KR920010984A - 고온초전도 박막의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
제1도의 (가)∼(바)는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.
본 내용은 요부공건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)상면에 반도체 소자 제조공정과 동일한 식각 방법으로 3㎛두께의 깊이의 미세패턴을 형성하는 단계와, 그 위에 완층박막인 란탄늄 알루미네이트을 0.4∼0.5㎛두께로 형성하는 단계와, 고온초전도 박막을 0.5∼1㎛의 두께로 증착(deposition)하는 단계등에 의하여 실리콘 기판(1)의 요철에 따라 결함이 적은 고온초전도 패턴을 형성하도록 한 고온초전도 박막의 미세 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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1990
- 1990-11-07 KR KR1019900017926A patent/KR940001295B1/ko not_active IP Right Cessation
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