JP4537730B2 - 半導体検査方法及びそのシステム - Google Patents
半導体検査方法及びそのシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4537730B2 JP4537730B2 JP2004050296A JP2004050296A JP4537730B2 JP 4537730 B2 JP4537730 B2 JP 4537730B2 JP 2004050296 A JP2004050296 A JP 2004050296A JP 2004050296 A JP2004050296 A JP 2004050296A JP 4537730 B2 JP4537730 B2 JP 4537730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged
- sample surface
- irradiating
- inspection method
- semiconductor inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
Description
ステップ1
帯電に電子を用いるかイオンを用いるかの選択、そしてビーム電流をいくらにするかの設定をキーボード等の入力手段7を介してコンピュータ5へ入力する。それを受けてコンピュータ5は指定されたFIB鏡筒1又はSEM鏡筒2のFIB用電源8又はSEM用電源9へ設定情報を送り、荷電粒子を試料に照射して試料を観察すると共に帯電させる。以下ここではSEM鏡筒2により帯電に電子を用いることを選択した場合について述べる。試料の大電流観察で、帯電が十分進みコントラスト変化が明らかになった段階で電子ビームの電流値を落とし観察機能だけを考えた観察モードに切り替える。
ステップ2
コンピュータ5からの走査指令を受けSEM鏡筒2が顕微鏡観察用の電子ビーム走査を実行すると、電子ビームは照射した箇所から二次電子を放出させ、二次電子検出器4が検出してコンピュータ5へその検出値を位置データと共に記憶する。走査領域のデータが記憶蓄積されたなら、コンピュータ5はそれを画像情報としてディスプレイ6へ出力しディスプレイ6はその時の試料画像を表示する。
ステップ3
上記試料画像からオペレータが検査したい目標箇所を決めてディスプレイ上でその位置をマウス等の入力手段7で指定すると、コンピュータ5はその位置情報を、チャージを中和する電荷をもった側の鏡筒であるFIB鏡筒に送る。信号を受信したFIB鏡筒は目標箇所にビームスポットが来るように偏向器を調整すると共に指示された加速電圧でイオンビームを断続照射してイオンを注入する。
ステップ4
コンピュータ5の制御の下に電子鏡筒が顕微鏡機能で作動され、上記ステップ3のイオン照射がなされるときの試料面の様子をSEM観察する。
3 真空チャンバ 4 二次電子検出器
5 コンピュータ 6 ディスプレイ
7 入力手段 8 FIB用電源
9 SEM用電源 P プローブ
R 配線
Claims (8)
- 電子ビーム又は正電荷のイオンビームを試料面に照射して帯電させた状態と、前記帯電させた状態の領域に逆電荷のイオンビーム又は電子ビームをパルス形態で断続照射したときの状態変化を顕微鏡観察し、前記パルス形態の照射回数から帯電量を計測する半導体検査方法。
- 前記電子ビームを前記試料面に照射し、負電荷に帯電させ、SEM機能で前記試料面を観察し、正電荷のイオンビームをパルス形態で断続照射し、コントラストの反転をSEMで観察し、前記パルス形態の照射回数から帯電量を計測する請求項1に記載の半導体検査方法。
- 前記正電荷のイオンビームを前記試料面に照射し、正電荷に帯電させ、FIB機能で前記試料面を観察し、負電荷の電子ビームをパルス形態で断続照射し、コントラストの反転をFIBで観察し、前記パルス形態の照射回数から帯電量を計測する請求項1に記載の半導体検査方法。
- 照射する前記イオンビームの加速電圧を10kV以下の低加速で行うことを特徴とする請求項2または3に記載の半導体検査方法。
- 標準試料との比較測定によって解析を行うことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体検査方法。
- 電子鏡筒とイオンビーム鏡筒と二次荷電粒子検出器とをそなえた複合装置であって、
一方の鏡筒から荷電粒子を試料面に照射し帯電させる第一の照射手段と、
帯電した領域を含む前記試料面に前記荷電粒子を照射し、前記試料面から放出する二次荷電粒子を前記二次荷電粒子検出器で検出し、前記試料面を観察する顕微鏡機能を備えた観察手段と、
他方の鏡筒から照射した荷電粒子とは逆電荷の荷電粒子を前記試料面の帯電状態を示した領域にパルス形態で断続照射する第二の照射手段と、
を備えた半導体検査システム。 - 電子鏡筒とイオンビーム鏡筒と二次荷電粒子検出器とをそなえた複合装置であって、
一方の鏡筒から荷電粒子を試料面に照射し、前記試料面から放出する二次荷電粒子を前記二次荷電粒子検出器で検出し、得られた前記試料面の顕微鏡像で特定された領域の位置情報を出力する手段と、
その位置情報に基づいて他方の鏡筒から荷電粒子ビームをその位置に照射させる手段と、
を備えた請求項6に記載の半導体検査システム。 - 配線パターンが形成された半導体デバイス試料面の所定領域に、第1の荷電粒子ビームを照射して帯電させる第1の工程と、
該帯電させた所定領域の所望のパターンに前記荷電粒子とは逆電荷の第2の荷電粒子ビームをパルス形態で断続照射する第2の工程と、
前記第1の工程時に対する第2の工程時の試料面のコントラストの変化を第1の荷電粒子ビームを用いて顕微鏡観察し、前記パルス形態の照射回数から帯電量を計測する半導体検査方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004050296A JP4537730B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 半導体検査方法及びそのシステム |
PCT/JP2005/002537 WO2005081305A1 (ja) | 2004-02-25 | 2005-02-18 | 半導体検査方法及びそのシステム |
DE112005000420.1T DE112005000420B4 (de) | 2004-02-25 | 2005-02-18 | Halbleiter-Prüfverfahren und System für dieses |
US10/590,127 US20080061233A1 (en) | 2004-02-25 | 2005-02-18 | Semiconductor Inspection Method And System Therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004050296A JP4537730B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 半導体検査方法及びそのシステム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009277917A Division JP5031017B2 (ja) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | 半導体検査方法及びそのシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005243833A JP2005243833A (ja) | 2005-09-08 |
JP4537730B2 true JP4537730B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=34879581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004050296A Expired - Fee Related JP4537730B2 (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 半導体検査方法及びそのシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080061233A1 (ja) |
JP (1) | JP4537730B2 (ja) |
DE (1) | DE112005000420B4 (ja) |
WO (1) | WO2005081305A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5078232B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-11-21 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置及びそれにおける照射位置決め方法 |
JP2007113992A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Renesas Technology Corp | プロービング装置 |
JP4908099B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | 荷電粒子線照射方法および半導体装置の製造方法 |
JP4965481B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-07-04 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置、それを用いた試料加工方法及び透過電子顕微鏡用試料作製方法 |
US10566169B1 (en) | 2008-06-30 | 2020-02-18 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
US10991545B2 (en) | 2008-06-30 | 2021-04-27 | Nexgen Semi Holding, Inc. | Method and device for spatial charged particle bunching |
DE102013011491A1 (de) | 2013-07-09 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlmikroskops und Partikelstrahlmikroskop |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682507A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-22 | Fujitsu Ltd | 配線板の検査方法 |
JPH10294344A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 電子ビームテスタを用いた配線の欠陥検出方法および電子ビームテスタ |
JP2003130922A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の故障解析方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2811073B2 (ja) * | 1988-11-01 | 1998-10-15 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 断面加工観察装置 |
JPH10223574A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 加工観察装置 |
US6344750B1 (en) * | 1999-01-08 | 2002-02-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam |
US6232787B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-05-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | Microstructure defect detection |
KR100499160B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 검사 방법 및 웨이퍼의 검사 장치 |
US6881955B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Metrology process for enhancing image contrast |
US6906538B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-06-14 | Agere Systems, Inc. | Alternating pulse dual-beam apparatus, methods and systems for voltage contrast behavior assessment of microcircuits |
US7183546B2 (en) * | 2004-09-16 | 2007-02-27 | Applied Materials, Israel, Ltd. | System and method for voltage contrast analysis of a wafer |
JP5078232B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2012-11-21 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置及びそれにおける照射位置決め方法 |
-
2004
- 2004-02-25 JP JP2004050296A patent/JP4537730B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-18 US US10/590,127 patent/US20080061233A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-18 DE DE112005000420.1T patent/DE112005000420B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-18 WO PCT/JP2005/002537 patent/WO2005081305A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682507A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-22 | Fujitsu Ltd | 配線板の検査方法 |
JPH10294344A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 電子ビームテスタを用いた配線の欠陥検出方法および電子ビームテスタ |
JP2003130922A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の故障解析方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080061233A1 (en) | 2008-03-13 |
DE112005000420B4 (de) | 2016-07-14 |
WO2005081305A1 (ja) | 2005-09-01 |
JP2005243833A (ja) | 2005-09-08 |
DE112005000420T5 (de) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4415851A (en) | System for contactless testing of multi-layer ceramics | |
JP4248382B2 (ja) | 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置 | |
JP2004309488A (ja) | Tftfpd基板検査装置および検査方法 | |
JP2006105960A (ja) | 試料検査方法及び試料検査装置 | |
JP6586525B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2006338881A (ja) | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 | |
WO2005081305A1 (ja) | 半導体検査方法及びそのシステム | |
JP5001533B2 (ja) | プローブのアプローチ方法 | |
CN112714942A (zh) | 用于检测快充电设备中的时间相关缺陷的装置和方法 | |
JP5078232B2 (ja) | 複合荷電粒子ビーム装置及びそれにおける照射位置決め方法 | |
CN112640026A (zh) | 时间相关缺陷检查装置 | |
US5376883A (en) | Analysis of integrated circuit operability using a focused ion beam | |
US20120091339A1 (en) | Charged-particle microscope device, and method of controlling charged-particle beams | |
US6797955B1 (en) | Filtered e-beam inspection and review | |
CN117355743A (zh) | 使用帽偏压以倾斜模式的扫描式电子显微镜(sem)作反散射电子(bse)成像 | |
US8309922B2 (en) | Semiconductor inspection method and device that consider the effects of electron beams | |
JP5031017B2 (ja) | 半導体検査方法及びそのシステム | |
JP2005191017A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JP6995648B2 (ja) | 計測検査装置 | |
JP2005061998A (ja) | 表面電位測定方法及び試料観察方法 | |
KR20210066920A (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JPH0682720B2 (ja) | 電子デバイスの試験装置およびその使用方法 | |
WO2016167166A1 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JPH10294344A (ja) | 電子ビームテスタを用いた配線の欠陥検出方法および電子ビームテスタ | |
TW202413938A (zh) | 檢查方法及帶電粒子線裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091118 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4537730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |