KR0133320B1 - 이온 비임 전위 검출 프로브 - Google Patents

이온 비임 전위 검출 프로브

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KR0133320B1
KR0133320B1 KR1019920000714A KR920000714A KR0133320B1 KR 0133320 B1 KR0133320 B1 KR 0133320B1 KR 1019920000714 A KR1019920000714 A KR 1019920000714A KR 920000714 A KR920000714 A KR 920000714A KR 0133320 B1 KR0133320 B1 KR 0133320B1
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스펄라죠 피에로
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프랑크 엠 사죠벡
이턴 코오포레이숀
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 (41)를 도핑하는 이온 주입시스템 (10)에 사용되는 이온비임에 대해 위치한 센서 (110,210)에 관한 것이다. 센서는 이온비임 전위를 매우 정확히 결정해 이전위를 최소화 한다. 바람직한 설계로서 다수의 전지가 이온비임 전위를 결정하게 하는 제어전압으로 바이어스 되고 이온비임에 대해 위치한다. 하나의 실시예에서 이온비임 전위는 중성전자를 이온비임으로 주입하는 것을 제어하는데 사용된다.

Description

이온 비임 전위 검출 프로브
제1도는 이온비임을 직사시켜 반도체 웨이퍼와 같은 공작물에 충돌시키는 이온 주입기의 개략도.
제2도는 이온비임 전위를 감지하는 바람직한 센서의 부분적인 단면도.
제3도는 센서를 통과하는 이온비임을 개략적으로 그린 제2도의 평면도.
제4도는 이온비임 전위를 감지할 때 사용되는 또 다른 센서의 개략도.
제5도는 이온비임을 결정하는데 사용되는 전지상의 전류 대 전압의 그래프.
제6도는 전자 온도를 결정하는데 사용되는 제4도 센서를 수정한 개략도.
제7도는 전자 온도를 측정할 때 나타난 전류 대 전압의 자연로그의 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 주입기 12 : 이온 소오스
41 : 웨이퍼 22 : 이온 주입장소
250 : 비임 중화기 14 : 비임 분석기
110,210 : 센서 132,222 : 제 1 전지
140,226 : 제 2 전지 150,152 : 제 1 및 제 2 지지대 디스크
본 발명은 이온을 재료에 충돌시켜 재료를 처리하는 이온 주입기에 관한 것이고 특히, 이러한 이온 주입기의 이온비임 전위를 감지하는 장치에 관한 것이다.
이온 도핑의 고유접속이 일어날때까지 이온을 웨이퍼에 충돌시켜 반도체를 도핑시키는 것이 선행 기술에 공지되어 있다. 일반적으로 이러한 도핑용 이온 주입 시스템은 웨이퍼와 충돌하는 이온비임을 구성하는 적당한 량의 이온을 보증하는 이온 소오스와 이온 분석기를 포함한다.
이온비임이 이온 소오스에서 웨이퍼에 따라 통과함에 따라 이온비임 손실을 방지하는 조처가 취해진다. 이러한 하나의 조치는 비임 중화이다. 이온들이 비임통로를 따라 웨이퍼에 이동할 때 이들은 저압 가스를 통해 이동한다.
이온은 가스분자와 충돌하여 이온화 되어 저에너지 전자가 마련한다.
저에너지 전자가 이온비임의 양의 공간전위에서 잡하고 비임을 부분적으로 중성화 공간전하발산(divergence)을 감소시킨다. 강한 공간 전하발산은 비임전달을 상실케하 비임수행에 나쁜 결과를 초래한다.
목표 웨이퍼의 부분에서, 비임 전위의 값에 웨이퍼 접지에 대해 임피던스에 의존한다. 만일 임피던스가 크면 (즉, 웨이퍼 이동), 이온비임이 에너지를 이온비임에 공급하는데 이용되는 가속전지와 고립되는 동안 전위가 평형 상태에서 웨이퍼 전위가 이온비임을 따라 어디서나 측정된 비임전위가 같아진다.
강한 이온비임 전위는 이온 주입중 웨이퍼를 대전시킨다. 비임 중화를 증가시켜 웨이퍼 대전을 감소시키기 위해 저에너지 전자의 접속을 증가시킬 필요가 있다. 다수의 전자 집속제어장치가 고안되었고, 현재 성공적으로 이용 되고 있다 (10 볼트가 웨이퍼의 영역에서 일반적인 이온비임 전위이다).
이온주입 동안 웨이퍼의 절연면이 대전되면, 절연파괴가 된다.
고밀도장치의 게이트 산화물은 10㎚만큼 얇고 SiO2의 절연파괴 세기가 이런한 종류의 두께에서는 큰 (10 메가 볼트 1㎝)지하도, 절연파괴가 쉽게 일어난다.
최근의 주입기에서는 일반적으로 웨이퍼가 고정된 이온비임을 통해 회전하는 지지대 지지대 디스크 위에 위치한다.
또한, 이온비임은 대지와 절연된 웨이퍼와 충돌하거나 대지 전위인 지지대 디스크와 충돌한다. 주입 위치에서의 비임전위는 일정하게 변하는데 이것이 이온선량이 비 균일해지는 중요한 이유가 될 것이다. 전자 생성외에 비임이동통로를 따라 나머지 가스가 이온화 되면, 같은 량의 저에너지 가스이온이 생성된다. 이러한 느린 이온이 이온비임의 공간저하로 인해 비임으로부터 방사상으로 가속되고 비임통로를 연결하는 챔버벽과 충돌한다.
가스분자와 이온 상호작용으로 인한 저에너지 이온전류의 레벨을 측정할 수 있다.
가스분자와 이온 상호작용하는 산란비는 r = nσ dI 이고 여기서 n 은 가스 밀도, σ 는 이온화 및 전하교환 단면이고 d 는 비임 통로길이이고, I 는 비임 전류이다.
일반적으로 σ = 10-15cm2(압력 10-5)torr , d = 1㎝에 대해 )이고, r = 2× 10-4* I 이다. 5㎃이온비임에 대해 이것은 마이크로 앰프차의 총저에너지 이온전류가 된다. 측정된 실제 저에너지 이온 전류는 주입기의 상세한 구조 및 비임전위 (V)에 따라 달라진다.
본 발명은 이온비임 전위를 측정하는 방법 및 장치에 관한 것이고 이온 비임을 계산하거나 이온비임을 접속하는데 사용된다. 본 발명은 이온 주입장치에 위치한 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 처리하는 이온비임을 마련하는 이온 소오스를 가진 이온 주입기에 사용하면 바람직하다.
일반적인 이온비임 주입기는 이온을 분석하고 적당한 양의 이온을 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 충돌시키는 이동통로에 직사하는 분석기를 갖는다. 이러한 분석기는 일반적으로 이온비임으로부터 적합하지 않은 양의 이온을 제거하는 대형 이온분해 자석을 갖는다.
비임중화기는 이온비임이 이온주입 장소에 도달하기전에 중화 입자를 이온비임에 주입시키는데 흔히 사용된다. 이 중화입자는 비임의 이온들 사이에서 상호공간 전하척력으로 인한 비임이 파괴(blow-up)되는 것을 방지한다.
본 발명에 따라 만들어진 센서는 비임 분석기 뒤에 비임통로를 따르는 위치에서 이온비임 전위를 감지하는 이온비임 이동통로에 대해 위치한다.
웨이퍼와 충돌하기 전에 이온비임을 따르는 점에서 적당한 비임 중성수단을 사용하여 비임을 접속시키는 동안 이 전위를 조정할 수 있다. 비임 전위를 제어하므로서, 이온 주입중 웨이퍼 대전이 시작되고 향상된 생산품으로 도핑한다.
바람직한 설계로서, 센서는 전원에 의해 이온비임에서 방사상 떨어진 직렬전지를 포함하고 제어전위에서 바이어스 된다. 제 1 전지는 대지전위로 위치하여 이온비임이 센서로 인해 감소하지 않는다. 제 1 전지에 대해 방사상 바깥쪽의 추가전지는 가스입자와 이온 충돌하는 동안 발생한 저에너지 전자를 제지한다. 또 다른 전지가 바이어스되어 저에너지 이온을 이온비임 뒤로 제거하고 제 4 전지는 검전지 역할을 한다. 이온반사 전지위의 바이어싱 또는 전지전위가 모든 (또는 대부분) 저에너지 이온을 반사하기에 충분히 증가할 때 검전지가 감지한 이온전류는 다음과 같은 단계로 급격히 강하한다.
전자를 중성화하고 이에 따라 비임 전위를 감지하는 주입과 같은 다른 비임파라미터를 제어하므로서 웨이퍼 대전을 줄일 수 있다. 구성이 바꾸어진 검전지는 이온 전류라기 보다 전자 전류를 감지한다. 이러한 분석을 토대로, 중요한 비임 파라미터 이고 비임수행시 매우 중요한 전자온도를 얻을 수 있다.
본 발명의 하나의 목적은 이온비임 주입기를 제어하는데 사용되는 이온비임 전위를 감지하는 센서를 제공하는 것이고 본 발명의 다른 및 장점은 수반한 도면과 관련지어 바람직한 두 개의 실시예에서 분명히 알 수 있는 것이다. 제1도는 고전압 하우징(16)에 포함된 비임분해자석(14) 및 이온 소오스를 가진 이온 주입시스템(10)을 예시한다. 소오스(12)로부터 나오는 이온비임(20)은 하우징(16)을 탈출하여 제 2 하우징(24)내측에 위치한 이온 주입실(22)에 들어가는 이동통로를 따라 이동하도록 직사된다. 분해자석(14)은 적당한량을 가진 이온들만을 이온비임 (20)으로 형성한다. 챔버(16)에서 챔버(14)까지 이온통로를 따라 이온비임(20)이 주입실 (22)에 들어가기 전에 고전압 절연부싱(26)을 통과한다.
주입실(22)은 이동받침대 (28)위에 지지되어 있다. 이것은 챔버 (22)를 이온비임에 대해 정렬하게 한다. 이온비임은 축 (42) 주위에서 회전하도록 설치된 웨이퍼 지지대 (40)와 충돌한다. 이 웨이퍼 지지대 (40)(제4도)는 다수의 실리콘 웨이퍼(41)를 지지하고 이온비임 (20) 각각의 웨이퍼와 충돌하도록 이 웨이퍼를 원형통로를 따라 이동하고 충돌하고 이온 불순물로 이들 웨이퍼를 선택적으로 도핑한다. 웨이퍼가 지지대에 의해 위치한 후 지지대 (40)를 회전시키는 모우터 (50)에 의해 지지대 (40)를 고속회전케 한다.
여기서 설명한 유형의 이온 주입시스템에 관한 상세한 설명을 암스트롱(Armstrong)씨등의 미합중국 특허 제 4,672,210에 개재되어 있고 이를 참고로 여기에 포함했다. 반도체 웨이퍼가 진공포트(71)를 통해 로버트팔(70)에 의해 주입실(22)에 끼워진다. 진공실(22)은 이온비임통로를 따르는 압력과 같은 압력으로 진공펌프 (72)에 의해 진공된다. 로버트팔 (70)은 웨이퍼를 축적하는 카세트(73)와 챔버(22)사이에 웨이퍼를 앞뒤로 이송한다. 이러한 이송을 하게 자동메카니즘은 선행 기술에 공지되어 있다. 두 개의 부가적인 펌프(74),(76)가 소오스(12)로부터 주입실 (22)가지 이온비임 통로를 진공시킨다.
제2도 및 제3도에 있어서, 비임의 전기 전위를 감지하는 이온비임 센서(110)가 이온비임(20)에 대해 지지된을 도시한다. 센서(110)는 이온비임(20)에 대해 센서를 위치시키는 지지대 (112)를 포함한다. 이온비임 센서(110)의 위치가 이온 가속전지와 전기적으로 절연되는 동안 중요하지 않으므로 예컨데, 챔버(22)내에 위치할 수 있다. 제 2도의 실시예에서, 센서(110) 는 제어전압에 바이어스 되어 이온비임 중심 측 (20a)에서 일정한 간격으로 원형배열로 정렬된 다수의 금속 그리드 또는 전지를 포함한다. 비임주위에서 같은 각으로 공간을 둔 네 개의 절연기둥 (A) 중 제 1 세트는 대지 전위로 유지된 제 1 실린더형 금속 그리드 또는 와이어 매시 (wire mesh) (120)를 지지한다. 대지전위로 이 그리드를 유지하므로서, 센서 (110)의 작동이 이온비임을 방해하지 못한다.
방사상 바깥쪽의 금속 그리드는 두 개의 전원 (122,124) 에 의해 전기 전위로 바이어스 되어 있다. 네 개의 절연기둥 (B) 중 다음 세트는 대지에 대해 부의 전위로 유지되어 있고, 비임 (20)에서 발생하는 전자를 제거하는 금속그리드 (130)를 지지한다. 네 개의 절연기둥 (C)의 다음세트는 가변 음전위로 바이어스 되어 지연 전기장을 생성하는 금속그리드 (132)를 지지한다.
이 전기장은 이온비임에서 탈출하는 느린 이온들을 제거하고 한 세트의 네 개의 절연기둥 (D)에 의해 지지된 방사상 맨바깥 금속그리드 (140)에 도달하는 다수의 이들 이온들을 제어한다. 맨바깥 그리드 (140)는 건전지로 사용된다.
전류계 (142)는 전원 (124)의 전압이 그리드 (132)의 전압을 변화시킴에 따라 이 그리드 (140)의 전류를 감지한다. 맨바깥 그리드 (140)에 설치된 전류계 (142)에 의해 감지된 이온전류가 계단식으로 강하할 때 전원 (124)에 의해 가해진 억제 전위는 이온비임을 탈출시키는 이온의 전기전위와 같도록 조종된다.
이것은 이온비임 전위와 같고 제5도에 도시된 전류대 전지전위를 나타내는 그래프에서 상관된다.
센서 (110)는 이온비임 (20)을 센서를 통과하게 하는 일반 원형구멍 (144)을 형성한다. 절연기등 (A),(B),(C),(D) 은 공간을 둔 디스크 (150),(152) 사이를 연장한다. 디스크 (152)는 지지대 (112)에서 디스크로 연장한 연결자에 의해 센서 지지대 (112)에 설치되어 있다.
비임 전위를 감지하는 또 다른 실시예의 센서 (213)가 제4도에 설명되어 있다. 이 실시예의 센서 (210)에서, 센서 절연지지대 (212)는 이온비임 (20)에 대한 위치에서 네 개의 전지 그리드를 위치시키고 절연시킨다. 대지전지 그리드 (220)는 이온비임에 대한 센서의 영향을 감소시킨다. 양 바이어스 된 제 2 그리드(222)는 이온비임을 탈출하는 느린 이온을 지연시키고 음 바이어스 된 제 3 그리드 (224)는 전자를 제거한다. 마지막으로 제 4 그리드(226)는 검전지로 사용한다. 적당한 전원 (230),(232) 이 중간 그리드 (222),(224) 및 비임 전위를 결정 이 센서 (210) 의 작동은 센서가 이온비임을 포위하지 않는 것 외에 바람직한 실시예 (110) 와 유사하다. 하는 맨바깥 그리드에 접속된 전류계 (240) 와 결합되어 있다. 센서의 출력은 주입 초기전에 비임측정중 활용된다. 이온비임이 설정되고 계산되어 특별한 비임 전류 및 이온에너지를 생성한다.
이것을 설정하는 동안 이온비임 전위가 감지되고 감지전위를 감소시키는 단계가 취해진다. 이에 따라 이온주입 중 대전하는 웨이퍼를 줄일 수 있다.
특히 전자 흐름장치 (250) (제1도) 는 전자를 이온비임 (20) 에 주입시킨다.
주입 초기전에 비임전위는 전자가 이온비임에 주입되어 비임을 중성화하는 비율을 조종하는 제어회로 (252) 에 의해 측정된다.
제5도는 제4도에 도시된 센서와 같은 센서의 수행능력을 예시했다.
맨바깥 전지 그리드에 결합된 전류계의 전류은 세로좌표로 나타냈고 느린 이온 제거전지에 가해진 전원 전위는 가로좌표로 표시했다. 이 그래프에 표시된 여러 곡선은 전위차계를 사용하여 변경되고 정전전압계로 측정되는 여러 목표물 (웨이퍼) 전위를 나타낸다. 비임 전위측정은 측정된 목표전압과 매우 근사하다. 느린 전위를 제거하는 전지의 전위가 제어됨에 따라, 맨바깥 전지에서 감지된 전류의 급격한 강하가 웨이퍼 전위에 매우 가까운 전압으로 나타난다. 비임설정중, 이온비임 전위가 감지되고 이 전위가 가해진다. 개시된 센서 (110),(210)는 비임이 처음에 계산된 후, 주입중에 사용 할 수도 있다. 일반 주입중, 반도체 웨이퍼는 설치되어 접지된 대지 및 디스크위를 이동한다. 따라서, 비임과 충돌하는 목표물은 전위가 변하고 이온비임 전위에 영향을 미친다. 이온비임이 웨이퍼상에 있을때만 전위측정이 흥미있기 때문에 이온비임이 웨이퍼상에 웨이퍼상에 충돌할때만 동기펄스가 전류계 출력을 샘플하도록 이용된다.
웨이퍼 지지대 (40) 는 지지대 (40) 에 외주변에 다수의 웨이퍼 (41)를 지지한다. 웨이퍼는 웨이퍼 직경 보다 작은 공간을 두고 있다. 웨이퍼가 이온비임을 통과할때마다 전압을 급격히 피크값까지 경사 (ramp)지게 하므로서 성취할 수 있다. 또한, 전압이 모우터 (50)의 회전속도와 동기화 되어 (지지대에 설치된 다수의)주어진 웨이퍼가 이온비임 (20) 에 있을때마다 동기 펄스가 발생한다.
제6도 및 제7도는 전자 에너지를 측정하는 센서 (210′)( 제 4 도와 유사 )의 이용을 나타낸다. 전류계 (240′)의 출력이 강하할때까지 ( 제 7도 ),부의 전원 (230′)을 조종하므로서 전자볼트의 전자온도가 전류대 전압 그래프의 로가리즘(대수)의 직선에서 결정된다. 제6도에서 전원의 극성 (230′),(232′)는 제4도의 센서 (210) 의 극성과 반대이다.
전류의 강하는 특별한 경우에 3전자볼트의 에너지가 발생한다. 이온비임 전위를 감지하는 또다른 실시예가 개재되어 있다. 본 발명은 수반단 크레임의 정신 또는 범위에서 벗어나지 않는다면 여러수정을 할 수 있다.

Claims (12)

  1. a) 이온 주입장소(22)에 위치한 하나 이상의 반도체 웨이퍼 (41)를 처리하는 이온비임(20)을 제공하는 이온 소오스 (12); b) 이온비임내의 이온들을 분해하고 주입장소에서 하나 이상의 반도체 웨이퍼와 충돌하는 이동통로에 적당한 량의 이온을 직사하는 비임 분석기 (14); c) 이온비임이 웨이퍼 주입장소에 직사하기전에 중성입자를 이온비임에 주사키는 비임중화기 (250); d) 주입장소에서 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 배치시키는 웨이퍼 지지대 구조 (40)등을 포함하는 이온주입기 (10)에 있어서, e) 이온비임 이동통로에 대해 위치하여 이온비임 측정 및/또는 주입중 이온비임 전위를 감지하는 센서 (110,210); f) 중성입자가 감지된 이온비임 전위로 유지되는 이온비임에 주입되는 비율로 조종하는 전자제어기 (252)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온주입기.
  2. 제 1항에 있어서, 센서 (110,210) 는 제어 전위로 바이어스 되어 이온비임을 떠나는 저에너지 이온을 제거하는 제 1 전지 (132,222)를 포함 하고 이온비임 전위를 결정하기 위해 제어전위로서 이온비임이 존재하는 이온전류를 감지하는 제 2전지 (140,226)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  3. 제 1항에 있어서, 센서 (11)는 이온비임의 전기 전위를 감지하기 위해 다수의 실린더형 전지(120,130,132,140) 및 다수의 실린더형 전지를 바이어스 하는 수단 (122,124)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  4. 제 3항에 있어서, 맨바깥 실런더형 전지 (140)는 이온비임에 존재하는 저에너지 이온들의 전류를 감지하고 방사상 안쪽의 실린더형 전지 (132) 는 (132)는 이온비임에 존재하는 저에너지이온을 제거하는 전위로 바이어스 되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  5. 제 3항에 있어서, 위치적으로 대전된 이온들은 이온비임을 형성하고 센서(110)는 이온비임에 존재하는 전자를 제거하는 제 1전지 (130) 및 제어전압이 결합되어 이온비임에 존재하는 위치적으로 대전된 이온들을 제거하는 제 2 전지 2전지 (132) 및 이온이 제 3전지에 도달하지 못하도록 하기에 충분한 제어 전압의 크기를 절정하는 제 3전지(140)등을 포함하여 이온비임 전위를 표시하는 것을 특징으로 하는 이온 주입기.
  6. a) 다수의 전지 (132,140)를 이온비임으로부터 방사상 증가하는 거리에서 지지하고, b) 이온비임에 존재하는 저에너지 이온을 제거하는 제어전위로 다수의 전지중 제 1전지 (132)을 바이어스 하고 c) 이온전류를 감지하기 위해 제 1전지로부터 방사상 바깥쪽의 위치에 다수의 전지중 제 2전지 (140)를 위치시키고 d) 이온비임의 전기전위를 결정하기 위해 제 2전지에서 이동전류를 감지 하는 동안 제어전위를 조정하는 것을 특징으로 하는 이온비임의 전기전위를 결정하는 방법.
  7. a) 이온비임을 제 1 및 제 2 지지대 디스크를 통해 충돌하지 않게 이동시키는 배열구멍들을 포함하는 제 1 및 제 2 지지대 디스크 (150,152); b) 이온비임 중심선과 같은 입사축 주위에서 고정반경에 집중적으로 배열되고 제 1 및 제 2 지지대 디스크 사이에 지지되어 연장된 다수의 금속전지 (130,132,140); c) 이온비임을 떠나는 전자를 이온비임 뒤쪽으로 편향시키는 전압으로 제 1 전지를 바이어스 하고 느리게 이동하는 양으로 대전된 이온들을 이온비임으로 편향시키는 전기 전위에서 제 2전지 (132)를 바이어스 하는 제 1 금속전지 (130)에 결합된 전원, d) 부가전지에서 전류를 감지하고 제 2 전지위의 바이어싱 전위가 조종됨에 따라 비임전기 전위를 상기 전류와 상관시키는 제 1 및 제 2전지 방사상 외측의 외측의 부과전지 (140)에 결합된 전류 감지수단 (142)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 전기 전위를 감지하는 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 이온비임의 전자집속을 제어하고 이온비임 전위를 조종하는 비임중화기 (250)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임 전기 전위를 감지하는 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 이온비임 중화기는 전자 흐름장치 (250)를 포함하고 이의 이의 작동은 전류감지수단의 출력에 결합된 입력신호에 의해 제어되는 특징으로 하는 이온비임 전기 전위를 감지하는 장치.
  10. a) 이온비임으로부터 고정거리에 배열된 다수의 금속전지(220,222,224,226); b) 이온비임을 떠나는 제 1극성의 대전된 입자를 비임 이온뒤로 편향시키는 전압으로 제 1 전지를 바이어스 하고 이온비임을 떠나는 반대 극성의 대전입자를 이온비임뒤로 편향시키는 전기 전위로 제 2전지 (224)를 바이어스하는 제 1전지에 결합된 전원, c) 부가전지에서 전류를 감지하고 제 2전지의 바이어싱 전위가 조종됨에 따라 반대로 대전된 입자의 전기전위를 상기 전류와 상관시키는 제 1 및 제 2전지의 방사상 외측의 부과전지 (226)에 결합된 전류 감지수단 (240)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이노비임을 감지하는 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 반대로 대전된 입자는 위치적으로 대전된 이온이고 위치적으로 대전된 이온이고 위치적으로 대전된 이온들의 에너지는 이온비임 전기전위인 것을 특정으로 하는 이온비임을 감지하는 장치.
  12. 제 10항에 있어서, 반대로 대전된 입자는 음으로 대전된 입자하고 전류 감지 수단의 신호는 전지온도를 결정하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 이온비임을 감지하는 장치.
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