KR910010616A - 이온 원(ion 源) - Google Patents
이온 원(ion 源) Download PDFInfo
- Publication number
- KR910010616A KR910010616A KR1019900018833A KR900018833A KR910010616A KR 910010616 A KR910010616 A KR 910010616A KR 1019900018833 A KR1019900018833 A KR 1019900018833A KR 900018833 A KR900018833 A KR 900018833A KR 910010616 A KR910010616 A KR 910010616A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- ion source
- gas
- plasma
- discharge
- Prior art date
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical group N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 이온원을 나타내는 개요도,
제2도는 제1실시예의 애노우드 전극의 평면도,
제3도는 제1실시예의 애노우드 전극 및 그 보호기구를 나타내는 종단면도.
Claims (15)
- 방전에 의해 제1의 플라즈마가 생성되는 제1의 쳄버로서, 전자 생성수단이 설치된 메인쳄버와, 이 메인쳄버에 노즐을 통하여 연이어 통하는 서브쳄버를 가지는 제1의 쳄버와 상기 메인 쳄버내에 방전용의 제1의 가스를 공급하는 수단과, 상기 제1플라즈마 중에서 전자를 인출하는 전자인출 수단과 이들 인출전자의 방전연기에 의해 제2플라즈마를 생성시켜, 이온발생용의 제2의 가스를 이온화시키는 제2의 쳄버와, 이 제2의 쳄버에 상기 제2의 가스를 공급하는 수단과, 를 가지며, 상기 전자 인출 수단은, 상기 인출 전자를 상기 제2의 쳄버로 통과시키는 제1의 구멍과, 이 제1의 구멍 둘레에 형성되고, 상기 노즐에서 분사된 제1의 가스 일부를 상기 제2의 쳄버로 통과시키는 제2의 구멍을 가지는 전자비임의 방전 여기에 의하여 이온화된 가스를 생성하는 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단은, 상기 서브 쳄버 및 제2의 쳄버 사이에 설치된 전극을 가지는 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단의 제2의 구멍이, 제1의 구멍 중심에서 2.5내지 10mm의 범위에 위치하고 있는 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단의 제2의 구멍이 4 내지 8개의 원형 구멍인 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단의 제2구멍이, 동심원상에 배치되어 있는 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단의 제1구멍이, 직경 2.0 내지 3.0mm의 원형구멍인 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단의 두께 1.0 내지 3.5mm의 플레이트를 가지는 이온원.
- 제1항에 있어서, 전자인출 수단은 금속 텅스텐의 플레이트를 가지는 이온원.
- 제2항에 있어서, 전자인출 수단의 전원이, 애노우드 전극 및 제2의 쳄버의 측벽의 사이에 최고 150볼트의 전압을 인가할 수 있는 이온원.
- 전자 방출 영역에서의 방전에 의해 제1의 플라즈마가 생성되는 제1의 쳄버와, 상기 제1의 플라즈마 중에서 전자를 인출하는 전자 인출수단과, 이들 인출전자의 방전여기에 의해, 제2의 플라즈마를 생성시키고, 이온발생용의 제2의 가스를 이온화시키는 제2의 쳄버와, 이 제2의 쳄버에 상기 제2의 가스를 공급하는 수단과, 상기 제1의 쳄버내의 제1의 플라즈마에 대하여 음전위로 되는 영역중, 상기 전자를 방출하는 영역을 제외한 영역이, 절연물로 피복되어 있는 전자비임의 방전여기에 의하여 이온화된 가스를 생성하는 이온원.
- 제10항에 있어서, 절연물의 피복이 방출전자의 대향면에 형성되어 있는 이온원.
- 제10항에 있어서, 피복절연물이, 보론나이트라이드 또는 실리콘나이드라이드인 이온원.
- 방전에 의해, 제1의 플라즈마가 생성되는 제1의 쳄버와, 상기 제1의 플라즈마 중에서 전자를 인출하는 전자 인출 수단과, 이들 인출전자의 방전여기에 의해, 제2의 플라즈마를 생성시키고, 이온발생용의 제2의 가스를 이온화시키는 제2의 쳄버와, 이 제2의 챔버에 상기 제2의 가스를 공급하는 수단과, 상기 제2의 챔버에 설치되는 절연부재의 적어도 일부에, 상기 제2의 플라즈마에 대한 그림자를 형성하는 비상물 피착억제기구를 가지는, 전자비임의 방전여기에 의하여 이온화된 가스를 생성하는 이온원.
- 제13항에 있어서, 비상물 피착억제기구는, 상기 전자인출수단의 전극과, 이 전극의 하면을 덮는 절연성부재와의 접촉부분에 설치되어 있는 이온원.
- 제13항에 있어서, 비상물 피착억제기구가 상기 제2의 쳄버의 바닥판과, 이 바닥판을 유지하는 절연성 부재와 접촉부분에 설치되어 있는 이온원.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP302730 | 1989-11-20 | ||
| JP1302730A JP2819420B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | イオン源 |
| JP4878 | 1990-01-11 | ||
| JP2004878A JP2889930B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | イオン源 |
| JP2058871A JPH0374034A (ja) | 1989-05-25 | 1990-03-09 | プラズマ装置 |
| JP58871 | 1990-03-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010616A true KR910010616A (ko) | 1991-06-29 |
| KR0148372B1 KR0148372B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=67662574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900018833A KR0148372B1 (ko) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | 이온원 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0148372B1 (ko) |
-
1990
- 1990-11-20 KR KR1019900018833A patent/KR0148372B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0148372B1 (ko) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7872422B2 (en) | Ion source with recess in electrode | |
| AR025066A2 (es) | Metodo para ionizar un vapor de revestimiento en una disposicion de revestimiento por deposicion de vapor, y disposicion de revestimiento por deposicion devapor que usa un catodo con una campana anodica | |
| US3956666A (en) | Electron-bombardment ion sources | |
| JPS6020440A (ja) | イオンビ−ム加工装置 | |
| CA2190086A1 (en) | An Electron Jet Vapor Deposition System | |
| KR880009539A (ko) | 이온 발생 장치 | |
| US6987364B2 (en) | Floating mode ion source | |
| SE8700017D0 (sv) | Ion plasma electron gun | |
| US5315121A (en) | Metal ion source and a method of producing metal ions | |
| KR900013563A (ko) | 전자비임 여기(勵起) 이온 원(源) | |
| KR950007207A (ko) | 고속 원자빔 공급원 | |
| EP0901149A3 (en) | Secondary electron emission electron shower for an ion implanter | |
| KR910010616A (ko) | 이온 원(ion 源) | |
| JPH0762989B2 (ja) | 電子ビ−ム励起イオン源 | |
| JP4253925B2 (ja) | イオン源 | |
| US8866068B2 (en) | Ion source with cathode having an array of nano-sized projections | |
| RU2035789C1 (ru) | Способ получения пучка ускоренных частиц в технологической вакуумной камере | |
| Frank et al. | Mechanism for initiation of pseudospark discharge by ions ejected from the anode side | |
| JPH0353402Y2 (ko) | ||
| SU908193A1 (ru) | Источник ионов | |
| JPH10275566A (ja) | イオン源 | |
| SU854197A1 (ru) | Источник отрицательных ионов | |
| KR880011945A (ko) | 박막형성방법 및 그 장치 | |
| JPS62122210A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| Mair et al. | Mass transport in liquid gallium ion beam sources |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090508 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |