JPH0562700B2 - - Google Patents
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- JPH0562700B2 JPH0562700B2 JP61007142A JP714286A JPH0562700B2 JP H0562700 B2 JPH0562700 B2 JP H0562700B2 JP 61007142 A JP61007142 A JP 61007142A JP 714286 A JP714286 A JP 714286A JP H0562700 B2 JPH0562700 B2 JP H0562700B2
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- particle beam
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- electron
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、接続回路網の短絡および断線の無接
触検査のための粒子線測定方法に関する。
触検査のための粒子線測定方法に関する。
半導体部品の集積度が高くなり超小形化が進む
につれて、種々のVLSI回路間の電気的接続を形
成する接続回路網の寸法をも相応に減ずることが
必要になつてきた。非常に小さい空間に多数の接
触点を設けるために、配線技術の分野で特にセラ
ミツクス多層モジユールの開発が行われてきた。
このモジユール上の接触点密度は、その電気的特
性の検査を機械的な接触針により行うのに大きな
困難を伴うほど高くなつてきた。従つて、接続回
路網の短絡および断線の無接触検査のために電子
線測定装置が使用されることがますます多くなつ
てきた。このような電子線測定法はIBMテクニ
カル・デイスクロジユア・ビユレテイン
（IBMTech.Discl.Bull.）第24巻、第11a号、第
5388〜5290頁に記載されている。このような方法
を実施するための装置はたとえばヨーロツパ特許
第0066086号明細書から公知である（特に第１２
図およびその説明を参照）。
につれて、種々のVLSI回路間の電気的接続を形
成する接続回路網の寸法をも相応に減ずることが
必要になつてきた。非常に小さい空間に多数の接
触点を設けるために、配線技術の分野で特にセラ
ミツクス多層モジユールの開発が行われてきた。
このモジユール上の接触点密度は、その電気的特
性の検査を機械的な接触針により行うのに大きな
困難を伴うほど高くなつてきた。従つて、接続回
路網の短絡および断線の無接触検査のために電子
線測定装置が使用されることがますます多くなつ
てきた。このような電子線測定法はIBMテクニ
カル・デイスクロジユア・ビユレテイン
（IBMTech.Discl.Bull.）第24巻、第11a号、第
5388〜5290頁に記載されている。このような方法
を実施するための装置はたとえばヨーロツパ特許
第0066086号明細書から公知である（特に第１２
図およびその説明を参照）。
この公知の方法の基礎は、絶縁された試料上に
電子線により発生された電位分布を一次電子線に
より放出された二次電子の検出により検出し得る
ことである。接続回路網の検査のためには接触点
の少なくとも１つが第１の電子線により充電さ
れ、また続いて接続回路網のジオメトリに相応し
て生じた電荷または電位分布が第２の電子線によ
り走査される。その際、電位の発生および測定の
ために異なるエネルギーの電子線が用いられる。
電子線により発生された電位分布を一次電子線に
より放出された二次電子の検出により検出し得る
ことである。接続回路網の検査のためには接触点
の少なくとも１つが第１の電子線により充電さ
れ、また続いて接続回路網のジオメトリに相応し
て生じた電荷または電位分布が第２の電子線によ
り走査される。その際、電位の発生および測定の
ために異なるエネルギーの電子線が用いられる。
接続回路網内の短絡および断線の検出は、種々
の接触点で測定された二次電子信号の比較により
行われる。たとえば接触点の１つに充電点におけ
る電位と等しい電位が観測されるならば、すなわ
ち二次電子検出器システムで理想的な検出器特性
における測定精度内で等しい二次電子電流が測定
されるならば、両点は必然的に互いに電気的に接
続されていると判断される。それに対して、二次
電子電流が互いに著しく異なれば、断線が存在す
ると判断される。
の接触点で測定された二次電子信号の比較により
行われる。たとえば接触点の１つに充電点におけ
る電位と等しい電位が観測されるならば、すなわ
ち二次電子検出器システムで理想的な検出器特性
における測定精度内で等しい二次電子電流が測定
されるならば、両点は必然的に互いに電気的に接
続されていると判断される。それに対して、二次
電子電流が互いに著しく異なれば、断線が存在す
ると判断される。
測定用電子線による走査の間の電位の変化を防
止するため、公知の方法では中性点の範囲内の一
次エネルギーが用いられる。これらの条件のもと
に、試料に衝突する一次電子電流と試料から出発
する二次電子電流とはちようど相殺するので、一
次電子エネルギーは充電位相と測定位相との間で
変更されなければならない。このことは、異なる
エネルギーの複数の電子線を使用すること、また
は電子線測定装置の高電圧供給を切換えることに
より技術的に解決される。しかし、両解決策は決
定的な欠点を有する。すなわち、電子線測定装置
の高電圧供給を切換える際に、試料上の電子線の
位置および焦点合わせを維持するための電子光学
的な対策が必要である。さらに、公知の電子的な
困難が高電圧の切換えの際に生ずる。また複数の
電子線の使用は、相応のビーム形成用の電磁石コ
イルを有する追加的電子源が設けられていなけれ
ばならないので、電子光学的構成要素に著しい追
加費用を必要とする。
止するため、公知の方法では中性点の範囲内の一
次エネルギーが用いられる。これらの条件のもと
に、試料に衝突する一次電子電流と試料から出発
する二次電子電流とはちようど相殺するので、一
次電子エネルギーは充電位相と測定位相との間で
変更されなければならない。このことは、異なる
エネルギーの複数の電子線を使用すること、また
は電子線測定装置の高電圧供給を切換えることに
より技術的に解決される。しかし、両解決策は決
定的な欠点を有する。すなわち、電子線測定装置
の高電圧供給を切換える際に、試料上の電子線の
位置および焦点合わせを維持するための電子光学
的な対策が必要である。さらに、公知の電子的な
困難が高電圧の切換えの際に生ずる。また複数の
電子線の使用は、相応のビーム形成用の電磁石コ
イルを有する追加的電子源が設けられていなけれ
ばならないので、電子光学的構成要素に著しい追
加費用を必要とする。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の粒子線
測定法、特に電子線測定法であつて、ただ１つの
電子線により１つの検査すべき接続回路網におい
て一次電子エネルギーの変更なしに電位が発生か
つ測定され得る測定法を提供することである。
測定法、特に電子線測定法であつて、ただ１つの
電子線により１つの検査すべき接続回路網におい
て一次電子エネルギーの変更なしに電位が発生か
つ測定され得る測定法を提供することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲
第１項に記載の測定法により達成される。
第１項に記載の測定法により達成される。
本発明による測定法の好ましい実施態様は特許
請求の範囲第２項ないし第１３項にあげられてい
る。
請求の範囲第２項ないし第１３項にあげられてい
る。
本発明により得られる利点は、接続回路網の短
絡および断線の検査のための電子線測定装置の技
術的構成が顕著に簡単化されることである。
絡および断線の検査のための電子線測定装置の技
術的構成が顕著に簡単化されることである。
以下、図面により本発明によるい電子線測定法
を説明する。
を説明する。
本発明による方法の基礎は、絶縁された試料上
に電子線により電位を発生させかつその電位を測
定し得ることである。その際、試料を充電するた
めには電子エネルギーが、試料に衝突する一次電
子電流と試料から出発する二次電子電流とが相殺
しないように選定されなければならない。このこ
とは常に、一次電子エネルギーが中性点エネルギ
ーと合致しない場合である。中性点エネルギーは
材料に関係し、また典型的に1keVと数keVとの
間の範囲内にある。こうして十分に長い照射によ
り１つの試料上に各極性の電荷または電位が１つ
の電子線により発生する。
に電子線により電位を発生させかつその電位を測
定し得ることである。その際、試料を充電するた
めには電子エネルギーが、試料に衝突する一次電
子電流と試料から出発する二次電子電流とが相殺
しないように選定されなければならない。このこ
とは常に、一次電子エネルギーが中性点エネルギ
ーと合致しない場合である。中性点エネルギーは
材料に関係し、また典型的に1keVと数keVとの
間の範囲内にある。こうして十分に長い照射によ
り１つの試料上に各極性の電荷または電位が１つ
の電子線により発生する。
逆に、放出される二次電子のエネルギー分布は
存在する試料電位により変化するので、適当な検
出器での二次電子の検出により定性的に、または
二次電子スペクトロメータを使用して定量的に電
位測定を行うことができる。その際、測定量はそ
れぞれ検出器で観測される二次電子電流である。
測定された二次電子信号は場合によつては較正信
号との比較により補正されなければならない。な
ぜならば、求められた二次電子のエネルギー分布
は試料電位のほかに電子線の衝突個所における局
部的な電界によつても影響されるからである。較
正のためにはたとえば充電されない点で測定され
る二次電子信号が適しており、その際に点が試料
上に均等に分布していることは有利である。
存在する試料電位により変化するので、適当な検
出器での二次電子の検出により定性的に、または
二次電子スペクトロメータを使用して定量的に電
位測定を行うことができる。その際、測定量はそ
れぞれ検出器で観測される二次電子電流である。
測定された二次電子信号は場合によつては較正信
号との比較により補正されなければならない。な
ぜならば、求められた二次電子のエネルギー分布
は試料電位のほかに電子線の衝突個所における局
部的な電界によつても影響されるからである。較
正のためにはたとえば充電されない点で測定され
る二次電子信号が適しており、その際に点が試料
上に均等に分布していることは有利である。
プリント板または配線モジユールの短絡または
断線を検査するために、本発明による方法では先
ず検査すべき回路網の１つの点が時間Tc内に電
子線による十分に長い照射により電圧Vcに充電
され、また続いてすべての他の回路網点が時間
TR内に次々と等しい電子線および不変の一次エ
ネルギーにより走査される。これらの点の１つに
おいて二次電子検出器内で場合によつては必要な
補正の後に測定精度内で等しい二次電子電流、す
なわち等しい電圧Vcが観測されると、両点は必
然的に電気的に接続されていると判断される。そ
れに対して、測定された電位が互いに著しく異な
れば、断線が存在すると判断される。測定位相の
間の回路網点の充電による測定結果の誤りを防止
するため、測定時間TRは回路網の充電のために
必要とされる時間Tcにくらべて下記の条件に相
応して減ぜられていなければならない。本発明に
よる方法の以下の説明は第２図を参照して行う。
断線を検査するために、本発明による方法では先
ず検査すべき回路網の１つの点が時間Tc内に電
子線による十分に長い照射により電圧Vcに充電
され、また続いてすべての他の回路網点が時間
TR内に次々と等しい電子線および不変の一次エ
ネルギーにより走査される。これらの点の１つに
おいて二次電子検出器内で場合によつては必要な
補正の後に測定精度内で等しい二次電子電流、す
なわち等しい電圧Vcが観測されると、両点は必
然的に電気的に接続されていると判断される。そ
れに対して、測定された電位が互いに著しく異な
れば、断線が存在すると判断される。測定位相の
間の回路網点の充電による測定結果の誤りを防止
するため、測定時間TRは回路網の充電のために
必要とされる時間Tcにくらべて下記の条件に相
応して減ぜられていなければならない。本発明に
よる方法の以下の説明は第２図を参照して行う。
この概要図には１つのプリント板の複数の回路
網が断面図で示されている。種々の接触点１ない
し７を接続する導電帯LBはハツチングを施して
示されている絶縁層ISのなかに埋め込まれてい
る。技術的なレイアウトに基づいて接触点１ない
し４は互いに電気的に接続されていなければなら
ず、また回路網Ａを形成する。同じく接触点５お
よび６は回路網Ａに対して絶縁されている１つの
回路網Ｂとして一括されていなければならない。
同様なことが図面には示されていない他の接触点
にもあてはまる。一般性を制限することなく、回
路網が検査開始時に充電されていないものと仮定
することができる。回路網ＡおよびＢの電気的特
性を検査するため、本発明による方法では、図面
に破線で示されている電子線PEが回路網Ａの接
触点の１つ、たとえば点１に向けられる。一次電
子エネルギーが中性点エネルギーと一致していな
いので接触点１は回路網のキヤパシタンスに関係
する時間Tc内に１つの電圧Vcまで充電する。発
生される電圧Vcの時間的経過は第１図の左上に
示されている。電圧Vcへの回路網の充電は電子
検出器または二次電子スペクトロメータの二次電
子信号を介して有利な仕方で制御され得る。所望
の充電電圧Vcが得られると、電子線はスイツチ
オフされ、また続いて不変の一次エネルギーで、
測定時間TRの間に１つの検出器に衝突する二次
電子電流を検出するため回路網Ａの他の１つの接
触点に向けられる。測定精度内で等しい二次電子
電流が観測されると、すなわち充電点１における
電圧と等しい電圧Vcが観測されると、その接触
点と充電点１とは互いに電気的に接続されてい
る。この状況は接触点３に対して実現される。こ
れと異なり、回路網Ａ内の断線に基づいて接触点
２は充電されない。従つて、電子線PEによるこ
の接触点の走査の際には、検出器内で測定可能な
二次電子信号と接触点電位との強い関係のために
測定時間TRの間は１つの他の二次電子電流が観
測される。二次電子の検出により検出可能な電圧
差によつて短絡および断線を確認し得る。第１図
の右上に示されているように、接触点６の走査の
際にも測定精度内で充電点１における電圧と等し
い電圧Vcが測定される。それによつてこの接触
点は充電点１と電気的に接続されており、望まし
くない短絡が回路網ＡとＢとの間に検出されてい
る。プリント板の下側に配置されている接触点４
および７の電位を測定するためには、これらの接
触点が等しいエネルギーの第２の電子線により走
査される。接触点４では電圧Vcが観測されるが、
接触点７は充電されておらず、従つて回路網Ａと
短絡されていない。これらの接触点で測定される
電圧の時間的経過は第２図の下側部分に示されて
いる。
網が断面図で示されている。種々の接触点１ない
し７を接続する導電帯LBはハツチングを施して
示されている絶縁層ISのなかに埋め込まれてい
る。技術的なレイアウトに基づいて接触点１ない
し４は互いに電気的に接続されていなければなら
ず、また回路網Ａを形成する。同じく接触点５お
よび６は回路網Ａに対して絶縁されている１つの
回路網Ｂとして一括されていなければならない。
同様なことが図面には示されていない他の接触点
にもあてはまる。一般性を制限することなく、回
路網が検査開始時に充電されていないものと仮定
することができる。回路網ＡおよびＢの電気的特
性を検査するため、本発明による方法では、図面
に破線で示されている電子線PEが回路網Ａの接
触点の１つ、たとえば点１に向けられる。一次電
子エネルギーが中性点エネルギーと一致していな
いので接触点１は回路網のキヤパシタンスに関係
する時間Tc内に１つの電圧Vcまで充電する。発
生される電圧Vcの時間的経過は第１図の左上に
示されている。電圧Vcへの回路網の充電は電子
検出器または二次電子スペクトロメータの二次電
子信号を介して有利な仕方で制御され得る。所望
の充電電圧Vcが得られると、電子線はスイツチ
オフされ、また続いて不変の一次エネルギーで、
測定時間TRの間に１つの検出器に衝突する二次
電子電流を検出するため回路網Ａの他の１つの接
触点に向けられる。測定精度内で等しい二次電子
電流が観測されると、すなわち充電点１における
電圧と等しい電圧Vcが観測されると、その接触
点と充電点１とは互いに電気的に接続されてい
る。この状況は接触点３に対して実現される。こ
れと異なり、回路網Ａ内の断線に基づいて接触点
２は充電されない。従つて、電子線PEによるこ
の接触点の走査の際には、検出器内で測定可能な
二次電子信号と接触点電位との強い関係のために
測定時間TRの間は１つの他の二次電子電流が観
測される。二次電子の検出により検出可能な電圧
差によつて短絡および断線を確認し得る。第１図
の右上に示されているように、接触点６の走査の
際にも測定精度内で充電点１における電圧と等し
い電圧Vcが測定される。それによつてこの接触
点は充電点１と電気的に接続されており、望まし
くない短絡が回路網ＡとＢとの間に検出されてい
る。プリント板の下側に配置されている接触点４
および７の電位を測定するためには、これらの接
触点が等しいエネルギーの第２の電子線により走
査される。接触点４では電圧Vcが観測されるが、
接触点７は充電されておらず、従つて回路網Ａと
短絡されていない。これらの接触点で測定される
電圧の時間的経過は第２図の下側部分に示されて
いる。
本発明による方法では、一定のエネルギーの１
つの電子線により１つの回路網における電位の発
生および測定が行われる。その結果、測定時間
TRの間にも各個の接触点が充電される。それに
より惹起される電位変化に起因する測定結果の誤
りは、測定時間TRを充電時間Tcに比較して短く
選定することにより回避することができる。Ｎ個
の接触点から成る接続回路網の電気的特性を検査
すべきであり、また接触点の各々においてＭ回の
測定を行うべきであれば、測定時間TRは充電時
間Tcの１／（Ｎ×Ｍ）よりも短いことが必要で
ある。測定時間のこの制限により回路網はＮ個の
接触点におけるＭ回の測定の後にVcよりも低い
電圧にしか充電されず、従つて充電された点と充
電されなかつた点との間の区別が可能である。
つの電子線により１つの回路網における電位の発
生および測定が行われる。その結果、測定時間
TRの間にも各個の接触点が充電される。それに
より惹起される電位変化に起因する測定結果の誤
りは、測定時間TRを充電時間Tcに比較して短く
選定することにより回避することができる。Ｎ個
の接触点から成る接続回路網の電気的特性を検査
すべきであり、また接触点の各々においてＭ回の
測定を行うべきであれば、測定時間TRは充電時
間Tcの１／（Ｎ×Ｍ）よりも短いことが必要で
ある。測定時間のこの制限により回路網はＮ個の
接触点におけるＭ回の測定の後にVcよりも低い
電圧にしか充電されず、従つて充電された点と充
電されなかつた点との間の区別が可能である。
接触点Ｎの数の増大と共に回路網のキヤパシタ
ンス、従つてまた電位Vcの発生のための時間Tc
も増大する。それにより許容測定時間TRは接触
点の数の増大と共に非現実的な小さな値に低下し
ない。充電された点と充電されなかつた点との間
の区別のための所与のしきい値に応じて実際には
最も長い許容測定時間TRが再び約1/2に減ぜられ
る。最小測定時間は他方において信号対雑音比お
よび技術的限定条件により定められる。
ンス、従つてまた電位Vcの発生のための時間Tc
も増大する。それにより許容測定時間TRは接触
点の数の増大と共に非現実的な小さな値に低下し
ない。充電された点と充電されなかつた点との間
の区別のための所与のしきい値に応じて実際には
最も長い許容測定時間TRが再び約1/2に減ぜられ
る。最小測定時間は他方において信号対雑音比お
よび技術的限定条件により定められる。
本発明による方法を実施するための装置の第１
図に示されている実施例は、細く集束された一次
電子線PEがたとえば走査電子顕微鏡の電子光学
筒２のなかで発生される。ビーム形成用の多数の
図示されていない電磁石コイルおよび絞りとなら
んで、この電子光学筒は主として陰極４、ベーネ
ルト電極５および陽極６から成る電子銃３とビー
ム断続システム７と電子線の焦点を試料１０上に
結ぶための投影レンズ８と偏向システム９とを有
する。偏向コイルから発生される磁界により一次
電子線PEは試料１０、特にプリント板または配
線モジユールの上に位置決めされる。電磁的偏向
システむのほかに静電的偏向システムも使用する
ことできる。試料１０は排気されたチヤンバ内で
３つの空間方向に運動可能なテーブル１１の上に
取付けられており、従つてたとえば機械的制御装
置１２より一次電子線PEに対して向けることが
できる。一次電子線PEにより試料１０から放出
された二次電子SEを検出するため、たとえば遮
蔽格子１３、シンチレータ１４、光導波路１５お
よび光電子増倍管１６から構成された検出器シス
テム１７が用いられる。この検出器システムの前
に、１つの電位井戸の形成により１つの回路網の
充電された点と充電されなかつた点との間の一層
良好な区別のために可変のしきい値を設定し得る
ように、定量的電位測定用の逆電界スペクトロメ
ータが接続されていることは有利である。たとえ
ば１つの接触点が負の電圧Vcに充電されれば、
この点から放出される二次電子のエネルギー分布
は大きさeVc（ｅ＝素電荷）だけ高いほうのエネ
ルギーにシフトする。その結果、充電された点か
ら検出システムの空間角度内に放出された二次電
子のほぼすべては検出器に到達し、他方において
充電されなかつた点から放出された二次電子、従
つてまた低エネルギーの二次電子はスペクトロメ
ータの逆電界により遮蔽される。従つて、充電さ
れた接触点および充電されなかつた接触点で測定
された二次電子電流は逆電界の高さに応じて著し
く相違し、従つて短絡および断線が低い充電電圧
Vcにおいてもなお確実に検出され得る。
図に示されている実施例は、細く集束された一次
電子線PEがたとえば走査電子顕微鏡の電子光学
筒２のなかで発生される。ビーム形成用の多数の
図示されていない電磁石コイルおよび絞りとなら
んで、この電子光学筒は主として陰極４、ベーネ
ルト電極５および陽極６から成る電子銃３とビー
ム断続システム７と電子線の焦点を試料１０上に
結ぶための投影レンズ８と偏向システム９とを有
する。偏向コイルから発生される磁界により一次
電子線PEは試料１０、特にプリント板または配
線モジユールの上に位置決めされる。電磁的偏向
システむのほかに静電的偏向システムも使用する
ことできる。試料１０は排気されたチヤンバ内で
３つの空間方向に運動可能なテーブル１１の上に
取付けられており、従つてたとえば機械的制御装
置１２より一次電子線PEに対して向けることが
できる。一次電子線PEにより試料１０から放出
された二次電子SEを検出するため、たとえば遮
蔽格子１３、シンチレータ１４、光導波路１５お
よび光電子増倍管１６から構成された検出器シス
テム１７が用いられる。この検出器システムの前
に、１つの電位井戸の形成により１つの回路網の
充電された点と充電されなかつた点との間の一層
良好な区別のために可変のしきい値を設定し得る
ように、定量的電位測定用の逆電界スペクトロメ
ータが接続されていることは有利である。たとえ
ば１つの接触点が負の電圧Vcに充電されれば、
この点から放出される二次電子のエネルギー分布
は大きさeVc（ｅ＝素電荷）だけ高いほうのエネ
ルギーにシフトする。その結果、充電された点か
ら検出システムの空間角度内に放出された二次電
子のほぼすべては検出器に到達し、他方において
充電されなかつた点から放出された二次電子、従
つてまた低エネルギーの二次電子はスペクトロメ
ータの逆電界により遮蔽される。従つて、充電さ
れた接触点および充電されなかつた接触点で測定
された二次電子電流は逆電界の高さに応じて著し
く相違し、従つて短絡および断線が低い充電電圧
Vcにおいてもなお確実に検出され得る。
多数の接触点を有するプリント板または配線モ
ジユールの電気的特性を検査するためには、本発
明による検査法が計算機により制御されて実施さ
れるのが有利である。その際、一次電子線は計算
機１８により接触点の１つの上に位置決めされ、
その接触点で計算機１８がデータメモリ１９内に
記憶されている接触点の座標を読み出し、偏向シ
ステム２０の電子回路を中間に接続されているイ
ンタフエース２１を介して駆動する。また断続シ
ステム２２の電子回路も計算機１８により、一次
電子線が検査すべき接続回路網に電位Vcの発生
および測定の際にそれぞれ時間TcまたはTRの間
でのみ衝突し、それ以外の時間の間はスイツチオ
フされるように制御されるのが有利である。この
ことは第１図中に２つの異なる幅の方形パルスに
より示されている。前記のように、充電された接
触点と充電されなかつた接触点との間の区別は
個々の点において観測される二次電子信号の比較
により行われる。この比較は同じく計算機１８に
より、計算機１８が接続回路網のＮ個の接触点に
おいて検出器電子回路２３により供給された二次
電子信号を記憶し、また直ちにまたはすべての接
触点の走査後に始めて目標値、たとえば充電点に
おける二次電子信号と比較することによつて行う
ことができる。その際、場合によつては必要な二
次電子信号の補正は同じく計算機１８により行わ
れる。こうして接続回路網内で検出された短絡お
よび断線は続いてたとえばプリンタ２４により測
定プロトコルの形で印字される。
ジユールの電気的特性を検査するためには、本発
明による検査法が計算機により制御されて実施さ
れるのが有利である。その際、一次電子線は計算
機１８により接触点の１つの上に位置決めされ、
その接触点で計算機１８がデータメモリ１９内に
記憶されている接触点の座標を読み出し、偏向シ
ステム２０の電子回路を中間に接続されているイ
ンタフエース２１を介して駆動する。また断続シ
ステム２２の電子回路も計算機１８により、一次
電子線が検査すべき接続回路網に電位Vcの発生
および測定の際にそれぞれ時間TcまたはTRの間
でのみ衝突し、それ以外の時間の間はスイツチオ
フされるように制御されるのが有利である。この
ことは第１図中に２つの異なる幅の方形パルスに
より示されている。前記のように、充電された接
触点と充電されなかつた接触点との間の区別は
個々の点において観測される二次電子信号の比較
により行われる。この比較は同じく計算機１８に
より、計算機１８が接続回路網のＮ個の接触点に
おいて検出器電子回路２３により供給された二次
電子信号を記憶し、また直ちにまたはすべての接
触点の走査後に始めて目標値、たとえば充電点に
おける二次電子信号と比較することによつて行う
ことができる。その際、場合によつては必要な二
次電子信号の補正は同じく計算機１８により行わ
れる。こうして接続回路網内で検出された短絡お
よび断線は続いてたとえばプリンタ２４により測
定プロトコルの形で印字される。
以上に詳細に説明したように、接続回路網内の
短絡および断線の検出は回路網の種々の接触点で
測定された二次電子信号と１つの参照信号との比
較により行われる。その際に本発明による方法に
とつては、どのような種類の粒子またはビームが
試料上で二次電子を放出させるかは重要ではな
い。なぜならば、検出器システム内で測定すべき
二次電子信号は主として試料電位および局部的電
界のみに関係するからである。従つて、本方法を
実施するためには、試料から二次電子を放出させ
る任意の種類の粒子線または電磁放射を利用する
ことができる。
短絡および断線の検出は回路網の種々の接触点で
測定された二次電子信号と１つの参照信号との比
較により行われる。その際に本発明による方法に
とつては、どのような種類の粒子またはビームが
試料上で二次電子を放出させるかは重要ではな
い。なぜならば、検出器システム内で測定すべき
二次電子信号は主として試料電位および局部的電
界のみに関係するからである。従つて、本方法を
実施するためには、試料から二次電子を放出させ
る任意の種類の粒子線または電磁放射を利用する
ことができる。
第１図は本発明を実施するための装置の１つの
実施例のブロツク図、第２図は１つのプリント板
の複数個の回路網の断面図である。 ２……電気光学筒、３……電子銃、４……陰
極、５……ベーネルト電極、６……陽極、７……
ビーム断続システム、８……投影レンズ、９……
偏向システム、１０……試料、１１……テーブ
ル、１２……機械的制御装置、１３……遮蔽格
子、１４……シンチレータ、１５……光導波路、
１６……光電子増倍管、１７……検出器システ
ム、１８……計算機、１９……データメモリ、２
０……偏向システム、２１……インタフエース、
２２……断続システム、２３……検出器電子回
路、２４……プリンタ、Ａ……接続回路網、IS…
…絶縁層、LB……導電帯、PE……一次電子、
SE……二次電子。
実施例のブロツク図、第２図は１つのプリント板
の複数個の回路網の断面図である。 ２……電気光学筒、３……電子銃、４……陰
極、５……ベーネルト電極、６……陽極、７……
ビーム断続システム、８……投影レンズ、９……
偏向システム、１０……試料、１１……テーブ
ル、１２……機械的制御装置、１３……遮蔽格
子、１４……シンチレータ、１５……光導波路、
１６……光電子増倍管、１７……検出器システ
ム、１８……計算機、１９……データメモリ、２
０……偏向システム、２１……インタフエース、
２２……断続システム、２３……検出器電子回
路、２４……プリンタ、Ａ……接続回路網、IS…
…絶縁層、LB……導電帯、PE……一次電子、
SE……二次電子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 接続回路網の短絡および断線の無接触検査の
ための粒子線測定法において、 接続回路網１０の少なくとも１つの点がそれに
向けられる第１の粒子線PEにより第１の時間Tc
の間に充電され、 続いて等しいエネルギーのこの第１または第２
の粒子線PEが第２の時間TRの間の同一または他
の接続回路網の少なくとも１つの別の点に向けら
れ、 このまたはこれらの別の点における電位がこれ
らの点から求められた二次電子SEの測定により
検出され、その際に第２の時間TRは第１の時間
Tcよりもはるかに短く選定されており、また両
時間の間の第１の粒子線のエネルギーは等しい値
を有する ことを特徴とする接続回路網の検査用粒子線測定
法。 ２ 電圧Vcへの接続回路網１０の充電が粒子線
PEの衝突点から求められた二次電子の検出によ
り制御されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の粒子線測定法。 ３ 二次電子検出器システムの前に定量的電位測
定のための逆電界スペクトロメータ接続されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の粒子線測定法。 ４ 電子線により電位が接続回路網上で発生され
かつ測定されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の粒子
線測定法。 ５ 接続回路網１０上で電位を発生しかつ測定す
るための粒子線PEが走査電子顕微鏡内で発生さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第４項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 ６ 粒子線PEが計算機１８からインタフエース
２１を介して偏向システム２０の電子回路の制御
により接続回路網１０の接触点上に位置決めされ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第５項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 ７ 粒子線PEが計算機１８からインタフエース
２１を介して粒子線断続システム２２の電子回路
の制御により断続されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記
載の粒子線測定法。 ８ 接続回路網１０の接触点の座標がデータメモ
リ１９に記憶されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１項に記
載の粒子線測定法。 ９ 接続回路網１０の接触点で測定された二次電
子信号が一時記憶されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第８項のいずれか１項に記
載の粒子線測定法。 １０ 接続回路網の充電の前に充電されない接触
点で参照信号が測定されかつ一時記憶されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第９項
のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 １１ 測定結果がプリンタ２２により印字される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
１０項のいずれか１項に記載の粒子線測定法。 １２ 接続回路網１０が高度に集積された回路の
部分であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第１１項のいずれか１項に記載の粒子線
測定法。 １３ 接続回路網１０がプリント板または配線モ
ジユールの形態で存在することを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれか１項
に記載の粒子線測定法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3501562 | 1985-01-18 | ||
| DE3501562.4 | 1985-01-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170669A JPS61170669A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0562700B2 true JPH0562700B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=6260156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61007142A Granted JPS61170669A (ja) | 1985-01-18 | 1986-01-16 | 接続回路網の検査用粒子線測定法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985681A (ja) |
| EP (1) | EP0189777B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61170669A (ja) |
| DE (1) | DE3672844D1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841242A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for testing conductor networks |
| NL8700933A (nl) * | 1987-04-21 | 1988-11-16 | Philips Nv | Testmethode voor lcd-elementen. |
| US5192913A (en) * | 1990-12-20 | 1993-03-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Segmented charge limiting test algorithm for electrical components |
| JPH05196681A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-06 | Digital Equip Corp <Dec> | 連続移動する電気回路の相互接続試験方法及び装置 |
| US5268638A (en) * | 1991-07-15 | 1993-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD" |
| US5258706A (en) * | 1991-10-16 | 1993-11-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the recognition of testing errors in the test of microwirings |
| US5587664A (en) * | 1995-07-12 | 1996-12-24 | Exsight Ltd. | Laser-induced metallic plasma for non-contact inspection |
| US6118285A (en) * | 1998-01-28 | 2000-09-12 | Probot, Inc | Non-contact plasma probe for testing electrical continuity of printed wire boards |
| KR100546289B1 (ko) | 1999-04-23 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 검사 장치를 이용한 콘택홀의 인라인 모니터링 방법 |
| US6545491B2 (en) | 1999-08-27 | 2003-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for detecting defects in semiconductor devices and methods of using the same |
| US6359451B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-03-19 | Image Graphics Incorporated | System for contactless testing of printed circuit boards |
| WO2001058558A2 (en) | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Eco 3 Max Inc. | Process for removing volatile organic compounds from an air stream and apparatus therefor |
| CA2308820A1 (en) * | 2000-05-15 | 2001-11-15 | The Governors Of The University Of Alberta | Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers |
| US7129694B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| DE10227332A1 (de) * | 2002-06-19 | 2004-01-15 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften |
| EP1692530A4 (en) * | 2003-11-12 | 2011-01-05 | Ibm | IONIZATION TEST FOR ELECTRICAL VERIFICATION |
| US7355418B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
| US6833717B1 (en) | 2004-02-12 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system with integrated substrate transfer module |
| US20060038554A1 (en) * | 2004-02-12 | 2006-02-23 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system stage |
| US7319335B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
| US7075323B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
| US7256606B2 (en) * | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| US7317325B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Line short localization in LCD pixel arrays |
| US7535238B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
| US20060273815A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated prober drive |
| KR101028222B1 (ko) * | 2006-03-14 | 2011-04-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중 열 ｅ-빔 테스트 시스템에서 혼선을 감소시키는 방법 |
| US7602199B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
| US7786742B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
| US20080251019A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Sriram Krishnaswami | System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3531716A (en) * | 1967-06-16 | 1970-09-29 | Agency Ind Science Techn | Method of testing an electronic device by use of an electron beam |
| US3549999A (en) * | 1968-06-05 | 1970-12-22 | Gen Electric | Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit |
| US3796947A (en) * | 1973-02-27 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam testing of film integrated circuits |
| US4169244A (en) * | 1978-02-03 | 1979-09-25 | Plows Graham S | Electron probe testing, analysis and fault diagnosis in electronic circuits |
| US4443278A (en) * | 1981-05-26 | 1984-04-17 | International Business Machines Corporation | Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of green specimens |
| US4621232A (en) * | 1981-05-26 | 1986-11-04 | International Business Machines Corporation | Inspection of unsintered single layer or multilayer ceramics using a broad area electrical contacting structure |
| US4578279A (en) * | 1981-05-26 | 1986-03-25 | International Business Machines Corporation | Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of unfired green sheets |
| US4417203A (en) * | 1981-05-26 | 1983-11-22 | International Business Machines Corporation | System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics |
| DE3232671A1 (de) * | 1982-09-02 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung und verfahren zur spannungsmessung an einem vergrabenen messobjekt |
| DE3235461A1 (de) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontaktlosen pruefung eines objekts, insbesondere von mikroverdrahtungen, mit einer korpuskularstrahl-sonde |
-
1985
- 1985-12-27 US US07/813,875 patent/US4985681A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-01-13 DE DE8686100378T patent/DE3672844D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-13 EP EP86100378A patent/EP0189777B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-16 JP JP61007142A patent/JPS61170669A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0189777A1 (de) | 1986-08-06 |
| JPS61170669A (ja) | 1986-08-01 |
| DE3672844D1 (de) | 1990-08-30 |
| US4985681A (en) | 1991-01-15 |
| EP0189777B1 (de) | 1990-07-25 |
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