KR920015490A - 이온 비임 전위 검출프로브 - Google Patents
이온 비임 전위 검출프로브 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920015490A KR920015490A KR1019920000714A KR920000714A KR920015490A KR 920015490 A KR920015490 A KR 920015490A KR 1019920000714 A KR1019920000714 A KR 1019920000714A KR 920000714 A KR920000714 A KR 920000714A KR 920015490 A KR920015490 A KR 920015490A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion beam
- cell
- ion
- potential
- cells
- Prior art date
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 39
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24455—Transmitted particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
Landscapes
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온 비임을 직사시켜 반도체 웨이퍼와 같은 공작물에 충돌시키는 이온주입기의 개략도, 제2도는 이온비임전위를 감지하는 바람직한 센서의 부분적인 단면도, 제3도는 센서를 통과하는 이온비임을 개략적으로 그린 제2도의 평면도, 제4도는 이온 비임 전위를 감지할때 사용되는 또 다른 센서의 개략도.
Claims (12)
- a) 이온 주입장소(22)에 위치한 하나이상의 반도체 웨이퍼(41)를 처리하는 이온비임(20)을 제공하는 이온소오스(12) b) 이온 비임내의 이온들을 분해하고 주입장소에서 하나이상의 반도체 웨이퍼와 충돌하는 이동 통로에 적당한 량의 이온을 직사하는 비임 분석기(14) c) 이온 비임이 웨이퍼 주입장소에 직사하기전에 중성입자를 이온비임에 주사시키는 비임중화기(250) d) 주입장소에서 하나이상의 반도체 웨이퍼를 배치시키는 웨이퍼 지지대 구조(40)등을 포함하는 이온주입기(10)에 있어서, e) 이온 비임 이동통로에 대해 위치하여 이온 비임 측정 및/또는 주입중 이온 비임 전위를 감지하는 센서(110, 210) f) 중성입자가 감지된 이온 비임전위로 유지되는 이온 비임에 주입되는 비율을 조종하는 전자제어기(25)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
- 제1항에 있어서, 센서(110, 210)는 제어 전위로 바이어스되어 이온 비임을 떠나는 저 에너지 이온을 제거하는 제1전지(132, 222)를 포함하고, 이온 비임 전위를 결정하기 위해 제어전위로서 이온비임이 존재하는 이온 전류를 감지하는 제2전지(140, 226)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
- 제1항에 있어서, 이온비임의 전기 전위를 감지하기 위해 다수의 실린더형 전지(120, 130, 132, 140) 및 다수의 실린더형 전지를 바이어스하는 수단(122, 124)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
- 제3항에 있어서, 최외각 실린더형 전지(140)는 이온비임에 존재하는 저에너지 이온들의 전류를 감지하고 방사상 안쪽의 실린더형 전지(132)는 이온 비임에 존재하는 저에너지이온을 제거하는 전위로 바이어스되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
- 제3항에 있어서, 위치적으로 대전된 이온들은 이온비임을 형성하고 센서(110)는 이온비임에 존재하는 전자를 제거하는 제1전지(130) 및 제어전압에 결합되어 이온비임에 존재하는 위치적으로 대전된 이온들을 제거하는 제2전지(132) 및 이온이 제3전지에 도달하지 못하도록 하기에 충분한 제어전압의 크기를 결정하는 제3전지(140)등을 포함하여 이온 비임 전위를 표시하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
- a) 다수의 전지(132,140)를 이온 비임으로 부터 방사상 증가하는 거리에서 지지하고 b) 이온 비임에 존재하는 저에너지 이온을 제거하는 제어전위로 다수의 전지중 제1전지(132)을 바이어스 하고 c) 이온전류를 감지하기 위해 제1전지로 부터 방사상 바깥쪽의 위치에 다수의 전지중 제2전지(140)를 위치시키고 d) 이온비임의 전기전위를 결정하기 위해 제2전지에서 이동전류를 감지하는 동안 제어전위를 조정하는 것을 특징으로 하는 이온비임의 전기전위를 결정하는 방법.
- a) 이온비임을 제1 및 제2 지지대 디스크를 통해 충돌하지 않게 이동시키는 배열구멍들을 포함하는 제1 및 제2 지지대 디스크(150, 152) b) 이온 비임 중심선과 같은 입사축 주위에서 고정반경에 집중적으로 배열되고 제1 및 제2 지지대 디스크 사이에 지지되어 연장된 다수의 금속전지(130, 132, 140) c) 이온비임을 떠나는 전자를 이온비임 뒤쪽으로 편향시키는 전압으로 제1전지를 바이어스 하고 느리게 이동하는 양으로 대전된 이온들을 이온비임으로 편향시키는 전기 전위에서 제2전지(132)를 바이어스 하는 제1금속전지(130)에 결합된 전원, d) 부가전지에서 전류를 감지하고 제2전지위의 바이어싱 전위가 조종됨에 따라 비임 전기 전위를 상기 전류와 상관시키는 제1 및 제2전지 방사상 외측의 부과전지(140)에 결합된 전류감지수단(142)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 비임 전기 전위를 감지하는 장치.
- 제7항에 있어서, 이온비임의 전자접속을 제어하고 이온 비임전위를 조종하는 비임중화기(250)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 전기 전위를 감지하는 장치.
- 제8항에 있어서, 이온 비임 중화기는 전자 흐름장치(250)를 포함하고 이의 작동은 전류감지수단의 출력에 결합된 입력신호에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 이온비임 전기 전위를 감지하는 장치.
- a) 이온 비임으로 부터 고정거리에 배열된 다수의 금속전지(220, 222, 224, 226) b) 이온 비임을 떠나는 제1극성의 대전된 입자를 비임 이온뒤로 편향시키는 전압으로 제1전지를 바이어스 하고 이온비임을 떠나는 반대 극성의 대전입자를 이온 비임뒤로 편향시키는 전기 전위로 제2전지(224)를 바이어스 하는 제1전지에 결합된 전원 c) 부가전지에서 전류를 감지하고 제2전지의 바이어싱 전위가 조종됨에 따라 반대로 대전된 입자의 전기전위를 상기 전류와 상관시키는 제1 및 제2전지의 방사상 외측의 부과전지(226)에 결합된 전류 감지수단(240)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임을 감지하는 장치.
- 제10항에 있어서, 반대로 대전된 입자는 위치적으로 대전된 이온이고 위치적으로 대전된 이온이고 위치적으로 대전된 이온들의 에너지는 이온비임 전기전위인 것을 특징으로 하는 이온비임을 감지하는 장치.
- 제10항에 있어서, 반대로 대전된 입자는 음으로 대전된 입자하고 전류 감지수단의 신호는 전지온도를 결정하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 이온비임을 감지하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US647,509 | 1991-01-29 | ||
US07/647,509 US5113074A (en) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | Ion beam potential detection probe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920015490A true KR920015490A (ko) | 1992-08-27 |
KR0133320B1 KR0133320B1 (ko) | 1998-04-16 |
Family
ID=24597258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920000714A KR0133320B1 (ko) | 1991-01-29 | 1992-01-20 | 이온 비임 전위 검출 프로브 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5113074A (ko) |
EP (1) | EP0499357B1 (ko) |
JP (1) | JP3125233B2 (ko) |
KR (1) | KR0133320B1 (ko) |
DE (1) | DE69209865T2 (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5384465A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-24 | Applied Materials, Inc. | Spectrum analyzer in an ion implanter |
US5449920A (en) * | 1994-04-20 | 1995-09-12 | Northeastern University | Large area ion implantation process and apparatus |
GB2314202B (en) * | 1996-06-14 | 2000-08-09 | Applied Materials Inc | Ion implantation apparatus and a method of monitoring high energy neutral contamination in an ion implantation process |
US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
US6722022B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for calibrating the position of a wafer platform in an ion implanter |
TW200428454A (en) * | 2003-03-14 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electron injection current measuring apparatus and electron injection current measuring method using the same |
US6828572B2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-12-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam incident angle detector for ion implant systems |
US7157718B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-01-02 | The Regents Of The University Of Michigan | Microfabricated radiation detector assemblies methods of making and using same and interface circuit for use therewith |
US7170067B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-01-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion beam measurement apparatus and method |
KR100782370B1 (ko) * | 2006-08-04 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 지연 전기장을 이용한 이온 에너지 분포 분석기에 근거한이온 분석 시스템 |
US20100330787A1 (en) * | 2006-08-18 | 2010-12-30 | Piero Sferlazzo | Apparatus and method for ultra-shallow implantation in a semiconductor device |
EP2810298A1 (en) | 2012-02-03 | 2014-12-10 | Seagate Technology LLC | Methods of forming layers |
KR101663063B1 (ko) * | 2012-02-03 | 2016-10-14 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 층들을 형성하는 방법들 |
US9280989B2 (en) | 2013-06-21 | 2016-03-08 | Seagate Technology Llc | Magnetic devices including near field transducer |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135097A (en) * | 1977-05-05 | 1979-01-16 | International Business Machines Corporation | Ion implantation apparatus for controlling the surface potential of a target surface |
US4118630A (en) * | 1977-05-05 | 1978-10-03 | International Business Machines Corporation | Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface |
US4249077A (en) * | 1978-08-04 | 1981-02-03 | Crawford Charles K | Ion charge neutralization for electron beam devices |
DE3025550A1 (de) * | 1979-07-26 | 1981-02-12 | Balzers Hochvakuum | Einrichtung zur messung des auf eine messflaeche im vakuum einfallenden ionenstromes |
US4361762A (en) * | 1980-07-30 | 1982-11-30 | Rca Corporation | Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter |
US4463255A (en) * | 1980-09-24 | 1984-07-31 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for enhanced neutralization of positively charged ion beam |
US4595837A (en) * | 1983-09-16 | 1986-06-17 | Rca Corporation | Method for preventing arcing in a device during ion-implantation |
US4687987A (en) * | 1984-09-28 | 1987-08-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Beam current sensor |
JPS62103951A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | イオン注入装置 |
JPH0191431A (ja) * | 1987-04-16 | 1989-04-11 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン打ち込み装置におけるウエハ帯電量検知装置 |
JPH0740476B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1995-05-01 | 富士通株式会社 | 荷電ビ−ム電流測定機構 |
JPH0256842A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-26 | Nec Corp | イオン注入装置 |
ATE111635T1 (de) * | 1989-05-09 | 1994-09-15 | Sumitomo Eaton Nova | Ionen-implantationsgerät, in dem das elektrische aufladen von substraten vermieden wird. |
-
1991
- 1991-01-29 US US07/647,509 patent/US5113074A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-16 DE DE69209865T patent/DE69209865T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-16 EP EP92300354A patent/EP0499357B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-20 KR KR1019920000714A patent/KR0133320B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-01-29 JP JP04038732A patent/JP3125233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69209865T2 (de) | 1996-11-28 |
KR0133320B1 (ko) | 1998-04-16 |
EP0499357A3 (en) | 1992-08-26 |
EP0499357B1 (en) | 1996-04-17 |
DE69209865D1 (de) | 1996-05-23 |
EP0499357A2 (en) | 1992-08-19 |
US5113074A (en) | 1992-05-12 |
JP3125233B2 (ja) | 2001-01-15 |
JPH0582071A (ja) | 1993-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920015490A (ko) | 이온 비임 전위 검출프로브 | |
US7876113B2 (en) | Method of inspecting pattern and inspecting instrument | |
US5030908A (en) | Method of testing semiconductor elements and apparatus for testing the same | |
KR860008582A (ko) | 집속이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 | |
US7794563B2 (en) | Etching depth measuring device, etching apparatus, and etching depth measuring method | |
KR20030057411A (ko) | 이온 조사 장치 | |
JP2799090B2 (ja) | イオン注入装置 | |
US4587543A (en) | Method and device for detecting metal ions | |
KR102595602B1 (ko) | 태양전지 pid 특성 시험 장치 및 그 방법 | |
JPH0954130A (ja) | ワーク電位の測定方法 | |
KR100358966B1 (ko) | 빔전하교환장치 | |
JP2965027B1 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
KR950012289B1 (ko) | 이온 투입 파라데이시스템의 센타 빔 전류 측정장치 | |
JPH0567667A (ja) | イオン注入機の電位測定装置 | |
JPH057581Y2 (ko) | ||
JPH06223770A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH02174138A (ja) | 電子ビームを用いた基板検査装置 | |
KR100217334B1 (ko) | 이온주입설비의 이차전자 발생 억제전압 인가장치 | |
JPS59208482A (ja) | ビ−ム分布測定装置 | |
JP3657359B2 (ja) | 漏洩検知装置 | |
Jank et al. | Application of electron-beam testing technique to potential profile measurement in a-Si: H solar cells at various states of operation | |
JP2528906B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
JPH0652821A (ja) | イオン注入装置 | |
TW202419849A (zh) | 用於非侵入、非干擾、不接地之同步電暈沉積及二次諧波產生之量測的方法及設備 | |
JPS6343252A (ja) | 電子ビ−ムプロ−ビング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20031106 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |