JP5031017B2 - 半導体検査方法及びそのシステム - Google Patents
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Description
よって表面に配線Rが露出している試料面を観察しているとき、その配線R部分がSEM観察画像では明るく表示されているとする。その明るく表示されている配線B部分に導電性のプローブPが接触した瞬間、図8右に示すように配線Rの部分が暗くなるといった現
象である。これはSEM観察に際して試料表面にはマイナスの電荷を帯びた電子が照射されることになり、その電子が配線B部分に帯電した状態となっていたところ、導電性のプローブPが接触してそのチャージを放出しその部分の電位が変化したものである。SEMの観察画像は電子ビームが試料面上で例えばラスタ状に走査されるとき、照射部分の性状に応じて二次電子が放出されるので、この二次電子を検出して照射位置と対応させ、二次元的に画像表示させたものである。図9の上段に示すように試料のある領域がプラスに帯
電していたとすると、電子ビームの照射によって放出された二次電子はマイナスの電荷をもっているため、この領域に引きつけられ、二次電子検出器(SED)に届きにくく検出されにくい状態となる。したがって、その部分の画像は暗くなる。これに対し図9の下段
に示すように試料のある領域がマイナスに帯電していたとすると、電子ビームの照射によって放出された二次電子にはこの領域のチャージによる反発力が及び、二次電子検出器方向に押し出され検出され易い状態となる。したがって、その部分の画像は明るくなる。この現象を利用し導電性のプローブを半導体デバイスの接触させることで配線に生じる電圧コントラスト(VC)変化により配線の導通や欠陥の有無を検査する技術が非特許文献1に開示されている。
構造に対応したパターンが観察されると共に、帯電状態によってパターンのコントラストが変化する。この観察は帯電のための電子ビームを照射しながら行うことができる。その場合、帯電が高くなるにつれてコントラストが次第に強くなることが観察できる。このときの変化を基準試料における変化と比較をすることによって各構成要素の解析を行うこともできる。
ステップ1
帯電に電子を用いるかイオンを用いるかの選択、そしてビーム電流をいくらにするかの設定をキーボード等の入力手段7を介してコンピュータ5へ入力する。それを受けてコンピュータ5は指定されたFIB鏡筒1又はSEM鏡筒2のFIB用電源8又はSEM用電源9へ設定情報を送り、荷電粒子を試料に照射して試料を観察すると共に帯電させる。以下ここではSEM鏡筒2により帯電に電子を用いることを選択した場合について述べる。試料の大電流観察で、帯電が十分進みコントラスト変化が明らかになった段階で電子ビームの電流値を落とし観察機能だけを考えた観察モードに切り替える。
ステップ2
コンピュータ5からの走査指令を受けSEM鏡筒2が顕微鏡観察用の電子ビーム走査を実行すると、電子ビームは照射した箇所から二次電子を放出させ、二次電子検出器4が検出してコンピュータ5へその検出値を位置データと共に記憶する。走査領域のデータが記憶蓄積されたなら、コンピュータ5はそれを画像情報としてディスプレイ6へ出力しディスプレイ6はその時の試料画像を表示する。
ステップ3
上記試料画像からオペレータが検査したい目標箇所を決めてディスプレイ上でその位置をマウス等の入力手段7で指定すると、コンピュータ5はその位置情報を、チャージを中和する電荷をもった側の鏡筒であるFIB鏡筒に送る。信号を受信したFIB鏡筒は目標箇所にビームスポットが来るように偏向器を調整すると共に指示された加速電圧でイオンビームを照射してイオンを注入する。
ステップ4
コンピュータ5の制御の下に電子鏡筒が顕微鏡機能で作動され、上記ステップ3のイオン照射がなされるときの試料面の様子をSEM観察する。
て試料面を走査させ、試料面上にマイナスの電荷を帯電させると共にその顕微鏡画像を観察すると、配線部分が周りの基板部分に比べ明るくなっている。図2の左側がこの状態を示している。そこで、顕微鏡画像上でこの配線領域にカーソルを合わせてクリックする。するとコンピュータ5はその位置情報を読み取り、その位置情報をFIB鏡筒1に送る。これを受けたFIB鏡筒1はビーム照射位置がそこに来るように偏向機構を制御し設定されたビーム電流でGa+等のプラスイオンを照射する。SEMの観察がなされる中で次第
に配線部分は暗くなっていき周りの基板部分に比べより暗くコントラストが反転するのが観察できる。
なる。そのため、配線部分は電位が高くなり、FIB照射によって放出される二次電子は試料側に引きつけられ、二次電子検出器4に届きにくくなる。そのため、図3の左側に示すように配線部分が周りの基板部分に比べより暗くなっている。そこで、顕微鏡画像上でこの配線領域にカーソルを合わせてクリックするとコンピュータ5はその位置情報を読み取り、その位置情報を今度はSEM鏡筒2に送る。これを受けたSEM鏡筒2はビーム照射位置がそこに来るように偏向機構を制御し設定されたビーム電流で電子ビームを照射する。走査型イオン顕微鏡(SIM)の観察がなされる中で次第に配線部分は明るくなっていき周りの基板部分に比べより明るくコントラストが反転するのが観察できる。
配線と素子が導通しているか否かは、その着目している配線領域に中和させるビームを照射してその素子が配線領域と同様なコントラスト変化をするかで導通関係にあることを診断する。図のBに示すように着目している配線領域にFIBを照射し、その着目している配線領域の変化と同様に素子領域が導通していると判断されるし、図のCに示すように粗飼料域のコントラストの変化がなければ断線していることが分かる。
2…SEM鏡筒
3…真空チャンバ
4…二次電子検出器
5…コンピュータ
6…ディスプレイ
7…入力手段
8…FIB用電源
9…SEM用電源
P…プローブ
R…配線
Claims (10)
- 電気回路を帯電させ、観察する観察手段と、帯電させた電荷に対して逆の電荷を照射する逆電荷照射手段とを備えた半導体検査システムにおいて、
前記観察手段は、
第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記電気回路の一部を帯電させる第一の荷電粒子鏡筒と、
前記第一の荷電粒子ビームを照射し、前記電気回路から放出される二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、
前記二次荷電粒子検出器の検出信号と前記第一の荷電粒子ビームの照射位置情報のそれぞれから前記電気回路の顕微鏡像を取得する顕微鏡手段と、
前記顕微鏡像を表示するディスプレイと、
を有し、
前記逆電荷照射手段は、
前記第一の荷電粒子ビームの電荷に対して逆の電荷を有する第二の荷電粒子ビームを前記電気回路の帯電状態を示した領域に照射する第二の荷電粒子鏡筒と、
前記ディスプレイに表示された前記顕微鏡像上に前記領域を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された前記顕微鏡像上の前記領域の位置情報を読み取り、前記領域に前記第二の荷電粒子ビームを照射する照射位置制御手段と、
を有し、
前記顕微鏡手段は、前記第二の荷電粒子ビームを照射した前記領域の帯電状態を観察する半導体検査システム。 - 前記第一の荷電粒子鏡筒は電子鏡筒であり、かつ、前記第二の荷電粒子鏡筒はイオンビーム鏡筒である請求項1に記載の半導体検査システム。
- 前記イオンビーム鏡筒からイオンビームを走査照射し、前記領域に断面切り出し加工を行う請求項2に記載の半導体検査システム。
- CVDガスを前記領域に供給し、イオンビームCVDを行うCVD手段を有する請求項2に記載の半導体検査システム。
- 第一の荷電粒子ビームを照射し、電気回路の一部を帯電させる帯電工程と、
前記第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記電気回路から放出される二次荷電粒子を検出し、前記電気回路の顕微鏡像を取得し、前記顕微鏡像をディスプレイに表示させ、前記顕微鏡像を観察する第一の観察工程と、
前記第一の荷電粒子ビームの電荷に対して逆の電荷を有する第二の荷電粒子ビームの照射位置を前記ディスプレイに表示された前記顕微鏡像上で帯電状態を示した領域に設定する照射位置設定工程と、
前記第二の荷電粒子ビームを前記照射位置に照射する逆電荷照射工程と、
前記第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記領域の帯電状態を観察する第二の観察工程と、を有する半導体検査方法。 - 前記帯電工程は、大電流の前記第一の荷電粒子ビームで前記電気回路を帯電させ、
第一の観察工程は、電流量の小さい前記第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記顕微鏡像を取得する請求項5に記載の半導体検査方法。 - 前記第一の荷電粒子ビームは電子ビームであり、かつ、前記第二の荷電粒子ビームはイオンビームであって、
前記イオンビームを照射し、前記領域の断面切り出し加工を行い、前記断面を検査する請求項5に記載の半導体検査方法。 - 前記第一の荷電粒子ビームは電子ビームであり、かつ、前記第二の荷電粒子ビームはイオンビームであって、
CVDガスを前記領域に供給し、前記イオンビームを照射し、イオンビームCVDで修正加工を行う請求項5に記載の半導体検査方法。 - 前記第二の観察工程において、
前記第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記領域を含む前記電気回路の帯電状態を観察し、前記領域と前記電気回路内の他の領域との導通関係を検査する請求項5に記載の半導体検査方法。 - 前記第二の観察工程において、
前記第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記領域を含む前記電気回路の帯電状態の時間変化を観察し、前記電気回路内のインピーダンス接続関係を検査する請求項5に記載の半導体検査方法。
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