JPH02174138A - 電子ビームを用いた基板検査装置 - Google Patents
電子ビームを用いた基板検査装置Info
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- JPH02174138A JPH02174138A JP63330363A JP33036388A JPH02174138A JP H02174138 A JPH02174138 A JP H02174138A JP 63330363 A JP63330363 A JP 63330363A JP 33036388 A JP33036388 A JP 33036388A JP H02174138 A JPH02174138 A JP H02174138A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビームを用いた基板検査装置に関する。
従来の技術としては、例えば、特公昭６２−３９９４２
号公報に示されているような、接続導体間の短絡を検出
する技術がある。
号公報に示されているような、接続導体間の短絡を検出
する技術がある。
次に従来の電子ビームを用いた基板検査装置について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
第７図は従来の電子ビームを用いた基板検査装置の一例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
第７図に示す電子ビームを用いた基板検査装置は、真空
槽１と、集束された電子ビーム１６を発生す電子光学鏡
筒２と、電子光学鏡筒２の制御部１２と、被検査基板３
を真空槽１内でＸ−Ｙ方向に移動するテーブル１０と、
テーブル１０の制御部１５と、被検査基板３の上面全体
にわたって均一に照射される電子ビームを発生する電子
銃２２と、被検査基板３の下面全体にわたって均一に照
射される電子ビームを発生する電子銃２３と、被検査基
板３に電子ビームをあてたときに発生する２次電子を検
出する２次電子検出器５と、２次電子検出器５の信号を
処理する信号処理部１ｊと全体を制御する制御部６とを
含んで構成される。
槽１と、集束された電子ビーム１６を発生す電子光学鏡
筒２と、電子光学鏡筒２の制御部１２と、被検査基板３
を真空槽１内でＸ−Ｙ方向に移動するテーブル１０と、
テーブル１０の制御部１５と、被検査基板３の上面全体
にわたって均一に照射される電子ビームを発生する電子
銃２２と、被検査基板３の下面全体にわたって均一に照
射される電子ビームを発生する電子銃２３と、被検査基
板３に電子ビームをあてたときに発生する２次電子を検
出する２次電子検出器５と、２次電子検出器５の信号を
処理する信号処理部１ｊと全体を制御する制御部６とを
含んで構成される。
第８図は被検査基板３の詳細を示す断面図である。
セラミックス基板１８の内部に、金属の配線材料１つに
より、配線パターンを形成し、上面の端子（以下パッド
という）およびコンタクトビン２０の相互接続された構
造となっている。
より、配線パターンを形成し、上面の端子（以下パッド
という）およびコンタクトビン２０の相互接続された構
造となっている。
次に、検査手順を説明する。
被検査基板３の下面のコンタクトビン２０と上面のパッ
ドＡ、Ｂ、Ｃとの接続を検査する場合について述べる。
ドＡ、Ｂ、Ｃとの接続を検査する場合について述べる。
電子銃２３により、被検査基板３の下面に電子ビームを
照射する。すると、コンタクトビン２０は電子を注入さ
れるので、コンタクトビン２０に接続される配線パター
ンが負に帯電する。
照射する。すると、コンタクトビン２０は電子を注入さ
れるので、コンタクトビン２０に接続される配線パター
ンが負に帯電する。
次に、電子ビーム１６を偏向し、特定のパッドに電子を
照射する。このとき、パッドがコンタクトビン２０と接
続しているときは、パッドは負に帯電しているので、強
い２次電子信号が２次電子検出器５に現われる。
照射する。このとき、パッドがコンタクトビン２０と接
続しているときは、パッドは負に帯電しているので、強
い２次電子信号が２次電子検出器５に現われる。
一方、パッドがコンタクトビン２０と接続していないと
きは、パッドは負に帯電していないので、強い２次電子
信号は発生しない。
きは、パッドは負に帯電していないので、強い２次電子
信号は発生しない。
そこで、上面のパッド群に順次電子ビーム１６を偏向し
、得られた２次電子検出信号が強いが否かと、あらかじ
めシステム制御部６に記憶した２０とパッドとの接続情
報を比較することにより、コンタクトビン２０とパッド
の接続が正しく行なわれているかを検査する。
、得られた２次電子検出信号が強いが否かと、あらかじ
めシステム制御部６に記憶した２０とパッドとの接続情
報を比較することにより、コンタクトビン２０とパッド
の接続が正しく行なわれているかを検査する。
パッド相互の導通検査をするときは、まず電子銃２２に
より被検査基板３の上面に電子ビームを照射する。続い
て電子銃２２の電子ビームを切り、電子ビーム１６をあ
らがしめシステム制御部６に記憶した順序でパッドに偏
向する。
より被検査基板３の上面に電子ビームを照射する。続い
て電子銃２２の電子ビームを切り、電子ビーム１６をあ
らがしめシステム制御部６に記憶した順序でパッドに偏
向する。
電子ビーム１６の加速電圧は、入射電流に比べて放出電
流が大きくなる条件に設定されているので、パッドに電
子が帯電しているときは、電子ビム１６の照射により、
強い２次電子検出信号が得られるとともに、帯電電荷が
減少し無くなる。
流が大きくなる条件に設定されているので、パッドに電
子が帯電しているときは、電子ビム１６の照射により、
強い２次電子検出信号が得られるとともに、帯電電荷が
減少し無くなる。
そこで、例えば第８図の配線パターンＤ゛のパッドＡと
パッドＢ、Ｃの接続状態を検査するときには、まずパッ
ドＡに電子ビーム１６を照射する。
パッドＢ、Ｃの接続状態を検査するときには、まずパッ
ドＡに電子ビーム１６を照射する。
すると、配線パターンＤにおける電子銃２２による電子
の帯電は無くなる。
の帯電は無くなる。
続いて、パッドＢに電子ビーム１６を照射すると、パッ
ドＡとパッドＢが接続しているときは、すでにパッドＢ
の帯電がないので、強い２次電子検出信号は得られない
。パッドＡとパッドＢが断線しているときは、パッドＢ
の帯電がなくなっていないので、強い２次電子検出信号
は得られる。
ドＡとパッドＢが接続しているときは、すでにパッドＢ
の帯電がないので、強い２次電子検出信号は得られない
。パッドＡとパッドＢが断線しているときは、パッドＢ
の帯電がなくなっていないので、強い２次電子検出信号
は得られる。
そこで、あらかじめ、システム制御部６に記憶した適当
な順序により、パッドに電子ビーム１６を偏向すること
により、パッド相互の導通検査をする。
な順序により、パッドに電子ビーム１６を偏向すること
により、パッド相互の導通検査をする。
上述した従来の電子ビームを用いた基板検査装置は、読
み出しビームのパッドへの照射回数が、最低でパッドと
同数であり、パターン同志の短絡不良がある場合、その
位置を決定するには、再度書き込みの後、適当な順序で
読み出しビームの再照射を行なう必要がある。上記読み
出しビームの再照射回数は、不良数に依存する。したが
って、生産現場で基板の不良解析を行なう場合、基板毎
に検査時間が異なるため、大量に検査する場合、計画が
立てに＜＜、検査時間が冗長になるという欠点があった
。
み出しビームのパッドへの照射回数が、最低でパッドと
同数であり、パターン同志の短絡不良がある場合、その
位置を決定するには、再度書き込みの後、適当な順序で
読み出しビームの再照射を行なう必要がある。上記読み
出しビームの再照射回数は、不良数に依存する。したが
って、生産現場で基板の不良解析を行なう場合、基板毎
に検査時間が異なるため、大量に検査する場合、計画が
立てに＜＜、検査時間が冗長になるという欠点があった
。
また、短絡試験をする場合、一つのパターンに接続する
すべてのパッドを順次読み出すが、基板が大きくパッド
が離れている場合、読み出しビムの偏向範囲に入りきら
ず、基板の機械的な移動が必要になる。したがって、基
板が大型になると機械的な移動回数が多くなり、その移
動速度は電子ビームの偏向に比較して著しく遅いので、
高速な試験が妨げられるという欠点があった。
すべてのパッドを順次読み出すが、基板が大きくパッド
が離れている場合、読み出しビムの偏向範囲に入りきら
ず、基板の機械的な移動が必要になる。したがって、基
板が大型になると機械的な移動回数が多くなり、その移
動速度は電子ビームの偏向に比較して著しく遅いので、
高速な試験が妨げられるという欠点があった。
本発明の電子ビームを用いた基板検査装置は、（Ａ）被
検査基板を収容する真空槽、 （Ｂ）前記真空槽に取付けられ、前記被検査基板上に偏
向、照射される電子ビームを発生する電子光学鏡筒、 （Ｃ）前記電子ビームの照射により発生する２次電子を
検出し、検出信号を出力する２次電子検出器、 （Ｄ）前記検出信号を処理し、処理信号を出力する信号
処理部、 （Ｅ）前記真空槽内の前記被検査基板に隣接して平行に
設置される導体板、 （Ｆ）前記真空槽内に設置され、前記被検査基板上の配
線パターンの帯電状態を制御する制御電極、 （Ｇ）前記処理信号にもとづいて、前記導体板に発振制
御信号を供給する発振制御部、 （Ｈ）前記被検査基板の前記真空槽内での位置を決める
位置決め部、 （１）前記処理信号の周波数を検出し、周波数信号を出
力する周波数検出部、 （Ｊ）前記電子光学鏡筒、信号処理部１位置決め部を制
御し、前記周波数信号にもとづいて、前記配線パターン
の導通、断線、および絶縁状態を判定するシステム制御
部、 とを含んで構成される。
検査基板を収容する真空槽、 （Ｂ）前記真空槽に取付けられ、前記被検査基板上に偏
向、照射される電子ビームを発生する電子光学鏡筒、 （Ｃ）前記電子ビームの照射により発生する２次電子を
検出し、検出信号を出力する２次電子検出器、 （Ｄ）前記検出信号を処理し、処理信号を出力する信号
処理部、 （Ｅ）前記真空槽内の前記被検査基板に隣接して平行に
設置される導体板、 （Ｆ）前記真空槽内に設置され、前記被検査基板上の配
線パターンの帯電状態を制御する制御電極、 （Ｇ）前記処理信号にもとづいて、前記導体板に発振制
御信号を供給する発振制御部、 （Ｈ）前記被検査基板の前記真空槽内での位置を決める
位置決め部、 （１）前記処理信号の周波数を検出し、周波数信号を出
力する周波数検出部、 （Ｊ）前記電子光学鏡筒、信号処理部１位置決め部を制
御し、前記周波数信号にもとづいて、前記配線パターン
の導通、断線、および絶縁状態を判定するシステム制御
部、 とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
第１図に示す電子ビームを用いた基板検査装置は、
（Ａ）被検査基板３を収容する真空Ｍ１、（Ｂ）真空槽
１に取付けられ、被検査基板３上に偏向、照射される電
子ビーム１６を発生する電子光学鏡筒２、 （Ｃ）電子ビーム１６の照射により発生する２次電子を
検出し、検出信号ａを出力する２次電子検出器５、 （Ｄ）検出信号ａを処理し、処理信号すを出力する信号
処理部１３、 （Ｅ）真空槽１内の被検査基板３に隣接して平行に設置
される金属板４、 （Ｆ）真空槽１内に設置され、被検査基板３上の配線パ
ターンの帯電状態を制御するグリッド１１、 （Ｇ）処理信号すにもとづいて、金属板４に発振制御信
号Ｃを供給する発振制御部７、 （Ｉｆ）被検査基板３の真空槽１内での位置を決めるテ
ーブル制御部１５、 （１）処理信号Ｃの周波数を検出し、周波数信号ｄを出
力する周波数検出部１４、 （Ｊ）電子光学鏡筒２．信号処理部１３．テーブル制御
部１５を制御し、周波数信号ｄにもとづいて、前記配線
パターンの導通、断線、および絶縁状態を判定するシス
テム制御部６、 とを含んで構成される。
１に取付けられ、被検査基板３上に偏向、照射される電
子ビーム１６を発生する電子光学鏡筒２、 （Ｃ）電子ビーム１６の照射により発生する２次電子を
検出し、検出信号ａを出力する２次電子検出器５、 （Ｄ）検出信号ａを処理し、処理信号すを出力する信号
処理部１３、 （Ｅ）真空槽１内の被検査基板３に隣接して平行に設置
される金属板４、 （Ｆ）真空槽１内に設置され、被検査基板３上の配線パ
ターンの帯電状態を制御するグリッド１１、 （Ｇ）処理信号すにもとづいて、金属板４に発振制御信
号Ｃを供給する発振制御部７、 （Ｉｆ）被検査基板３の真空槽１内での位置を決めるテ
ーブル制御部１５、 （１）処理信号Ｃの周波数を検出し、周波数信号ｄを出
力する周波数検出部１４、 （Ｊ）電子光学鏡筒２．信号処理部１３．テーブル制御
部１５を制御し、周波数信号ｄにもとづいて、前記配線
パターンの導通、断線、および絶縁状態を判定するシス
テム制御部６、 とを含んで構成される。
次に、測定の原理を示す。
一般に入射した電子ビームに対して発生する２次電子の
量は、加速電圧の関数であり、低加速電圧（数ｋＶ以下
）における加速電圧と２次電子放射率との関係は、第２
図に示される。
量は、加速電圧の関数であり、低加速電圧（数ｋＶ以下
）における加速電圧と２次電子放射率との関係は、第２
図に示される。
グリッド１１に適当な電圧を印加すると、発生した２次
電子のうち一部がグリッド１１に補足される。この関係
を示したのが第３図である。
電子のうち一部がグリッド１１に補足される。この関係
を示したのが第３図である。
第３図の領域ｄで示した補集効率１の領域は、発生した
２次電子をすべて補集することを表わし、領域ｅは発生
した２次電子のすべてがグリッド１１に補集されず、一
部が配線パターンに追い戻され、配線パターンに電子が
帯電することを表わす。
２次電子をすべて補集することを表わし、領域ｅは発生
した２次電子のすべてがグリッド１１に補集されず、一
部が配線パターンに追い戻され、配線パターンに電子が
帯電することを表わす。
したがって、グリッド１１により追い戻されて帯電する
効果も含めた２次電子放出率は、第２図と第３図との重
ね合わせの第４図となる。
効果も含めた２次電子放出率は、第２図と第３図との重
ね合わせの第４図となる。
電子ビーム１６を配線パターンに照射しつづけると、電
子ビーム１６の加速電圧を第４図のｆ点の付近に取れば
、配線パターンは正または負に帯電して平衡状態になる
。
子ビーム１６の加速電圧を第４図のｆ点の付近に取れば
、配線パターンは正または負に帯電して平衡状態になる
。
平衡状態で金属板４に正の電圧を加えると、配線パター
ンには、配線パターンと金属板４との間の静電容量（以
下パターン容量という）を介して正の電圧が表われる。
ンには、配線パターンと金属板４との間の静電容量（以
下パターン容量という）を介して正の電圧が表われる。
すると、実効的に加速電圧が大きくなったように見える
ので、２次電子放出率が小さくな番。すると、配線パタ
ーンに電子が追い戻されるので電子が蓄積し、パターン
容量に負電圧が発生する。
ので、２次電子放出率が小さくな番。すると、配線パタ
ーンに電子が追い戻されるので電子が蓄積し、パターン
容量に負電圧が発生する。
この負電圧と金属板４に加えた正電圧が釣り合ったとこ
ろで平衡状態が回復する。
ろで平衡状態が回復する。
逆に、平衡状態で金属板４に負電圧を加えると、配線パ
ターンには負電圧が現われるので、２次電子放出率が１
より大きくなり、配線パターンに正電圧が発生して平衡
状態を回復する。
ターンには負電圧が現われるので、２次電子放出率が１
より大きくなり、配線パターンに正電圧が発生して平衡
状態を回復する。
ここで、２次電子検出器５の引出し電界を適当に設定す
ると、グリッド１１に補集される２次電子の一部を一定
の割合で２次電子検出器５に取り込むことができる。２
次電子検出器５の検出信号ａはグリッド１１に補集され
る２次電子量に比例しており、グリッド１１に補集され
る２次電子量は配線パターンの電圧を反映している。
ると、グリッド１１に補集される２次電子の一部を一定
の割合で２次電子検出器５に取り込むことができる。２
次電子検出器５の検出信号ａはグリッド１１に補集され
る２次電子量に比例しており、グリッド１１に補集され
る２次電子量は配線パターンの電圧を反映している。
従って、２次電子検出器５の出力を発振制御部７を介し
て金属板４に接続すると、２次電子検出器５の出力→発
振制御部７→パターン容量→２次電子検出器５という電
気的ループが形成でき、パターン容量を反映した発振周
波数で発振を起すことができる。
て金属板４に接続すると、２次電子検出器５の出力→発
振制御部７→パターン容量→２次電子検出器５という電
気的ループが形成でき、パターン容量を反映した発振周
波数で発振を起すことができる。
この発振周波数を測定することにより、バタン容量を計
算でき、このパターン容量から配線パターンの導通、断
線状態を判定できる。
算でき、このパターン容量から配線パターンの導通、断
線状態を判定できる。
第５図は発振制御部７の詳細回路図、第６図はその等価
回路図である。
回路図である。
２つは電子ビーム１６の電流量と、第４図の点ｆで示し
た特性の傾きにより決まる等測的な抵抗、２８はパター
ン容量である。
た特性の傾きにより決まる等測的な抵抗、２８はパター
ン容量である。
発振周波数は２５．２６の抵抗値および２６゜２８の静
電容量の積で決まり、パターン容量２８以外は既知であ
るから、パターン容量２８が計算できる。
電容量の積で決まり、パターン容量２８以外は既知であ
るから、パターン容量２８が計算できる。
以下にパターン容量２８により、導通、断線状態を判定
する方法を述べる。
する方法を述べる。
配線パターンが途中で断線している場合は、電子ビーム
１６を照射しているパッドに接続している配線の長さが
短かくなるので、パターン容量２８は正常な場合に比べ
て小さくなる。
１６を照射しているパッドに接続している配線の長さが
短かくなるので、パターン容量２８は正常な場合に比べ
て小さくなる。
配線パターンが他の配線パターンと短緒している場合は
、電子ビーム１６が照射しているパッドに接続している
配線の長さが長くなるので、パターン容量２８は正常な
場合に比べて大きくなる。
、電子ビーム１６が照射しているパッドに接続している
配線の長さが長くなるので、パターン容量２８は正常な
場合に比べて大きくなる。
正常な場合のパターン容量２８は、正常に配線パターン
の寸法からあらかじめ計算し、システム制御部６に記憶
しておき、上述の方法で測定した値と比較することによ
り、配線パターンの良否を判定する。
の寸法からあらかじめ計算し、システム制御部６に記憶
しておき、上述の方法で測定した値と比較することによ
り、配線パターンの良否を判定する。
なお、本実施例では配線パターンと金属板４との間の静
電容量をパターン容量２８として利用しているが、パタ
ーン容量としては配線パターンの寸法を反映していれば
良いのであって、たとえば金属板４の代りに、基板中の
ＧＮＤパターンあるいは電源パターンといった面積の大
きいパターンにコイルを接続し、配線パターンと上記面
積の大きいパターンの間の静電容量をパターン容量とし
ても良い。
電容量をパターン容量２８として利用しているが、パタ
ーン容量としては配線パターンの寸法を反映していれば
良いのであって、たとえば金属板４の代りに、基板中の
ＧＮＤパターンあるいは電源パターンといった面積の大
きいパターンにコイルを接続し、配線パターンと上記面
積の大きいパターンの間の静電容量をパターン容量とし
ても良い。
また、本実施例では２次電子検出器５とグリッドを分割
しているが、これを一体化し、グリッドあるいは２次電
子検出器を省略できる。
しているが、これを一体化し、グリッドあるいは２次電
子検出器を省略できる。
本発明の電子ビームを用いた基板検査装置は、検査計画
が立て易く冗長な検査時間をなくすことができるという
効果がある。
が立て易く冗長な検査時間をなくすことができるという
効果がある。
本発明の電子ビームを用いた基板検査装置は、高速試験
ができるという効果がある。
ができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
２次電子放出率の関係を示すグラフ、第３図は２次電子
補集効率の関係を示すグラフ、第４図は電子ビームの加
速電圧と実効的な２次電子放出率との関係を示すグラフ
、第５図は第１図に示す発振制御部の詳細回路図、第６
図は第６図の発振制御部の等価回路図、第７図は従来の
一例を示すブロック図、第８図は被検査基板の断面図で
ある。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・電子光学鏡筒、
３・・・・・・被検査基板、４・・・・・・金属板、５
・・・・・・２次電子検出器、６・・・・・・システム
制御部、７・・・・・・発振制御部、９・・・・・・電
源、１０・・・・・・Ｘ−Ｙテーブル、１１・・・・・
・グリッド、１２・・・・・・電子ビーム制御部、１３
・・・・・・信号処理部、１４・・・・・・周波数検出
部、１５・・・・・・テーブル制御部、１６・・・・・
・電子ビーム、１７・・・・・・パッド、１つ・・・・
・・配線材料、２０・・・・・・コンタクトピン、２２
．２３・・・・・・電子銃、２４・・・・・・集束、偏
向系、２５・・・・・・抵抗器、２６・・・・・・コン
デンサ、２７・・・・・・電圧増幅器、２８・・・・・
・パターン容量、２９・・・・・・電子ビームの等価抵
抗、 ａ・・・・・・２次電子放出率が１より大きい領域、ｂ
・・・・・・２次電子放出率が１となる点、Ｃ・・・・
・・２次電子放出率が１より小さい領域、ｄ・・・・・
・２次電子補集率が１の領域、ｅ・・・・・２次電子補
集率が１より小さい領域、ｆ・・・・・・実効的な２次
電子補集率が１となる点。 代理人 弁理士 内 原 晋 箭８図 第１図 第２図 電（ビームのガｌぎ電圧 菊３図 第 図 箭 汐 図 ’？ＮＤ 第 乙図
２次電子放出率の関係を示すグラフ、第３図は２次電子
補集効率の関係を示すグラフ、第４図は電子ビームの加
速電圧と実効的な２次電子放出率との関係を示すグラフ
、第５図は第１図に示す発振制御部の詳細回路図、第６
図は第６図の発振制御部の等価回路図、第７図は従来の
一例を示すブロック図、第８図は被検査基板の断面図で
ある。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・電子光学鏡筒、
３・・・・・・被検査基板、４・・・・・・金属板、５
・・・・・・２次電子検出器、６・・・・・・システム
制御部、７・・・・・・発振制御部、９・・・・・・電
源、１０・・・・・・Ｘ−Ｙテーブル、１１・・・・・
・グリッド、１２・・・・・・電子ビーム制御部、１３
・・・・・・信号処理部、１４・・・・・・周波数検出
部、１５・・・・・・テーブル制御部、１６・・・・・
・電子ビーム、１７・・・・・・パッド、１つ・・・・
・・配線材料、２０・・・・・・コンタクトピン、２２
．２３・・・・・・電子銃、２４・・・・・・集束、偏
向系、２５・・・・・・抵抗器、２６・・・・・・コン
デンサ、２７・・・・・・電圧増幅器、２８・・・・・
・パターン容量、２９・・・・・・電子ビームの等価抵
抗、 ａ・・・・・・２次電子放出率が１より大きい領域、ｂ
・・・・・・２次電子放出率が１となる点、Ｃ・・・・
・・２次電子放出率が１より小さい領域、ｄ・・・・・
・２次電子補集率が１の領域、ｅ・・・・・２次電子補
集率が１より小さい領域、ｆ・・・・・・実効的な２次
電子補集率が１となる点。 代理人 弁理士 内 原 晋 箭８図 第１図 第２図 電（ビームのガｌぎ電圧 菊３図 第 図 箭 汐 図 ’？ＮＤ 第 乙図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ）被検査基板を収容する真空槽、 （Ｂ）前記真空槽に取付けられ、前記被検査基板上に偏
向、照射される電子ビームを発生する電子光学鏡筒、 （Ｃ）前記電子ビームの照射により発生する２次電子を
検出し、検出信号を出力する２次電子検出器、 （Ｄ）前記検出信号を処理し、処理信号を出力する信号
処理部、 （Ｅ）前記真空槽内の前記被検査基板に隣接して平行に
設置される導体板、 （Ｆ）前記真空槽内に設置され、前記被検査基板上の配
線パターンの帯電状態を制御する制御電極、 （Ｇ）前記処理信号にもとづいて、前記導体板に発振制
御信号を供給する発振制御部、 （Ｈ）前記被検査基板の前記真空槽内での位置を決める
位置決め部、 （Ｉ）前記処理信号の周波数を検出し、周波数信号を出
力する周波数検出部、 （Ｊ）前記電子光学鏡筒、信号処理部、位置決め部を制
御し、前記周波数信号にもとづいて、前記配線パターン
の導通、断線、および絶縁状態を判定するシステム制御
部、 とを含むことを特徴とする電子ビームを用いた基板検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330363A JPH02174138A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 電子ビームを用いた基板検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330363A JPH02174138A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 電子ビームを用いた基板検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174138A true JPH02174138A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18231772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330363A Pending JPH02174138A (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 電子ビームを用いた基板検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5337004A (en) * | 1991-07-24 | 1994-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | System for inspecting electrically conductive patterns such as antenna patterns on window glass |
| US6204075B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of detecting defects in a wiring process |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP63330363A patent/JPH02174138A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5337004A (en) * | 1991-07-24 | 1994-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | System for inspecting electrically conductive patterns such as antenna patterns on window glass |
| US6204075B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of detecting defects in a wiring process |
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