JPH02142049A - イオン注入装置の制御装置 - Google Patents

イオン注入装置の制御装置

Info

Publication number
JPH02142049A
JPH02142049A JP63293593A JP29359388A JPH02142049A JP H02142049 A JPH02142049 A JP H02142049A JP 63293593 A JP63293593 A JP 63293593A JP 29359388 A JP29359388 A JP 29359388A JP H02142049 A JPH02142049 A JP H02142049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control signal
voltage
disk
ion beam
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63293593A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2665958B2 (ja
Inventor
Tadamoto Tamai
玉井 忠素
Masateru Sato
正輝 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Eaton Nova Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Eaton Nova Corp filed Critical Sumitomo Eaton Nova Corp
Priority to JP63293593A priority Critical patent/JP2665958B2/ja
Publication of JPH02142049A publication Critical patent/JPH02142049A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2665958B2 publication Critical patent/JP2665958B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウェハを保持したディスクを回転させつつ、
該ディスクの半径方向にイオンビームをスキャンさせて
前記ディスク上に照射するイオン注入装置のための制御
装置に関し、特に、ウェハの帯電を中和するための電子
シャワーを備えているイオン注入装置のための制御装置
に関する。
[従来の技術] ディスクの高速回転と該ディスクの半径方向へのイオン
ビームの低速スキャンを組み合わせた方式を用いた高電
流イオン注入装置において、イオン注入中、ウェハ上に
酸化膜を介して形成された導電片に帯電が生じると、該
酸化膜の静電破壊等がおこる場合がある。この場合、超
LSI製造工程での歩留り低下を招いてしまう。
このようなウェハの帯電を防止するため、従来のイオン
注入装置では、−例として第4図に示すようにフィラメ
ント1およびターゲット2を有する電子シャワーが設け
られている。この電子シャワーは、フィラメント1から
の1次電子がターゲット2にあたることによって、ター
ゲット2から2次電子が放出され、これら2次電子によ
って、イオンビーム3のウェハ4への照射によるウエノ
\4の帯電を中和するものである。この際、ウエノ\4
を保持したディスク5はその中心軸6の周りに高速で回
転されており、イオンビーム3は、デ、イスク5の半径
方向に、スキャンされている。なお、7はディスクチャ
ンバカバーである。
[発明が解決しようとする課題] このイオン注入装置では、1次電子もしくは2次電子の
量は、予めオペレータによって一定値に設定される。こ
の設定のためには、種々のイオン注入条件に対する電子
量とLSIの歩留まりとの関係を調査し、各イオン注入
条件に対する電子量を選択する作業か必要であり、長時
間を要する。
また、前記電子シャワーの使用状況によっても電子量の
最適値は時間と共に変り、設定した電子量が必ずしも最
適値にならない場合がある。
一方、イオン注入中に、ウェハ4を保持したディスク5
全体に流入する電流値をある一定値にするように電子シ
ャワーの発生する電子量を制御する方法も採用されてい
る。ところが、イオン注入中のウェハ4の帯電状態は、
第5図に示すように、イオンビーム3の周辺に前記電子
シャワーの発生した電子が分布しているため、イオンビ
ーム3のディスク半径方向の低速スキャンに伴って、デ
ィスク半径方向に、ビーム照射部9は正、その両側10
は負となるような局所的な分布を示す。従って、より適
確に前記電子シャワーの発生電子量を制御し、ウェハ帯
電量を最少に抑えるためには、イオンビーム3が照射さ
れた時のみに、局所的に発生する正の帯電を測定し、制
御することが必要になり、上述のようにディスク5全体
に流入する電流を制御する方法では対応できない。
本発明の課題は、上記欠点を除去し、ウェハの帯電量を
自動的にしかも正確に、最少値に抑えることができるイ
オン注入装置の制御装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば、 中心軸の周りの環状領域の所定部をウェハ保持領域とし
たディスクを有し、ウェハを前記ウェハ保持領域の一部
に保持させた状態で、前記ディスクを前記中心軸の周り
に高速で回転させつつ、前記環状領域の外周および内周
間に、前記ディスクの半径方向に、イオンビームを低速
で繰り返しスキャンさせて、該イオンビームを前記ディ
スク上に照射すると共に、前記イオンビームの照射によ
る前記ウェハの帯電を中和するための電子を、前記イオ
ンビームの前記ディスクへの照射位置に照射する電子シ
ャワーを備えたイオン注入装置において、 前記環状領域の前記ウェハ保持領域以外の一位置に、絶
縁膜を介して設けられ、前記環状領域の外周寄りの外端
と、前記環状領域の内周寄りの内端とを有する帯電量監
視用の一つの導電片と、該導電片の帯電量に相当する電
圧を出力する帯78jil検出手段と、 前記ディスクが一回転する毎に該帯電量検出手段の出力
に出現する電圧を、保持する電圧保持手段と、 該電圧保持手段の保持電圧を、予め設定された所定電圧
値に比較し、前記保持電圧からの該所定電圧値の減算結
果を出力する減算手段と、前記ディスクの半径方向に、
前記イオンビームを低速で繰り返しスキャンさせている
スキャン領域のうちの予め定められたスキャン指定領域
から外れる直前の時点で、前記電子シャワーの電源にに
与えられている制御信号を保持する電子シャワー制御信
号保持手段と、 前記減算手段から出力される前記減算結果と前記電子シ
ャワー制御信号保持手段に保持されている制御信号との
加算結果を出力する加算手段と、前記イオンビームが前
記スキャン指定領域にある間は、前記加算手段から出力
される加算結果を前記電子シャワーの電源に制御信号と
して与え、前記イオンビームの照射位置が、前記スキャ
ン指定領域から外れると、前記電子シャワー制御信号保
持手段に保持されている制御信号を前記電子シャワーの
電源に制御信号として与えて、該電子シャワーに当該制
御信号の値の大きさに比例した量の電子を発生させる切
替手段とを、有することを特徴とするイオン注入装置の
制御装置が得られる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第1図を参照すると、本発明の一実施例による制御装置
11は、イオン注入装置12に結合されて使用される。
このイオン注入装置12のディスク部分が、第2図に示
されている。
第1図および第2図を参照して、上記イオン注入装置1
2のディスク部分について説明する。ディスク5は、そ
の中心軸6の周りの環状領域13(第1図)の所定部が
ウェハ保持領域として選定されている。上記イオン注入
装置12は、ウェハ4を前記ウェハ保持領域の一部に保
持させた状態で、ディスク5を中心軸6の周りに高速で
回転させつつ、環状領域13の外周および内周間に、デ
ィスク5の半径方向に、イオンビーム3を低速で繰り返
しスキャンさせて、イオンビーム3をディスク5上に照
射するものである。
ディスク5上には、絶縁膜を介して帯電監視用の導電片
14(後に詳述する)が形成されている。
帯電量検出手段(チャージセンサー)15は、導電片1
4の帯電量に相当する電圧を出力するものである。
上記イオン注入装置12は、例えば第1図のように、電
子シャワー16を備えている。この電子シャワー16は
、具体的には、第3図のような構造を有し、イオンビー
ム13の照射によるウェハ4への帯電を中和するための
電子を、イオンビーム3のディスク5への照射位置に照
射するものである。
上記帯電ffl検出手段(チャージセンサー)15や電
子シャワー16の例については、本願出願人による特願
昭62−93931号および特願昭62−163952
号に開示されている。
第1図を参照して、導電片14は、ディスク5上の環状
領域13に、絶縁膜を介して設けられている。本発明で
は、導電片14は、環状領域13の外周寄りの外端と、
環状領域13の内周寄りの内端とを有する。
第1図において、制御装置11は、帯7S量検出手段(
チャージセンサー)15に接続され、ディスク5の半径
方向に、イオンビームを低速で繰り返しスキャンさせて
いるスキャン領域のうちのスキャン指定領域、例えば導
電片14の前記外端および前記内端をそれぞれ通る中心
軸6の周りの外円および内円とで挟まれた環状部分を、
イオンビームが照射している領域では、ディスク5が一
回転する毎に帯電量検出手段15の出力に出現する検出
電圧を、電圧が出現する度に保持する電圧保持手段17
と、電圧保持手段17の保持電圧を、予め設定された電
圧値Vpに比較し、前記検出電圧からの該電圧値Vpの
減算結果を出力する減算手段(具体的には比較器)18
とを有している。
減算手段18の出力には、加算手段28が接続されてお
り、また電子シャワー制御信号保持手段19が加算手段
28に接続されている。加算手段28は、前記減算結果
と電子シャワー制御信号保持手段19から出力されてい
る電子シャワー制御信号(具体的には電子シャワー制御
電圧である)とを加算し、新たな電子シャワー制御信号
として電子シャワー12の電?R23に与え、その値の
大きさに比例した量の電子を発生させる。一方、電子シ
ャワー制御信号保持手段19は、イオンビームが前記ス
キャン指定領域から外れる直前の時点の電子シャワー制
御信号(上述のとうり電子シャワー制御電圧である)を
保持する。
加算手段28および電子シャワー制御信号保持手段19
には、リレー20およびその接点21からなる切替手段
22が、接続されている。切替手段22は、イオンビー
ムが前記スキャン指定領域、例えば前記環状部分(導電
片14の前記外端および前記内端をそれぞれ通る中心軸
6の周りの外円および内円とで挟まれた部分)を照射し
ている間は、加算手段28から出力される前記加算結果
を、電子シャワー制御信号として、電子シャワー16の
電源23に与え、イオンビームの照射位置が、前記スキ
ャン指定領域、即ち前記環状部分から外れると、電子シ
ャワー制御信号保持手段19に保持されている電子シャ
ワー制御信号(電子シャワー制御電圧)を電子シャワー
16の電源23に与えて、電子シャワー16に前記電子
シャワー制御(m号の値の大きさに比例した量の電子を
発生させるものである。
タイミングパルス発生器23は、ディスク5が一回転す
る毎に帯電量検出手段15の出力に出現する電圧を、該
電圧が出現する度に、電圧保持手段17に保持させるた
めのタイミングパルスを発生する。
クロックパルス発生器24は、イオンビームがディスク
半径方向に低速スキャンされている間に、クロックパル
スを出力し、イオンビームのディスク半径方向の低速ス
キャン位置を制御すると共にカウンタ部25内のカウン
タにクロックパルスを与えるものである。
カウンタ部25は、設定部26によって前記スキャン指
定領域を決定する第1および第2の設定値が与えられて
いる。
カウンタ部25は、前記カウンタのカウント値が前記第
1の設定値と前記第2の設定値の間にある時のみリレー
20を動作させ、その接点21を第1図に図示の位置に
切り替え、加算手段28から出力される前記加算結果を
電子シャワー16の電源23に与える。カウンタ部25
は、さらに、前記カウンタのカウント値が前記第1また
は第2の設定値に等しくなった時点で、電子シャワー1
6の電源23から出力される前記電子シャワー制御信号
を電子シャワー制御信号保持手段19に保持させる。も
ちろん、この時には、リレー20は非動作状態となり、
その接点21を電子シャツ−制御信号保持手段19側に
切り替え、電子シャワー制御信号保持手段19に保持さ
れている電子シャワー制御信号を電子シャワー16の電
源23に与える。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、ウェハの帯電量を正確
に把握できるように、導電片14をディスク5上に設け
、その導電片14に帯電した電圧を電圧保持手段17に
保持し、その保持電圧を減算手段18によって、所定電
圧値Vpに比較し、前記保持電圧からの該所定電圧値の
減算結果を出力し加算手段28に入力させる。一方、そ
の時点の電子シャワーへの制御信号は電子シャワー制御
IJ号保持手段19を介して、前記加算手段28に入力
し、前記減算結果と加算され、その加算結果を出力する
。その加算結果は、イオンビームが前述したスキャン指
定領域にある場合、新たな電子シャワー・\の制御信号
として電子シャワー16の電源23に与えられる。前記
スキャン指定領域から外れた時には電子シャワー制御信
号保持手段1つの保持値を電子シャワー16に与えて、
この保持値に比例した量の電子を電子シャワー16に発
生させる。このようにすることによって、ウェハの帯電
量を自動的にしかも正確に最小値Vpに近ずけることが
できる。
子シャワー制御信号保持手段、22は切替手段、28は
加算手段である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による制御装置を備えたイオ
ンビーム注入装置のブロック図、第2図(A)および(
B)は、それぞれ、第1図のイオンビーム注入装置のデ
ィスク部分の斜視図および側面図、第3図は第1図のイ
オンビーム注入装置の電子シャワーの断面図、第4図は
従来のイオンビーム注入装置の断面図、第5図は第4図
のイオンビーム注入装置のディスク部分の斜視図である
。 3はイオンビーム、4はウェハ、5はディスク、6は中
心軸、11は制御装置、12はイオンビーム注入装置、
13は環状領域、14は導電片、15は帯電量検出手段
、16は電子シャワー17は電圧保持手段、18は減算
手段、19は電第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中心軸の周りの環状領域の所定部をウェハ保持領域
    としたディスクを有し、ウェハを前記ウェハ保持領域の
    一部に保持させた状態で、前記ディスクを前記中心軸の
    周りに高速で回転させつつ、前記環状領域の外周および
    内周間に、前記ディスクの半径方向に、イオンビームを
    低速で繰り返しスキャンさせて、該イオンビームを前記
    ディスク上に照射すると共に、前記イオンビームの照射
    による前記ウェハの帯電を中和するための電子を、前記
    イオンビームの前記ディスクへの照射位置に照射する電
    子シャワーを備えたイオン注入装置において、 前記環状領域の前記ウェハ保持領域以外の一位置に、絶
    縁膜を介して設けられ、前記環状領域の外周寄りの外端
    と、前記環状領域の内周寄りの内端とを有する帯電量監
    視用の一つの導電片と、該導電片の帯電量に相当する電
    圧を出力する帯電量検出手段と、 前記ディスクが一回転する毎に該帯電量検出手段の出力
    に出現する電圧を、保持する電圧保持手段と、 該電圧保持手段の保持電圧を、予め設定された所定電圧
    値に比較し、前記保持電圧からの該所定電圧値の減算結
    果を出力する減算手段と、 前記ディスクの半径方向に、前記イオンビームを低速で
    繰り返しスキャンさせているスキャン領域のうちの予め
    定められたスキャン指定領域から外れる直前の時点で、
    前記電子シャワーの電源にに与えられている制御信号を
    保持する電子シャワー制御信号保持手段と、 前記減算手段から出力される前記減算結果と前記電子シ
    ャワー制御信号保持手段に保持されている制御信号との
    加算結果を出力する加算手段と、前記イオンビームが前
    記スキャン指定領域にある間は、前記加算手段から出力
    される加算結果を前記電子シャワーの電源に制御信号と
    して与え、前記イオンビームの照射位置が、前記スキャ
    ン指定領域から外れると、前記電子シャワー制御信号保
    持手段に保持されている制御信号を前記電子シャワーの
    電源に制御信号として与えて、該電子シャワーに当該制
    御信号の値の大きさに比例した量の電子を発生させる切
    替手段とを、有することを特徴とするイオン注入装置の
    制御装置。
JP63293593A 1988-11-22 1988-11-22 イオン注入装置の制御装置 Expired - Lifetime JP2665958B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63293593A JP2665958B2 (ja) 1988-11-22 1988-11-22 イオン注入装置の制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63293593A JP2665958B2 (ja) 1988-11-22 1988-11-22 イオン注入装置の制御装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02142049A true JPH02142049A (ja) 1990-05-31
JP2665958B2 JP2665958B2 (ja) 1997-10-22

Family

ID=17796729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63293593A Expired - Lifetime JP2665958B2 (ja) 1988-11-22 1988-11-22 イオン注入装置の制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2665958B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384842A (ja) * 1989-08-28 1991-04-10 Nissin Electric Co Ltd イオン処理装置
US6875925B2 (en) 2003-02-04 2005-04-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Insulating sheet and electronic apparatus using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384842A (ja) * 1989-08-28 1991-04-10 Nissin Electric Co Ltd イオン処理装置
US6875925B2 (en) 2003-02-04 2005-04-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Insulating sheet and electronic apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2665958B2 (ja) 1997-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004516639A (ja) インプロセス電荷モニター及び制御システム、イオン注入装置およびそのための電荷中和方法
JPH07101603B2 (ja) 電荷検出装置を有するイオン注入装置及び蓄積される電荷の制御方法
US4433247A (en) Beam sharing method and apparatus for ion implantation
JP2716518B2 (ja) イオン注入装置及びイオン注入方法
JPH05106037A (ja) イオン注入装置及びその制御方法
JPH02142049A (ja) イオン注入装置の制御装置
JPH11260309A (ja) イオン注入装置
JPS62154544A (ja) イオン処理装置
JP3117703B2 (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JP3081965B2 (ja) イオンビーム発生装置
JP2873985B2 (ja) イオン注入装置の帯電抑制装置
JP2718214B2 (ja) イオン打ち込み装置
JPH08273895A (ja) イオンビームの加速装置
JPH02278647A (ja) イオン打ち込み装置の電子供給装置
JP2778303B2 (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JPH02109245A (ja) イオン処理装置
JPH01279560A (ja) イオン処理装置
JPS63184256A (ja) イオン注入装置
JPH04124266A (ja) ウェハ帯電量検出装置
KR950004152Y1 (ko) 고전류 이온주입기의 다중전자 공급장치
JPH06103956A (ja) イオン注入装置
JPH08106876A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JPH0513039A (ja) イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法
JPH04357657A (ja) イオン処理装置
JPH05225949A (ja) 電子中和器

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 12