JP2991804B2 - レジスト構造物の製法 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は急傾斜の側面を有する高
度に解像されたレジスト構造物を製作する方法に関す
る。
度に解像されたレジスト構造物を製作する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レジスト構造物の製作は特にマイクロエ
レクトロニクス分野において、例えば半導体デバイスを
製造する際に重要な役目をする。それにはフォトリソグ
ラフィ法で構造化されるフォトレジストが用いられる。
しかしマイクロエレクトロニクス分野における漸進的な
開発は集積密度の増大を必然的にもたらし、構造物が益
々微細化するに伴い、構造物の製作に対しても更に高度
の要求が課せられる。この場合、特に使用されるフォト
レジストの解像度並びにコントラストを益々高めること
が必要である。
レクトロニクス分野において、例えば半導体デバイスを
製造する際に重要な役目をする。それにはフォトリソグ
ラフィ法で構造化されるフォトレジストが用いられる。
しかしマイクロエレクトロニクス分野における漸進的な
開発は集積密度の増大を必然的にもたらし、構造物が益
々微細化するに伴い、構造物の製作に対しても更に高度
の要求が課せられる。この場合、特に使用されるフォト
レジストの解像度並びにコントラストを益々高めること
が必要である。
【０００３】フォトリソグラフィ法でフォトレジストを
構造化する場合、技術的及びレジスト固有のパラメータ
の他に露光に使用されたステッパ又はステッパレンズの
特性も、達成することのできる最小の構造物寸法ＣＤ
（＝Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）並びに焦
点深度ＤＯＦ（＝Ｄｅｐｔｈ ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）を決
定する。ステッパ固有の影響量、露光波長λ及びレンズ
の開口数ＮＡはＣＤ及びＤＯＦと以下の関係を有する。 ＣＤ＝ｆ１（λ／ＮＡ） 及び ＤＯＦ＝±ｆ２（λ／ＮＡ２） その際ｆ１及びｆ２は方法又は装置固有の因子を表す。
構造化する場合、技術的及びレジスト固有のパラメータ
の他に露光に使用されたステッパ又はステッパレンズの
特性も、達成することのできる最小の構造物寸法ＣＤ
（＝Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）並びに焦
点深度ＤＯＦ（＝Ｄｅｐｔｈ ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）を決
定する。ステッパ固有の影響量、露光波長λ及びレンズ
の開口数ＮＡはＣＤ及びＤＯＦと以下の関係を有する。 ＣＤ＝ｆ１（λ／ＮＡ） 及び ＤＯＦ＝±ｆ２（λ／ＮＡ２） その際ｆ１及びｆ２は方法又は装置固有の因子を表す。
【０００４】フォトリソグラフィにおけるこれらの要件
は、例えば長い間湿式現像可能の単層レジスト、特にベ
ースポリマーとしてのノボラック樹脂及び光活性成分と
してのキノンジアジドからなるようなものによって満た
されてきた。しかし高いレジスト層厚で垂直な側面を有
する０．５μｍ未満のレリーフ構造物を製造するため、
ＤＵＶ（＝Ｄｅｅｐ ＵＶ）領域でエキシマレーザステ
ッパにより構造化するような将来設定される諸要件は、
この種のレジスト系によってはもはや殆ど又はまったく
満たすことができない。このことは特に段差のある基板
トポグラフィで、また高反射性の基板において問題とな
る。極めて小さい構造物を製造するには、一層短い露光
波長と高い開口数が必要とされ、これはまさに焦点深度
の範囲を短縮化することから、いわゆる湿式現像可能の
単層レジストの場合、比較的厚いレジスト層及び不可避
的な層厚変動により、段差トポグラフィ上に高い解像度
を達成することは極めて困難である。更に特にノボラッ
クは例えば２４８ｎｍで高い自己吸収性を有することか
ら、上記の系はＤＵＶレジストとして使用するには適し
ていない。
は、例えば長い間湿式現像可能の単層レジスト、特にベ
ースポリマーとしてのノボラック樹脂及び光活性成分と
してのキノンジアジドからなるようなものによって満た
されてきた。しかし高いレジスト層厚で垂直な側面を有
する０．５μｍ未満のレリーフ構造物を製造するため、
ＤＵＶ（＝Ｄｅｅｐ ＵＶ）領域でエキシマレーザステ
ッパにより構造化するような将来設定される諸要件は、
この種のレジスト系によってはもはや殆ど又はまったく
満たすことができない。このことは特に段差のある基板
トポグラフィで、また高反射性の基板において問題とな
る。極めて小さい構造物を製造するには、一層短い露光
波長と高い開口数が必要とされ、これはまさに焦点深度
の範囲を短縮化することから、いわゆる湿式現像可能の
単層レジストの場合、比較的厚いレジスト層及び不可避
的な層厚変動により、段差トポグラフィ上に高い解像度
を達成することは極めて困難である。更に特にノボラッ
クは例えば２４８ｎｍで高い自己吸収性を有することか
ら、上記の系はＤＵＶレジストとして使用するには適し
ていない。
【０００５】湿式現像可能の単層レジストの使用と関連
する問題点を除去するために、いわゆる二層系が開発さ
れたが、これは当然複雑化する。二層系の場合、上方の
薄い層のみを露光及び構造化する。すなわち現像するか
又は試薬で処理することにより化学的に変化させ、引続
き得られた構造物を下方の層に転写する。その際上層は
接触マスクとして作用する。下層の構造化のためには、
例えばＵＶ光線を用いた投光露光を、湿式現像と、又は
酸素プラズマ（Ｏ２／ＲＩＥ）中での反応性イオンエッ
チングのような乾式現像と、組み合わせて使用すること
ができる。
する問題点を除去するために、いわゆる二層系が開発さ
れたが、これは当然複雑化する。二層系の場合、上方の
薄い層のみを露光及び構造化する。すなわち現像するか
又は試薬で処理することにより化学的に変化させ、引続
き得られた構造物を下方の層に転写する。その際上層は
接触マスクとして作用する。下層の構造化のためには、
例えばＵＶ光線を用いた投光露光を、湿式現像と、又は
酸素プラズマ（Ｏ２／ＲＩＥ）中での反応性イオンエッ
チングのような乾式現像と、組み合わせて使用すること
ができる。
【０００６】同時にそれほど複雑ではない場合の二層系
の利点は乾式現像可能の単層系を有することである。こ
れらの系の場合基板に施されたレジスト層内に、表面を
露光することにより潜像を造る。次いでこのレジストを
金属含有有機試薬、例えば有機珪素化合物で処理する
が、その際実施する処理法に応じてネガ型レジストの場
合は露光された領域のみが、又はポジ型レジストの場合
は未露光領域のみが試薬と反応する。引続き酸素プラズ
マ中でエッチングすることにより、非シリル化領域を乾
式現像する。
の利点は乾式現像可能の単層系を有することである。こ
れらの系の場合基板に施されたレジスト層内に、表面を
露光することにより潜像を造る。次いでこのレジストを
金属含有有機試薬、例えば有機珪素化合物で処理する
が、その際実施する処理法に応じてネガ型レジストの場
合は露光された領域のみが、又はポジ型レジストの場合
は未露光領域のみが試薬と反応する。引続き酸素プラズ
マ中でエッチングすることにより、非シリル化領域を乾
式現像する。
【０００７】乾式現像可能の単層系により０．５μｍ未
満の領域でレジスト構造物を製作するには、以下のレジ
スト又は処理技術が公知である。−ノボラック及び光活
性成分からなるレジストを露光後６５℃でｏ−キシロー
ル中のヘキサメチルシクロトリシラザンの溶液で処理
し、引続き乾式現像する。その際構造化はネガ型レジス
トとしても、またポジ型レジストとしても可能である
（欧州特許出願公開第０２０４２５３号明細書）。−ア
クリレートをベースとするレジストでは、電子線により
露光し、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）で４０℃で処理し、乾式
現像した後、０．５μｍの解像度（レジスト残厚０．１
８μｍ）が生じる。市販のレジスト及び処理試薬として
四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）を用いた場合同様の結果が得
られる。この場合、各処理法に応じてポジ型又はネガ型
の構造物を製作することができる（欧州特許出願公開第
０１３６１３０号明細書）。−露光されたレジストをイ
ソシアネート及び珪素含有試薬で処理し、更に適切な処
理工程で乾式現像することにより、ポジ像が得られる
（欧州特許出願公開第０２２９９１７号及び同第０２５
１２４１号明細書）。−レジストをヘキサメチルジシラ
ザンのような珪素含有試薬で気相からシリル化すること
により、ポジのレジスト像を製作することができる（欧
州特許出願公開第０２４８７７９号明細書並びに「プロ
シーディングス・オブ・エスピーアイイー（Ｐｒｏｃ．
ｏｆ ＳＰＩＥ）」第１０８６巻（１９８９年）、第２
２０〜２２８頁、及び「ジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンス・テクノロジー（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．）Ｂ」、第７巻（１９８９年）、第１７
８２〜１７８６頁）。
満の領域でレジスト構造物を製作するには、以下のレジ
スト又は処理技術が公知である。−ノボラック及び光活
性成分からなるレジストを露光後６５℃でｏ−キシロー
ル中のヘキサメチルシクロトリシラザンの溶液で処理
し、引続き乾式現像する。その際構造化はネガ型レジス
トとしても、またポジ型レジストとしても可能である
（欧州特許出願公開第０２０４２５３号明細書）。−ア
クリレートをベースとするレジストでは、電子線により
露光し、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）で４０℃で処理し、乾式
現像した後、０．５μｍの解像度（レジスト残厚０．１
８μｍ）が生じる。市販のレジスト及び処理試薬として
四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）を用いた場合同様の結果が得
られる。この場合、各処理法に応じてポジ型又はネガ型
の構造物を製作することができる（欧州特許出願公開第
０１３６１３０号明細書）。−露光されたレジストをイ
ソシアネート及び珪素含有試薬で処理し、更に適切な処
理工程で乾式現像することにより、ポジ像が得られる
（欧州特許出願公開第０２２９９１７号及び同第０２５
１２４１号明細書）。−レジストをヘキサメチルジシラ
ザンのような珪素含有試薬で気相からシリル化すること
により、ポジのレジスト像を製作することができる（欧
州特許出願公開第０２４８７７９号明細書並びに「プロ
シーディングス・オブ・エスピーアイイー（Ｐｒｏｃ．
ｏｆ ＳＰＩＥ）」第１０８６巻（１９８９年）、第２
２０〜２２８頁、及び「ジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンス・テクノロジー（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．）Ｂ」、第７巻（１９８９年）、第１７
８２〜１７８６頁）。
【０００８】しかし上記の系の場合、以下の欠点が生じ
る。 −腐食性又は毒性の、湿気に敏感なガス又は液体の使用 −特別な排気装置を必要とすること −高温での処理 −僅かなＯ２／ＲＩＥ抵抗力
る。 −腐食性又は毒性の、湿気に敏感なガス又は液体の使用 −特別な排気装置を必要とすること −高温での処理 −僅かなＯ２／ＲＩＥ抵抗力
【０００９】欧州特許出願公開第０３９４７４０号明細
書にはネガ型の乾式現像可能のレジスト系が提案されて
おり、これは比較可能の他の系とは異なり操作が簡単で
あり、酸素プラズマ中で高い選択性を有し、急傾斜の側
面を有する高度に解像された構造物を生じ、また存在す
る通常の装置を使用することを可能とするものである。
この系の特殊性は、金属含有有機試薬でのレジストの処
理を水相又は水を含む無毒性相で行い、また通常の条件
ですなわち室温及び常圧で実施することにある。
書にはネガ型の乾式現像可能のレジスト系が提案されて
おり、これは比較可能の他の系とは異なり操作が簡単で
あり、酸素プラズマ中で高い選択性を有し、急傾斜の側
面を有する高度に解像された構造物を生じ、また存在す
る通常の装置を使用することを可能とするものである。
この系の特殊性は、金属含有有機試薬でのレジストの処
理を水相又は水を含む無毒性相で行い、また通常の条件
ですなわち室温及び常圧で実施することにある。
【００１０】ネガ型の乾式現像可能の単層系は、一般に
これに対応するポジ型系よりも簡単に加工することがで
きるが、ポジ型系は臨界的な接触孔平面での使用におい
てはネガ型系よりも適している。これは極めて重要な利
点である。
これに対応するポジ型系よりも簡単に加工することがで
きるが、ポジ型系は臨界的な接触孔平面での使用におい
てはネガ型系よりも適している。これは極めて重要な利
点である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、臨界
的な接触孔平面でも急傾斜の側面を有する高度に解像さ
れた構造物を生じ、その際に通常の装置の使用を可能と
するレジスト構造物の製法を提供することにある。
的な接触孔平面でも急傾斜の側面を有する高度に解像さ
れた構造物を生じ、その際に通常の装置の使用を可能と
するレジスト構造物の製法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、 −基板上に、化学的に反応性の基を含むポリマーと、ジ
アゾケトン又はキノンジアジドをベースとする光活性成
分とからなるフォトレジスト層を施し、 −このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 −露光したフォトレジスト層を、ポリマーの反応性基と
の化学反応を可能とする官能基を有する多官能性有機化
合物で処理し、 −その後投光露光を行い、 −こうして露光されたフォトレジスト層を、ポリマーの
反応性基との化学反応を可能とする官能基を少なくとも
１個有する金属含有有機化合物で処理し、 −こうして処理されたフォトレジスト層を、酸素含有プ
ラズマ中でエッチングすることにより解決される。
ば、 −基板上に、化学的に反応性の基を含むポリマーと、ジ
アゾケトン又はキノンジアジドをベースとする光活性成
分とからなるフォトレジスト層を施し、 −このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 −露光したフォトレジスト層を、ポリマーの反応性基と
の化学反応を可能とする官能基を有する多官能性有機化
合物で処理し、 −その後投光露光を行い、 −こうして露光されたフォトレジスト層を、ポリマーの
反応性基との化学反応を可能とする官能基を少なくとも
１個有する金属含有有機化合物で処理し、 −こうして処理されたフォトレジスト層を、酸素含有プ
ラズマ中でエッチングすることにより解決される。
【００１３】
【作用効果】本発明により、ポジティブ像を生じ、それ
によりポジ型のレジスト系と結び付いた利点をもたら
す、乾式現像を有する構造化法が提供される。
によりポジ型のレジスト系と結び付いた利点をもたら
す、乾式現像を有する構造化法が提供される。
【００１４】本発明方法は一般に以下の経過をたどる。
ベースポリマー及び光活性成分からなるレジストを溶液
の型で、例えばシリコンウエハのような土台に施し、マ
スクを介して露光する。このベースポリマーは化学的に
反応性の基を有するが、貯蔵安定性である。光活性成分
としてはジアゾケトン又はキノンジアジドを使用する。
露光波長領域内で吸収及び反応する必要のある光活性成
分の種類に応じて、レジストをそれぞれ近又は深紫外線
（ＮＵＶ又はＤＵＶ）領域内で、例えば１９３、２４
８、３１３、３６５又は４３６ｎｍで露光する。
ベースポリマー及び光活性成分からなるレジストを溶液
の型で、例えばシリコンウエハのような土台に施し、マ
スクを介して露光する。このベースポリマーは化学的に
反応性の基を有するが、貯蔵安定性である。光活性成分
としてはジアゾケトン又はキノンジアジドを使用する。
露光波長領域内で吸収及び反応する必要のある光活性成
分の種類に応じて、レジストをそれぞれ近又は深紫外線
（ＮＵＶ又はＤＵＶ）領域内で、例えば１９３、２４
８、３１３、３６５又は４３６ｎｍで露光する。
【００１５】露光後レジストをいわゆる網状化剤で、有
利には水溶液の形で処理する。その際網状化剤として
は、ベースポリマーの反応性基と化学反応を起こし得る
官能基を少なくとも２個有する、金属不含の有機化合物
を使用する。この反応により露光された範囲でベースポ
リマーは遮蔽される。網状化剤の溶液で処理することに
より、恐らく露光に際して光活性成分から生じたカルボ
ン酸がレジストから溶出される。網状化剤でのレジスト
の処理は、有利には室温で行う。しかし必要に応じて又
は有利にはこの処理を高めた温度で行うこともできる。
利には水溶液の形で処理する。その際網状化剤として
は、ベースポリマーの反応性基と化学反応を起こし得る
官能基を少なくとも２個有する、金属不含の有機化合物
を使用する。この反応により露光された範囲でベースポ
リマーは遮蔽される。網状化剤の溶液で処理することに
より、恐らく露光に際して光活性成分から生じたカルボ
ン酸がレジストから溶出される。網状化剤でのレジスト
の処理は、有利には室温で行う。しかし必要に応じて又
は有利にはこの処理を高めた温度で行うこともできる。
【００１６】レジストを網状化剤で処理した後、投光露
光、すなわちマスクなしで露光する。投光露光の前にレ
ジストを有利には熱処理することもできるが、それには
短時間例えば６０秒間９０〜１１０℃で熱処理する。投
光露光後レジストを、ベースポリマーの反応性基と化学
反応を起こし得る官能基を少なくとも１個有する金属含
有有機化合物で、短時間処理する。この処理は、有利に
は水性アルコール溶液を用いて、また有利には室温で行
う。
光、すなわちマスクなしで露光する。投光露光の前にレ
ジストを有利には熱処理することもできるが、それには
短時間例えば６０秒間９０〜１１０℃で熱処理する。投
光露光後レジストを、ベースポリマーの反応性基と化学
反応を起こし得る官能基を少なくとも１個有する金属含
有有機化合物で、短時間処理する。この処理は、有利に
は水性アルコール溶液を用いて、また有利には室温で行
う。
【００１７】レジストを金属含有化合物で処理すること
により、その際生ずる化学反応によって第二の露光領
域、すなわち遮蔽されていない領域の層厚は選択的に増
大する。特に垂直方向で生じるこの層成長は、投光露光
に際し、露光線量に関してまた処理時間及びその際使用
した溶液の濃度に関して意図した通りにコントロールす
ることができまた調整可能である。これにより現在約
０．２５μｍ（線／溝）までの高度に解像された半サブ
ミクロン構造物の１：１結像の他に、一層狭い溝及び高
い縦横比を有する結像を実現することができる。従って
このレジスト系は高い最適化可能性を含んでいる。
により、その際生ずる化学反応によって第二の露光領
域、すなわち遮蔽されていない領域の層厚は選択的に増
大する。特に垂直方向で生じるこの層成長は、投光露光
に際し、露光線量に関してまた処理時間及びその際使用
した溶液の濃度に関して意図した通りにコントロールす
ることができまた調整可能である。これにより現在約
０．２５μｍ（線／溝）までの高度に解像された半サブ
ミクロン構造物の１：１結像の他に、一層狭い溝及び高
い縦横比を有する結像を実現することができる。従って
このレジスト系は高い最適化可能性を含んでいる。
【００１８】金属含有化合物で処理した後レジストを酸
素プラズマ中でエッチングする、すなわち乾式現像を行
う。その際急傾斜の側面を有する高度に解像されたポジ
型レジスト構造物が得られる。欧州特許出願公開第０３
９４７４０号明細書中に例示的に記載されている、ポジ
型構造物の製作（その例６を参照）と比較した場合に
も、本発明方法は明らかに一層高い解像度が得られると
いう利点を有する。記載されている方法ではこの他に別
のレジスト成分、すなわち光活性造酸物を必要とする。
素プラズマ中でエッチングする、すなわち乾式現像を行
う。その際急傾斜の側面を有する高度に解像されたポジ
型レジスト構造物が得られる。欧州特許出願公開第０３
９４７４０号明細書中に例示的に記載されている、ポジ
型構造物の製作（その例６を参照）と比較した場合に
も、本発明方法は明らかに一層高い解像度が得られると
いう利点を有する。記載されている方法ではこの他に別
のレジスト成分、すなわち光活性造酸物を必要とする。
【００１９】比較可能の公知方法と比べて本発明の利点
は特に次の通りである。 −処理法、すなわち室温及び室空調下における化学試薬
でのレジストの処理。 −短い処理時間（一般に３０〜９０秒）。 −全工程を完全に現存する装置内に統合することができ
る。すなわち例えばレジストの処理を現存するバドル−
又は噴霧現像器中で行うことができる。すなわちまった
く付加的な費用を必要としない。 −金属含有化合物で処理し、こうして金属化したレジス
ト領域の酸素プラズマに対する高度の耐食性。
は特に次の通りである。 −処理法、すなわち室温及び室空調下における化学試薬
でのレジストの処理。 −短い処理時間（一般に３０〜９０秒）。 −全工程を完全に現存する装置内に統合することができ
る。すなわち例えばレジストの処理を現存するバドル−
又は噴霧現像器中で行うことができる。すなわちまった
く付加的な費用を必要としない。 −金属含有化合物で処理し、こうして金属化したレジス
ト領域の酸素プラズマに対する高度の耐食性。
【００２０】更に本発明は、有利には単層系でだけでは
なく、乾式現像可能の二層系でも使用できる。その際反
応性レジストは、薄層として諸要件に応じて自由に選択
できる、乾式エッチング可能の平坦化層上に施す。更に
土台としては、すなわち基板としては一般に半導体物
質、金属、セラミック又はこれに類するものを使用す
る。
なく、乾式現像可能の二層系でも使用できる。その際反
応性レジストは、薄層として諸要件に応じて自由に選択
できる、乾式エッチング可能の平坦化層上に施す。更に
土台としては、すなわち基板としては一般に半導体物
質、金属、セラミック又はこれに類するものを使用す
る。
【００２１】本発明方法では、有利には化学的に反応性
の基として無水物基を有するベースポリマーを使用す
る。その他に反応性基として、例えばエポキシ基、イミ
ド基並びに場合によっては保護された形でのイソシアネ
ート基、及びエノールエーテル基が挙げられる。無水物
基を有する適当なベースポリマーは、例えば１０から５
５モル％がマレイン酸無水物モノマーからなるコポリマ
ーである。その際コモノマーとしては、特にスチロール
のような芳香族化合物を使用する。他の多くの適切なポ
リマーについては、欧州特許出願公開第０３９４７４０
号明細書に記載されている。
の基として無水物基を有するベースポリマーを使用す
る。その他に反応性基として、例えばエポキシ基、イミ
ド基並びに場合によっては保護された形でのイソシアネ
ート基、及びエノールエーテル基が挙げられる。無水物
基を有する適当なベースポリマーは、例えば１０から５
５モル％がマレイン酸無水物モノマーからなるコポリマ
ーである。その際コモノマーとしては、特にスチロール
のような芳香族化合物を使用する。他の多くの適切なポ
リマーについては、欧州特許出願公開第０３９４７４０
号明細書に記載されている。
【００２２】本発明方法では多官能の金属不含の有機化
合物、すなわち網状化剤として有利にはポリアミン、す
なわち少なくとも２個のアミノ基を有する化合物を使用
する。更に有利には、脂肪族ポリアミン並びに芳香族部
分構造物を有する脂肪族ポリアミンを使用する。適切な
多官能性アミンは、例えばトリエチレンテトラミン、ト
リス（２−アミノエチル）−アミン、Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−アミノプロピル）−１，２−エチレンジアミン及
び３−（アミノメチル）−ベンジルアミンである。ポリ
アミンの他に少なくとも２個のフェノールＯＨ基を有す
る化合物及び適切な多官能性アルコールを挙げることも
できる。網状化剤は、有利には水溶液の形で使用するこ
とができる。この網状化剤、例えばポリアミンが水に極
く僅かに可溶であるか又はまったく不溶である場合に
は、水と適当な有機溶剤例えばアルコール、特にイソプ
ロパノールとからなる可変混合物中の溶液を使用するこ
ともできる。
合物、すなわち網状化剤として有利にはポリアミン、す
なわち少なくとも２個のアミノ基を有する化合物を使用
する。更に有利には、脂肪族ポリアミン並びに芳香族部
分構造物を有する脂肪族ポリアミンを使用する。適切な
多官能性アミンは、例えばトリエチレンテトラミン、ト
リス（２−アミノエチル）−アミン、Ｎ，Ｎ′−ビス
（３−アミノプロピル）−１，２−エチレンジアミン及
び３−（アミノメチル）−ベンジルアミンである。ポリ
アミンの他に少なくとも２個のフェノールＯＨ基を有す
る化合物及び適切な多官能性アルコールを挙げることも
できる。網状化剤は、有利には水溶液の形で使用するこ
とができる。この網状化剤、例えばポリアミンが水に極
く僅かに可溶であるか又はまったく不溶である場合に
は、水と適当な有機溶剤例えばアルコール、特にイソプ
ロパノールとからなる可変混合物中の溶液を使用するこ
ともできる。
【００２３】本発明方法で使用される金属含有有機化合
物は、有利には有機珪素化合物である。有利にはジアミ
ノシロキサンが使用される。アミノ官能性オルガノシロ
キサンの他に適当な化合物は、例えばヒドロキシ官能性
オルガノシロキサン並びにアミノ又はヒドロキシ官能性
オルガノシランである。この種の化合物は、例えば欧州
特許出願公開第０３９４７４０号明細書に記載されてい
る。有機珪素化合物の他に、その金属が難腐食性の安定
な酸化物を形成する他の金属含有有機化合物、例えばマ
グネシウム、アルミニウム、チタン、バナジウム及び錫
含有化合物も挙げることができる。金属含有有機化合
物、一般にシリル化剤は有利には水性アルコール溶液の
形で使用できる。その際アルコールとしては特にイソプ
ロパノールを使用する。
物は、有利には有機珪素化合物である。有利にはジアミ
ノシロキサンが使用される。アミノ官能性オルガノシロ
キサンの他に適当な化合物は、例えばヒドロキシ官能性
オルガノシロキサン並びにアミノ又はヒドロキシ官能性
オルガノシランである。この種の化合物は、例えば欧州
特許出願公開第０３９４７４０号明細書に記載されてい
る。有機珪素化合物の他に、その金属が難腐食性の安定
な酸化物を形成する他の金属含有有機化合物、例えばマ
グネシウム、アルミニウム、チタン、バナジウム及び錫
含有化合物も挙げることができる。金属含有有機化合
物、一般にシリル化剤は有利には水性アルコール溶液の
形で使用できる。その際アルコールとしては特にイソプ
ロパノールを使用する。
【００２４】
【実施例】本発明を以下実施例に基づき更に詳述する。
その際本発明方法を実施するため以下の出発物質又は処
理剤を使用する（ＭＴ＝重量部）。 −ベースポリマー（１）： 開始剤としてアゾイソ酪酸ニトリルを、また調節剤とし
てアルキルメルカプタンを用いて、無水マレイン酸及び
スチロールをラジカル重合することにより製作した無水
マレイン酸とスチロールとからなるコポリマー。 −ベースポリマー（２）： 開始剤としてアゾイソ酪酸ニトリルを用い、調節剤は使
用せずに、無水マレイン酸及びスチロールをラジカル重
合することにより製作した、無水マレイン酸とスチロー
ルとからなるコポリマー。 −光活性成分（１）： ビスフェノールＡとナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸とのジエステル。−網状化溶液（１） トリス（２−アミノエチル）−アミン２ＭＴ及び水９８
ＭＴからなる水溶液。−網状化溶液（２） トリエチレンテトラミン２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる
水溶液。−網状化溶液（３） Ｎ−（３−アミノプロピル）−１，４−ブタンジアミン
２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる水溶液。−網状化溶液
（４） Ｎ，Ｎ′−ビス（３−アミノプロピル）−１，４−ブタ
ンジアミン２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる水溶液。 −網状化溶液（５） Ｎ，Ｎ′−ビス（３−アミノプロピル）−１，２−エチ
レンジアミン４ＭＴ及び水９６ＭＴからなる水溶液。 −シリル化溶液（１）： ジアミノシロキサン２ＭＴ、イソプロパノール７８．４
ＭＴ及び水１９．６ＭＴからなる水性アルコール溶液。
有利にはα，ω−アミノ官能性シロキサン、特に２個の
末端位アミノプロピル基及び２〜２０個の珪素原子を鎖
中に有する、例えば市販生成物、テゴマー（Ｔｅｇｏｍ
ｅｒ）Ａ−Ｓｉ２１２０（Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔ社
製）を使用して作成。 −シリル化溶液（２）： ジアミノシロキサン（テゴマーＡ−Ｓｉ２１２０）１Ｍ
Ｔ、イソプロパノール７９．２ＭＴ及び水１９．８ＭＴ
からなる水性アルコール溶液。 −シリル化溶液（３）： ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサ
ン２ＭＴ、乳化剤１ＭＴ及び水９７ＭＴからなる水溶
液。
その際本発明方法を実施するため以下の出発物質又は処
理剤を使用する（ＭＴ＝重量部）。 −ベースポリマー（１）： 開始剤としてアゾイソ酪酸ニトリルを、また調節剤とし
てアルキルメルカプタンを用いて、無水マレイン酸及び
スチロールをラジカル重合することにより製作した無水
マレイン酸とスチロールとからなるコポリマー。 −ベースポリマー（２）： 開始剤としてアゾイソ酪酸ニトリルを用い、調節剤は使
用せずに、無水マレイン酸及びスチロールをラジカル重
合することにより製作した、無水マレイン酸とスチロー
ルとからなるコポリマー。 −光活性成分（１）： ビスフェノールＡとナフトキノンジアジド−４−スルホ
ン酸とのジエステル。−網状化溶液（１） トリス（２−アミノエチル）−アミン２ＭＴ及び水９８
ＭＴからなる水溶液。−網状化溶液（２） トリエチレンテトラミン２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる
水溶液。−網状化溶液（３） Ｎ−（３−アミノプロピル）−１，４−ブタンジアミン
２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる水溶液。−網状化溶液
（４） Ｎ，Ｎ′−ビス（３−アミノプロピル）−１，４−ブタ
ンジアミン２ＭＴ及び水９８ＭＴからなる水溶液。 −網状化溶液（５） Ｎ，Ｎ′−ビス（３−アミノプロピル）−１，２−エチ
レンジアミン４ＭＴ及び水９６ＭＴからなる水溶液。 −シリル化溶液（１）： ジアミノシロキサン２ＭＴ、イソプロパノール７８．４
ＭＴ及び水１９．６ＭＴからなる水性アルコール溶液。
有利にはα，ω−アミノ官能性シロキサン、特に２個の
末端位アミノプロピル基及び２〜２０個の珪素原子を鎖
中に有する、例えば市販生成物、テゴマー（Ｔｅｇｏｍ
ｅｒ）Ａ−Ｓｉ２１２０（Ｇｏｌｄｓｃｈｍｉｄｔ社
製）を使用して作成。 −シリル化溶液（２）： ジアミノシロキサン（テゴマーＡ−Ｓｉ２１２０）１Ｍ
Ｔ、イソプロパノール７９．２ＭＴ及び水１９．８ＭＴ
からなる水性アルコール溶液。 −シリル化溶液（３）： ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサ
ン２ＭＴ、乳化剤１ＭＴ及び水９７ＭＴからなる水溶
液。
【００２５】例 １ シリコンウエハ上に市販のポジ型レジストＴＳＭＲ８９
００（Ｔｏｋｙｏ Ｏｈｋａ Ｋｏｇｙｏ Ｃｏ．社
製）を遠心塗布し（４０００ｒｐｍで２０秒間）、９０
℃で５分間乾燥する。ついで循環炉中において２４０℃
で３５分間加熱する。加熱後平坦化層として使用するレ
ジストの厚さは１．３μｍである。
００（Ｔｏｋｙｏ Ｏｈｋａ Ｋｏｇｙｏ Ｃｏ．社
製）を遠心塗布し（４０００ｒｐｍで２０秒間）、９０
℃で５分間乾燥する。ついで循環炉中において２４０℃
で３５分間加熱する。加熱後平坦化層として使用するレ
ジストの厚さは１．３μｍである。
【００２６】平坦化層上に、ベースポリマー（１）９．
７５ＭＴ、光活性成分（１）５．２５ＭＴ及び２−メト
キシ−１−プロピルアセテート８５ＭＴからなるレジス
トを遠心塗布する（４５００ｒｐｍで２０秒間）。ホッ
トプレート上で１００℃／６０秒で乾燥後、トップレジ
ストの層厚は３２０ｎｍである。次いでこのレジスト
を、マスクを介して１００ｍＪ／ｃｍ２で露光（キャノ
ン社製のＤＵＶステッパ：λ＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．
３７）し、網状化溶液（１）で６０秒間処理し、水で３
０秒間洗浄し、１００℃で２分間熱処理する。１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ２でＤＵＶ投光露光（マスクなし）した後、レ
ジストをシリル化溶液（１）で４５秒間処理し、次いで
３０秒間イソプロパノールで洗浄する。その際最初の露
光時に照射されなかった領域のみがシリル化される。引
続きシリコンウエハをプラズマエッチング装置（Ｌｅｙ
ｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製のＺ４０１型）内に装入
し、レジストを酸素プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧５００Ｖ）。垂
直な側面及び１：１の線／溝比を有する０．３μｍのポ
ジ型構造物が得られる。
７５ＭＴ、光活性成分（１）５．２５ＭＴ及び２−メト
キシ−１−プロピルアセテート８５ＭＴからなるレジス
トを遠心塗布する（４５００ｒｐｍで２０秒間）。ホッ
トプレート上で１００℃／６０秒で乾燥後、トップレジ
ストの層厚は３２０ｎｍである。次いでこのレジスト
を、マスクを介して１００ｍＪ／ｃｍ２で露光（キャノ
ン社製のＤＵＶステッパ：λ＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．
３７）し、網状化溶液（１）で６０秒間処理し、水で３
０秒間洗浄し、１００℃で２分間熱処理する。１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ２でＤＵＶ投光露光（マスクなし）した後、レ
ジストをシリル化溶液（１）で４５秒間処理し、次いで
３０秒間イソプロパノールで洗浄する。その際最初の露
光時に照射されなかった領域のみがシリル化される。引
続きシリコンウエハをプラズマエッチング装置（Ｌｅｙ
ｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製のＺ４０１型）内に装入
し、レジストを酸素プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧５００Ｖ）。垂
直な側面及び１：１の線／溝比を有する０．３μｍのポ
ジ型構造物が得られる。
【００２７】例 ２ 例１に相応するレジストを例１に記載したようにして基
板に施し、乾燥し、次いでマスクを介して７０ｍＪ／ｃ
ｍ２で露光し、網状化溶液（２）で６０秒間処理し、水
で３０秒間洗浄する。例１に相応して熱処理し、ＤＵＶ
投光露光し、シリル化した後、プラズマエッチング装置
（Ｍａｔｅｒｉａｌ ＲｅｓｅａｒｃｈＣｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎ製ＭＩＥ型７２０）内で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧５００Ｖ、磁石
付）。０．２５μｍの垂直側面を有するポジ型構造物が
得られる。
板に施し、乾燥し、次いでマスクを介して７０ｍＪ／ｃ
ｍ２で露光し、網状化溶液（２）で６０秒間処理し、水
で３０秒間洗浄する。例１に相応して熱処理し、ＤＵＶ
投光露光し、シリル化した後、プラズマエッチング装置
（Ｍａｔｅｒｉａｌ ＲｅｓｅａｒｃｈＣｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎ製ＭＩＥ型７２０）内で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧５００Ｖ、磁石
付）。０．２５μｍの垂直側面を有するポジ型構造物が
得られる。
【００２８】例 ３ 例１に相応するレジストを例２に記載したようにして基
板に施し、乾燥し、露光し、次いで網状化溶液（３）で
６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄する。約２００ｍＪ
／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マスクなし）し、例１に相
応して更に処理した後、０．４μｍの垂直な側面及び
１：１の線／溝比を有するポジ型構造物が得られる。
板に施し、乾燥し、露光し、次いで網状化溶液（３）で
６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄する。約２００ｍＪ
／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マスクなし）し、例１に相
応して更に処理した後、０．４μｍの垂直な側面及び
１：１の線／溝比を有するポジ型構造物が得られる。
【００２９】例 ４ 例１に相応するレジストを、マスクを介して４０ｍＪ／
ｃｍ２で露光し（ＡＳＭ社製のステッパ：λ＝３６５ｎ
ｍ、ＮＡ＝０．４）、網状化溶液（５）で４５秒間処理
し、水で３０秒間洗浄し、１１０℃で２分間熱処理す
る。約２００ｍＪ／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マスクな
し）した後、レジストをシリル化溶液（１）で３０秒間
処理し、その後イソプロパノールで３０秒間洗浄する。
引続きシリコンウエハをプラズマエッチング装置（Ｌｅ
ｙｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）に装入
し、レジストを酸素プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧４５０Ｖ）。垂
直な側面を有する０．５μｍのポジ型構造物が得られ
る。
ｃｍ２で露光し（ＡＳＭ社製のステッパ：λ＝３６５ｎ
ｍ、ＮＡ＝０．４）、網状化溶液（５）で４５秒間処理
し、水で３０秒間洗浄し、１１０℃で２分間熱処理す
る。約２００ｍＪ／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マスクな
し）した後、レジストをシリル化溶液（１）で３０秒間
処理し、その後イソプロパノールで３０秒間洗浄する。
引続きシリコンウエハをプラズマエッチング装置（Ｌｅ
ｙｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）に装入
し、レジストを酸素プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／
ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電圧４５０Ｖ）。垂
直な側面を有する０．５μｍのポジ型構造物が得られ
る。
【００３０】例 ５ シリコンウエハ上に、ベースポリマー（２）１３ＭＴ、
光活性成分（１）７ＭＴ及び２−メトキシ−１−プロピ
ルアセテート８０ＭＴからなるレジストを遠心塗布（３
０００ｒｐｍで、２０秒間）する。ホットプレート上で
１００℃／６０秒間で乾燥した後、レジストの層厚は
１．１μｍである。次いでレジストを、マスクを介して
８０ｍＪ／ｃｍ２で露光し（キャノン社製のＤＵＶステ
ッパ：λ＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．３７）、網状化溶液
（４）で６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００
℃で２分間熱処理する。１５０ｍＪ／ｃｍ２でＤＵＶ投
光露光（マスクなし）した後、レジストをシリル化溶液
（２）で３０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３
０秒間洗浄する。引続きシリコンウエハをプラズマエッ
チング装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ
４０１型）に装入し、レジストを酸素プラズマ中で乾式
現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電
圧５００Ｖ）。垂直な側面を有する０．４μｍのポジ型
構造物が得られる。
光活性成分（１）７ＭＴ及び２−メトキシ−１−プロピ
ルアセテート８０ＭＴからなるレジストを遠心塗布（３
０００ｒｐｍで、２０秒間）する。ホットプレート上で
１００℃／６０秒間で乾燥した後、レジストの層厚は
１．１μｍである。次いでレジストを、マスクを介して
８０ｍＪ／ｃｍ２で露光し（キャノン社製のＤＵＶステ
ッパ：λ＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．３７）、網状化溶液
（４）で６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００
℃で２分間熱処理する。１５０ｍＪ／ｃｍ２でＤＵＶ投
光露光（マスクなし）した後、レジストをシリル化溶液
（２）で３０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３
０秒間洗浄する。引続きシリコンウエハをプラズマエッ
チング装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ
４０１型）に装入し、レジストを酸素プラズマ中で乾式
現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍトル、バイアス電
圧５００Ｖ）。垂直な側面を有する０．４μｍのポジ型
構造物が得られる。
【００３１】例 ６ 例５に相応するレジストを、マスクを介して４０ｍＪ／
ｃｍ２で接触露光し（装置ＭＡ５６Ｍ／Ｋａｒｌ Ｓｕ
ｅｓｓ社製：λ＝３６３ｎｍ）、網状化溶液（２）で６
０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００℃で２分間
熱処理する。１８０ｍＪ／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マ
スクなし）した後、レジストをシリル化溶液（３）で６
０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３０秒間洗浄
する。引続きプラズマエッチング装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ
Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）を用いて酸素プラ
ズマ中で乾式現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍト
ル、バイアス電圧５００Ｖ）。０．５μｍの垂直な側面
を有するポジ型構造物が得られる。
ｃｍ２で接触露光し（装置ＭＡ５６Ｍ／Ｋａｒｌ Ｓｕ
ｅｓｓ社製：λ＝３６３ｎｍ）、網状化溶液（２）で６
０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００℃で２分間
熱処理する。１８０ｍＪ／ｃｍ２でＮＵＶ投光露光（マ
スクなし）した後、レジストをシリル化溶液（３）で６
０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３０秒間洗浄
する。引続きプラズマエッチング装置（Ｌｅｙｂｏｌｄ
Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）を用いて酸素プラ
ズマ中で乾式現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍト
ル、バイアス電圧５００Ｖ）。０．５μｍの垂直な側面
を有するポジ型構造物が得られる。
【００３２】例 ７ 例１に相応するレジストを、マスクを介して１２０ｍＪ
／ｃｍ２で露光し（キャノン社製、ＤＵＶステッパ：λ
＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．３７）、網状化溶液（２）で
６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００℃で２分
間熱処理する。約２００ｍＪ／ｃｍ２でＤＵＶ投光露光
（マスクなし）した後、レジストをシリル化溶液（１）
で６０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３０秒間
洗浄する。引続きプラズマエッチング装置（Ｌｅｙｂｏ
ｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）を用いて酸素
プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍ
トル、バイアス電圧５００Ｖ）。０．５μｍ幅の溝が、
約１．７μｍの厚さのレジスト層内に得られる。
／ｃｍ２で露光し（キャノン社製、ＤＵＶステッパ：λ
＝２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．３７）、網状化溶液（２）で
６０秒間処理し、水で３０秒間洗浄し、１００℃で２分
間熱処理する。約２００ｍＪ／ｃｍ２でＤＵＶ投光露光
（マスクなし）した後、レジストをシリル化溶液（１）
で６０秒間処理し、次いでイソプロパノールで３０秒間
洗浄する。引続きプラズマエッチング装置（Ｌｅｙｂｏ
ｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社製、Ｚ４０１型）を用いて酸素
プラズマ中で乾式現像する（Ｏ２／ＲＩＥ：ガス圧６ｍ
トル、バイアス電圧５００Ｖ）。０．５μｍ幅の溝が、
約１．７μｍの厚さのレジスト層内に得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エフア リツセル ドイツ連邦共和国 8551 フオルヒハイ ム リンデンヴエーク 19 (72)発明者 ライナー ロイシユナー ドイツ連邦共和国 8520 エルランゲン ドンプアツフ‐シユトラーセ 144 (72)発明者 ミヒアエル ゼバルト ドイツ連邦共和国 8521 ヘスドルフ- ハンベルク キルヒエンシユタイク ３ (72)発明者 ヘルムート アーネ ドイツ連邦共和国 8551 レツテンバツ ハ ハイデシユトラーセ ６ (72)発明者 ジークフリート ビルクレ ドイツ連邦共和国 8552 ヘヒシユタツ ト フアイト‐シユトツス‐シユトラー セ 46 (56)参考文献 特開 昭62−165650（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−47659（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/38 G03F 7/36
Claims (10)
- 【請求項１】 急傾斜の側面を有する高度に解像された
レジスト構造物を製造する方法において、 −基板上に、化学的に反応性の基を含むポリマーとジア
ゾケトン又はキノンジアジドをベースとする光活性成分
とからなるフォトレジスト層を施し、 −このフォトレジスト層を像に応じて露光し、 −露光したフォトレジスト層を、ポリマーの反応性基と
の化学反応を可能とする官能基を有する多官能性有機化
合物で処理し、 −その後投光露光を行い、 −こうして露光されたフォトレジスト層を、ポリマーの
反応性基との化学反応を可能とする官能基を少なくとも
１個有する金属含有有機化合物で処理し、 −こうして処理されたフォトレジスト層を、酸素含有プ
ラズマ中でエッチングすることを特徴とする高度に解像
されたレジスト構造物の製法。 - 【請求項２】 化学反応性基として無水物基を有するポ
リマーを使用することを特徴とする請求項１記載の製
法。 - 【請求項３】 多官能性有機化合物としてポリアミンを
使用することを特徴とする請求項１又は２記載の製法。 - 【請求項４】 脂肪族ポリアミンを使用することを特徴
とする請求項３記載の製法。 - 【請求項５】 金属含有有機化合物として有機珪素化合
物を使用することを特徴とする請求項１ないし４の１つ
に記載の製法。 - 【請求項６】 ジアミノシロキサンを使用することを特
徴とする請求項５記載の製法。 - 【請求項７】 多官能性有機化合物でのフォトレジスト
層の処理を室温で行うことを特徴とする請求項１ないし
６の１つに記載の製法。 - 【請求項８】 フォトレジスト層を金属含有有機化合物
の水性アルコール溶液で処理することを特徴とする請求
項１ないし７の１つに記載の製法。 - 【請求項９】 投光露光前にフォトレジスト層に熱処理
を施すことを特徴とする請求項１ないし８の１つに記載
の製法。 - 【請求項１０】 フォトレジスト層をドライエッチング
可能の平坦化層上に施すことを特徴とする請求項１ない
し９の１つに記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90107013A EP0451311B1 (de) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur |
| AT90107013.6 | 1990-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04230761A JPH04230761A (ja) | 1992-08-19 |
| JP2991804B2 true JP2991804B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=8203880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3103783A Expired - Fee Related JP2991804B2 (ja) | 1990-04-12 | 1991-04-08 | レジスト構造物の製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5229258A (ja) |
| EP (1) | EP0451311B1 (ja) |
| JP (1) | JP2991804B2 (ja) |
| KR (1) | KR100192905B1 (ja) |
| DE (1) | DE59010864D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4226464B4 (de) * | 1992-08-10 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Positivresist |
| EP0760971B1 (de) * | 1994-05-25 | 1999-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Trockenentwickelbarer positivresist |
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