탄소를 공급할 수 있는 제제로 이루어진 페이스트를 압출시킴으로써 성형시키고, 중합시키며, 탄화시키고 최종적으로 성형된 지지체내에 함유된 실리콘을 탄화시킴으로써 제조한 실리콘 카바이드인 것을 특징으로 하는 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제6항에 있어서, 탄소를 공급할 수 있는 상기 제제가 분말형 카본 블랙 및/또는 분말형 활성 목탄의 고형물 및 점성의 중합성 유기액으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 촉매시스템을 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 점성의 중합성유기액이 푸르푸릴 수지 또는 페놀 수지인 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제7항 또는 제8항중 어느 한 항에 있어서, 분말형 실리콘, 분말형 카본블랙, 중합성 유기액의 비율은 유기액을 탄화시킴으로써 배출된 탄소 및 카본블랙의 중량과 실리콘 중량 사이의 비가 실리콘 카바이드의 화학량론적 성분비에 해당할 수 있도록 정하고 상기 페이트스가 압출시키기 적합한 가소성을 지닐 수 있도록 정하는 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제6항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 성형한 지지체의 탄화반응을 모든 수지를 탄화시킬 정도의 충분한 기간, 통상적으로 1내지 4시간동안 600℃ 내지 1000℃범위내의 온도에서 비산화 대기중에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 촉매시스템을 제조하는 방법.
- 제6항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘이 탄화반응을 1 내지 2시간에 걸쳐 1350℃ 내지 1450℃범위내의 온도에서 비산화대기 중에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘의 탄화반응을 질화대기중에서 수행하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물 또는 환원성 화합물이 현탁상태로 존재하는 피복을 구성하는 유기매질이 탄화후의 잔류탄소 수준이 높고 열분해를 통해 비교면적이 큰 다공성 구조를 이룰수 있는 열경화성 수지인 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 열경화성 수지가 푸르푸릴 수지 또는 페놀수지인 것을 특징으로 하는, 촉매시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체상에 침착된 유기성분의 탄화반응을 모든 유기 성분이 탄화될 수 있는 충분한 시간, 통상적으로 1내지 4시간동안 300℃ 내지 1000℃범위내의 온도에서 비산화성 대기중에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 상기 피복처리 및 탄화시킨 지지체를 비산화 대기중에서 30분 내지 4시간 동안 700℃ 내지 1400℃범위 내의 온도까지 상승시킴으로써 환원 반응 및 탄화반응을 수행하여 지지체상에 촉매 활성을 지니고 비표면적이 큰 금속 카바이드 피복을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 촉매시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 성분의 탄화반응, 상기 산화물의 환원반응 및 금속의 탄화반응을 900℃ 내지 950℃범위내에서 단일 처리방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제14항중 어느 한항에 있어서, 상기 유기성분의 탄화반응, 상기 산화철의 환원반응 및 상기 철의 부분탄화반응을 약 1200℃의 비산화 대기중에서 단일 처리방식을 수행하는 것을 특징으로 하는, 철계(iron-based) 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 성분의 탄화반응, 상기 산화철의 환원반응 및 상기철의 거의 대부분의 탄화반응을 환원 및 탄화대기중에서 950℃에 가까운 온도에서 단일 처리 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 철-계 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 제1항 내지 제19항중 어느 한 항에 있어서, 환원단계 및 탄화단계후에 관련카바이드에 따라 300℃ 내지 700℃범위내에서 무정형 산소카바이드상의 형성을 촉진시킬 수 있는 적당한 산화반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 촉매 시스템을 제조하는 방법.
- 다공성 지지체 및 이 지지체상에 침착된 피복으로 구성된 촉매 시스템에 있어서, -상기 지지체는 실리콘 카바이드로 구성되고 촉매 및 가스간의 접촉을 향상시키는 관점에 비추어 바람직한 형태(직접형 알베올레이트 또는 벌집구조, 압출형, 다양한 모양 및 크기의 과립, 분말형)를 지니고, -이 지지체의 벽에 침착된 촉매 피복은 비표면적이 큰 카바이드, 구체적으로 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 탄탈륨, 니오븀, 크롬 및 철중의 하나 또는 그 이상의 금속 카바이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 촉매시스템.
- 제21항에 있어서, 상기 금속 카바이드 및 산소카바이드의 표면피복이 동시에 존재하는 것을 특징으로 하는 촉매시스템.
- 제21항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 다공성 지지체의 비표면적이 0.5 내지 4평방미터/g 범위내인 것을 특징으로 하는 촉매시스템.
- 다공성 지지체 및 이 지지체상에 침착된 촉매로 구성된 촉매시스템에 있어서, -상기 지지체는 실리콘 니트라이드, 또는 알루미나와 실리콘 니트라이드의 화합물인 시알론으로 구성되고, -이 지지체의 벽에 침착된 피복은 표면적이 큰 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 탄탈륨, 니오븀, 크롬 및 철을 포함한 균중의 하나 또는 그 이상의 금속 카바이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 촉매시스템.
- 제21항 내지 제23항중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체가 집적형인 것을 특징으로 하는, 엔진으로 부터 배출된 배기가스를 후연소시키는 촉매시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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