JPH0528954A - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
- Publication number
- JPH0528954A JPH0528954A JP3206436A JP20643691A JPH0528954A JP H0528954 A JPH0528954 A JP H0528954A JP 3206436 A JP3206436 A JP 3206436A JP 20643691 A JP20643691 A JP 20643691A JP H0528954 A JPH0528954 A JP H0528954A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- charge
- ion beam
- amount
- disk
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来よりも正確にウェーハのチャージアップ
状態を計測することができるようにしたイオン処理装置
を提供する。 【構成】 ウェーハディスク２上のウェーハ４の通過経
路上であって通過するウェーハ４に少し離れて対向する
ように配置したチャージ検出電極８ａ、８ｂを、ウェー
ハディスク２上のウェーハ４に対するイオンビーム６の
照射位置のディスク回転方向で言う前後に設けた。
状態を計測することができるようにしたイオン処理装置
を提供する。 【構成】 ウェーハディスク２上のウェーハ４の通過経
路上であって通過するウェーハ４に少し離れて対向する
ように配置したチャージ検出電極８ａ、８ｂを、ウェー
ハディスク２上のウェーハ４に対するイオンビーム６の
照射位置のディスク回転方向で言う前後に設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウェーハディスク上
のウェーハにイオンビームを照射してイオン注入等の処
理を行うイオン処理装置に関し、より具体的には、当該
ウェーハのチャージアップ（帯電）状態を計測する手段
に関する。
のウェーハにイオンビームを照射してイオン注入等の処
理を行うイオン処理装置に関し、より具体的には、当該
ウェーハのチャージアップ（帯電）状態を計測する手段
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のイオン処理装置のウェー
ハディスク周りを示す平面図である。このイオン処理装
置は、いわゆるメカニカルスキャン方式のものであり、
真空中で例えば矢印Ａのように高速回転させられると共
に矢印Ｂのように並進させられるウェーハディスク２上
に装着された複数枚のウェーハ４に、上からイオンビー
ム（この位置は固定されている）６を照射して、イオン
注入等の処理を行うよう構成されている。
ハディスク周りを示す平面図である。このイオン処理装
置は、いわゆるメカニカルスキャン方式のものであり、
真空中で例えば矢印Ａのように高速回転させられると共
に矢印Ｂのように並進させられるウェーハディスク２上
に装着された複数枚のウェーハ４に、上からイオンビー
ム（この位置は固定されている）６を照射して、イオン
注入等の処理を行うよう構成されている。
【０００３】各ウェーハ４は、イオンビーム６の照射に
伴って正にチャージアップするが、これを放置しておく
と、ウェーハ４の表面で放電による絶縁破壊が発生して
デバイス製造上の歩留りを低下させる等の不具合が発生
する。
伴って正にチャージアップするが、これを放置しておく
と、ウェーハ４の表面で放電による絶縁破壊が発生して
デバイス製造上の歩留りを低下させる等の不具合が発生
する。
【０００４】そのため従来は、図３に示すように、ウェ
ーハディスク２上のウェーハ４の通過経路上であって通
過するウェーハ４に少し離れて対向するように配置した
チャージ検出電極８を、図２に示すように、イオンビー
ム６の照射位置のディスク回転方向で言う直後に設けて
おり、このチャージ検出電極８によって、静電誘導によ
り、イオンビーム照射直後のウェーハ４のチャージアッ
プ量を計測するようにしている。
ーハディスク２上のウェーハ４の通過経路上であって通
過するウェーハ４に少し離れて対向するように配置した
チャージ検出電極８を、図２に示すように、イオンビー
ム６の照射位置のディスク回転方向で言う直後に設けて
おり、このチャージ検出電極８によって、静電誘導によ
り、イオンビーム照射直後のウェーハ４のチャージアッ
プ量を計測するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４に、ウェーハのチ
ャージアップ量とイオンビーム照射回数との関係の一例
を示す。ウェーハ４のチャージアップ量は、イオンビー
ム６が当たると急激に増加し、その後、ウェーハディス
ク２が１回転して再び同じウェーハ４にイオンビーム６
が当たる時までは、ウェーハ４を挟持するクランパー
（図示省略）等から徐々に電荷が放電してチャージアッ
プ量は減少して行く。
ャージアップ量とイオンビーム照射回数との関係の一例
を示す。ウェーハ４のチャージアップ量は、イオンビー
ム６が当たると急激に増加し、その後、ウェーハディス
ク２が１回転して再び同じウェーハ４にイオンビーム６
が当たる時までは、ウェーハ４を挟持するクランパー
（図示省略）等から徐々に電荷が放電してチャージアッ
プ量は減少して行く。
【０００６】この間、従来の装置では、例えば図４中の
Ａ点（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、・・・）でのみチャージアッ
プ量の計測が行われていることになる。即ち、１回目の
イオンビーム照射を行ってから次回のイオンビーム照射
までに、ウェーハ４のチャージアップ量は１回計測され
るのみである。
Ａ点（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、・・・）でのみチャージアッ
プ量の計測が行われていることになる。即ち、１回目の
イオンビーム照射を行ってから次回のイオンビーム照射
までに、ウェーハ４のチャージアップ量は１回計測され
るのみである。
【０００７】しかしこれでは、イオンビーム照射直前の
チャージアップ量が分からず、また、次にウェーハ４が
イオンビーム照射位置に来るまでにどの程度放電したか
ということも計測不可能であるため、ウェーハ４のチャ
ージアップ量の変化の把握が困難である。
チャージアップ量が分からず、また、次にウェーハ４が
イオンビーム照射位置に来るまでにどの程度放電したか
ということも計測不可能であるため、ウェーハ４のチャ
ージアップ量の変化の把握が困難である。
【０００８】そこでこの発明は、従来よりも正確にウェ
ーハのチャージアップ状態を計測することができるよう
にしたイオン処理装置を提供することを主たる目的とす
る。
ーハのチャージアップ状態を計測することができるよう
にしたイオン処理装置を提供することを主たる目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン処理装置は、前述したようなウェ
ーハディスク上のウェーハの通過経路上であって通過す
るウェーハに少し離れて対向するように配置したチャー
ジ検出電極を、ウェーハディスク上のウェーハに対する
イオンビーム照射位置のディスク回転方向で言う前後に
設けたことを特徴とする。
め、この発明のイオン処理装置は、前述したようなウェ
ーハディスク上のウェーハの通過経路上であって通過す
るウェーハに少し離れて対向するように配置したチャー
ジ検出電極を、ウェーハディスク上のウェーハに対する
イオンビーム照射位置のディスク回転方向で言う前後に
設けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、イオンビーム照射位置の前
後のチャージ検出電極によって、ウェーハディスク上の
ウェーハに対してイオンビーム照射が行われる直前と直
後の２個所でウェーハのチャージアップ量の計測を行う
ことができる。その結果、従来よりも正確なチャージア
ップ状態の計測が可能になる。
後のチャージ検出電極によって、ウェーハディスク上の
ウェーハに対してイオンビーム照射が行われる直前と直
後の２個所でウェーハのチャージアップ量の計測を行う
ことができる。その結果、従来よりも正確なチャージア
ップ状態の計測が可能になる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン処
理装置のウェーハディスク周りを示す平面図である。図
２の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付
し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明す
る。
理装置のウェーハディスク周りを示す平面図である。図
２の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付
し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明す
る。
【００１２】この実施例においては、図３に示すよう
に、ウェーハディスク２上のウェーハ４の通過経路上で
あって通過するウェーハ４に少し離れて対向するように
配置したチャージ検出電極８ａ、８ｂを、図１に示すよ
うに、ウェーハディスク２上のウェーハ４に対するイオ
ンビーム６の照射位置のディスク回転方向で言う直前
（チャージ検出電極８ｂ）と直後（チャージ検出電極８
ａ）に設けている。
に、ウェーハディスク２上のウェーハ４の通過経路上で
あって通過するウェーハ４に少し離れて対向するように
配置したチャージ検出電極８ａ、８ｂを、図１に示すよ
うに、ウェーハディスク２上のウェーハ４に対するイオ
ンビーム６の照射位置のディスク回転方向で言う直前
（チャージ検出電極８ｂ）と直後（チャージ検出電極８
ａ）に設けている。
【００１３】従って、両チャージ検出電極８ａ、８ｂに
よって、ウェーハディスク２上のウェーハ４に対してイ
オンビーム照射が行われる直前と直後の２個所で、例え
ば図４中のＡ点（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、・・・）およびＢ
点（Ｂ1 、Ｂ2 、Ｂ3 、・・・）で、ウェーハ４のチャ
ージアップ量の計測を行うことができる。その結果、従
来よりも正確なチャージアップ状態の計測が可能にな
り、次のような効果が得られる。
よって、ウェーハディスク２上のウェーハ４に対してイ
オンビーム照射が行われる直前と直後の２個所で、例え
ば図４中のＡ点（Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 、・・・）およびＢ
点（Ｂ1 、Ｂ2 、Ｂ3 、・・・）で、ウェーハ４のチャ
ージアップ量の計測を行うことができる。その結果、従
来よりも正確なチャージアップ状態の計測が可能にな
り、次のような効果が得られる。
【００１４】従来例ではイオンビーム照射直前のチャ
ージアップ量の計測ができなかったが、この実施例では
直前および直後の計測が可能になる。
ージアップ量の計測ができなかったが、この実施例では
直前および直後の計測が可能になる。
【００１５】ウェーハ４の電荷の放電の様子が、チャ
ージ検出電極８ａで計測した（即ち図４、図５中のＡ点
での）チャージアップ量とチャージ検出電極８ｂで計測
した（即ち図４、図５中のＢ点での）チャージアップ量
との間の傾きを見ることによって計測可能になる。例え
ば図５に示すように、Ａ点とＢ点間の傾きが少ない場合
は、放電量が少なくチャージアップが早く起こる危険性
が高いことを認識することができる。
ージ検出電極８ａで計測した（即ち図４、図５中のＡ点
での）チャージアップ量とチャージ検出電極８ｂで計測
した（即ち図４、図５中のＢ点での）チャージアップ量
との間の傾きを見ることによって計測可能になる。例え
ば図５に示すように、Ａ点とＢ点間の傾きが少ない場合
は、放電量が少なくチャージアップが早く起こる危険性
が高いことを認識することができる。
【００１６】チャージアップ量の異常レベルを設定
し、装置にインターロックをかけてチャージアップを管
理する（例えば、チャージアップ量があるレベル以上に
なるとイオンビーム６のビーム量を下げる、イオンビー
ム６を他にそらす、イオンビーム６を阻止するシャッタ
ーを下ろす等）際にも、チャージアップ量異常レベルを
イオンビーム照射直後のもの（例えば図４中のレベルＬ
Ａ）とイオンビーム照射直前のもの（例えば図４中のレ
ベルＬＢ）の両方で設定して両方で監視することがで
き、これによって従来よりも安全性が高まる。
し、装置にインターロックをかけてチャージアップを管
理する（例えば、チャージアップ量があるレベル以上に
なるとイオンビーム６のビーム量を下げる、イオンビー
ム６を他にそらす、イオンビーム６を阻止するシャッタ
ーを下ろす等）際にも、チャージアップ量異常レベルを
イオンビーム照射直後のもの（例えば図４中のレベルＬ
Ａ）とイオンビーム照射直前のもの（例えば図４中のレ
ベルＬＢ）の両方で設定して両方で監視することがで
き、これによって従来よりも安全性が高まる。
【００１７】チャージアップ低減のためにウェーハ４
に電子シャワーを供給する方法があるが、この電子シャ
ワーを制御する際の情報として、両チャージ検出電極８
ａ、８ｂで計測したチャージアップ量を活用すれば、従
来よりも正確な制御（チャージアップ量低減の制御）が
可能になる。
に電子シャワーを供給する方法があるが、この電子シャ
ワーを制御する際の情報として、両チャージ検出電極８
ａ、８ｂで計測したチャージアップ量を活用すれば、従
来よりも正確な制御（チャージアップ量低減の制御）が
可能になる。
【００１８】なお、各チャージ検出電極８ａ、８ｂの形
状は上記例のような円板状に限られるものではなく任意
であり、また各チャージ検出電極８ａ、８ｂを複数個に
分割する等しても良い。
状は上記例のような円板状に限られるものではなく任意
であり、また各チャージ検出電極８ａ、８ｂを複数個に
分割する等しても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ウェー
ハディスク上のウェーハに対してイオンビーム照射が行
われる直前と直後の２個所でウェーハのチャージアップ
量の計測を行うことができ、その結果、従来よりも正確
なチャージアップ状態の計測が可能になる。
ハディスク上のウェーハに対してイオンビーム照射が行
われる直前と直後の２個所でウェーハのチャージアップ
量の計測を行うことができ、その結果、従来よりも正確
なチャージアップ状態の計測が可能になる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン処理装置の
ウェーハディスク周りを示す平面図である。
ウェーハディスク周りを示す平面図である。
【図２】 従来のイオン処理装置のウェーハディスク周
りを示す平面図である。
りを示す平面図である。
【図３】 図１または図２中のチャージ検出電極周りの
拡大側面図である。
拡大側面図である。
【図４】 ウェーハのチャージアップ量とイオンビーム
照射回数との関係の一例を示す図である。
照射回数との関係の一例を示す図である。
【図５】 ウェーハのチャージアップ量とイオンビーム
照射回数との関係の他の例を示す図である。
照射回数との関係の他の例を示す図である。
２ ウェーハディスク ４ ウェーハ ６ イオンビーム ８ａ，８ｂ チャージ検出電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 真空中で回転および並進させられるウェ
ーハディスクに装着された複数枚のウェーハにイオンビ
ームを照射して処理を行う装置において、前記ウェーハ
ディスク上のウェーハの通過経路上であって通過するウ
ェーハに少し離れて対向するように配置したチャージ検
出電極を、ウェーハディスク上のウェーハに対するイオ
ンビーム照射位置のディスク回転方向で言う前後に設け
たことを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206436A JPH0528954A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206436A JPH0528954A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | イオン処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528954A true JPH0528954A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16523348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3206436A Pending JPH0528954A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528954A (ja) |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3206436A patent/JPH0528954A/ja active Pending
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