KR910018853A - 레지스트 구조를 만들기 위한 방법. - Google Patents

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아네 헬무트
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Abstract

내용 없음

Description

레지스트 구조를 만들기 위한 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 수직의 테두리를 가지는 용성이 큰 레지스트 구조를 제조하는 방법에 있어서, -화학반응성 그룹을 함유하는 폴리머와 디아조케론 및 퀴논 디아지드를 기초로 한 광활성 성분으로 이루어진 포토레지스트 층을 기판위에 부착시칸 다음, -포토레지스트층을 상(image)에 적합하게 노광하고, -폴리머의 반응성 그룹과 화학반응하는 작용기성 그룹을 가지는 다중 작용기성 유기화합물로써 노광포토레지스트층을 처리한 다음, -플러드 노광시키고, -폴리머의 반응성 그룹과 화학반응하는 하나 이상의 작용기성 그룹을 가지는, 금속 함유 유기화합물로써 상기 노광 포토레지스트 층을 처리한 다음, -상기 포토레지스트층을 산소 함유 플라즈마로 에칭하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 화학반응성 그룹으로서 무수물 그룹을 함유하는 폴리머를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 다중 작용기성 유기화합물로서 폴리아민을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 지방족 폴리아민을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1내지 4항중 어느 한항에 있어서, 금속함유 유기화합물로서 유기실리콘 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 디아민실옥산을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1내지 6항중 어느 한항에 있어서, 실온에서 다중 작용기성 유기화합물로 포토레지스트 층을 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1내지 7항중 어느 한항에 있어서, 금속함유 유기화합물의 물-알콜용액으로 포토레지스트 층을 처리한느 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1내지 8항중 어느 한항에 있어서, 온도처리의 플러드 노광에 의해 포토레지스트 층이 변화될수 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1내지 9항에중 어느 한항에 있어서, 드라이 에칭할 수 있는 플래너층 위에 포토레지스트층을 부착하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005841A 1990-04-12 1991-04-12 레지스트 구조를 제조하는 방법 KR100192905B1 (ko)

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