JPH0954130A - ワーク電位の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ２９にイオンビーム５９を照射するイ
オン注入装置において、リアルタイムで、かつ周辺の構
成物の影響を受けることなく、正確なウエハ電位を計測
し、チャージアップ現象を速やかに検出する。 【解決手段】 誘電性材料から成る載置台４２内に電極
４３，４４が埋込まれ、これらの電極４３，４４に吸着
用電源４６，４７から吸着電流が供給されることによっ
てウエハ２９を吸着する静電チャック装置４１におい
て、図１（ａ）で示すように、予めサンプル用ウエハ２
９ａを載置して直流電源５８から可変電圧Ｖｐｓを印加
し、そのときのウエハ電位Ｖwafer に対する電流計５
１，５２による吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _- の値を求め
ておき、図１（ｂ）で示すウエハ２９への実際のイオン
ビーム５９の照射時には、計測された吸着電流から前記
ウエハ電位を求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置や
プラズマエッチャーなどの荷電粒子をウエハなどのワー
クに照射する装置で好適に実施され、前記ワークを吸着
する静電チャック装置において、前記荷電粒子の照射に
よるワーク電位の不所望な変動を検出するためのワーク
電位の測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、前記イオン注入装置におい
て、ウエハにイオンビームが照射されて、該ウエハが帯
電して電位が上昇または下降する、いわゆるチャージア
ップ現象が発生し、前記電位が不所望に変動すると、該
ウエハ上に形成される素子の絶縁破壊などの不具合が発
生する。したがって、ウエハの電位を測定することが必
要となる。

【０００３】図７は、典型的な従来技術の電位測定方法
を説明するための簡略化した平面図である。図７（ａ）
で示されるように、この従来技術では、ホルダ１に保持
されているウエハ２に対して、所定の照射領域Ｗに亘っ
て、イオンビーム３が照射される。前記ウエハ２の電位
測定用のチャージセンサ４は、前記イオンビーム３の照
射の邪魔にならないように、前記照射領域Ｗから離間し
て配置されており、したがって図７（ａ）から図７
（ｂ）で示すように、電位測定は、ホルダ１が矢符５方
向に変位されて、チャージセンサ４がウエハ２の表面に
近接した状態で行われる。前記チャージセンサ４の出力
はチャージ測定器６へ入力され、検出されたチャージか
らウエハ２の電位が求められる。

【０００４】図８は、他の従来技術の電位測定方法を説
明するための簡略化した正面図である。この従来技術で
は、ディスク状のホルダ１１上に、周方向に間隔を開け
て複数のウエハ２が保持されている。前記ホルダ１１は
矢符１２方向に回転変位される。したがって、前記照射
領域Ｗよりも矢符１２方向下流側に前記チャージセンサ
４が配置されており、イオンビーム３が照射された後、
ホルダ１１の回転によって搬送されてきたウエハ２のチ
ャージがこのチャージセンサ４によって検出されて、ウ
エハ２の電位が求められる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術は、ウ
エハ２の電位が変化することによって生じる電界を検出
するものであり、上述のようにウエハ２にチャージセン
サ４を近接させて測定を行う必要がある。このため、上
述のようにイオンビーム３の照射が終了したウエハ２を
チャージセンサ４近傍にまで変位させるか、またはイオ
ンビーム３の照射を中断してチャージセンサ４をウエハ
２上に変位させる必要がある。

【０００６】したがって、イオンビーム３の照射終了後
から、ウエハ２またはチャージセンサ４を変位して、実
際に測定を開始するまでに時間差が生じてしまう。これ
に対してウエハ２に帯電した電荷は、該ウエハ２および
ホルダ１，１１などの周辺の構成物のＣ成分やＲ成分な
どの電気的特性によって決定される時定数に従って、放
電されてゆく。一方、ウエハ２上に形成される前記素子
の静電破壊などの不具合の発生は、該ウエハ２の電位が
最も上昇するイオンビーム３の照射中に生じる可能性が
最も高い。したがって、イオンビーム３の照射状態での
ウエハ２の電位を測定することが極めて重要となる。

【０００７】図９は、そのような要求を満足することが
できるさらに他の従来技術の電位測定方法を説明するた
めの簡略化した正面図である。なお、前記図８で示す従
来技術に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付
してその説明を省略する。この従来技術では、前記チャ
ージセンサ４は、前記照射領域Ｗよりも矢符１２方向下
流側において、周方向に相互に間隔を開けて、かつ同一
円周上の測定位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にそれぞれ設けられ
ている。したがって、各測定位置Ｐ１〜Ｐ３で測定され
た電位Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３から、図１０で示すように、前
記照射領域Ｗを基点Ｐ０として、前記周方向の間隔に対
応して各測定位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３での電位の降下曲線
が求められ、前記基点Ｐ０、すなわち照射領域Ｗでの電
位Ｅ０が推定される。

【０００８】しかしながらこのような従来技術でも、依
然として、イオンビーム３が照射されているウエハ２の
電位変動をリアルタイムで測定することができない。ま
たこの従来技術による電位測定方法は、ウエハ２からの
電荷の放電時定数を決定する前記Ｃ成分やＲ成分などの
パラメータがすべてのウエハに関して一定であるという
仮定に基づくものであり、不正確である。

【０００９】本発明の目的は、正確、かつリアルタイム
にワーク電位を測定することができるワーク電位の測定
方法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係るワーク電位
の測定方法は、誘電性材料から成る載置台内に埋設され
ている電極に吸着用電源から吸着電圧を供給することに
よってワークを前記載置台に吸着させる静電チャック装
置におけるワーク電位の測定方法であって、帯電用およ
び電位測定用プローブがそれぞれ取付けられ、加工すべ
きワークと同一のサンプル用ワークを予め前記載置台上
に載置して、前記帯電用プローブから可変電圧を印加
し、該可変電圧に対応して計測された電位測定用プロー
ブの各電位に対応して吸着電流のデータを記録してお
き、前記載置台上に加工すべきワークを載置して、該ワ
ークに荷電粒子を照射しつつ前記吸着電流を計測し、そ
の計測結果を前記記録されているデータに対照してワー
ク電位を求めることを特徴とする。

【００１１】上記の構成によれば、イオン注入装置など
の荷電粒子をウエハなどのワークに照射する装置であっ
て、静電チャック装置を用いる装置において、ワーク電
位を測定するにあたって、前記静電チャック装置の吸着
電流を利用する。

【００１２】すなわち、前記静電チャック装置は、誘電
性材料から成る載置台内に電極が埋込まれ、その電極に
吸着用電源から吸着電圧を供給することによって、ワー
クを載置台に吸着するように構成されている。そこで本
発明では、予め前記載置台上に加工すべきワークと同一
のサンプル用ワークを載置して、吸着電流のデータを記
録しておく。前記データは、サンプル用ワークの帯電用
プローブから可変電圧を印加し、その可変電圧に対応し
て計測された電位測定用プローブの各電位に対応した吸
着電流のデータであり、したがって疑似的に荷電粒子を
ワークに照射した状態を再現し、その状態での測定用プ
ローブの電位と吸着電流との関係を表すものである。

【００１３】こうして得られたデータから、載置台上に
実際に加工すべきワークを載置して、該ワークに荷電粒
子を照射しつつ、前記吸着電流を計測し、その計測結果
を記録されているデータに対照することによって、実際
のワーク電位を求める。

【００１４】したがって、荷電粒子の照射を行いつつ、
リアルタイムでワーク電位を求めることができ、前記チ
ャージアップ現象を速やかに検出し、たとえば計測され
た電位が所定電位以上であるときには前記荷電粒子の照
射を停止するなどして、ワークの損傷を未然に防止する
ことができる。また、このようにリアルタイムでの計測
が可能となることによって、ホルダなどの周辺の構成物
における時定数成分のバラツキなどの影響を受けること
なく、正確な電位を求めることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図１〜図３に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００１６】図１は本発明の実施の一形態の電位測定方
法を説明するための図であり、図２はその測定方法が用
いられるイオン注入装置２１の構成を示す簡略化した平
面図である。イオン注入装置２１では、イオン源２２か
ら引出されたイオンは、分析電磁石２３において所望と
するイオンのみが抽出された後、加速管２４に入力され
る。前記加速管２４において、ターゲットへの注入深さ
に対応した所望とする速度にまで加速または減速された
イオンビームは、ＦＥＭ(Final Energy Magnet) ２５に
おいて、エネルギーコンタミネーションが除去された
後、スイープマグネット２６によって所望とするビーム
幅となるように掃引され、コリメータマグネット２７を
介してターゲットチャンバ２８内のウエハ２９に注入さ
れる。

【００１７】前記ウエハ２９は、エンドステーション３
０内に搬入された後、搬送ロボット３１によって前記タ
ーゲットチャンバ２８内の所定位置に設けられた静電チ
ャック装置４１に装填される。またイオン注入を終了し
たウエハ２９は、搬送ロボット３１によって前記エンド
ステーション３０に取出される。

【００１８】図１を参照して、静電チャック装置４１
は、たとえばＳｉＣなどの誘電性材料から成り、前記ウ
エハ２９を載置することができる載置台４２と、前記載
置台４２内に埋込まれ、ウエハ２９に平行となる平板状
の電極４３，４４と、アルミなどの導電性材料から成り
前記載置台４２を保持するホルダ４５と、吸着用電源４
６，４７とを備えて構成されている。直流電源である吸
着用電源４６，４７において、吸着用電源４６の負極は
接地され、正極はライン４８を介して前記電極４３に接
続され、これに対して吸着用電源４７の正極は接地さ
れ、負極はライン４９を介して電極４４に接続される。
前記ホルダ４５は接地されている。したがって、この静
電チャック装置４１は、正電位の電極４３と負電位の電
極４４とを有する双極型の静電チャック装置である。

【００１９】本発明では、前記ライン４８，４９にそれ
ぞれ電流計５１，５２を介在し、これらのライン４８，
４９に流れる吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _- を測定し、測
定装置５３へ入力する。前記測定装置５３にはまた、ウ
エハ２９の電位Ｖwafer を測定するための電圧計５４の
測定結果が入力される。測定装置５３に関連して、ラン
ダムアクセムメモリなどで実現されるメモリ５５が設け
られており、このメモリ５５には前記電流計５１，５２
および電圧計５４の測定結果が記録される。

【００２０】上述のような構成を用いて、ウエハ２９の
電位を測定するにあたって、まず図１（ａ）で示される
ように、載置台４２上には、ウエハ２９と同一材料かつ
同一形状に形成されるサンプル用ウエハ２９ａが載置さ
れる。このサンプル用ウエハ２９ａの中心には、帯電用
プローブ５６が導電性接着剤によって低接触抵抗で接続
されており、同様に該サンプル用ウエハ２９ａの外周縁
部には、電位測定用プローブ５７が前記導電性接着剤に
よって接続されている。

【００２１】前記帯電用プローブ５６と、ホルダ４５、
すなわち接地電位との間には、直流電源５８によって可
変電圧Ｖｐｓが印加される。これによって、直流電源５
８からサンプル用ウエハ２９ａには電流Ｉbeamが供給さ
れ、サンプル用ウエハ２９ａには擬似的にイオンビーム
の照射状態が再現されることになる。前記電流Ｉbeamの
供給によって、サンプル用ウエハ２９ａには電荷が帯電
し、前記帯電用プローブ５６が取付けられる該サンプル
用ウエハ２９ａの中心から電位測定用プローブ５７が取
付けられる外周縁部にかけて電位勾配が生じる。

【００２２】前記電流Ｉbeamによる電荷の帯電に対し
て、前記電圧計５４は電位測定用プローブ５７とホルダ
４５との間の電圧、すなわち接地電位に対するサンプル
用ウエハ２９ａの電位を測定することができ、前記電荷
の帯電による電位Ｖwafer の変化はこの電圧計５４によ
って検出することができる。測定装置５３は、前記電位
Ｖwafer の変化に対応して電流計５１，５２による吸着
電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _-を読込み、メモリ５５に記録し
てゆく。

【００２３】図３は、本件発明者の実験結果を示すグラ
フである。この図３において、参照符α１は電流計５１
によって計測される正電極４３の吸着電流Ｉesc ₊ の変
化を表し、参照符α２は電流計５２で計測される負電極
４４の吸着電流Ｉesc _- の変化を示す。

【００２４】ただし、吸着用電源４６，４７によってそ
れぞれ電極４３，４４に印加される吸着電圧Ｖesc ₊ ，
Ｖesc _- は、基準電圧Ｖ０，−Ｖ０である＋５００Ｖお
よび−５００Ｖとそれぞれしている。サンプル用ウエハ
２９ａの外周縁部は、ホルダ４５を介して接地されてい
る。

【００２５】この図３から明らかなように、ウエハ電位
Ｖwafer が正電位側に大きくなってゆくと、参照符α１
で示される正極側の吸着電流Ｉesc ₊ は直線的に低下し
てゆき、参照符α２で示される負極側の吸着電流Ｉesc
_- は直線的に増加してゆく。

【００２６】一方、図３において、参照符α３は吸着用
電源４６の吸着電圧Ｖesc ₊ を前記５００Ｖを基準とし
て変化させたときの差分電圧ΔＶに対する吸着電流Ｉes
c ₊の変化を表し、参照符α４は吸着用電源４７による
吸着電圧Ｖesc _- を前記−５００Ｖから変化させたとき
の差分電圧ΔＶに対する吸着電流Ｉesc _- の変化を示
す。このように、吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _- は、電極
４３，４４とサンプル用ウエハ２９ａとの間の実質的な
電位差によって変化することが理解される。

【００２７】上述のようにしてメモリ５５に記録されて
いるウエハ電位Ｖwafer に対する吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉ
esc _- のデータを用いて、図１（ｂ）で示すようにし
て、実際のイオン注入時におけるウエハ２９の電位の測
定を行う。すなわち、測定装置５３は、ウエハ２９に前
記イオン源２２からのイオンビーム５９が照射されてい
る状態で、電流計５１，５２によって吸着電流Ｉesc
₊ ，Ｉesc _- を測定し、その測定結果をメモリ５５に
記録されている前記図３で示すデータに対照して、ウエ
ハ電位Ｖwafer を求める。

【００２８】こうして求められたウエハ電位Ｖwafer が
予め定める値、たとえば２０Ｖ以上となると、測定装置
５３は、たとえばイオン源２２を制御してイオンビーム
５９を消勢させたり、前記スイープマグネット２６を制
御してイオンビーム５９がウエハ２９に照射されないよ
うにする。また前記イオン源２２を制御してイオンビー
ム５９のビーム電流を減少させ、または図示しない前記
加速管２４部に設置されているイオンビームレンズを制
御してイオンビーム５９のビーム径やビーム電流密度分
布を変化させるなどのプロセス条件のパラメータを変更
するなどして、ウエハ電位Ｖwafer が前記予め定める値
以内となるように、フィードバック制御が行われる。

【００２９】このようにして、イオンビーム５９の照射
によるウエハ２９の電位変化を、リアルタイムで、かつ
正確に測定することができ、上述のようなイオン源２２
の消勢などのフィードバック制御を実現し、ウエハ２９
の損傷を未然に防止することができる。

【００３０】本発明の実施の他の形態について、図４に
基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００３１】図４は、本発明の実施の他の形態の電位測
定方法を説明するための図である。この実施形態は前述
の実施形態に類似し、対応する部分には同一の参照符号
を付してその説明を省略する。この実施形態では、前述
の図１（ａ）で示す実施形態と同様に、サンプル用ウエ
ハ２９ａを用いてウエハ電位Ｖwafer に対する吸着電流
Ｉesc ₊ ，Ｉesc _- が求められてメモリ５５内に記録さ
れており、この実施形態は、加工すべきウエハ２９への
イオンビーム５９の照射時に、前記図１（ｂ）で示す方
法に代えて実施される前記フィードバック制御の具体例
を示すものである。

【００３２】この実施形態では、イオンビーム５９の照
射による正電荷のチャージアップを防止するために電子
シャワー６１の照射が行われるようになっており、前記
電子シャワー６１を発生する電子源６２のための電子源
制御回路６３が前記測定装置５３によってフィードバッ
ク制御される。

【００３３】すなわち、電子源制御装置６３は、測定装
置５３から入力されるウエハ２９の電位Ｖwafer に対応
して、該電位Ｖwafer が負で、その絶対値が大きくなる
程、前記電子シャワー６１を減少させ、前記電位Ｖwafe
r が正で、その絶対値が大きくなる程、電子シャワー６
１を増加させる。

【００３４】電子シャワー６１の照射の行われる場合に
は、該電子シャワー６１を照射し過ぎてもウエハ２９は
負にチャージアップしてしまい、該ウエハ２９上に形成
される素子に損傷を与えてしまう恐れがある。この点本
発明では、前記図３から求められるように、ウエハ電位
Ｖwafer の５Ｖの変化に対して、吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉ
esc _- は、ともに５％程度変化している。したがって、
リアルタイムで高感度なフィードバック制御を行うこと
ができ、ウエハ２９の電位Ｖwafer の変動を、要求され
る±１０Ｖ程度、さらに好ましくは±５Ｖ程度の範囲内
に充分保持することができる。

【００３５】本発明のさらに他の実施の形態について、
図５に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００３６】図５は、本発明の実施のさらに他の形態の
電位測定方法を説明するための図である。この実施形態
は前述の実施形態に類似し、対応する部分には同一の参
照符号を付してその説明を省略する。この実施形態も前
記図４で示す実施形態と同様に、図１（ｂ）で示す方法
に代えて実施される。この実施形態において注目すべき
は、各電流計５１，５２と測定装置５３ａとの間に、静
電チャック制御装置６５が介在されていることである。

【００３７】前記静電チャック制御装置６５は、載置台
４２上に加工すべきウエハ２９が載置されると、まず、
イオンビーム５９の照射が開始される以前に、吸着用電
源４６ａ，４７ａを制御して、前記吸着電圧Ｖesc ₊ ，
Ｖesc _- を、予め定める電圧Ｖ０，−Ｖ０、たとえば前
記５００Ｖ，−５００Ｖを基準として、差分電圧ΔＶだ
け変化させて、そのときの吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _-
を測定する。すなわち、 Ｖｅｓｃ₊ ＝Ｖ０−ΔＶ Ｖｅｓｃ_- ＝−Ｖ０−ΔＶ とする。このようにして、前記図３において参照符α
３，α４で示すようなデータが得られる。

【００３８】次に、静電チャック制御装置６５は、吸着
用電源４６ａ，４７ａを制御して、吸着電圧Ｖesc ₊ ，
Ｖesc _- をそれぞれ前記基準電圧Ｖ０，−Ｖ０とする。
この状態でウエハ２９にイオンビーム５９が照射され、
静電チャック制御装置６５は吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc
_- を測定する。

【００３９】その後、該静電チャック制御装置６５は、
メモリ５５に記録されている前記図３において参照符α
１，α２で示すデータを、前記参照符α３，α４で示す
データでそれぞれ補正し、得られたデータに前記測定さ
れた吸着電流Ｉesc ₊ ，Ｉesc _- を対照して、正確なウ
エハ電位Ｖwafer を求める。

【００４０】なお、前記補正のための演算は、参照符α
１，α２で示すデータをそれぞれ参照符α３，α４で示
すデータに基づいて一次式や多項式で補正することによ
って求められてもよく、あるいは参照符α１，α２で示
すデータを参照符α３，α４で示すデータにそれぞれ所
定の関数を用いてフィッティングすることによって行わ
れてもよい。

【００４１】たとえば、前記参照符α１で示すデータを
一次式 ｙ１＝ａ１・ｘ１＋ｂ１ で近似し、前記参照符α３で示すデータから差分電圧Δ
Ｖが零であるときの吸着電流Ｉesc _{+ (0)} の値を切片ｂ
１に代入する。したがって、 Ｉesc _{+ (0)} ＝ａ１・Ｖwafer ＋ｂ１ から、 Ｖwafer ＝（Ｉesc _{+ (0)} −ｂ１）／ａ１ で求めることができる。

【００４２】また、たとえば差分電圧ΔＶを変化して参
照符α３で示すデータを複数求めておき、一次式 ｙ３＝ａ３・ｘ３＋ｂ３ で近似し、吸着電流Ｉesc ₊ に対してウエハ電位Ｖwafe
r は、 Ｉesc ₊ ＝ａ３・ｘ３＋ｂ３ から、 Ｖwafer ＝（Ｉesc ₊ −ｂ３）／ａ３ で求めることができる。この場合、参照符α１で示すデ
ータは不要となる。

【００４３】このように静電チャック制御装置６５によ
って、予め各ウエハ２９の、たとえば材質や載置台４２
への密着度の差などの特性や状態のバラツキ、さらには
静電チャック装置４１の経時的な特性変化などによるバ
ラツキも補償して、正確にウエハ電位Ｖwafer を測定す
ることができるようになる。これによって、たとえば前
記図４で示すようにフィードバックループを構成した場
合などでは、安定した動作を行わせることができる。

【００４４】なお、上述の各実施例では、静電チャック
装置には正負両方の独立した電源４６，４７；４６ａ，
４７ａを備える双極型の静電チャック装置４１が用いら
れたけれども、図６で示す静電チャック装置７１のよう
に、正負いずれか一方の吸着用電源７２を備え、載置台
４２ａ内に単一の電極７３が設けられる単極型の静電チ
ャック装置が用いられてもよい。

【００４５】本発明は、上述のようなイオン注入装置２
１に限らず、プラズマ処理装置などの静電チャック装置
４１，７１を用いる他の荷電粒子の照射装置にも好適に
実施することができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明に係るワーク電位の測定方法は、
以上のように、荷電粒子をワークに照射する装置の静電
チャック装置において、予めサンプル用ワークを用いて
可変電圧を印加して擬似的に荷電粒子をワークに照射し
た状態を再現し、その状態でのワーク電位に対する吸着
電流の値を求めておき、実際のワークへの荷電粒子の照
射時には、計測された吸着電流からワーク電位を求め
る。

【００４７】それゆえ、荷電粒子の照射を行いつつ、リ
アルタイムでワーク電位を求めることができ、チャージ
アップ現象を速やかに検出し、計測された電位が所定電
位以上であるときには荷電粒子の照射を停止するなどし
て、ワークの損傷を未然に防止することができる。ま
た、リアルタイムでの計測が可能となることによって、
周辺の構成物における時定数成分のバラツキなどの影響
を受けることなく、正確な電位を求めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態の電位測定方法を説明す
るための図である。

【図２】図１で示す測定方法が用いられるイオン注入装
置の構成を示す簡略化した平面図である。

【図３】本発明の電位測定方法の根拠となるウエハ電位
または吸着電圧の変化に対する吸着電流の変化を示すグ
ラフである。

【図４】本発明の実施の他の形態の電位測定方法を説明
するための図である。

【図５】本発明の実施のさらに他の形態の電位測定方法
を説明するための図である。

【図６】静電チャック装置の他の例を示す断面図であ
る。

【図７】典型的な従来技術の電位測定方法を説明するた
めの簡略化した平面図である。

【図８】他の従来技術の電位測定方法を説明するための
簡略化した正面図である。

【図９】さらに他の従来技術の電位測定方法を説明する
ための簡略化した正面図である。

【図１０】図９で示す従来技術の電位測定方法の原理を
説明するためのグラフである。

【符号の説明】

２１ イオン注入装置 ２２ イオン源 ２４ 加速管 ２８ ターゲットチャンバ ２９ ウエハ ２９ａ サンプル用ウエハ ３０ エンドステーション ４１ 静電チャック装置 ４２ 載置台 ４２ａ 載置台 ４３ 電極 ４４ 電極 ４５ ホルダ ４６ 吸着用電源 ４６ａ 吸着用電源 ４７ 吸着用電源 ４７ａ 吸着用電源 ５１ 電流計 ５２ 電流計 ５３ 測定装置 ５３ａ 測定装置 ５４ 電圧計 ５５ メモリ ５６ 帯電用プローブ ５７ 電位測定用プローブ ５８ 直流電源 ５９ イオンビーム ６１ 電子シャワー ６２ 電子源 ６３ 電子源制御装置 ６５ 静電チャック制御装置 ７１ 静電チャック装置 ７２ 吸着用電源 ７３ 電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電性材料から成る載置台内に埋設されて
   いる電極に吸着用電源から吸着電圧を供給することによ
   ってワークを前記載置台に吸着させる静電チャック装置
   におけるワーク電位の測定方法であって、 帯電用および電位測定用プローブがそれぞれ取付けら
   れ、加工すべきワークと同一のサンプル用ワークを予め
   前記載置台上に載置して、前記帯電用プローブから可変
   電圧を印加し、該可変電圧に対応して計測された電位測
   定用プローブの各電位に対応して吸着電流のデータを記
   録しておき、 前記載置台上に加工すべきワークを載置して、該ワーク
   に荷電粒子を照射しつつ前記吸着電流を計測し、その計
   測結果を前記記録されているデータに対照してワーク電
   位を求めることを特徴とするワーク電位の測定方法。