JPH01199172A - 電子ビームによる導通検査方法 - Google Patents
電子ビームによる導通検査方法Info
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- JPH01199172A JPH01199172A JP63024436A JP2443688A JPH01199172A JP H01199172 A JPH01199172 A JP H01199172A JP 63024436 A JP63024436 A JP 63024436A JP 2443688 A JP2443688 A JP 2443688A JP H01199172 A JPH01199172 A JP H01199172A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビームによる導通検査方法、特に。
セラば、り多層基板、プリント基板等に形成された微細
、高密度な回路パターンの断線及び短絡を検査するに適
する電子ビームによる導通検査方法に関する。
、高密度な回路パターンの断線及び短絡を検査するに適
する電子ビームによる導通検査方法に関する。
従来の技術としては1例えば特公昭62−105437
号公報に示されている電子ビームによる導通検査方法が
ある。
号公報に示されている電子ビームによる導通検査方法が
ある。
従来の4子ビームによる導通検査方法は真空室内の配線
基板に形成されている回路パターンの端子間導通状態を
端子位置に電子ビームを照射して発生する2次電子量か
ら検出する方法において。
基板に形成されている回路パターンの端子間導通状態を
端子位置に電子ビームを照射して発生する2次電子量か
ら検出する方法において。
本来の配線接続関係とその端子位置情報に従って電子ビ
ームが特定の端子位置を照射するように制御する手段と
、前記成子ビーム照射を高い加速・電圧で行なってビー
ム照射位置に電子を印加する印加手段と、成子ビーム照
射を低い加速電圧で行なって発生する2次電子量から帯
電の廟無を検出する検出手段とを含んで構成される。
ームが特定の端子位置を照射するように制御する手段と
、前記成子ビーム照射を高い加速・電圧で行なってビー
ム照射位置に電子を印加する印加手段と、成子ビーム照
射を低い加速電圧で行なって発生する2次電子量から帯
電の廟無を検出する検出手段とを含んで構成される。
次に従来の電子ビームによる導通検査方法について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
第4図は従来の電子ビームによる導通検査方法の一例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
真空容器1の中の試料台2の上に被検査基板3が載置さ
れている。真壁容器11Cは、電子銃4゜電子レンズ5
.静電偏向器6#2次電子検出器7゜引込み電極8が収
納されている。また、9は加速電圧制御回路、10は電
子レンズ制御回路、11は偏向制御回路、12は2次・
成子電流を計測する1!流計測回路、13は配線基板の
設計情報を記憶し、システム全体を制御するコンビエー
タであ4第5図は被検査基板3の一例としてのセラぐ。
れている。真壁容器11Cは、電子銃4゜電子レンズ5
.静電偏向器6#2次電子検出器7゜引込み電極8が収
納されている。また、9は加速電圧制御回路、10は電
子レンズ制御回路、11は偏向制御回路、12は2次・
成子電流を計測する1!流計測回路、13は配線基板の
設計情報を記憶し、システム全体を制御するコンビエー
タであ4第5図は被検査基板3の一例としてのセラぐ。
り多層基板の断面図である。
セラミック基板はアルミナ等の絶縁材料17の中を銅、
タングステンなどの配線材料18によシ。
タングステンなどの配線材料18によシ。
基板上面のパッド19相互間あるいはパッド19と基板
下面のコネクタピン20との間、すなわちパッド間、パ
、ドーコネクタビン間が接続されているわf造のもので
ある。
下面のコネクタピン20との間、すなわちパッド間、パ
、ドーコネクタビン間が接続されているわf造のもので
ある。
第6図は電子ビーム照射の際の電子ビーム加速電圧と、
発生する2次電子量との関係を示すグラフである。
発生する2次電子量との関係を示すグラフである。
縦軸は2次電子放出効率であシ、横軸に示す閤い加速’
4圧Cで電子ビームを照射すると、2次電 。
4圧Cで電子ビームを照射すると、2次電 。
子の放出効率Vilよシ小さい。すなわち、照射′電子
ビームによ多試料に加えられる電子量よシも放出される
2次電子の量の方が小さく、[子は試料に蓄積され試料
は負に帯電する。加速電圧Cは試料の材料に依存し通常
5〜30KVの範囲であム一方、低い加速電圧Aで電子
ビームを照射゛rると、2次電子の発生効率はitは1
となる。′Ii″なわち、照射電子ビームによ多試料に
加えられる電子の量と、その結果試料から放出される2
次電子の量がほぼ同じでめシ、に科に電子が蓄積される
ことがなく、試料は帯電しない。通常加速′1圧Aは0
.5〜2KVの範囲である。
ビームによ多試料に加えられる電子量よシも放出される
2次電子の量の方が小さく、[子は試料に蓄積され試料
は負に帯電する。加速電圧Cは試料の材料に依存し通常
5〜30KVの範囲であム一方、低い加速電圧Aで電子
ビームを照射゛rると、2次電子の発生効率はitは1
となる。′Ii″なわち、照射電子ビームによ多試料に
加えられる電子の量と、その結果試料から放出される2
次電子の量がほぼ同じでめシ、に科に電子が蓄積される
ことがなく、試料は帯電しない。通常加速′1圧Aは0
.5〜2KVの範囲である。
さらに、試料電荷と2次電子量との間には第7図に示す
関係がある。すなわち、試料に電子が蓄積されているほ
ど多くの2次電子が発生するeつまシ、試料が負に帯電
していると第4図の2次電子検出器7で検出される電子
量が多くなる。
関係がある。すなわち、試料に電子が蓄積されているほ
ど多くの2次電子が発生するeつまシ、試料が負に帯電
していると第4図の2次電子検出器7で検出される電子
量が多くなる。
以上の特性を利用することにより、第6図の加速電圧C
で被検査基板3の特定パッドにビームを照射すれば、そ
のパッドおよびこれに接続しているパッドに電子が印加
(頁に帯電)される。また加速電圧Nで被検査基板3の
特定パッドにビームを照射し、その時発生する2次電子
量を検出すれば、検出電子量の大小によりそのパッドが
帯電しているか、いないかを知ることができる。
で被検査基板3の特定パッドにビームを照射すれば、そ
のパッドおよびこれに接続しているパッドに電子が印加
(頁に帯電)される。また加速電圧Nで被検査基板3の
特定パッドにビームを照射し、その時発生する2次電子
量を検出すれば、検出電子量の大小によりそのパッドが
帯電しているか、いないかを知ることができる。
これを用いて1例えば@8図に模式図として示しだ1つ
のネット(パッドとパッドあるいはコネクタビンが一連
に接続された1つの回路パターン)において、パッドa
oとパッドalに導通があるか否かは、a61c11(
子を印加し、alで帯電があるか否かを検出することで
判定できることになる。
のネット(パッドとパッドあるいはコネクタビンが一連
に接続された1つの回路パターン)において、パッドa
oとパッドalに導通があるか否かは、a61c11(
子を印加し、alで帯電があるか否かを検出することで
判定できることになる。
パッドa(1とalが本来導通していなければならない
こと、すなわち同一ネットに属していること、およびa
oとalの基板3上での座標位置は設計情報としてコン
ピュータ13にあらかじめ記憶されている。
こと、すなわち同一ネットに属していること、およびa
oとalの基板3上での座標位置は設計情報としてコン
ピュータ13にあらかじめ記憶されている。
この設計情報を用い、ビームがal)を照射するように
偏向器60条件を設定し、高い加速電圧Cで電子銃4よ
りビームを照射し1次にalを照射するように偏向器6
0条件を設定して低い加速・電圧Aで電子銃4よシピー
ムを照射し1発生する2次・電子を引込み電極8により
2次゛成子検出器7に集め、検出電流t−電流計測回路
12によって計測し、コンピュータ13に入力する。
偏向器60条件を設定し、高い加速電圧Cで電子銃4よ
りビームを照射し1次にalを照射するように偏向器6
0条件を設定して低い加速・電圧Aで電子銃4よシピー
ムを照射し1発生する2次・電子を引込み電極8により
2次゛成子検出器7に集め、検出電流t−電流計測回路
12によって計測し、コンピュータ13に入力する。
コンピュータ13は検出された2次電子食があらかじめ
設定されたしきい値よυ大きいか否かを比較し、大きけ
ればa6とalは導通していると判断し、小さけれはa
6と31は断線していると判断する。
設定されたしきい値よυ大きいか否かを比較し、大きけ
ればa6とalは導通していると判断し、小さけれはa
6と31は断線していると判断する。
また、パッドao # al以外のパッドに対して高い
加速電圧Cでビームを照射した後に、パッドa、)およ
びパッドalに対して低い加速′電圧Aでビームを照射
し帯電の均熱を検出することにより。
加速電圧Cでビームを照射した後に、パッドa、)およ
びパッドalに対して低い加速′電圧Aでビームを照射
し帯電の均熱を検出することにより。
パッドa(1およびalの属するネットと他のネ。
トに短絡があるか否かを検査することができる。
上述した従来の電子ビームによる導通検査方法は回路パ
ターンの断線、短絡の判定を1つのネットに属する1つ
のパッドに高い加速電圧で電子ビームを照射することに
よって前記ネットを負に帯電させ1次に同一のネットに
属する他のパッドに低い加速電圧で電子ビームを照射し
、その時放出される2次′1子の童を検出することによ
って、そのパッドの帯電の有無を判定し断線、短絡の検
査を行なう方式であるため、2次−子を集め、&I出す
るための引込み電極及び2次電子検出器を必要としてい
た。
ターンの断線、短絡の判定を1つのネットに属する1つ
のパッドに高い加速電圧で電子ビームを照射することに
よって前記ネットを負に帯電させ1次に同一のネットに
属する他のパッドに低い加速電圧で電子ビームを照射し
、その時放出される2次′1子の童を検出することによ
って、そのパッドの帯電の有無を判定し断線、短絡の検
査を行なう方式であるため、2次−子を集め、&I出す
るための引込み電極及び2次電子検出器を必要としてい
た。
2次′1子検出器は例えばシンチレータと光成子増倍管
とからなシ、また引込み電極にはそのための電源が必要
てあシ、高価である上に、特に被検査基板が大きい場合
、電子ビームを照射する位置によって、検出される2次
・成子量にバラつきが発生し、正確な検査が不可能とな
る。
とからなシ、また引込み電極にはそのための電源が必要
てあシ、高価である上に、特に被検査基板が大きい場合
、電子ビームを照射する位置によって、検出される2次
・成子量にバラつきが発生し、正確な検査が不可能とな
る。
また前記位置による2次′成子量のバラつきを避けるた
めには、被検査基板を物理的に移動させるためのXYス
テージなどの機構が必要であるという欠点があった。
めには、被検査基板を物理的に移動させるためのXYス
テージなどの機構が必要であるという欠点があった。
また、1つのネットと他のネットとの短絡の有無を検査
するためには、1つのネットに高い加速電圧で1子ビー
ムを照射してそのネットを帯電させた後に他のすべての
ネットに対し順次低い加速電圧で電子ビームを照射して
帯電の有無を検出すため、被検査基板のネットの数が非
常に多い場合には、前記短絡の検出ができなくなるとい
う欠点があった。
するためには、1つのネットに高い加速電圧で1子ビー
ムを照射してそのネットを帯電させた後に他のすべての
ネットに対し順次低い加速電圧で電子ビームを照射して
帯電の有無を検出すため、被検査基板のネットの数が非
常に多い場合には、前記短絡の検出ができなくなるとい
う欠点があった。
本発明の電子ビームによる導通検査方法は、真空室内の
配線基板に形成されている回路パターンの導通および、
他の回路パターンとの短絡の有無を1回路パターンの1
端に′1子ビームを照射することによ)検査する方法に
おいて1本来の配線接続関係とその端子位置情報により
m子ビームが特定の端子位置を照射するように制御する
手段と。
配線基板に形成されている回路パターンの導通および、
他の回路パターンとの短絡の有無を1回路パターンの1
端に′1子ビームを照射することによ)検査する方法に
おいて1本来の配線接続関係とその端子位置情報により
m子ビームが特定の端子位置を照射するように制御する
手段と。
配線基板の外部に設けられ回路パターンとの間に静電容
量を有する導通板と、高い加速電圧と低い加速電圧を交
互に切換える加速電圧制御手段と、回路パターンと前記
導通板との間の静電容量を通りて流れる電流を検出し計
測する電流計測手段とを含んで構成される。
量を有する導通板と、高い加速電圧と低い加速電圧を交
互に切換える加速電圧制御手段と、回路パターンと前記
導通板との間の静電容量を通りて流れる電流を検出し計
測する電流計測手段とを含んで構成される。
次に1本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すプロ、り図である。
第1図に示す電子ビームによる導通検査方法は。
真空容器lと、被検査基板3を載置するための試料台2
と被検査基板3上の特定のパッドに電子ビームを照射す
るだめの電子銃4m’at子レンズ5゜静電偏向器6と
、電子銃4に接続され電子ビームの加速電圧を制御する
加速電圧制御回路9と、電子ビームの焦点を被検査基板
上に合わせるために電子レンズ5に接続された電子レン
ズ制御回路10と、基板上の特定の座標位置へ電子ビー
ムを照射するためにビームに偏向を加える静電偏向器6
に接続された偏向制御回路11と被検査基板3に平行に
位置するように基板外に設けられた導電板15と、基板
上の1つのネットに照射された電子ビームによる電子が
、前記ネットと前記導電板15の間に形成されている静
電容量を通って流れる電流を検出し、計測するために導
電板15に接続された[流計測回路16と、前記加速電
圧制御回路9゜・シ子しンズ制御回路10.偏向制御回
路11.電流計測回路16に接続され、あらかじめ記憶
している被検査基板3の設計情報に基づいて装置全体を
制御するコンピュータ13とを含んで構成される。
と被検査基板3上の特定のパッドに電子ビームを照射す
るだめの電子銃4m’at子レンズ5゜静電偏向器6と
、電子銃4に接続され電子ビームの加速電圧を制御する
加速電圧制御回路9と、電子ビームの焦点を被検査基板
上に合わせるために電子レンズ5に接続された電子レン
ズ制御回路10と、基板上の特定の座標位置へ電子ビー
ムを照射するためにビームに偏向を加える静電偏向器6
に接続された偏向制御回路11と被検査基板3に平行に
位置するように基板外に設けられた導電板15と、基板
上の1つのネットに照射された電子ビームによる電子が
、前記ネットと前記導電板15の間に形成されている静
電容量を通って流れる電流を検出し、計測するために導
電板15に接続された[流計測回路16と、前記加速電
圧制御回路9゜・シ子しンズ制御回路10.偏向制御回
路11.電流計測回路16に接続され、あらかじめ記憶
している被検査基板3の設計情報に基づいて装置全体を
制御するコンピュータ13とを含んで構成される。
従来の技術で説明したように、第3図の2次電子放出効
率特性において、高い加速電圧Cで′成子ビームを照射
すると照射成子ビームによシ試料に加えられる成子量よ
シも放出される2次・成子の量の方が小さく、t!L子
は試料に蓄積され、試料は負に帯電し、また低い加速電
圧入で電子ビームを照射すると照射電子ビームによシ試
料に加えられる電子量と、その結果試料から放出される
2次電子の量がほぼ同じであシ、試料は帯電しない。こ
こで、第3図中加速電圧Bで電子ビームを照射すると、
2次電子放出効率は1よシ大きい、すなわち照射電子ビ
ームによシ試料に加えられる電子量よ)も放出される2
次電子の量の方が大きくなるため、試料は正に帯電する
。
率特性において、高い加速電圧Cで′成子ビームを照射
すると照射成子ビームによシ試料に加えられる成子量よ
シも放出される2次・成子の量の方が小さく、t!L子
は試料に蓄積され、試料は負に帯電し、また低い加速電
圧入で電子ビームを照射すると照射電子ビームによシ試
料に加えられる電子量と、その結果試料から放出される
2次電子の量がほぼ同じであシ、試料は帯電しない。こ
こで、第3図中加速電圧Bで電子ビームを照射すると、
2次電子放出効率は1よシ大きい、すなわち照射電子ビ
ームによシ試料に加えられる電子量よ)も放出される2
次電子の量の方が大きくなるため、試料は正に帯電する
。
以上の特性を利用することによυ、被検査基板3上の特
定のパッドに電子ビームを照射するときに、加速電圧B
と加速電圧Cを交互に切換えることによって、試料に対
して第4図に示すような交番電流を流すことができる。
定のパッドに電子ビームを照射するときに、加速電圧B
と加速電圧Cを交互に切換えることによって、試料に対
して第4図に示すような交番電流を流すことができる。
すなわち第4図において1時間t1で加速′−圧CKて
試料に対し電子ビーム管照射し1時間1.で加速電圧B
に切換え。
試料に対し電子ビーム管照射し1時間1.で加速電圧B
に切換え。
これを時間t3以降繰返す。
このような交番電流となるように電子ビームを照射した
場合、第1図に示した本発明の電子ビームによる導通検
査方法を実現する一実施例装置の・#を気的等価回路を
第5図に示す。
場合、第1図に示した本発明の電子ビームによる導通検
査方法を実現する一実施例装置の・#を気的等価回路を
第5図に示す。
交R,電源21は・1子ビームの加速電圧を供給する電
源であシ、系の抵抗22は電子銃の1子放出効率及び試
料の2次′祇子放出特性等に起因する系全体の抵抗であ
り、コンデンサ23は検査しようとする基板上のネット
と導電板の間に形IRされる静電容量Cであり、コンデ
ンサの1端24がネットに相当し、コンデンサの1端2
5が導電板に相当する。また電流計測回路16は第1図
における電流計測回路16そのものである。
源であシ、系の抵抗22は電子銃の1子放出効率及び試
料の2次′祇子放出特性等に起因する系全体の抵抗であ
り、コンデンサ23は検査しようとする基板上のネット
と導電板の間に形IRされる静電容量Cであり、コンデ
ンサの1端24がネットに相当し、コンデンサの1端2
5が導電板に相当する。また電流計測回路16は第1図
における電流計測回路16そのものである。
ここで2電流計測回路16により検出される交番電流の
位相はコンデンサCにより、゛電源電圧の位相よシ遅れ
ている。位相遅れの時間tはコンデンtCの大きさに依
存する。
位相はコンデンサCにより、゛電源電圧の位相よシ遅れ
ている。位相遅れの時間tはコンデンtCの大きさに依
存する。
一万、コンデンサCの静電容量は被検査基板上の電子ビ
ームを照射しているネットの面積に比例し、そのネット
と導電板15の間の距離に反比例する。従って、1つの
ネットと導電板間の静電容量Cは、ネット内に断線があ
る場合、そのネットに為する1つのパッドから見た場合
、本来の静電容量よシも小さくなり、また1つのネット
が他のネットに短絡している場合は逆に本来の静電容量
よシも大きくなる。
ームを照射しているネットの面積に比例し、そのネット
と導電板15の間の距離に反比例する。従って、1つの
ネットと導電板間の静電容量Cは、ネット内に断線があ
る場合、そのネットに為する1つのパッドから見た場合
、本来の静電容量よシも小さくなり、また1つのネット
が他のネットに短絡している場合は逆に本来の静電容量
よシも大きくなる。
以上の特性を利用することにより、コンピュータ13が
あらかじめ記憶している被検査基板の設計情報に基づき
、基板上の特定のパッドに交番電流を生じる電子ビーム
を照射し、その時に導電板15を通って電流計側口18
16で検出される電流の加速電圧に対する位相遅れから
予測できるネ。
あらかじめ記憶している被検査基板の設計情報に基づき
、基板上の特定のパッドに交番電流を生じる電子ビーム
を照射し、その時に導電板15を通って電流計側口18
16で検出される電流の加速電圧に対する位相遅れから
予測できるネ。
トと導電板間の静電容量と、基板設計情報から得られる
本来の静電容量とを比較することにより。
本来の静電容量とを比較することにより。
そのネットの短絡・断線の有無を判定することができる
。
。
本発明の電子ビームによる導通検査方法は、被検査基板
の外部に導電板を設け、基板上のネットと前記導電板と
の間に静電容量を形成させ、ネ。
の外部に導電板を設け、基板上のネットと前記導電板と
の間に静電容量を形成させ、ネ。
トに属する1つのパッドに対して加速電圧を交互に切換
えた電子ビームを照射し、導電板から検出される交番電
流の位相遅れを測定することによって得られる静電容量
値を基板設計情報に基づく本来の静電容量値と比較する
ことにより、ネットの断線、短絡の有無を判定できるの
で、放出2次電子を検出する必要がなく、従って2次電
子引込み電極およびそのための電源、2次電子検出器が
不必要であるため、装置が単純化され安価に構築でき、
また、蓄積電荷が時間と共に消失することによる問題も
なくなシ、更に、被検査基板上の断線。
えた電子ビームを照射し、導電板から検出される交番電
流の位相遅れを測定することによって得られる静電容量
値を基板設計情報に基づく本来の静電容量値と比較する
ことにより、ネットの断線、短絡の有無を判定できるの
で、放出2次電子を検出する必要がなく、従って2次電
子引込み電極およびそのための電源、2次電子検出器が
不必要であるため、装置が単純化され安価に構築でき、
また、蓄積電荷が時間と共に消失することによる問題も
なくなシ、更に、被検査基板上の断線。
短絡が1回の計測で判別できるため、検査時間が短かい
という効果がある。
という効果がある。
m1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
交番電流を示す波形図、5g3図は等価回路図1w、4
図は従来の一例を示すブロック図、第一5図は被検査基
板の一例を示す断面図、第6図は2次電子放出効率を示
す特性囚、第7図は試料電荷と2次電子量の関係を示す
特性図、第8図はネ、トとパッドを示す模式図である。 l・・・・・・真空容器、2・・・・・・試料台、3・
・・・・・被検査基板、4・・・・・・電子銃、5・・
・・・・電子レンズ、6・・・・・・静電偏向器、7・
・・・・・2次寛子検出器、8・・・・・・引込み電極
、9・・・・・・加速電圧制御回路、lO・・・・・・
電子レンズ制御回路、11・・・・・・偏向制御回路、
12・・・・・・′電流計測回路、13・・・・・・コ
ンピュータ、14・・・・・・電子ビーム、15・・・
・・・導電板、16・・・・・・電流計測回路、17・
・・・・・絶縁材料、18・・・・・・配線材料。 19・・・・・・パッド、20・・・・・・コネクタビ
ン、21・・・・・・交流電源、22・・・・・・系の
抵抗、23・・・・・・コンデンサ、24.25・・・
・・・コンデンサの1端。 代理人 弁理士 内 原 晋 芽 1 厘 第 21!T $ 3 凹 $41!!A v;t m 試鼾電青 茅 7E!I $ 8 菌
交番電流を示す波形図、5g3図は等価回路図1w、4
図は従来の一例を示すブロック図、第一5図は被検査基
板の一例を示す断面図、第6図は2次電子放出効率を示
す特性囚、第7図は試料電荷と2次電子量の関係を示す
特性図、第8図はネ、トとパッドを示す模式図である。 l・・・・・・真空容器、2・・・・・・試料台、3・
・・・・・被検査基板、4・・・・・・電子銃、5・・
・・・・電子レンズ、6・・・・・・静電偏向器、7・
・・・・・2次寛子検出器、8・・・・・・引込み電極
、9・・・・・・加速電圧制御回路、lO・・・・・・
電子レンズ制御回路、11・・・・・・偏向制御回路、
12・・・・・・′電流計測回路、13・・・・・・コ
ンピュータ、14・・・・・・電子ビーム、15・・・
・・・導電板、16・・・・・・電流計測回路、17・
・・・・・絶縁材料、18・・・・・・配線材料。 19・・・・・・パッド、20・・・・・・コネクタビ
ン、21・・・・・・交流電源、22・・・・・・系の
抵抗、23・・・・・・コンデンサ、24.25・・・
・・・コンデンサの1端。 代理人 弁理士 内 原 晋 芽 1 厘 第 21!T $ 3 凹 $41!!A v;t m 試鼾電青 茅 7E!I $ 8 菌
Claims (1)
- 真空室内の配線基板に形成されている回路パターンの
導通および他の回路パターンとの短絡の有無を、回路パ
ターンの1端に電子ビームを照射することにより検査す
る方法において、本来の配線接続関係とその端子位置情
報により電子ビームが特定の端子位置を照射するように
制御する手段と、配線基板の外部に設けられ回路パター
ンとの間に静電容量を有する導電板と、高い加速電圧と
低い加速電圧を交互に切換える加速電圧制御手段と、回
路パターンと前記導通板との間の静電容量を通って流れ
る電流を検出し計測する電流計測手段とを含むことを特
徴とする電子ビームによる導通検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63024436A JPH01199172A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 電子ビームによる導通検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63024436A JPH01199172A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 電子ビームによる導通検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199172A true JPH01199172A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=12138100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63024436A Pending JPH01199172A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 電子ビームによる導通検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01199172A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
EP1162645A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | Jeol Ltd. | Specimen inspection instrument |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63024436A patent/JPH01199172A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5404110A (en) * | 1993-03-25 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
US5612626A (en) * | 1993-03-25 | 1997-03-18 | International Business Machines Corporation | System using induced current for contactless testing of wiring networks |
EP1162645A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | Jeol Ltd. | Specimen inspection instrument |
EP1162645A3 (en) * | 2000-06-09 | 2007-09-26 | Jeol Ltd. | Specimen inspection instrument |
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