KR920001246A - 레지스트 및 그것을 사용하는 패턴형성방법 - Google Patents

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나오미찌 아베
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세끼자와 다다시
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Abstract

내용 없음

Description

레지스트 및 그것을 사용하는 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용될 수 있는 건조현상장치의 약시도이다.

Claims (7)

  1. 다음 일반식 I 및 II
    (상기 식에서 R1은 아릴 또는 아르알킬을 표시하고, R2는 수소 또는 알킬기를 표시하고, R3, R4, R5및 R6는 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 알킬, 아릴 또는 아르알킬기를 표시하는데, 단 R3,R4,R5및 R6중의 적어도 하나는 아릴 또는 아르알킬기를 표시함)로 표시되는 중합체로 부터 선택된 적어도 일종의 중합체와 노광에 의해 산을 생성하는 물질과의 혼합물로 되어있는 레지스트 재료를 처리될 기판위에 적용하고, 노광 및 열처리를 하고, 그 뒤 산소함유 플라즈마의 하강류 내에서 시스템을 현상하는 것으로 되어있는 것을 특징으로 하는 패턴형성공정.
  2. 제1항에 있어서, 중합체는 폴리비닐벤질 에테르, 폴리비닐 에테르, 폴리비닐페닐 에테르, 폴리-α-α'-디메틸벤질 메타크릴레이트, 및 폴리페닐에틸 메타크릴레이트중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 트리페닐설포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스페이트, 2,5-디니트로벤질-p-톨루엔설포네이트; N-[(p-톨루엔설포닐)옥시]-프탈아미드; 펜아실-p-보로페닐설폰; 4붕화 트리페닐 설포늄;
    으로부터 산발생물질이 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 50내지 200℃의 온도범위에서 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 자외선, X-선 또는 전자 비임을 사용하여 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 레지스트 재료를 처리될 기판의 바로 표면위에 적용하거나 또는 다층 레지스트 구조의 상층 레지스트로서 적층된 평탄 레지스트 및 마스크 막 구조체위에 적용하는것을 특징으로 하는 방법.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 기재된 일반식 I 및 II로 표시되는 중합체들로부터 선택된 적어도 일종의 중합체와 노광에 의해 산을 발생하는 물질과의 혼합물로 구성된것을 특징으로 하는 산소함유 플라즈마의 하강류내에서 현상될 레지스트재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910010938A 1990-06-29 1991-06-28 레지스트 패턴의 형성방법 KR940011201B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2726813C2 (de) * 1976-06-17 1984-02-23 Motorola, Inc., 60196 Schaumburg, Ill. Verfahren zur Herstellung eines mit einem Muster versehenen Substrats
US4241165A (en) * 1978-09-05 1980-12-23 Motorola, Inc. Plasma development process for photoresist
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone

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