JPH0652821A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0652821A JPH0652821A JP4224649A JP22464992A JPH0652821A JP H0652821 A JPH0652821 A JP H0652821A JP 4224649 A JP4224649 A JP 4224649A JP 22464992 A JP22464992 A JP 22464992A JP H0652821 A JPH0652821 A JP H0652821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust pipe
- exhaust
- ammeter
- high voltage
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気管の絶縁不良を適時に確実に検出してク
リーニング時期を報知するイオン注入装置を提供する。 【構成】 真空排気ポンプ１１で排気された高真空下
で、イオン源１３で発生したイオンを質量分析して所定
のイオンを選択して取り出し、取り出されたイオンを加
速する高電圧部２４を備え、この高電圧部２４で加速さ
れたイオンを半導体ウエハＷ内に注入するイオン注入装
置１０において、上記高電圧部２４に設置された真空排
気ポンプ１１の排気管２５を、導電性部材からなる第１
排気管２５Ａとこの第１排気管２５Ａの途中に介在し且
つ高電圧部２４をグランドから絶縁する絶縁性部材から
なる第２排気管２５Ｂとから構成すると共に、第２排気
管２５Ｂより外方の第１排気管２５Ａとグランド間に第
２排気管２５Ｂのリーク電流を検出する電流計２７を接
続し、この電流計２７によって第２排気管２５Ｂの絶縁
状態を検出するようにした。
リーニング時期を報知するイオン注入装置を提供する。 【構成】 真空排気ポンプ１１で排気された高真空下
で、イオン源１３で発生したイオンを質量分析して所定
のイオンを選択して取り出し、取り出されたイオンを加
速する高電圧部２４を備え、この高電圧部２４で加速さ
れたイオンを半導体ウエハＷ内に注入するイオン注入装
置１０において、上記高電圧部２４に設置された真空排
気ポンプ１１の排気管２５を、導電性部材からなる第１
排気管２５Ａとこの第１排気管２５Ａの途中に介在し且
つ高電圧部２４をグランドから絶縁する絶縁性部材から
なる第２排気管２５Ｂとから構成すると共に、第２排気
管２５Ｂより外方の第１排気管２５Ａとグランド間に第
２排気管２５Ｂのリーク電流を検出する電流計２７を接
続し、この電流計２７によって第２排気管２５Ｂの絶縁
状態を検出するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置は、例えば、真空排気ポ
ンプで排気された１０-6Torrという高真空下で、グラン
ドに対して数１０ＫＶという高電圧が印加されたイオン
源でＢＦ3、ＰＨ3、ＡsＨ3等のガスをプラズマ状態にし
て複数種イオンを発生させ、このイオン源で発生した複
数種のイオンを質量分析によって分離し、この複数種の
イオンから所定のイオンを選択して取り出し、取り出さ
れたイオンをグランドに対して−５０〜２００ＫＶとい
う高電圧を印加して加速し、加速されたイオンを半導体
ウエハ等の被処理体内に不純物として注入するように構
成されてものである。そして、このイオン注入装置は、
被処理体へのイオンの注入量を物理的に精確に制御でき
るため、半導体の高集積化、薄膜化に伴う半導体ウエハ
への不純物の導入装置として益々その重用性が高まって
いる。
ンプで排気された１０-6Torrという高真空下で、グラン
ドに対して数１０ＫＶという高電圧が印加されたイオン
源でＢＦ3、ＰＨ3、ＡsＨ3等のガスをプラズマ状態にし
て複数種イオンを発生させ、このイオン源で発生した複
数種のイオンを質量分析によって分離し、この複数種の
イオンから所定のイオンを選択して取り出し、取り出さ
れたイオンをグランドに対して−５０〜２００ＫＶとい
う高電圧を印加して加速し、加速されたイオンを半導体
ウエハ等の被処理体内に不純物として注入するように構
成されてものである。そして、このイオン注入装置は、
被処理体へのイオンの注入量を物理的に精確に制御でき
るため、半導体の高集積化、薄膜化に伴う半導体ウエハ
への不純物の導入装置として益々その重用性が高まって
いる。
【０００３】また、稼動中のイオン注入装置の内部は常
に真空排気ポンプによって排気して上述のように高真空
に保持され、その排気ガスを真空排気ポンプに接続され
た排気管を介して外部へ排気するように構成されてい
る。更に、この真空排気ポンプは上述のように高電圧に
保持された高電圧部に収納されているため、この高電圧
部の真空排気ポンプから延設された排気管で高電圧部を
絶縁しているが、この絶縁には通常塩化ビニル樹脂等の
絶縁性部材によって形成された排気管が用いられてい
る。
に真空排気ポンプによって排気して上述のように高真空
に保持され、その排気ガスを真空排気ポンプに接続され
た排気管を介して外部へ排気するように構成されてい
る。更に、この真空排気ポンプは上述のように高電圧に
保持された高電圧部に収納されているため、この高電圧
部の真空排気ポンプから延設された排気管で高電圧部を
絶縁しているが、この絶縁には通常塩化ビニル樹脂等の
絶縁性部材によって形成された排気管が用いられてい
る。
【０００４】ところが、イオン注入装置のイオン源等か
らの排気ガスにはオイル、ダスト等の浮遊物が含有され
ているため、これらの浮遊物が排気管の内面に徐々に付
着して排気管の内面が浮遊物によって汚れ、遂には排気
管の絶縁破壊に基づいた絶縁不良が引き起こされる。そ
のため、排気管の内面を定期的にクリーニングしてその
内面に付着した浮遊物を除去しているが、そのクリーニ
ングの間隔は稼動条件、ガスの種類等によって区々であ
るため、その間隔を経験的に決めている。
らの排気ガスにはオイル、ダスト等の浮遊物が含有され
ているため、これらの浮遊物が排気管の内面に徐々に付
着して排気管の内面が浮遊物によって汚れ、遂には排気
管の絶縁破壊に基づいた絶縁不良が引き起こされる。そ
のため、排気管の内面を定期的にクリーニングしてその
内面に付着した浮遊物を除去しているが、そのクリーニ
ングの間隔は稼動条件、ガスの種類等によって区々であ
るため、その間隔を経験的に決めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
絶縁性材料からなる排気管を用いたイオン注入装置で
は、排気管のクリーニング間隔を経験的に決めているた
め、その管理が面倒であると共に、稼動条件によっては
予定の間隔が変動し、間隔が予定よりも短くなったり、
長くなったりする。そして、間隔が短くなった場合に
は、排気管の内面の汚れに気付かずにそのまま稼動し続
けると排気管の絶縁破壊、更にはその焼損事故を招き、
また、逆に間隔が長くなった場合には、本来稼動を続行
できるにも拘らず稼動を無駄に停止させてスループット
を低下させるという課題があった。
絶縁性材料からなる排気管を用いたイオン注入装置で
は、排気管のクリーニング間隔を経験的に決めているた
め、その管理が面倒であると共に、稼動条件によっては
予定の間隔が変動し、間隔が予定よりも短くなったり、
長くなったりする。そして、間隔が短くなった場合に
は、排気管の内面の汚れに気付かずにそのまま稼動し続
けると排気管の絶縁破壊、更にはその焼損事故を招き、
また、逆に間隔が長くなった場合には、本来稼動を続行
できるにも拘らず稼動を無駄に停止させてスループット
を低下させるという課題があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、排気管の絶縁不良を適時に確実に検出して
クリーニング時期を報知するイオン注入装置を提供する
ことを目的としている。
れたもので、排気管の絶縁不良を適時に確実に検出して
クリーニング時期を報知するイオン注入装置を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、真空排気ポンプで排気された高真空下で、イオン源
で発生したイオンを質量分析して所定のイオンを選択し
て取り出し、取り出されたイオンを加速する高電圧部を
備え、この高電圧部で加速されたイオンを被処理体内に
注入するイオン注入装置において、上記高電圧部に設置
された上記真空排気ポンプの排気管を、導電性部材から
なる第１排気管とこの第１排気管の途中に介在し且つ上
記高電圧部をグランドから絶縁する絶縁性部材からなる
第２排気管とから構成すると共に、上記第２排気管より
外方の第１排気管とグランド間に上記第２排気管のリー
ク電流を検出する電流計を接続し、この電流計によって
上記第２排気管の絶縁状態を検出するように構成された
ものである。
は、真空排気ポンプで排気された高真空下で、イオン源
で発生したイオンを質量分析して所定のイオンを選択し
て取り出し、取り出されたイオンを加速する高電圧部を
備え、この高電圧部で加速されたイオンを被処理体内に
注入するイオン注入装置において、上記高電圧部に設置
された上記真空排気ポンプの排気管を、導電性部材から
なる第１排気管とこの第１排気管の途中に介在し且つ上
記高電圧部をグランドから絶縁する絶縁性部材からなる
第２排気管とから構成すると共に、上記第２排気管より
外方の第１排気管とグランド間に上記第２排気管のリー
ク電流を検出する電流計を接続し、この電流計によって
上記第２排気管の絶縁状態を検出するように構成された
ものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、真空排気ポンプで排気した高
真空下でイオン源に高電圧を印加してイオンを発生さ
せ、更にこのイオンを質量分析して所定のイオンを選別
した後、選別されたイオンを加速して被処理体の表面に
注入してその内部に不純物として導入する間、真空排気
ポンプからの排気ガス中に含有されている浮遊物が排気
管の内面に付着して第２排気管の内面が汚れると、この
浮遊物の付着によって第２排気管の絶縁性が徐々に低下
して絶縁破壊が引き起こされて第２排気管をリーク電流
が流れ、更にリーク電流が第１排気管を経由して電流計
を流れると、この電流計でそのリーク電流が検出されて
第２排気管の絶縁不良を知らせる。
真空下でイオン源に高電圧を印加してイオンを発生さ
せ、更にこのイオンを質量分析して所定のイオンを選別
した後、選別されたイオンを加速して被処理体の表面に
注入してその内部に不純物として導入する間、真空排気
ポンプからの排気ガス中に含有されている浮遊物が排気
管の内面に付着して第２排気管の内面が汚れると、この
浮遊物の付着によって第２排気管の絶縁性が徐々に低下
して絶縁破壊が引き起こされて第２排気管をリーク電流
が流れ、更にリーク電流が第１排気管を経由して電流計
を流れると、この電流計でそのリーク電流が検出されて
第２排気管の絶縁不良を知らせる。
【０００９】
【実施例】以下、図１、図２に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。
発明を説明する。
【００１０】本実施例のイオン注入装置１０は、図１、
図２に示すように、真空排気ポンプ１１によって例えば
１０-6Torr程度の高真空に排気された状態下でガス導入
ボックス１２から定量的に導入されたＢＦ3、ＰＨ3、Ａ
sＨ3等のガスに数１０ＫＶという高電圧を印加し、この
ガスをプラズマ状態にして複数種イオンを発生させるイ
オン源１３と、このイオン源１３からイオンビームとし
て引き出された複数種のイオンをイオン電荷に応じて分
離する質量分析器１４と、この質量分析器１４で分離さ
れたイオンビームから所定のイオンのみを通過させる可
変スリット１５と、この可変スリット１５によって選別
されたイオンビームを所定の速度に加速する加速管１６
と、この加速管１６で加速されたイオンビームを収束す
るレンズ１７と、このレンズ１７によって収束されたイ
オンビームの軌道を定めるＹスキャンプレート１８及び
Ｘスキャンプレート１９と、この両スキャンプレート１
８、１９で軌道の定められたイオンビームをファラデー
２０を経て被処理体である半導体ウエハＷの表面に照射
してその内部にイオンを不純物として注入するように構
成されている。
図２に示すように、真空排気ポンプ１１によって例えば
１０-6Torr程度の高真空に排気された状態下でガス導入
ボックス１２から定量的に導入されたＢＦ3、ＰＨ3、Ａ
sＨ3等のガスに数１０ＫＶという高電圧を印加し、この
ガスをプラズマ状態にして複数種イオンを発生させるイ
オン源１３と、このイオン源１３からイオンビームとし
て引き出された複数種のイオンをイオン電荷に応じて分
離する質量分析器１４と、この質量分析器１４で分離さ
れたイオンビームから所定のイオンのみを通過させる可
変スリット１５と、この可変スリット１５によって選別
されたイオンビームを所定の速度に加速する加速管１６
と、この加速管１６で加速されたイオンビームを収束す
るレンズ１７と、このレンズ１７によって収束されたイ
オンビームの軌道を定めるＹスキャンプレート１８及び
Ｘスキャンプレート１９と、この両スキャンプレート１
８、１９で軌道の定められたイオンビームをファラデー
２０を経て被処理体である半導体ウエハＷの表面に照射
してその内部にイオンを不純物として注入するように構
成されている。
【００１１】そして、上記真空排気ポンプ１１から加速
管１６までの各構成機器は、図１に示すように、ターミ
ナルボックス２１内に収納され、更にこのターミナルボ
ックス２１はエンクロージャー２２によって包囲されて
いる。つまり、上記各構成機器は、上記ターミナルボッ
クス２１と上記エンクロージャー２２からなる二重構造
の室内に収納され、上記ターミナルボックス２１はグラ
ンドに対して碍子２３によって絶縁されて例えば２００
ＫＶの高電圧部２４として構成されている一方、上記エ
ンクロージャー２２はグランドに接地された接地電位に
保持されている。また、このターミナルボックス２１内
に収納された上記真空排気ポンプ１１は、上記イオン源
１３を高真空状態に排気する第１真空ポンプ１１Ａと、
この高真空ポンプ１１Ａに接続され、上記イオン源１３
の内部を粗引きする第２真空ポンプ１１Ｂとから構成さ
れている。
管１６までの各構成機器は、図１に示すように、ターミ
ナルボックス２１内に収納され、更にこのターミナルボ
ックス２１はエンクロージャー２２によって包囲されて
いる。つまり、上記各構成機器は、上記ターミナルボッ
クス２１と上記エンクロージャー２２からなる二重構造
の室内に収納され、上記ターミナルボックス２１はグラ
ンドに対して碍子２３によって絶縁されて例えば２００
ＫＶの高電圧部２４として構成されている一方、上記エ
ンクロージャー２２はグランドに接地された接地電位に
保持されている。また、このターミナルボックス２１内
に収納された上記真空排気ポンプ１１は、上記イオン源
１３を高真空状態に排気する第１真空ポンプ１１Ａと、
この高真空ポンプ１１Ａに接続され、上記イオン源１３
の内部を粗引きする第２真空ポンプ１１Ｂとから構成さ
れている。
【００１２】そして、上記高電圧部２４に設置された第
２真空ポンプ１１Ｂには、図１に示すように、排気ガス
を外部へ排気する排気管２５が接続されている。この排
気管２５は、ステンレス等の導電性部材からなる第１排
気管２５Ａと、この第１排気管２５Ａに介在する塩化ビ
ニル樹脂等の絶縁性材料からなる第２排気管２５Ｂとを
有し、この第２排気管２５Ｂによって高電圧部２４とグ
ランド間を電気的に絶縁するように構成されている。即
ち、上記排気管２５は、第２真空ポンプ１１Ｂに接続さ
れた高電圧部２４側の第１排気管２５Ａと、この第１排
気管２５Ａに接続され且つ上記ターミナルボックス２１
及びエンクロージャー２２の天面を貫通する第２排気管
２５Ｂと、この第２排気管２５Ｂに上記エンクロージャ
ー２２天面の外側で接続された第１排気管２５Ａと、こ
の第１排気管２５Ａに接続された第２排気管２５Ｂと、
この第２排気管２５Ｂに接続された第１排気管２５Ａと
から構成されている。そして、最下流側の第１排気管２
５Ａはそのまま延設されて排気ポンプ（図示せず）によ
って排気ガスを排出するように構成されている。
２真空ポンプ１１Ｂには、図１に示すように、排気ガス
を外部へ排気する排気管２５が接続されている。この排
気管２５は、ステンレス等の導電性部材からなる第１排
気管２５Ａと、この第１排気管２５Ａに介在する塩化ビ
ニル樹脂等の絶縁性材料からなる第２排気管２５Ｂとを
有し、この第２排気管２５Ｂによって高電圧部２４とグ
ランド間を電気的に絶縁するように構成されている。即
ち、上記排気管２５は、第２真空ポンプ１１Ｂに接続さ
れた高電圧部２４側の第１排気管２５Ａと、この第１排
気管２５Ａに接続され且つ上記ターミナルボックス２１
及びエンクロージャー２２の天面を貫通する第２排気管
２５Ｂと、この第２排気管２５Ｂに上記エンクロージャ
ー２２天面の外側で接続された第１排気管２５Ａと、こ
の第１排気管２５Ａに接続された第２排気管２５Ｂと、
この第２排気管２５Ｂに接続された第１排気管２５Ａと
から構成されている。そして、最下流側の第１排気管２
５Ａはそのまま延設されて排気ポンプ（図示せず）によ
って排気ガスを排出するように構成されている。
【００１３】更に、上記第２排気管２５Ｂ、２５Ｂ間に
介在する第１排気管２５Ａと接地されたエンクロージャ
ー２２との間には導線２６Ａ、２６Ｂを介して電流計２
７が接続され、この電流計２７によって高電位の第１排
気管２５Ａから第２排気管２５Ｂを経てグランド側へリ
ークする電流を検出し、このリーク電流によって第２排
気管２５Ｂの絶縁不良を検出するように構成されてい
る。また、２箇所の第２排気管２５Ｂ、２５Ｂのうち、
下流側の第２排気管２５Ｂは、上流側の第２排気管２５
Ｂからのリーク電流を第１排気管２５Ａに封じ込め、こ
のリーク電流を確実に上記電流計２７へ導く役割を果た
すように構成されている。そして、この電流計２７は、
そのメータ２７Ａが設定値、例えば１００μＡを超えた
時に制御装置２８を介して警報を発し、排気管２５に絶
縁不良が生じた旨を作業員に報知すると共に、装置への
高電圧の印加を停止してその稼動を自動的に中断するよ
うに構成されている。また、上記設定値は、系内に導入
されるガスの種類によって０〜２００μＡの範囲で適宜
変更できるように構成されている。尚、図２において、
２９はロードロック室、３０はターンテーブル、３１は
半導体ウエハＷを収納したカセットである。
介在する第１排気管２５Ａと接地されたエンクロージャ
ー２２との間には導線２６Ａ、２６Ｂを介して電流計２
７が接続され、この電流計２７によって高電位の第１排
気管２５Ａから第２排気管２５Ｂを経てグランド側へリ
ークする電流を検出し、このリーク電流によって第２排
気管２５Ｂの絶縁不良を検出するように構成されてい
る。また、２箇所の第２排気管２５Ｂ、２５Ｂのうち、
下流側の第２排気管２５Ｂは、上流側の第２排気管２５
Ｂからのリーク電流を第１排気管２５Ａに封じ込め、こ
のリーク電流を確実に上記電流計２７へ導く役割を果た
すように構成されている。そして、この電流計２７は、
そのメータ２７Ａが設定値、例えば１００μＡを超えた
時に制御装置２８を介して警報を発し、排気管２５に絶
縁不良が生じた旨を作業員に報知すると共に、装置への
高電圧の印加を停止してその稼動を自動的に中断するよ
うに構成されている。また、上記設定値は、系内に導入
されるガスの種類によって０〜２００μＡの範囲で適宜
変更できるように構成されている。尚、図２において、
２９はロードロック室、３０はターンテーブル、３１は
半導体ウエハＷを収納したカセットである。
【００１４】次に、動作について説明する。イオン注入
装置１０を稼動している間に、真空排気ポンプ１１から
の排気ガスが排気管２５内を流れ外部へ排気される際
に、この排気ガス中のオイル、ダスト等の浮遊物が第２
排気管２５Ｂの内面に付着して蓄積されると、蓄積され
た浮遊物によって上流側の第２排気管２５Ｂの絶縁性が
徐々に低下し、この付着した浮遊物によってこの第２排
気管２５Ｂの絶縁不良が引き起こされると、高電圧部２
４と接地間の高い電位差によって第２排気管２５Ｂの絶
縁破壊が生じて第２排気管２５Ｂをリーク電流が流れ、
このリーク電流が第１排気管２５Ａを経由して確実に電
流計２７へ流れ、更に浮遊物が第２排気管２５Ｂに蓄積
されてリーク電流が電流計２７の設定値である１００μ
Ａに達する。この時、電流計２７から電気信号が制御装
置２８へ送信され、この制御装置２８を介して自動的に
警報を発すると共に装置の稼動を自動的に停止して作業
員に排気管２５の汚れが限界に達したこと、即ち排気管
２５がクリーニング時期に達したことを知らせ、排気管
２５のリーク電流による焼損が自動的に防止されると共
に、作業員は排気管２５をクリーニングしたり、必要に
応じて第２排気管２５Ｂを交換したりすることができ
る。
装置１０を稼動している間に、真空排気ポンプ１１から
の排気ガスが排気管２５内を流れ外部へ排気される際
に、この排気ガス中のオイル、ダスト等の浮遊物が第２
排気管２５Ｂの内面に付着して蓄積されると、蓄積され
た浮遊物によって上流側の第２排気管２５Ｂの絶縁性が
徐々に低下し、この付着した浮遊物によってこの第２排
気管２５Ｂの絶縁不良が引き起こされると、高電圧部２
４と接地間の高い電位差によって第２排気管２５Ｂの絶
縁破壊が生じて第２排気管２５Ｂをリーク電流が流れ、
このリーク電流が第１排気管２５Ａを経由して確実に電
流計２７へ流れ、更に浮遊物が第２排気管２５Ｂに蓄積
されてリーク電流が電流計２７の設定値である１００μ
Ａに達する。この時、電流計２７から電気信号が制御装
置２８へ送信され、この制御装置２８を介して自動的に
警報を発すると共に装置の稼動を自動的に停止して作業
員に排気管２５の汚れが限界に達したこと、即ち排気管
２５がクリーニング時期に達したことを知らせ、排気管
２５のリーク電流による焼損が自動的に防止されると共
に、作業員は排気管２５をクリーニングしたり、必要に
応じて第２排気管２５Ｂを交換したりすることができ
る。
【００１５】以上説明したように本実施例によれば、排
気管２５を導電性部材からなる第１排気管２５Ａと、こ
の第１排気管２５Ａに介装された第２排気管２５Ｂとで
構成すると共に、第２排気管２５Ｂのリーク電流を検出
する電流計２７を設けたことにより、排気管２５内面の
汚れをクリーニングすべき時期を自動的に知ることがで
き、第２排気管２５Ｂの焼損を招く虞がない。また、排
気管２５のクリーニング間隔を作業員の単なる経験に頼
ることなく、その間隔を精確に知ることができる。ま
た、上流側の第２排気管２５Ｂからのリーク電流は、下
流側の第２排気管２５Ｂによって全て電流計２７へ流れ
込むため、電流計２７によるリーク電流の検出を確実に
行なうことができる。
気管２５を導電性部材からなる第１排気管２５Ａと、こ
の第１排気管２５Ａに介装された第２排気管２５Ｂとで
構成すると共に、第２排気管２５Ｂのリーク電流を検出
する電流計２７を設けたことにより、排気管２５内面の
汚れをクリーニングすべき時期を自動的に知ることがで
き、第２排気管２５Ｂの焼損を招く虞がない。また、排
気管２５のクリーニング間隔を作業員の単なる経験に頼
ることなく、その間隔を精確に知ることができる。ま
た、上流側の第２排気管２５Ｂからのリーク電流は、下
流側の第２排気管２５Ｂによって全て電流計２７へ流れ
込むため、電流計２７によるリーク電流の検出を確実に
行なうことができる。
【００１６】尚、上記実施例では第２排気管２５Ｂを２
箇所に設け、下流側の第２排気管２５Ｂでリーク電流を
これら両者間２５Ｂ、２５Ｂ間に介在する第１排気管２
５Ａに封じ込めるようにしたものについて説明したが、
下流側の第２排気管２５Ｂは設けなくても、電流計２７
の感度を高めることによって実質的に同様の機能を確保
することができる。従って、本発明は、上記実施例に何
等制限されるものでなく、真空排気ポンプの排気管を、
導電性部材からなる第１排気管とこの第１排気管の途中
に介在し且つ上記高電圧部２４をグランドから絶縁する
絶縁性部材からなる第２排気管とから構成し、第２排気
管より外方の第１排気管とグランド間に電流計を接続
し、この電流計をを流れる電流から第２排気管の絶縁状
態を検出するように構成したものであれば、全て本発明
の包含される。
箇所に設け、下流側の第２排気管２５Ｂでリーク電流を
これら両者間２５Ｂ、２５Ｂ間に介在する第１排気管２
５Ａに封じ込めるようにしたものについて説明したが、
下流側の第２排気管２５Ｂは設けなくても、電流計２７
の感度を高めることによって実質的に同様の機能を確保
することができる。従って、本発明は、上記実施例に何
等制限されるものでなく、真空排気ポンプの排気管を、
導電性部材からなる第１排気管とこの第１排気管の途中
に介在し且つ上記高電圧部２４をグランドから絶縁する
絶縁性部材からなる第２排気管とから構成し、第２排気
管より外方の第１排気管とグランド間に電流計を接続
し、この電流計をを流れる電流から第２排気管の絶縁状
態を検出するように構成したものであれば、全て本発明
の包含される。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、排
気管の絶縁不良を適時に確実に検出してクリーニング時
期を報知するイオン注入装置を提供することができる。
気管の絶縁不良を適時に確実に検出してクリーニング時
期を報知するイオン注入装置を提供することができる。
【図１】本発明のイオン注入装置の一実施例の一部を破
断して示す全体の斜視図である。
断して示す全体の斜視図である。
【図２】図１に示すイオン注入装置の全体を示す構成図
である。
である。
１０ イオン注入装置 １１ 真空排気ポンプ １２ ガス導入ボックス １３ イオン源 １４ 質量分析器 ２４ 高電圧部 ２５ 排気管 ２５Ａ 第１排気管 ２５Ｂ 第２排気管 ２７ 電流計
Claims (1)
- 【請求項１】 真空排気ポンプで排気された高真空下
で、イオン源で発生したイオンを質量分析して所定のイ
オンを選択して取り出し、取り出されたイオンを加速す
る高電圧部を備え、この高電圧部で加速されたイオンを
被処理体内に注入するイオン注入装置において、上記高
電圧部に設置された上記真空排気ポンプの排気管を、導
電性部材からなる第１排気管とこの第１排気管の途中に
介在し且つ上記高電圧部をグランドから絶縁する絶縁性
部材からなる第２排気管とから構成すると共に、上記第
２排気管より外方の第１排気管とグランド間に上記第２
排気管２５Ｂのリーク電流を検出する電流計を接続し、
この電流計によって上記第２排気管の絶縁状態を検出す
るように構成したことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22464992A JP3400471B2 (ja) | 1992-08-01 | 1992-08-01 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22464992A JP3400471B2 (ja) | 1992-08-01 | 1992-08-01 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652821A true JPH0652821A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3400471B2 JP3400471B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=16817037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22464992A Expired - Fee Related JP3400471B2 (ja) | 1992-08-01 | 1992-08-01 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3400471B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007126966A2 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| JP2014137998A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ims Nanofabrication Ag | 荷電粒子光学機器用高電圧絶縁装置 |
| JP7333884B1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-08-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電気部品、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
-
1992
- 1992-08-01 JP JP22464992A patent/JP3400471B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007126966A2 (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| WO2007126966A3 (en) * | 2006-03-31 | 2008-03-06 | Varian Semiconductor Equipment | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| US8143604B2 (en) | 2006-03-31 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system |
| JP2014137998A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Ims Nanofabrication Ag | 荷電粒子光学機器用高電圧絶縁装置 |
| JP7333884B1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-08-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電気部品、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
| WO2023188336A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電気部品、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
| US11979970B2 (en) | 2022-03-31 | 2024-05-07 | Canon Anelva Corporation | Electric component, X-ray generation apparatus, and X-ray imaging apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3400471B2 (ja) | 2003-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0416549B1 (en) | Ion implantation equipment | |
| JP4803878B2 (ja) | プラズマ浸漬イオン注入ドーピング装置用のドーズ量モニター | |
| KR950001252B1 (ko) | 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법 | |
| JP2012109570A (ja) | プラズマドーピングシステムのためのドーズ量モニター | |
| JPH07101603B2 (ja) | 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法 | |
| CN113169018B (zh) | 使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法 | |
| US7476877B2 (en) | Wafer charge monitoring | |
| KR0133320B1 (ko) | 이온 비임 전위 검출 프로브 | |
| JP3400471B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP4911567B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| CN107430974B (zh) | 双极性晶片电荷监测器系统及包含其的离子注入系统 | |
| KR100219411B1 (ko) | 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 | |
| US5370568A (en) | Curing of a tungsten filament in an ion implanter | |
| JP3405161B2 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
| JP2762845B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR101017219B1 (ko) | 이온주입장치용 아크챔버의 아킹검출시스템 및아킹검출방법 | |
| KR100217334B1 (ko) | 이온주입설비의 이차전자 발생 억제전압 인가장치 | |
| JPH08106876A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| JPH10199471A (ja) | 排気管汚れ検知装置 | |
| King et al. | A method of surface charge neutralization during ion implantation | |
| JPH08273895A (ja) | イオンビームの加速装置 | |
| JPH0613017A (ja) | 処理装置及びイオン注入装置 | |
| JPH03264665A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0636739A (ja) | イオン注入装置 | |
| KR19990040895A (ko) | 고전압 감지부를 갖는 이온 주입 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |